專(zhuān)利名稱(chēng)：流體噴射裝置、噴孔片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種流體噴射裝置及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種微流體噴射裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
微流體噴射裝置近來(lái)已廣泛地運(yùn)用于信息產(chǎn)業(yè)，例如噴墨印表機(jī)或類(lèi)似設(shè)備中。隨著微系統(tǒng)工程(micro system engineering)的逐步開(kāi)發(fā)，此種流體噴射裝置逐漸有其他眾多領(lǐng)域的應(yīng)用，例如燃料噴射系統(tǒng)(fuel injectionsystem)、細(xì)胞篩選(cell sorting)、藥物釋放系統(tǒng)(drug delivery system)、噴印光刻技術(shù)(print lithography)及微噴射推進(jìn)系統(tǒng)(micro jet propulsion system)等。
圖1揭示一種采用噴孔片貼合技術(shù)的流體噴射裝置100，請(qǐng)參照?qǐng)D1，基底102上包括用以驅(qū)動(dòng)流體的加熱器104，基底102中形成有流體通道106，且基底102上形成有側(cè)壁結(jié)構(gòu)層108，另外，利用光刻及蝕刻技術(shù)在噴孔片110上形成噴孔112，并將制作好噴孔112的噴孔片110接合于側(cè)壁結(jié)構(gòu)層108上。
圖2A～2B揭示了一種公知的單片化的流體噴射裝置200的制造方法，首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供基底202，并在基底202上形成圖形化的犧牲層204，后續(xù)，形成覆蓋犧牲層204及基底202的結(jié)構(gòu)層206。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，圖形化結(jié)構(gòu)層206以形成噴孔208，蝕刻基底202，以形成流體通道210，并移除犧牲層204，以形成流體腔212。在上述一般的公知技術(shù)中，在無(wú)論是單片化工藝或是噴孔片貼合技術(shù)中，噴孔112、208大小均限制于掩模和黃光工藝線寬極限，且一旦選定特定的掩模，則噴孔大小無(wú)法更動(dòng)，或需要改變噴孔的尺寸時(shí)，則必須另外使用不同的掩模。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的為提供一種流體噴射裝置及其制造方法，其噴孔尺寸不限制于掩模和黃光工藝線寬極限，且在工藝上較具彈性。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種噴孔片的制造方法。首先，圖形化基板以形成噴孔，其后，形成內(nèi)襯層，以減小噴孔的尺寸，其中內(nèi)襯層僅位于噴孔的側(cè)壁上。
本發(fā)明提供一種流體噴射裝置的制造方法。首先，在基底上形成圖案化的犧牲層，在犧牲層和基底上形成結(jié)構(gòu)層。其后，圖形化結(jié)構(gòu)層，以形成噴孔，移除犧牲層，以形成流體腔。接著，在噴孔的側(cè)壁上，形成內(nèi)襯層，以減小噴孔的尺寸。
本發(fā)明提供一種流體噴射裝置的制造方法。首先，形成在基底上側(cè)壁結(jié)構(gòu)層，以定義出預(yù)定形成流體腔的區(qū)域。其后，提供基板，并圖形化基板，以形成噴孔。后續(xù)，在噴孔的側(cè)壁上，形成內(nèi)襯層，以縮小噴孔的尺寸，將具有縮小尺寸噴孔的基板接合于側(cè)壁結(jié)構(gòu)層上，以形成流體腔。
本發(fā)明提供一種流體噴射裝置，包括設(shè)置于基底上的側(cè)壁結(jié)構(gòu)層，設(shè)置于側(cè)壁結(jié)構(gòu)層上的噴孔片，以形成流體腔，其中噴孔片包括噴孔及內(nèi)襯層，僅位于噴孔的側(cè)壁上。


圖1揭示一種公知的流體噴射裝置。
圖2A～2B揭示一種公知的單片化的流體噴射裝置的制造方法。
圖3A～圖3F揭示本發(fā)明的實(shí)施例的噴孔片的噴孔的制造方法。
圖4A～圖4H揭示本發(fā)明的實(shí)施例以單片化方法制造流體噴射裝置的工藝剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明100～流體噴射裝置；102～基底；104～加熱器； 106～流體通道；108～側(cè)壁結(jié)構(gòu)層； 110～噴孔片；112～噴孔；200～流體噴射裝置；202～基底；204～犧牲層；206～結(jié)構(gòu)層； 208～噴孔；210～流體通道；212～流體腔；302～基板；304～噴孔；306～犧牲層； 308～側(cè)壁；
310～電鍍起始層；310a～電鍍起始層；312～電鍍層；314～內(nèi)襯層；300～基底； 322～流體驅(qū)動(dòng)元件；324～流體通道； 326～側(cè)壁結(jié)構(gòu)層；328～流體腔；400～基底；402～控制柵極； 404～第一介電層；406～第一導(dǎo)電層；407～源極；408～第二介電層；409～漏極；413～流體控制元件； 415～加熱元件；416～電阻層；417～接觸墊；418～第二導(dǎo)電層；420～鈍化層；422～金屬保護(hù)層；424～第一犧牲層；426～電鍍起始層；428～圖案化的光致抗蝕劑層；430～結(jié)構(gòu)層；432～噴孔；434～流體通道； 436～流體腔；480～第二犧牲層；482～電鍍起始層；484～電鍍層；490～內(nèi)襯層。
具體實(shí)施例方式
以下將以實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明做為本發(fā)明的參考，且范例伴隨著

。在附圖或描述中，相似或相同的部分使用相同的圖號(hào)。在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示。附圖中各元件的部分將以分別描述說(shuō)明的，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，可以具有各種本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的形式。此外，當(dāng)敘述一層位于一基板或是另一層上時(shí)，此層可直接位于基板或是另一層上，或是其間也可以有中間層。
圖3A～圖3F揭示本發(fā)明的實(shí)施例噴孔片的制造方法，首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3A，提供基板302，基板302可由例如金或是鎳的金屬組成，或是由例如光致抗蝕劑的高分子材料所組成，此外，基板302亦可以由陶瓷材料等其它材料組成。接下來(lái)，利用公知的光刻及蝕刻方法或是鉆孔方法，在基板302上形成噴孔304，噴孔304的直徑可依照產(chǎn)品需求或是工藝搭配決定，一般來(lái)說(shuō)，噴孔304的直徑介于50μm～200μm。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，在基板302上形成犧牲層306，犧牲層306可以為例如光致抗蝕劑的高分子，但本發(fā)明不限于此，犧牲層306亦可以由例如氧化硅或氮化硅的介電材料，或由其它材料組成。需注意的是犧牲層306不形成于噴孔304的側(cè)壁上，為達(dá)成此目的可使用例如噴灑(spray coat)的涂布技術(shù)形成犧牲層，噴灑的技術(shù)是利用噴嘴來(lái)回掃描，涂布而形成犧牲層306，此種方法較不易在噴孔304的側(cè)壁308上形成犧牲層，而犧牲層306僅會(huì)形成于噴孔304外的基板302表面，而噴灑技術(shù)的掃描速度和流速等工藝參數(shù)則可依照噴孔的大小決定的。另外，亦可使用額外的光刻及蝕刻工藝移除形成于噴孔側(cè)壁308的犧牲層。
后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，以金屬鍍膜法在犧牲層306上和噴孔的側(cè)壁308上形成電鍍起始層310，金屬鍍膜法可以為例如物理氣相沉積或蒸鍍法等的金屬沉積工藝，而電鍍起始層310可以由Ti、TiW、Cr、Au、Ni、Cu或/和Ta的金屬組成。優(yōu)選地，電鍍起始層310可包括鈦金屬層和位于鈦金屬層上的金金屬層，鈦金屬用于增進(jìn)金屬與晶片表面的附著力，厚度優(yōu)選為小于1000埃，金金屬層用于當(dāng)電鍍起始作用，厚度可約為2000埃～8000埃。此外，電鍍起始層亦可包括鈦金屬層和位于鈦金屬層上的鎳金屬層。另外，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，基板302的底部不形成有電鍍起始層。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在形成噴孔304時(shí)，可使用較大尺寸的噴孔304(例如直徑200μm以上的噴孔)，以使在形成電鍍起始層310a時(shí)，可使電鍍起始層310a均勻地形成于噴孔的側(cè)壁308上。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3D，進(jìn)行剝離工藝(lift-off)，移除犧牲層306，并由此移除位于犧牲層306上的電鍍起始層310，僅保留位于噴孔側(cè)壁308上的電鍍起始層310a。以例如高分子的犧牲層306為例，可使用移除劑(stripper)移除犧牲層306，以例如光致抗蝕劑的犧牲層為例，可使用顯影工藝移除犧牲層306，另外，以例如介電層的犧牲層為例，可使用例如濕蝕刻的各向同性蝕刻移除犧牲層306。
其后，請(qǐng)參照?qǐng)D3E，以電鍍方法在電鍍起始層310a上形成電鍍層312，由于在電鍍工藝的電鍍液中，僅電鍍起始層310a表面會(huì)產(chǎn)生反應(yīng)，因此，電鍍層312僅會(huì)形成于噴孔304中的電鍍起始層310a上，其中電鍍層312和電鍍起始層310a構(gòu)成內(nèi)襯層314，以縮小噴孔304的尺寸。需注意的是，在電鍍工藝中，噴孔304內(nèi)的電鍍層312會(huì)隨著電鍍時(shí)間增加而增厚，因此，噴孔304尺寸也隨之縮小，噴孔304尺寸的縮小量在定電流的條件下與電鍍時(shí)間成正比，因此，通過(guò)控制電鍍的時(shí)間，即可控制噴孔304的尺寸。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D3F，基底300上包括用以驅(qū)動(dòng)流體的流體驅(qū)動(dòng)元件322，基底300中形成有流體通道324，且基底300上形成有側(cè)壁結(jié)構(gòu)層326，并將包括縮小噴孔的基板302(亦即噴孔片)接合于側(cè)壁結(jié)構(gòu)層326上，以形成流體腔328。
圖4A～圖4H是揭示本發(fā)明的實(shí)施例以單片化方法制造流體噴射裝置的工藝剖面示意圖，首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4A，提供基底400，基底400包括硅、玻璃，和/或其它材料，優(yōu)選地，基底400為硅基底，其后，在基底400上形成例如多晶硅或金屬組成的控制柵極402，接著，形成例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅所組成的第一介電層404，覆蓋控制柵極402和部分基底400。后續(xù)，在柵極介電層404和部分基底400上形成例如鋁或銅的第一導(dǎo)電層406，其中，位于控制柵極402兩側(cè)的第一導(dǎo)電層406可分別用作源極407和漏極409，而控制柵極402及其相關(guān)電路為本實(shí)施例流體噴射裝置的流體控制元件413。
接著，在部分第一導(dǎo)電層406、第一介電層404和基底400上形成例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅所組成的第二介電層408，需注意的是，第二介電層408暴露部分第一導(dǎo)電層406和部分的漏極407，以做為插塞(via)，后續(xù)，形成電阻層416以覆蓋部分第一導(dǎo)電層406和部分源極407，接著，在電阻層416上形成例如鋁或銅的第二導(dǎo)電層418，其中第二導(dǎo)電層418和電阻層416緊密連結(jié)。后續(xù)，以例如光刻蝕刻工藝圖形化第二導(dǎo)電層418和電阻層416，接著，圖案化加熱元件區(qū)的第二導(dǎo)電層418，使部分電阻層416裸露，如此，電阻層416和其下的第一導(dǎo)電層406構(gòu)成加熱元件415。其后，在第二導(dǎo)電層418和電阻層416上形成例如包括SiC和SiN的鈍化層420，并在加熱元件415的電阻層416上形成由例如Ta組成的金屬保護(hù)層422，后續(xù)，圖案化鈍化層420以形成接觸墊417。
接下來(lái)，經(jīng)由例如沉積或涂布，并進(jìn)行光刻定義步驟，在基底的第一面401上形成圖形化的第一犧牲層424，在本實(shí)施例中第一面401即為與流體控制元件413的同一面。第一犧牲層424可以由例如氧化物的介電層或由例如光致抗蝕劑和/或聚合物的高分子層組成，第一犧牲層424的厚度可介于5μm～100μm。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，以例如物理氣相沉積法(PVD)或是蒸鍍法，在鈍化層420和第一犧牲層424上形成電鍍起始層426，電鍍起始層426需和其下的第一犧牲層424有良好的附著性，優(yōu)選地，電鍍起始層426可包括鈦金屬層和位于鈦金屬層上的銅金屬層，鈦金屬用于增進(jìn)金屬與晶片表面的附著力，厚度優(yōu)選為小于1000埃，銅金屬用于當(dāng)電鍍起始作用，厚度可約為2000?！?000埃。此外，電鍍起始層426亦可包括鈦金屬層和位于鈦金屬層上的鎳金屬層。后續(xù)，以旋轉(zhuǎn)涂布法及后續(xù)的光刻工藝，形成圖案化的光致抗蝕劑層428，圖案化的光致抗蝕劑層428覆蓋電鍍起始層426上的預(yù)定形成噴孔的位置與預(yù)定形成結(jié)構(gòu)層以外的區(qū)域。
接著，在第一犧牲層424上形成結(jié)構(gòu)層430，由于被前述光致抗蝕劑層428覆蓋的部分在電鍍液中不會(huì)產(chǎn)生反應(yīng)，因此，在電鍍的工藝中，結(jié)構(gòu)層430會(huì)形成在未被光致抗蝕劑層428覆蓋的部分，其中結(jié)構(gòu)層430的厚度可介于5μm～100μm。后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，以顯影、去除劑(stripper)或等離子體灰化移除上述光致抗蝕劑層428，而在移除上述光致抗蝕劑層428之后，可在結(jié)構(gòu)層430中形成噴孔432。在此需注意的是，雖然本發(fā)明揭示上述移除光致抗蝕劑層428以形成噴孔432的方法，但本發(fā)明不限于此，本發(fā)明亦可先形成結(jié)構(gòu)層430，再進(jìn)行光刻蝕刻步驟圖形化結(jié)構(gòu)層430，以定義出噴孔432。后續(xù)，移除噴孔432內(nèi)的電鍍起始層426。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4D，進(jìn)行例如光刻蝕刻方法，或噴沙法，圖形化基底的第二面403，以形成流體通道434，暴露出第一犧牲層424，之后，經(jīng)由流體通道434，以蝕刻方法，移除第一犧牲層424，以形成連通流體通道434的流體腔436。當(dāng)?shù)谝粻奚鼘?24由高分子組成時(shí)，可以通過(guò)等離子體灰化方法或是以去除劑(stripper)移除由高分子組成的第一犧牲層424。本發(fā)明不限于此，亦即，形成流體通道434的步驟順序可交換，例如，可先經(jīng)由噴孔432移除第一犧牲層424，之后，再于基底400的第二面403形成流體通道434。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D4E，在結(jié)構(gòu)層430上形成第二犧牲層480，第二犧牲層480的組成和形成方法可類(lèi)似于上述實(shí)施例，為簡(jiǎn)潔，在此不詳細(xì)描述。需注意的是第二犧牲層480不形成于噴孔432的側(cè)壁上。
后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D4F，以金屬鍍膜法在第二犧牲層480上和噴孔432的側(cè)壁上形成電鍍起始層482，金屬鍍膜法可以為例如物理氣相沉積等的金屬沉積工藝，而電鍍起始層482可以由Ti、TiW、Cr、Au、Ni、Cu或/和Ta的金屬組成，同樣的，犧牲層480的組成和形成方法可類(lèi)似于上述實(shí)施例，為簡(jiǎn)潔，在此不詳細(xì)描述。
請(qǐng)參照?qǐng)D4G，進(jìn)行剝離工藝(lift-off)，移除第二犧牲層480，并由此移除位于第二犧牲層480上的電鍍起始層482，僅保留位于噴孔432側(cè)壁上的部分電鍍起始層482a。以例如高分子的第二犧牲層480為例，可使用移除劑(stripper)移除第二犧牲層480，以例如光致抗蝕劑的第二犧牲層480為例，可使用顯影工藝移除第二犧牲層480，另外，以例如介電層的第二犧牲層480為例，可使用例如濕蝕刻的等向性蝕刻移除第二犧牲層480。
請(qǐng)參照?qǐng)D4H，以電鍍方法在電鍍起始層480a上形成電鍍層484，由于在電鍍工藝的電鍍液中，僅有電鍍起始層482a表面會(huì)產(chǎn)生反應(yīng)，因此，電鍍層484僅會(huì)形成于噴孔432中的電鍍起始層482a上，其中電鍍層484和電鍍起始層482a構(gòu)成內(nèi)襯層490，以縮小噴孔432的尺寸。需注意的是，在電鍍工藝中，噴孔432內(nèi)的電鍍層484會(huì)隨著電鍍時(shí)間增加而增厚，因此，噴孔432尺寸也隨之縮小，噴孔432尺寸的縮小量在定電流的條件下與電鍍時(shí)間成正比，因此，通過(guò)控制電鍍的時(shí)間，即可控制噴孔432的尺寸。
根據(jù)上述實(shí)施例，需要改變噴孔的尺寸時(shí)，不須另外使用不同的掩模，即可改變噴孔的大小，可減少掩模的制作成本，且工藝較具彈性。
雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種噴孔片的制造方法，包括提供基板；圖形化所述基板，以形成噴孔；及形成內(nèi)襯層，以減小所述噴孔的尺寸，其中所述內(nèi)襯層僅位于所述噴孔的側(cè)壁上。
2.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的噴孔片的制造方法，其中所述內(nèi)襯層通過(guò)電鍍方法形成。
3.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的噴孔片的制造方法，其中所述形成內(nèi)襯層的步驟，包括；在所述基板上形成犧牲層，其中所述犧牲層不形成于所述噴孔側(cè)壁；在所述犧牲層和所述噴孔側(cè)壁上形成電鍍起始層；移除所述犧牲層，及剝離所述犧牲層上的電鍍起始層，僅保留位于所述噴孔側(cè)壁上的部分電鍍起始層；及在所述噴孔側(cè)壁的電鍍起始層上選擇性地形成電鍍層，其中所述電鍍層和所述電鍍起始層構(gòu)成所述內(nèi)襯層。
4.如權(quán)利要求3項(xiàng)所述的噴孔片的制造方法，其中所述犧牲層為光致抗蝕劑。
5.如權(quán)利要求4項(xiàng)所述的噴孔片的制造方法，其中所述犧牲層通過(guò)移除劑或顯影工藝移除。
6.如權(quán)利要求3項(xiàng)所述的噴孔片的制造方法，其中所述犧牲層通過(guò)噴灑工藝形成。
7.如權(quán)利要求3項(xiàng)所述的噴孔片的制造方法，其中在所述基板上所述形成犧牲層的步驟包括在所述基板上旋轉(zhuǎn)涂布所述犧牲層；及以光刻和蝕刻工藝移除位于所述噴孔側(cè)壁上的部分犧牲層。
8.如權(quán)利要求3項(xiàng)所述的噴孔片的制造方法，其中所述電鍍層采用電鍍工藝形成。
9.一種流體噴射裝置的制造方法，包括提供基底；在所述基底上形成圖案化的第一犧牲層；在所述第一犧牲層和所述基底上形成結(jié)構(gòu)層；圖形化所述結(jié)構(gòu)層，以形成噴孔；移除所述第一犧牲層，以形成流體腔；及在所述噴孔的側(cè)壁上形成內(nèi)襯層，以減小所述噴孔的尺寸，其中所述內(nèi)襯層僅位于所述噴孔的側(cè)壁上。
10.如權(quán)利要求9項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中在所述噴孔的側(cè)壁上形成內(nèi)襯層的步驟，包括在所述結(jié)構(gòu)層上形成第二犧牲層，其中所述第二犧牲層不位于所述噴孔側(cè)壁；在所述第二犧牲層上和所述噴孔側(cè)壁上，形成電鍍起始層；移除所述第二犧牲層，及剝離所述第二犧牲層上的電鍍起始層，僅保留位于所述噴孔側(cè)壁上的電鍍起始層；及在所述噴孔側(cè)壁的電鍍起始層上選擇性地形成電鍍層，其中所述電鍍層和所述電鍍起始層構(gòu)成所述內(nèi)襯層。
11.如權(quán)利要求10項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中所述第二犧牲層為光致抗蝕劑，且移除所述第二犧牲層的步驟采用移除劑或顯影工藝。
12.如權(quán)利要求10項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中所述第二犧牲層通過(guò)噴灑工藝形成。
13.如權(quán)利要求10項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中在所述結(jié)構(gòu)層上形成第二犧牲層的步驟包括在所述結(jié)構(gòu)層上旋轉(zhuǎn)涂布所述第二犧牲層；及以光刻和蝕刻工藝移除位于所述噴孔側(cè)壁上的第二犧牲層。
14.如權(quán)利要求10項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中所述電鍍層采用電鍍工藝形成。
15.一種流體噴射裝置的制造方法，包括提供基底；在所述基底上形成側(cè)壁結(jié)構(gòu)層，以定義出預(yù)定形成流體腔的區(qū)域；提供基板；圖形化所述基板，以形成噴孔；在所述噴孔的側(cè)壁上形成內(nèi)襯層，以縮小所述噴孔的尺寸；及將所述具有縮小尺寸噴孔的基板接合于所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)層上，以形成流體腔。
16.如權(quán)利要求15項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中所述在所述噴孔的側(cè)壁上形成內(nèi)襯層的步驟，包括；在所述基板上形成犧牲層，其中所述犧牲層不位于所述噴孔側(cè)壁；在所述犧牲層和所述噴孔側(cè)壁上形成電鍍起始層；移除所述犧牲層，及剝離所述犧牲層上的電鍍起始層，僅保留位于所述噴孔側(cè)壁上的電鍍起始層；及在所述噴孔側(cè)壁的電鍍起始層上選擇性地形成電鍍層，其中所述電鍍層和所述電鍍起始層構(gòu)成所述內(nèi)襯層。
17.如權(quán)利要求16項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中所述犧牲層通過(guò)噴灑法形成。
18.如權(quán)利要求16項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中在所述基板上形成犧牲層的步驟包括在所述基板上旋轉(zhuǎn)涂布所述犧牲層；及以光刻和蝕刻工藝移除位于所述噴孔側(cè)壁上的犧牲層。
19.如權(quán)利要求16項(xiàng)所述的流體噴射裝置的制造方法，其中所述電鍍層采用電鍍工藝形成。
20.一種流體噴射裝置，包括基底；側(cè)壁結(jié)構(gòu)層，設(shè)置于所述基底上；噴孔片，設(shè)置于所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)層上，以形成流體腔，其中所述噴孔片包括噴孔；及內(nèi)襯層，僅位于所述噴孔的側(cè)壁上。
21.如權(quán)利要求20項(xiàng)所述的流體噴射裝置，其中所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)層及所述噴孔片由鎳金屬組成。
22.如權(quán)利要求20項(xiàng)所述的流體噴射裝置，其中所述內(nèi)襯層包括電鍍起始層，鄰接所述噴孔側(cè)壁；及電鍍層，位于所述電鍍起始層上。
23.如權(quán)利要求22項(xiàng)所述的流體噴射裝置，其中所述電鍍起始層包括鈦金屬層和銅金屬層，或鈦金屬層和鎳金屬層。
24.如權(quán)利要求22項(xiàng)所述的流體噴射裝置，其中所述電鍍層為鎳金屬層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種噴孔片的制造方法。首先，圖形化基板以形成噴孔，其后，形成內(nèi)襯層，以減小噴孔的尺寸，其中內(nèi)襯層僅位于噴孔的側(cè)壁上。需要改變噴孔的尺寸時(shí)，不須另外使用不同的掩模，即可改變噴孔的大小，可減少掩模的制作成本，且工藝較具彈性。
文檔編號(hào)B41J2/14GK101062493SQ2006100801
公開(kāi)日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者莊文賓, 周忠誠(chéng) 申請(qǐng)人:明基電通股份有限公司