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導(dǎo)電性圖案的形成方法

文檔序號(hào):2480732閱讀:153來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:導(dǎo)電性圖案的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種使用噴墨方式的金屬布線制造工序。
背景技術(shù)
噴墨方式的圖案形成中,要進(jìn)行基于設(shè)置在基板上的凸起狀分隔部件(以下稱作圍堰)的圖案的細(xì)微化。為了將通過(guò)噴墨方式所噴出的導(dǎo)電性材料液體(有效稱作墨水),容納在通過(guò)圍堰于基板所形成的凹部(以下稱作圍堰溝部)中,而讓圍堰具有疏液性,讓基板具有親水性,從而防止模式越過(guò)圍堰(例如專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1特開2002-305077號(hào)公報(bào)但是,在形成流通比較大的電流的導(dǎo)電性圖案的情況下,為了讓導(dǎo)電性圖案自身的電阻值較低,而必需使其較厚,但由于圍堰呈疏液性,因此能夠滯留在通過(guò)圍堰于基板所形成的凹部的墨水的量是非常有限的,無(wú)法確保導(dǎo)電性圖案的厚度,作為流通較大的電流的導(dǎo)電性圖案是很不理想的。
另外,在通過(guò)噴墨方式所噴出的墨水到達(dá)基板的情況下,所到達(dá)的墨水,主要由墨水自身的粘度于基板的表面張力之間的關(guān)系決定所到達(dá)的墨水的大小(以下稱作擊中直徑)。如果在基板上設(shè)置寬度比該擊中直徑小的凹部,將墨水噴到該凹部中,則圍堰的上面會(huì)殘留墨水(以下稱作擊中痕跡)。該擊中痕跡與容納在圍堰中的墨水一起被施以熱處理,由于擊中痕跡自身也具有導(dǎo)電性,因此對(duì)基板的電氣可靠性造成了損害。

發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠簡(jiǎn)單地形成較大的厚度,即使墨水的擊中直徑較小,線寬中也沒(méi)有擊中痕跡的導(dǎo)電性圖案的形成方法。
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明的要點(diǎn)在于,包括在基板上形成圍堰的工序;以及在上述圍堰的上面的一部分或全部中涂布疏液劑的工序。
通過(guò)像這樣包括在基板上形成圍堰的工序;以及在該圍堰的上面的一部分或全部中涂布疏液劑的工序,在通過(guò)噴墨方式所噴出的墨水噴到圍堰的上面的情況下,通過(guò)涂布在圍堰的上面的一部分或全部中的疏液劑,能夠防止墨水殘留在圍堰的上面。這樣能夠得到在圍堰上面沒(méi)有擊中痕跡的導(dǎo)電性圖案。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,包括在基板上形成圍堰的工序;讓上述基板與上述圍堰的一部分或全部親水化的工序;以及在上述圍堰的上面的一部分或全部中涂布疏液劑的工序。
通過(guò)這樣,能夠得到在墨水的擊中直徑較小的線寬中沒(méi)有擊中痕跡的導(dǎo)電性圖案。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,疏液劑附著在作為與上述基板分開的部件的原版部件上,讓上述原版部件與上述基板上的上述圍堰的上面相接觸,通過(guò)這樣來(lái)將上述疏液劑轉(zhuǎn)寫到上述圍堰的上面的一部分或全部中。
這樣一來(lái),由于能夠讓疏液劑附著在作為與基板分開的部件的原版部件上,讓原版部件與基板上的圍堰的上面相接觸,通過(guò)這樣來(lái)將疏液劑轉(zhuǎn)寫到圍堰的上面的一部分或全部中,因此,內(nèi)部在圍堰的上面或全部中設(shè)置疏液劑,而不會(huì)給親水化的圍堰溝帶來(lái)影響。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,圍堰通過(guò)光刻法或轉(zhuǎn)寫法或印刷法形成。
通過(guò)這樣,能夠形成具有比墨水的擊中直徑小的線寬的圍堰。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,圍堰的材質(zhì)是無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料。
通過(guò)這樣,本發(fā)明的適用能夠與圍堰的材質(zhì)無(wú)關(guān)。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,圍堰的高度在1μm以上。
通過(guò)這樣,在圍堰上面的一部分或全部中設(shè)置疏液劑時(shí),如果圍堰的高度為1μm以上,邊能夠防止疏液劑輔助在圍堰的溝中。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,讓上述基板與上述圍堰的一部分或全部親水化的工序,包括臭氧氧化處理、等離子處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子射線照射處理、酸處理、堿處理中的任一個(gè)處理。
通過(guò)這樣,通過(guò)讓上述基板與上述圍堰的一部分或全部親水化的工序,包括臭氧氧化處理、等離子處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子射線照射處理、酸處理、堿處理中的任一個(gè)處理,能夠讓基板與圍堰的一部分或全部親水化。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,原版部件,是平板狀或滾筒狀。
通過(guò)這樣,能夠容易地將附著在平板狀或滾筒狀原版部件中的疏液劑,轉(zhuǎn)寫到形成在基板上的圍堰上面的一部分或全部中,讓圍堰上面的一部分或全部具有疏液性。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,上述原版部件的材質(zhì),是至少包括硅氧烷結(jié)構(gòu)的彈性體。
通過(guò)這樣,由于原版部件的材質(zhì),是至少包括硅氧烷結(jié)構(gòu)的彈性體,因此能夠得到彈性體原版部件,提高基板與圍堰的一部分或全部之間的密合性。另外,還能夠確保抗疏液劑性。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于,上述疏液劑是硅烷偶聯(lián)劑或呈現(xiàn)出疏液性的高分子。
通過(guò)這樣,由于疏液劑是硅烷偶聯(lián)劑或呈現(xiàn)出疏液性的高分子,因此圍堰上面的一部分或全部中具有強(qiáng)疏液性,能夠穩(wěn)定地將墨水容納在圍堰溝部中。


圖1為說(shuō)明基板以及在該基板上形成圖案的工序的流程圖。
圖2(a)~(f)為說(shuō)明通過(guò)光刻法對(duì)圍堰膜進(jìn)行蝕刻,形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖3(a)、(b)為說(shuō)明通過(guò)轉(zhuǎn)寫法形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖4(a)~(c)為說(shuō)明通過(guò)印刷法對(duì)圍堰膜進(jìn)行蝕刻,形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖5為說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的印刷法,直接形成圍堰的工序(S102、S103)的基板剖面圖。
圖6(a)~(c)為說(shuō)明通過(guò)基于壓花法的印刷法直接形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖7(a)~(c)為說(shuō)明通過(guò)基于壓印法的印刷法直接形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖8(a)~(e)為說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的光刻法,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻形成圍堰的工序(S121、S124、S125)的基板剖面圖。
圖9(a)~(d)為說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的轉(zhuǎn)寫法,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻形成圍堰的工序(S122、S124、S125)的基板剖面圖。
圖10(a)~(c)為說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的印刷法,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻形成圍堰的工序(S123、S124、S125)的基板剖面圖。
圖11(a)為制作平板狀原版部件時(shí)的俯視圖,(b)為制作平板狀原版部件時(shí)的圖11(a)的A-A剖面圖,(c)為所完成的平板狀原版部件的立體圖。
圖12(a)為涂布有疏液劑80的原版部件51的剖面圖,(b)為說(shuō)明將涂布有疏液劑80的原版面54a與基板10的圍堰上面12e相接觸,將原版面54a的疏液劑80,轉(zhuǎn)寫到基板10的圍堰上面12e上的基板10以及原版部件51的剖面圖,(c)為說(shuō)明將原版部件51從基板10的圍堰上面12e上脫離,將疏液劑80轉(zhuǎn)寫到基板10的圍堰上面12e上之后的狀態(tài)的基板10的剖面圖。
圖13(a)為液滴噴頭200全體的剖面立體圖,(b)為噴出部的詳細(xì)剖面圖。
圖14(a)~(c)為說(shuō)明從液滴噴頭200所噴出的導(dǎo)電性液體材料11與基板10之間的關(guān)系的剖面圖。
圖15(a)、(b)為說(shuō)明制作環(huán)狀原版部件61的工序的俯視圖、剖面圖,(c)為說(shuō)明從模框62中所取出的環(huán)形原版部件61的立體圖。
圖16為說(shuō)明通過(guò)壓花印刷法形成圍堰,同時(shí)在必要的圍堰膜12a的圍堰上面12e中涂布疏液劑80的工序的基板剖面圖。
圖17(a)為說(shuō)明設(shè)置用來(lái)放置TFT的柵電極的方法的基板的局部俯視圖,(b)為基板的部分剖面圖。
圖中B...圍堰溝寬,D...液滴的大小,L...擊中直徑,θ...接觸角,10...基板,10a...表面,10b...圖案,11、11a、11b...導(dǎo)電性液體材料,11c、11d...邊界,12...圍堰膜,12a、12aa、12ab、12ac...必要圍堰膜,12b...不需要圍堰膜,12c、12d...圍堰壁側(cè)面,12e...圍堰上面,14...保護(hù)層,14a...必要保護(hù)層,14b...不需要保護(hù)層,16...光掩膜,16a...光掩膜圖案,20...圍堰溝部,30...薄膜,31...圍堰壁,32...滾筒,33a...導(dǎo)電層用墨水,50...疏液劑,51...與基板材料不同的平板狀原版部件,52...模框,52a...引導(dǎo)孔,52b...壁面,53...印臺(tái),53a...斜面,53b...突出部,53c...面,54...印劑,54a...原版面,55...平板,56...加力部件,61...與基板材料不同的平板狀原版部件,62...??颍?2a...壁,62b、62c...段孔,63、64...底板,64a...孔,65...中心軸,65a、65b...突出部,66...蓋子、66a...孔,66b、66c...脫離孔,70...表面處理劑,71...與基板材料不同的平板狀原版部件,71a...圍堰形狀圖案部,72...圍堰形狀圖案部,73...圍堰液體材料,74...圍堰液體材料供給裝置,75...壓花印刷裝置,76...疏液劑涂布裝置,77...壓花鼓、78...軋鋁機(jī),79...儲(chǔ)箱,80...疏液劑,81...輔助滾筒,82...膜厚控制裝置,200...液滴噴頭,220...空室,222...分隔壁,224...振子,224a、224b...電極,224c...壓電器件,226...振動(dòng)板,227...噴出部,228...噴嘴板,229...儲(chǔ)液部,230...供給口,232...孔,252...噴嘴,300...TFT陣列基板,301...半導(dǎo)體層,302...柵電極,310...TFT陣列基板,311、317、318a、318b...導(dǎo)電性液體材料,312...圍堰上面,313、314、315、316...圍堰壁側(cè)面,320、321...圍堰溝部,322...絕緣層,323...源電極,324...漏電極。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施例1本實(shí)施例,對(duì)作為導(dǎo)電性圖案的形成方法的形成基板以及在該基板上形成圍堰的工序、讓基板與圍堰的一部分或全部親水化的工序、以及在圍堰的上面的一部分或全部中涂布疏液劑的工序進(jìn)行說(shuō)明。
<形成基板以及在該基板上形成圍堰的工序的流程圖>
圖1為說(shuō)明形成本實(shí)施例的基板以及在該基板上形成圍堰的工序的流程圖。本實(shí)施例中,通過(guò)步驟(以下稱作S)100來(lái)選擇是否將基板自身用作圍堰。在不將基板自身用作圍堰的情況下,進(jìn)入步驟S101,在將基板自身用作圍堰的情況下進(jìn)入S120。
這里,基板的材質(zhì),是玻璃、石英等所構(gòu)成的透明或半透明無(wú)機(jī)材質(zhì)基板材料、鉆石、硅類、鍺等單晶體或非單晶體的半導(dǎo)體基板材料、以及陶瓷等所制成的基板材料、或聚乙烯樹脂類、聚苯乙烯樹脂類、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂類、聚丙烯樹脂類、聚甲基丙烯酸酯樹脂類等常用塑料或聚碳酸脂樹脂類、聚酯樹脂類、聚酰胺樹脂類、聚縮醛樹脂類、聚酰胺酰亞胺樹脂類、聚酰亞胺樹脂類、聚醚酰亞胺樹脂類、環(huán)氧樹脂類(包括添加有玻璃的)、聚砜樹脂類、聚醚砜樹脂類、聚醚樹脂類、聚醚酮樹脂類、聚醚腈樹脂類、聚亞苯基醚樹脂類、聚苯硫醚樹脂系、多酚樹脂類等工程塑料中的任一個(gè)或各個(gè)材料組合而成的材料。
下面對(duì)基板自身不用作圍堰的情況進(jìn)行說(shuō)明。
S101中,選擇是否在基板上通過(guò)印刷法直接制造圍堰。在通過(guò)印刷法在基板上直接制造圍堰的情況下,進(jìn)入步驟S102,在不通過(guò)印刷法在基板上直接制造圍堰的情況下,進(jìn)入步驟S104。S102的印刷法中,通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、膠印法、壓花法、壓印法等,在基板上以給定的圖案直接設(shè)置圍堰材料,S103中,實(shí)施熱及/光處理等成膜處理,得到所期望的圍堰。熱及/或光處理是指,通過(guò)加熱、紫外線照射、紅外線照射或可見光照射等,激活個(gè)歐查圍堰的物質(zhì),使其發(fā)生反應(yīng),得到作為圍堰的性能的處理。以下稱作成膜處理。
S104中,在基板的一部分或全部中涂布圍堰的材料,為了得到圍堰的性能而實(shí)施成膜處理。這里所得到的膜在以下稱作圍堰膜。作為圍堰的高度的圍堰膜的厚度(高度),最好為1μm以上。
這里,在不將基板自身用作圍堰的情況下,作為所涂布或附著的圍堰的材質(zhì),無(wú)機(jī)材料可以使用無(wú)機(jī)材質(zhì)基板材料、半導(dǎo)體基板材料、陶瓷基板材料、或作為有機(jī)材料的通用塑料或工程塑料中的任一個(gè)或多個(gè)材料組合而成的材料。
進(jìn)而對(duì)涂布或附著方法進(jìn)行說(shuō)明。
涂布方法有通過(guò)讓液狀的前述圍堰的材料供給給旋轉(zhuǎn)的基板,而能夠得到所期望的厚度的圍堰膜的旋涂法、讓液狀的前述圍堰材料通過(guò)氣體或媒體變成霧狀并吹向基板的旋涂法、將液狀的前述圍堰材料供給給旋轉(zhuǎn)的多個(gè)滾筒并調(diào)整成給定的厚度,讓至少一個(gè)滾筒與基板相接觸,將圍堰的材料從滾筒轉(zhuǎn)寫到基板上的輥涂法、將液狀的前述圍堰材料供給給涂刷器的內(nèi)部,從涂刷器的前端向基板均勻涂布的模涂法、以及將液狀的前述圍堰材料儲(chǔ)存在容器內(nèi),將基板浸漬于其中之后再等速提起進(jìn)行涂布的浸涂法。
將通過(guò)該圖的S104所得到的圍堰膜成形為所期望的圖案的方法,有光刻法、轉(zhuǎn)寫法或印刷法,通過(guò)在S105中所求出的圍堰精度來(lái)進(jìn)行選擇。
在使用S106的光刻法的情況下,實(shí)施與圍堰形狀匹配的掩模,涂布·曝光·顯影液狀的保護(hù)膜之后,在S109中將圍堰膜的不需要部分蝕刻去除,在S110中剝離保護(hù)膜,得到所期望的圍堰形狀。詳細(xì)的將在后面說(shuō)明。
在使用S108的轉(zhuǎn)寫法時(shí),在圍堰的材質(zhì)主要為有機(jī)材料的情況下非常有效,在薄膜上預(yù)想附著成為圍堰的物質(zhì),使用光刻法或印刷法形成所期望的圖案。讓該帶有圍堰的薄膜的形成有圍堰的面與基板相面對(duì),通過(guò)多個(gè)滾筒進(jìn)行壓接,將圍堰與基板固定起來(lái)。接下來(lái),進(jìn)行薄膜與圍堰之間的剝離。只將圍堰殘留在基板上,得到所期望的圍堰形狀。該方法在制作大型的基板的情況下非常有效。另外,與使用S106的光刻法的情況相比,由于不需要對(duì)圍堰進(jìn)行時(shí)刻,且只通過(guò)干處理便能夠得到圍堰,因此是一種相當(dāng)?shù)蛢r(jià)的制造方法。詳細(xì)的將在后面說(shuō)明。
在使用S107的印刷法的情況下,可以列舉出絲網(wǎng)印刷或膠印法、壓花法、壓印法等。
S107的印刷法中,在使用絲網(wǎng)印刷或膠印的情況下,使用圍堰的材料被加工成了所期望的形狀的原版,通過(guò)絲網(wǎng)印刷或膠印印刷在基板上,通過(guò)干燥、加熱或光照使其硬化,得到所期望的圍堰形狀。在基底中形成有圍堰膜的情況下,將圍堰膜的不需要部分蝕刻去除,在S110中剝離保護(hù)層,得到所期望的圍堰形狀。該方法與光刻法相比是一種比較低價(jià)的制造方法。
另外,S107的印刷法中,在使用壓花法的情況下,將液狀的前述圍堰的材料供給給基板之后,通過(guò)干燥或加熱、光照等使其硬化。之后,壓上被加工成所期望的形狀的原版,適當(dāng)進(jìn)行加壓。另外,通過(guò)根據(jù)需要進(jìn)行加熱,來(lái)得到所期望的形狀。該方法與光刻法相比是一種較為低價(jià)的制造方法。
另外,S107的印刷法中,在使用壓印法的情況下,將液狀的前述圍堰的材料供給給基板之后,壓上被加工成所期望的形狀的原版,并通過(guò)干燥或加熱、光照等使其硬化,來(lái)得到所期望的形狀。該方法與壓花法一樣,與光刻法相比是一種較為低價(jià)的制造方法。
對(duì)將基板自身用作圍堰的情況進(jìn)行說(shuō)明。
在該圖的S100中選擇將基板自身用作圍堰的情況,根據(jù)在S120中所求出在圍堰的形狀或位置的精度來(lái)選擇光刻法、轉(zhuǎn)寫法或印刷法。S121的印刷法、S122的轉(zhuǎn)寫法以及S123的印刷法,由于與上述方法相同,因此省略其說(shuō)明。S124中,對(duì)通過(guò)各個(gè)方法在基板上所制造的保護(hù)層的圖案的沒(méi)有保護(hù)層的部分的基板,通過(guò)磷酸、硝酸、硫酸等酸性溶劑或堿性溶劑進(jìn)行蝕刻,接下來(lái),在S125中,剝離保護(hù)層,在基板上得到所期望的深度的凹部。將該凹部用作圍堰溝。
<通過(guò)光刻法在基板上形成圍堰的工序>
圖2(a)~(f),為說(shuō)明通過(guò)光刻法對(duì)圍堰膜進(jìn)行蝕刻,形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖2(a)中,像圖1的S104中所述的那樣在基板10的一部分或全部中形成圍堰膜12。圖2(b)中,在圖2(a)的圍堰膜12的一部分或全部上通過(guò)圖1的S106的方法形成保護(hù)層14。
圖2(c)中,為了與所形成的保護(hù)層14密合,而施以光掩模16,在該密合的光掩模16的表面上,實(shí)施所期望的構(gòu)圖。本實(shí)施例中,使用轉(zhuǎn)寫陽(yáng)模,從光掩模16的上方所照射的平行光,只照射在沒(méi)有光刻掩模圖案16a的部分上。
圖2(d)中,被光所照射的保護(hù)層14因該光而發(fā)生化學(xué)反應(yīng),變得可溶解于顯影液。如果將保護(hù)層14的表面充分浸漬在顯影液中,不需要的保護(hù)層14b便會(huì)溶解在顯影液中。另外,必要保護(hù)層14a不會(huì)被顯影液所溶解。也可以對(duì)必要保護(hù)層14a進(jìn)行加熱,提高其于圍堰膜12之間的密合性。
圖2(e)中,將溶解圍堰膜12的溶劑(以下稱作蝕刻液),供給給圍堰膜12的表面,將沒(méi)有必要保護(hù)層14a的部分的不需要圍堰膜12b溶解去除。必要圍堰膜12a,確保在必要保護(hù)層14a于基板10之間。
圖2(f)中,通過(guò)剝離溶劑去除必要保護(hù)層14a,將必要圍堰膜12a圖案化形成在基板10上。本實(shí)施例中,將通過(guò)1個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12c、相面對(duì)的另一個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12d以及基板10的表面10a所形成的凹部,稱作圍堰溝部20。另外,將必要圍堰膜12a的上方的面稱作圍堰上面12e。
<通過(guò)轉(zhuǎn)寫法在基板上形成圍堰的工序>
圖3(a)、(b),為說(shuō)明通過(guò)轉(zhuǎn)寫法形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖3(a)為說(shuō)明將帶有圍堰壁的薄膜與基板壓接起來(lái)的工序的基板剖面圖。薄膜30中,預(yù)先在薄膜30的面中,使用光刻法或印刷法等,讓有機(jī)材料的圍堰壁31形成為所期望的圖案。滾筒間的距離進(jìn)行了調(diào)整的多個(gè)滾筒32之間,將帶圍堰壁的薄膜的形成有圍堰壁31的面與基板相面對(duì)插入,通過(guò)多個(gè)滾筒32在薄膜30與圍堰壁31以及基板10之間產(chǎn)生壓力,將圍堰壁31與基板10壓接起來(lái)。這種情況下,可以對(duì)滾筒或周圍的空氣進(jìn)行加熱。
圖3(b)為說(shuō)明從所壓接的圍堰壁上剝離薄膜的工序的基板剖面圖。薄膜30與圍堰壁31之間的固定力,比基板10與圍堰壁31之間的固定力弱。因此,如果將薄膜30提起,便能夠在將圍堰壁31固定在基板10的狀態(tài)下只將薄膜30剝離。薄膜30的材質(zhì),只要具有在作業(yè)工序中不會(huì)與圍堰壁31剝離的程度的密合力就可以,主要是氟樹脂類。
<通過(guò)印刷法在基板上形成圍堰的工序>
圖4(a)~(c),為說(shuō)明通過(guò)絲網(wǎng)印刷法或膠印法對(duì)圍堰膜進(jìn)行蝕刻,形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖4(a)中,如前所述在基板10的表面中形成圍堰膜12。在該圍堰膜12上,通過(guò)絲網(wǎng)印刷或膠印,以所期望的圖案印刷保護(hù)層14。所印刷的保護(hù)層14以及基板10,被實(shí)施加熱處理并密合,保護(hù)層14固化。這里,保護(hù)層14,既可以是對(duì)光感應(yīng)型的也可以是非感應(yīng)型的。作為非感應(yīng)型的有涂料等。
圖4(b),是將沒(méi)有保護(hù)層14的部分(不需要的圍堰膜12b)蝕刻去除的工序。關(guān)于蝕刻,與光刻法的蝕刻相同。
圖4(c),是將位于必要圍堰膜12a上的保護(hù)層14與光刻法一樣去除的工序。通過(guò)這些工序之后,在基板10上的面中,將必要圍堰膜12a設(shè)置成所期望的圖案,通過(guò)1個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12c、與該必要圍堰膜12a相面對(duì)的另一個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12d以及基板10的表面10a構(gòu)成凹部,形成圍堰溝部20。另外,將必要圍堰膜12a的上方的面稱作圍堰上面12e。
<通過(guò)印刷法在基板上直接形成圍堰的工序>
圖5為說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的絲網(wǎng)印刷或膠印法,直接形成圍堰的工序(S102、S103)的基板剖面圖。S102中,在基板10上,通過(guò)絲網(wǎng)印刷或膠印,將圍堰材料印刷成給定的圖案,得到必要圍堰膜12a。S103中,實(shí)施成膜處理,通過(guò)1個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12c、與該必要圍堰膜12a相面對(duì)的另一個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12d以及基板10的表面10a構(gòu)成凹部,形成圍堰溝部20。另外,將必要圍堰膜12a的上方的面稱作圍堰上面12e。
將蝕刻形成的圍堰壁側(cè)面12c與圍堰壁側(cè)面12d,與該通過(guò)印刷法在基板上直接形成圖案的方法中所形成的圍堰壁側(cè)面12c與圍堰壁側(cè)面12d相比,其特征在于,雖然圍堰上面12e與圍堰壁側(cè)面12c以及圍堰壁側(cè)面12d之間的邊界存在不清楚處,但在形成圍堰溝部20之前的工序較短。
<通過(guò)印刷法在基板上直接形成圍堰的工序>
圖6(a)~(c),為說(shuō)明通過(guò)壓花印刷法直接形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖6(a)中,如前所述在基板10的表面中形成圍堰膜12。對(duì)該圍堰膜12進(jìn)行干燥或加熱、光照使其固化。圍堰膜12a,既可以是對(duì)光或熱的感應(yīng)型的也可以是非感應(yīng)型的。作為非感應(yīng)型的有涂料等。
圖6(b)中,制作具有通過(guò)保護(hù)膜或蝕刻等所形成的圍堰形狀圖案部71a的、與基板10不同部件的平板狀原版部件71,將該圍堰形狀圖案部71a與圍堰膜12相面對(duì)設(shè)置。將圍堰膜12與原版部件71的圍堰形狀圖案部71a密合起來(lái),并適當(dāng)進(jìn)行加壓。另外,由于根據(jù)需要的加熱,使得圍堰膜12變形,沿著圍堰形狀圖案部71a的溝成型,成為圍堰膜12與圍堰形狀圖案部71a相面對(duì)的形狀。
圖6(c),是通過(guò)將原版部件71以及圍堰形狀圖案部71a從基板10上剝離,得到所期望的必要圍堰膜12a的工序。通過(guò)經(jīng)歷這些工序,在基板10上的表面上,將必要圍堰膜12a設(shè)置成所期望的圖案,通過(guò)1個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12c、與該必要圍堰膜12a相面對(duì)的另一個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12d以及基板10的表面10a構(gòu)成凹部,形成圍堰溝部20。另外,將必要圍堰膜12a的上方的面稱作圍堰上面12e。
<通過(guò)印刷法在基板上直接形成圍堰的工序>
圖7(a)~(c),為說(shuō)明通過(guò)壓印印刷法直接形成圍堰的工序的基板剖面圖。
圖7(a)中,通過(guò)圍堰液狀材料供給裝置74,適量相基板10的表面供給圍堰液狀材料73??梢愿稍锘蚣訜?、光照,是圍堰液狀材料73變成半固體狀態(tài)。
圖7(b)中,制作具有通過(guò)保護(hù)膜或蝕刻等所形成的圍堰形狀圖案部72的平板狀原版部件71,將該圍堰形狀圖案部72與供給給基板10上的圍堰液狀材料73或變成了半固體狀態(tài)的圍堰膜12相面對(duì)設(shè)置。將圍堰液狀材料73或圍堰膜12與原版部件71所具有的圍堰形狀圖案部72密合起來(lái),并適當(dāng)進(jìn)行加壓,通過(guò)這樣,使得圍堰液狀材料73或圍堰膜12變形,浸入到原版部件71所具有的圍堰形狀圖案部72的溝中。在適當(dāng)加壓的狀態(tài)下,通過(guò)干燥或加熱、光照,讓圍堰液狀材料73或圍堰膜12固化。這里,圍堰液狀材料73或圍堰膜12,既可以是對(duì)光或熱的感應(yīng)型的也可以是非感應(yīng)型的。作為非感應(yīng)型的有涂料等。
圖7(c),是通過(guò)將圍堰形狀圖案部72以及原版部件71從圍堰膜12上剝離,得到所期望的必要圍堰膜12a的工序。通過(guò)經(jīng)歷這些工序,在基板10上的表面上,將必要圍堰膜12a設(shè)置成所期望的圖案,通過(guò)1個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12c、與該必要圍堰膜12a相面對(duì)的另一個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12d以及基板10的表面10a構(gòu)成凹部,形成圍堰溝部20。另外,將必要圍堰膜12a的上方的面稱作圍堰上面12e。
圖8(a)~(e),是說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的光刻法,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻形成圍堰的工序(S121、S124、S125)的基板剖面圖。
圖8(a),是在S121中在基板10上形成保護(hù)層14的工序。形成方法以及材質(zhì)與S106相同。S121與S106的不同點(diǎn)在于,不在基板10上設(shè)置圍堰膜12,而在基板上形成保護(hù)層14。
圖8(b)中,在S121中,施以光掩膜16,從沒(méi)有光掩膜圖案16a的部分照射平行光,只向與沒(méi)有光掩膜圖案16a的部分相面對(duì)的保護(hù)層14照射平行光。
圖8(c)中,被光所照射的保護(hù)層14因該光而發(fā)生化學(xué)反應(yīng),變得可溶解于顯影液。如果將保護(hù)層14的表面充分浸漬在顯影液中,不需要的保護(hù)層14b便會(huì)溶解在顯影液中。另外,必要保護(hù)層14a不會(huì)被顯影液所溶解。也可以對(duì)必要保護(hù)層14a進(jìn)行加熱,提高其于圍堰膜12之間的密合性。
圖8(d)中,在S121中,將溶解基板10的溶劑(以下稱作基板蝕刻液),供給給必要保護(hù)層14a與基板10的表面,將沒(méi)有必要保護(hù)層14a的部分的基板10溶解,去除到所期望的深度,從而得到凹形的期望圖案10b。基板蝕刻液,只要是不會(huì)溶解必要保護(hù)層14a而溶解基板10的液體就可以。
圖8(e)中,在S124中,通過(guò)剝離溶劑去除必要保護(hù)層14a,得到被蝕刻了的基板10的凹形期望圖案10b,本實(shí)施例中,將該凹形的期望圖案10b用作圍堰溝部20。另外,將沒(méi)有被蝕刻的基板10的表面10a稱作上面12e。
圖9(a)~(d),為說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的轉(zhuǎn)寫法,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻形成圍堰的工序(S122、S124、S125)的基板剖面圖。
圖9(a)中,是說(shuō)明在S122中將帶有保護(hù)層的薄膜與基板壓接起來(lái)的工序的基板剖面圖。薄膜30中,預(yù)先在薄膜30的面中,使用光刻法或印刷法等,讓有機(jī)材料的保護(hù)層14形成為所期望的圖案。在滾筒間的距離進(jìn)行了調(diào)整的多個(gè)滾筒32之間,將帶保護(hù)層的薄膜的形成有保護(hù)層14的面與基板10相面對(duì)插入,通過(guò)多個(gè)滾筒32在薄膜30與保護(hù)層14以及基板10之間產(chǎn)生壓力,將圍堰壁31與基板10壓接起來(lái)。這種情況下,可以對(duì)滾筒或周圍的空氣進(jìn)行加熱。
圖9(b)為說(shuō)明在S122中,從所壓接的保護(hù)膜上剝離薄膜的工序的基板剖面圖。薄膜30與保護(hù)層14之間的固定力,比基板10與保護(hù)層14之間的固定力弱。因此,如果將薄膜30提起,便能夠在將保護(hù)層14固定在基板10的狀態(tài)下只將薄膜30剝離。薄膜30的材質(zhì),只要具有在作業(yè)工序中不會(huì)與保護(hù)層14剝離的程度的密合力就可以,主要是氟樹脂類。
圖9(c)中,在S124中,將溶解基板10的溶劑(以下稱作基板蝕刻液),供給給保護(hù)層14與基板10的表面,將沒(méi)有保護(hù)層14的部分的基板10溶解,去除到所期望的深度,從而得到凹形的期望圖案10b。基板蝕刻液,只要是不會(huì)溶解保護(hù)層14而能夠溶解基板10的液體就可以。
圖9(d)中,在S125中,通過(guò)剝離溶劑去除保護(hù)層14,得到被蝕刻了的基板10的凹形期望圖案10b,本實(shí)施例中,將該凹形的期望圖案10b用作圍堰溝部20。另外,將沒(méi)有被蝕刻的基板10的表面10a稱作上面12e。
圖10(a)~(c),為說(shuō)明通過(guò)圖1的流程圖中的印刷法,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,形成圍堰的工序(S123、S124、S125)的基板剖面圖。
圖10(a)中,在S123中,通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、膠印法等,在基板上直接以所期望的圖案設(shè)置保護(hù)層14。所印刷的保護(hù)層14以及基板10,被實(shí)施加熱處理并密合,保護(hù)層14固化。這里,保護(hù)層14,既可以是對(duì)光感應(yīng)型的也可以是非感應(yīng)型的。作為非感應(yīng)型的有涂料等。
圖10(b)中,在S124中,將溶解基板10的溶劑(以下稱作基板蝕刻液),供給給保護(hù)層14與基板10的表面,將沒(méi)有保護(hù)層14的部分的基板10溶解,去除到所期望的深度,從而得到凹形的期望圖案10b?;逦g刻液,只要是不會(huì)溶解必要保護(hù)層14a而能夠溶解基板10的液體就可以。
圖10(c)中,在S125中,通過(guò)剝離溶劑去除保護(hù)層14,得到被蝕刻了的基板10的凹形期望圖案10b,本實(shí)施例中,將該凹形的期望圖案10b用作圍堰溝部20。另外,將沒(méi)有被蝕刻的基板10的表面10a稱作上面12e。
<讓基板與圍堰的一部分或全部親水化的工序>
是對(duì)通過(guò)圖1的S101~S110所制造的圍堰溝部20、通過(guò)圖1的S120~S125對(duì)基板10進(jìn)行蝕刻所制造的圍堰溝部20、以及通過(guò)各個(gè)方法所制造的圍堰上面12e的一部分或全部,實(shí)施親水化的工序。
親水化工序(親水處理),是用來(lái)使其容易被水所濕潤(rùn)的處理,對(duì)圍堰溝部20、基板10以及圍堰上面12e的一部分或全部所實(shí)施的處理。親水化處理的具體例子,可以例示出臭氧氧化處理、等離子處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子射線照射處理、酸處理、堿處理等。另外,是根據(jù)圍堰溝部20、基板10以及圍堰上面12e的表面特性而適當(dāng)進(jìn)行的處理,例如在作為有機(jī)物的圍堰溝部20以及基板10的表面上,含有羥基、醛基、酮基、氨基、亞氨基、羧基、硅醇基等極性基的情況下,可以省略親水處理工序。
實(shí)施了親水處理的圍堰溝部20以及基板10,顯示出對(duì)水為20°以下的接觸角。
<在圍堰的上面的一部分或全部中涂布疏液劑的工序>
接下來(lái),對(duì)給前述的圍堰上面12e的一部分或全部,涂布疏液劑50的工序進(jìn)行說(shuō)明。該工序是用來(lái)讓圍堰上面12e的一部分或全部難以被水濕潤(rùn)的處理。
是將疏液劑50附著在基板10之外的部件的平板狀原版部件51上,將該原版部件51與基板10上的圍堰上面12e相接觸,通過(guò)這樣,將疏液劑50轉(zhuǎn)寫到圍堰上面12e的一部分或全部中,讓圍堰上面12e疏液化的工序。
圖11(a)~(c),是說(shuō)明平板狀原版部件的制作方法的俯視圖、剖面圖與立體圖。
圖11(a)為說(shuō)明制作平板狀原版部件時(shí)的俯視圖,圖11(b)為制作平板狀原版部件時(shí)的圖11(a)的A-A剖面圖,圖11(c)為所完成的平板狀原版部件的立體圖。
圖11(a)、(b)中,為了制作平板狀原版部件51,首先從???2的上方插入模具體53。模框52的底面中設(shè)有引導(dǎo)孔52a,與從模具體53向下延伸的突出部53b相卡定。另外,模框52與模具體53卡定在一起。模具體53的上方,設(shè)置了具有下方縮進(jìn)了一定間隔的相面對(duì)的一對(duì)斜面53a的突出部。
從模框52的雙方插入模具體53之后,將液狀的模具劑流入到由???2與模具體53所構(gòu)成的凹形的區(qū)域內(nèi)。所流入的液狀的模具劑54,一直流入填充到包括模具體52的面53c與斜面53a以及模塊52的內(nèi)壁面52b的區(qū)域。
插入填充了液狀的模具劑54之后,將具有至少一個(gè)面為平滑面55a的、例如硅晶片或玻璃等平板55,從模框52的上方插入,夾持液狀的模具劑54。這種情況下,預(yù)先在平板55的平滑面55a中涂布液狀的模具劑54之后再插入,以使得平板55的平滑面55a與液狀的模具劑54之間不會(huì)進(jìn)入空氣。平板55只要具有平坦的面就可以,沒(méi)有特別的限制。
在將平板55插入在???2中之后,插入加力部件56。本實(shí)施方式中,利用加力部件56的重量,對(duì)平板55與液狀模具劑54進(jìn)行加力,但也可以從上方通過(guò)氣缸、彈簧來(lái)進(jìn)行加力,或?qū)⒛??2與加力部件56螺在一起。
這樣,將安裝有各個(gè)部件的整套裝置在室溫下放置24小時(shí)。另外也可以進(jìn)行加熱。通過(guò)該處理,在液狀的模具劑54具有彈力性的狀態(tài)下進(jìn)行硬化。
這里,對(duì)作為原版部件的材質(zhì)的模具劑54的材料進(jìn)行說(shuō)明。
模具劑54的材料使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)(信越化學(xué)工業(yè)制KE1310ST),通過(guò)附加式反應(yīng)機(jī)構(gòu)混合了硬化輸出材料與硬化劑之后,通過(guò)在室溫下防止24小時(shí)或加熱放置,而在具有彈力性的狀態(tài)下使其硬化例如,在讓液狀的模具劑54發(fā)生反應(yīng),成型彈性體的情況下的反應(yīng),可以通過(guò)縮合型或附加型中的任一個(gè)來(lái)進(jìn)行,但由于顯示出0.5%程度的線收縮率的縮合型,在高分子發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程中產(chǎn)生氣體,因此,最好使用線收縮率為0.1%程度的附加型反應(yīng)機(jī)構(gòu)彈性體材料。
另外,作為模具劑54,為了提高與基板10之間的密合性,最后使用包含有硅氧烷構(gòu)造的彈性體。例如,可以列舉出作為硅烷化合物的聚二甲基硅氧烷(PDMS)類的彈性體。其高分子的結(jié)構(gòu)式通過(guò)Si(CH3)3-O-(Si(CH3)2O)n-Si(CH3)3來(lái)表示。n為正整數(shù)。通過(guò)使用該材料,能夠讓所成型的原版面54a的表面,吸收或附著涂布在后述的基板10上的表面處理劑。
圖11(c)為說(shuō)明在模具劑54具有彈性且被硬化了的狀態(tài)下,從???2中取出之后的原版部件51的立體圖。
包括模具體53的多個(gè)斜面53a與面53c,且固定有模具劑54。設(shè)置在模具體53中的突出部53b,為了在后述的工序中將原版部件51安裝在其他裝置中而使用。另外,模具劑54的原版面54a,通過(guò)平板55的平滑面55a而成為平滑的面。
在原版部件51的原版面54a上,將疏液性高分子溶液(大金工業(yè)制,單一達(dá)因TG-656)作為表面處理劑70,通過(guò)旋涂器以3000rpm的30秒的旋轉(zhuǎn),在原版面54a中涂布表面處理劑70。通過(guò)該表面處理劑70的涂布,讓原版面54a具有疏液性。
<在圍堰上面的一部分或全部中涂布疏液劑的工序>
圖12(a)~(c)為說(shuō)明在基板10中所形成的圍堰上面12e的一部分或全部中涂布疏液劑80的工序的基板10以及原版部件51的剖面圖。
圖12(a)是涂布有疏液劑80的原版部件51的剖面圖。
在原版部件51所具有的模具劑54的原版面54a的一部分或全部中涂布疏液劑80。疏液劑可以使用例如以讓分子的末端功能基有選擇地化學(xué)吸附在基板構(gòu)成原子上為特征的硅烷偶聯(lián)劑(有機(jī)硅化合物)或表面活性劑。
這里,硅烷偶聯(lián)劑是指,通過(guò)R1SiX1mX2(3-m)所表示的化合物,R1表示有機(jī)基,X1以及X2表示-OR2、-R2、-Cl,R2表示碳元素?cái)?shù)為1~4的烷基,m表示1至3的整數(shù)。
另外,表面活性劑是通過(guò)R1Y1表示的化合物,Y1為親水性的極性基,為-OH、-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COONa、-CONH2、-SO3H、-SO3Na、-OSO3H、-OSO3Na、-PO3H2、-PO3Na2、-PO3K2、-NO2、-NH2、-NH3Cl(氨鹽)、-NH3Br(氨鹽)、≡NHCl(吡啶翁鹽)、≡NHBr(吡啶翁鹽)等。
硅烷偶聯(lián)劑劑的特征在于,化學(xué)吸附基板表面中的氫基,由于在金屬或絕緣體等很多材料的氧化物表面顯示出反應(yīng)性,用作疏液劑80是非常理想的。這些硅烷偶聯(lián)劑或表面活性劑中,特別是通過(guò)R1具有全氟烷基構(gòu)造的CnF2n+1或全氟構(gòu)造CpF2p+1O(CpF2pO)r的含氟化合物進(jìn)行修飾,固體表面的表面自由能量低于25mJ/m2,與具有極性的材料之間的親和性較小,非常適于使用。
更具體的說(shuō),硅烷偶聯(lián)劑劑可以列舉出CF3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)11-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(C2H5)(OC2H5)2、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3O(CF3O6)4-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(CF3O6)2(CF2O)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(C2H5)(OCH3)2等。但并不僅限于上述結(jié)構(gòu)。
另外,表面活性劑可以列舉出CF3-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)3-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)3-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)5-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-OSO3Na、CF3(CF2)11-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)8-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C4F9O)2(CF2O)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-OSO3Na等,但并不僅限于上述結(jié)構(gòu)。
接下來(lái),疏液劑80可以使用疏液性的高分子化合物。例如,作為疏液性高分子化合物,可以使用分子內(nèi)含有氟原子的低聚物或多聚物,具體的例子如聚四氟化乙烯(PTEE)、乙烯四氟化乙烯共聚合物、6氟化丙稀-4氟化乙烯共聚合物、聚氟化亞乙烯基(PVdF)、聚(十七氟庚基乙基甲基丙烯酸酯)(PPFMA)、聚(全氟辛基乙基丙烯酸酯)等長(zhǎng)鏈全氟烷基構(gòu)造的乙烯、酯、丙烯酸酯、異丁烯酸鹽、塑料、氨基甲酸乙酯、硅、酰亞胺、碳類聚合物。
為了讓所轉(zhuǎn)寫的疏液劑80的膜不給溝部20帶來(lái)影響,最好使其厚度為10nm以下,更為理想的是5nm以下的膜厚。
另外,作為將疏液劑80涂布在模具劑54的原版面54a上的方法,可以采用一般的涂布方法,例如擠壓涂布方法、旋涂方法、凹印涂布方法、倒轉(zhuǎn)輥涂布方法、輥涂布方法、裂縫涂布方法、微凹印涂布方法、浸漬涂布方法、噴墨涂布方法等。
圖12(b)為說(shuō)明將涂布有疏液劑80的原版面54a與基板10的圍堰上面12e相接觸,將原版面54a的疏液劑轉(zhuǎn)寫到基板10的圍堰上面12e上的基板10以及原版部件51的剖面圖。
首先,調(diào)整原版面54a與基板10的圍堰上面12e的平行度。接下來(lái),在原版面54a與基板10的圍堰上面12e之間加力,讓具有彈力的模具劑54多少有些變形。因此,不在圍堰壁側(cè)面12c、圍堰壁側(cè)面12d中涂布疏液劑80,保持上述圍堰壁側(cè)面12c、圍堰壁側(cè)面12d以及基板10的表面10a的親水性。由于模具劑54多少有些變形,因此,為了將疏液劑80附著在圍堰溝部20中,必要圍堰膜12a的高度(厚度),最好為1μm以上。
圖12(c)為說(shuō)明將原版部件51從基板10的圍堰上面12e上脫離,將疏液劑80轉(zhuǎn)寫到基板10的圍堰上面12e上的狀態(tài)的基板10的剖面圖。只在原版面54a與基板10的圍堰上面12e相接觸的部分中轉(zhuǎn)寫疏液劑80,在不接觸的部分中不轉(zhuǎn)寫疏液劑80。這是一種能夠在圍堰說(shuō)明12e的一部分中進(jìn)行轉(zhuǎn)寫的方法。也可以對(duì)圍堰上面12e全體進(jìn)行轉(zhuǎn)寫。
為了提高所轉(zhuǎn)寫的圍堰上面12e的疏液劑80的疏液性,在轉(zhuǎn)寫工序之后,最好還使用用來(lái)將疏液劑80固定在基板10上的工序,具體的說(shuō)可以使用加熱處理或暴露在反應(yīng)性蒸氣中等處理。例如,在硅烷偶聯(lián)劑劑的情況下,通過(guò)將基板加熱到高溫,或在室溫下暴露在高濕度的環(huán)境下,來(lái)進(jìn)行反應(yīng)。具體的例子有,為了讓作為疏液劑80的疏液性高分子反應(yīng)固定在基板10的圍堰上面12e上,而在加熱到150℃的爐中進(jìn)行1分鐘的加熱處理的方法。
通過(guò)像這樣將所涂布的疏液劑80固定在基板10上,只在基板10上的圍堰上面12e中,形成有作為疏液劑80的疏液性高分子薄膜。通過(guò)所轉(zhuǎn)寫的疏液劑80的疏液性高分子,對(duì)表面實(shí)施疏液性處理,圍堰上面12e顯示出對(duì)水為90°以上的高接觸角。
圖13(a)為上面液滴噴頭200全體的剖面立體圖,該圖(b)為說(shuō)明噴出部的詳細(xì)剖面圖。各個(gè)液滴噴頭200是噴墨液滴噴頭。各個(gè)液滴噴頭200,具有振動(dòng)板226與噴嘴板228。振動(dòng)板226與噴嘴板228之間設(shè)有儲(chǔ)液部229,其常時(shí)填充有作為從墨箱(未圖示)經(jīng)管子(未圖示)供給給孔232的墨水的導(dǎo)電性液狀材料11。
另外,振動(dòng)板226與噴嘴板228之間,設(shè)有多個(gè)分隔壁222。這樣,由振動(dòng)板226、噴嘴板228、1對(duì)分隔壁222包圍而成的部分為空室220。由于空室220相對(duì)噴嘴252設(shè)置,因此空室220的數(shù)與噴嘴252的數(shù)相同。空室220只,經(jīng)位于一對(duì)分隔壁222之間的供給口230,從儲(chǔ)液部229供給導(dǎo)電性液狀材料11。
圖13(b)中,在振動(dòng)板226上,對(duì)應(yīng)于各個(gè)空室220,設(shè)有振子224。振子224,包括壓電器件224c、夾持壓電器件224c的一對(duì)電極224a、224b。通過(guò)給該一對(duì)電極224a、224b之間加載驅(qū)動(dòng)電壓,從相對(duì)應(yīng)的噴嘴252中噴出導(dǎo)電性液狀材料11。另外,調(diào)整噴嘴252的形狀,使得從噴嘴252向Z軸方向噴出導(dǎo)電性液狀材料11。
這里,本實(shí)施方式中的“導(dǎo)電性液狀材料11”是指,具有能夠從噴嘴中噴出的粘度的材料。這種情況下,不管材料是水性的還是油性的。只要具有能夠從噴嘴噴出的流動(dòng)性(粘度)就足夠了,即使混入了固體物質(zhì),如果其全體仍然是流體也可以。
導(dǎo)電性液狀材料11的粘度最好為1mPa·s以上,50mPa·s以下。在粘度小于1mPa·s的情況下,在噴出導(dǎo)電性液狀材料11的液滴時(shí),噴嘴252的周邊部很容易被導(dǎo)電性液狀材料11的流出所污染。另外,在粘度大于50mPa·s的情況下,噴嘴252中的堵塞頻度增高,因此很難得到流暢的液滴噴出。
本實(shí)施例中,有時(shí)將包括1個(gè)噴嘴252、對(duì)應(yīng)于噴嘴252的空室220、以及對(duì)應(yīng)于空室220的振子224的部分,標(biāo)記為“噴出部227”。根據(jù)該標(biāo)記,1個(gè)液滴噴頭200中,具體與噴嘴252相同數(shù)目的噴出部227。噴出部227也可以具有電氣熱變換器件,來(lái)代替壓電器件。也即,噴出部227,可以是利用電氣熱變換器件所引起的材料熱膨脹,來(lái)噴出材料的構(gòu)造。
這里對(duì)導(dǎo)電性液狀材料11的材質(zhì)進(jìn)行說(shuō)明。成為導(dǎo)電性圖案的導(dǎo)電性液狀材料11,含有導(dǎo)電性微粒與有機(jī)金屬化合物中的至少一方,是通過(guò)液滴噴出裝置(未圖示)在基板10上以給定的形狀設(shè)置在給定的位置上的導(dǎo)電性圖案。作為含有導(dǎo)電性微粒以及有機(jī)金屬化合物中的至少一方的導(dǎo)電性液狀材料11,可以使用將導(dǎo)電性為了分散在分散劑中的分散液、有機(jī)金屬化合物的溶液或它們的化合物。
這里所使用的導(dǎo)電性微粒,例如除了使用含有金、銀、銅、鋁、鈀、錳、銦、錫、銻、以及鎳中的至少1個(gè)的金屬微粒之外,還可以使用它們的氧化物、以及導(dǎo)電性聚合物或超導(dǎo)體的微粒等。
為了提高這些導(dǎo)電性微粒的分散性,可以在表面涂布二甲苯或甲苯等有機(jī)溶劑或檸檬酸等。導(dǎo)電性微粒的粒徑最好在1nm以上,0.1μm乙烯。如果大于0.1μm,便有可能會(huì)在后述的液滴噴頭的噴嘴中產(chǎn)生堵塞。另外,如果小于1nm,涂布材料相對(duì)導(dǎo)電性微粒的體積比就變大,使得所得到的膜中的有機(jī)物的比率過(guò)高。在使用通過(guò)涂布材料來(lái)覆蓋導(dǎo)電性微粒的材料的情況下,可以采用在液體形態(tài)下不顯示出導(dǎo)電性,在干燥或燒結(jié)后時(shí)呈現(xiàn)出導(dǎo)電性的墨水。
作為導(dǎo)電性例子的涂布劑,胺、酒精以及硫醇是公知的。更具體的說(shuō),作為導(dǎo)電性微粒的涂布劑,可以使用2-甲基氨基乙醇、二乙醇胺、二乙基甲基胺、2-二甲氨基乙醇以及甲基二乙醇胺等胺化合物、烷基胺類、乙二胺類、烷基醇類、乙二醇類、丙二醇類、醇硫醇類、及乙烷雙硫醇類。
另外,作為有機(jī)金屬化合物,例如可以舉出由含有金、銀、銅、鈀等的化合物或絡(luò)合物,通過(guò)熱分解析出金屬者。具體的說(shuō),可以列舉出氯三乙基膦金(I)、氯三甲基膦金(I)、氯三苯基膦金(I)、銀(I)2、4-戊烷二酮絡(luò)合物、三甲基膦(六氟乙酰丙酮)銀(I)絡(luò)合物、銅(I)六氟戊烷二酮環(huán)辛二烯絡(luò)合物等。
作為含有導(dǎo)電性尾閭義軍有機(jī)金屬化合物中的至少一方的液體分散劑或溶媒,可以在室溫下的蒸氣壓為0.001mmHg以上,200mmHg以下(約0.133Pa以上26600Pa以下)。這是由于,如果蒸氣壓高于200mmHg,則噴出之后分散劑或溶媒會(huì)急速蒸發(fā),很難形成良好的膜。
另外,如果分散劑或溶媒的蒸氣壓為0.001mmHg以上,50mmHg以下(約0.133Pa以上6650Pa以下),則更加理想。如果蒸氣壓高于50mmHg,則通過(guò)液滴噴出法噴出液滴時(shí),很容易因干燥引起噴嘴堵塞,很難穩(wěn)定突出。另外,在為室溫下的蒸氣壓低于0.001mmHg的分散劑或溶媒的情況下,干燥變慢,膜中很容易殘留分散劑或溶媒,在后繼工序的熱及/或光處理之后,很難得到優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)電膜。
作為分散劑,只要能夠分散上述導(dǎo)電性微粒,使其不會(huì)凝結(jié)就可以,并沒(méi)有特別的限制。例如除了水之外,還有甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類、n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、杜烯、茚、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、以及環(huán)己基苯等碳?xì)浠衔?、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚?二醇甲乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲乙醚、1,2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、p-二氧雜環(huán)乙烷等醚類化合物、以及碳酸丙烯、γ-丁內(nèi)酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲替甲酰胺、二甲亞砜、環(huán)己酮等極性化合物。其中,在微粒的分散性與分散劑的穩(wěn)定性、以及應(yīng)用在液滴噴出法中的容易程度這一點(diǎn),最好是水、醇類、碳?xì)浠衔镆约懊杨惢衔?,作為更加理想的分散劑,可以列舉出水、碳?xì)浠衔铩?br> 將上述導(dǎo)電性微粒分散在分散劑中的情況下的分散質(zhì)濃度,最好在1質(zhì)量%以上,可以對(duì)應(yīng)于所期望的導(dǎo)電膜膜厚來(lái)進(jìn)行調(diào)整。如果超過(guò)了80%,則容易引起凝結(jié),很難得到均勻的膜。另外,基于同樣的理由,上述有機(jī)金屬化合物溶液的溶質(zhì)濃度,最好處于和上述分散質(zhì)濃度相同的范圍內(nèi)。
上述導(dǎo)電性微粒的分散液的表面張力最好在0.02N/m以上,0.07N/m以下的范圍內(nèi)。在通過(guò)液滴噴出法噴出液滴時(shí),如果表面張力不滿0.02N/m,則由于墨水對(duì)噴嘴面的濕潤(rùn)性增大,因此容易產(chǎn)生飛行彎曲,如果超過(guò)了0.07N/m,則在噴嘴前端的彎月面的形狀不穩(wěn)定,因此噴出量以及噴出時(shí)刻的控制變得困難。為了調(diào)整表面張力,可以在上述分散液中,在不會(huì)大幅降低與基板之間的接觸角的范圍內(nèi),微量添加氟類、硅類、非離子類等表面張力調(diào)節(jié)劑。非離子類表面張力調(diào)節(jié)劑,有助于提高墨水在基板上的濕潤(rùn)性,改良膜的水平性、防止產(chǎn)生膜的細(xì)微的凹凸。上述表面張力調(diào)節(jié)劑,根據(jù)需要還可以含有醇、醚、酯、酮等有機(jī)化合物。
上述分散液的粘度最好為1mPa·s以上,50mPa·s以下。在使用液滴噴出法,將墨水作為液滴噴出時(shí),在粘度小于1mPa·s的情況下,噴嘴的周邊部很容易被墨水的流出所污染。另外,在粘度大于50mPa·s的情況下,噴嘴孔中的堵塞頻度增高,因此很難得到流暢的液滴噴出。
像這樣的導(dǎo)電層用墨水33a,具體的說(shuō),可以列舉出將直徑為10nm程度的銀微粒分散在有機(jī)溶劑中所得到的銀微粒分散液(真空冶金公司制,商品名為“perfect silver”)的分散劑,通過(guò)十四烷進(jìn)行置換將其稀釋,調(diào)整為粘度為8mPa·s,表面張力為0.022N/m。
圖14(a)~(c),是說(shuō)明從液滴噴頭200所噴出的導(dǎo)電性液狀材料11與基板10之間的關(guān)系的剖面圖。
圖14(a)中,從液滴噴頭200所噴出的導(dǎo)電性液狀材料11,以炮彈形狀到達(dá)基板10。通過(guò)液滴噴出裝置(未圖示),控制用來(lái)向由圍堰壁側(cè)面12c與基板10的表面10a以及圍堰壁側(cè)面12d所構(gòu)成的圍堰溝部噴出的位置,并噴出導(dǎo)電性液狀材料11。圖中所顯示的導(dǎo)電性液狀材料11,從液滴噴出裝置所具有的液滴噴頭200中噴出。對(duì)導(dǎo)電性液狀材料11的液滴大小D,大于圍堰溝部20的圍堰溝寬B的情況進(jìn)行說(shuō)明。
圖14(b)中顯示了導(dǎo)電性液狀材料11到達(dá)基板10之后的狀態(tài)。由于導(dǎo)電性液狀材料11的液滴大小D大于圍堰溝部20的圍堰溝寬B,因此到達(dá)了基板10之后如圖所示,成為從圍堰溝部20的圍堰溝寬B中溢出,擴(kuò)展到圍堰上面12e上所設(shè)置的疏液劑80的區(qū)域中的形狀(以下稱作擊中直徑)。
疏液劑80,如前所述,在圍堰上面12e中,具有對(duì)水110°以上的高接觸角,因此,對(duì)導(dǎo)電性液狀材料11的接觸角θ也很大。另外,圍堰溝部20如前所述,具有親水性,因此,到達(dá)基板10的導(dǎo)電性液狀材料11,從設(shè)置在圍堰上面12e中的疏液劑80受到壓縮力,相反,從圍堰溝部20受到張力。因此,導(dǎo)電性液狀材料11能夠沿著圍堰溝部20的溝,在該紙面的垂直方向的前后擴(kuò)展。另外,在圍堰溝寬B大于液滴的大小D的情況下,可以更加穩(wěn)定,將導(dǎo)電性液狀材料11容納在圍堰溝部20中。
圖14(c)中,顯示了導(dǎo)電性液狀材料11沿著圍堰溝部20的溝擴(kuò)展之后的狀態(tài)。
導(dǎo)電性液狀材料11,容納在從親水性的圍堰壁側(cè)面12c與圍堰上面12e上所設(shè)置的疏液性的疏液劑80之間的邊界11c,到圍堰壁側(cè)面12d與圍堰上面12e上所設(shè)置的疏液性的疏液劑80之間的邊界11d直徑的圍堰溝部中。以前,由于圍堰壁側(cè)面12c以及圍堰壁側(cè)面12d呈疏液性,因此用來(lái)將導(dǎo)電性液狀材料11容納在圍堰溝部20中的張力較弱,在容納導(dǎo)電性液狀材料11的過(guò)程中,如圖所示,導(dǎo)電性液狀材料11a以及導(dǎo)電性液狀材料11b(以后稱作擊中痕跡)殘留在疏液劑80上,在實(shí)施了導(dǎo)電性液狀材料11的成膜處理之后,由于該擊中痕跡也具有導(dǎo)電性,因此一旦構(gòu)成了多層構(gòu)造的電路,各層間就會(huì)產(chǎn)生短路,損害基板的電氣可靠性。
下面對(duì)本發(fā)明的效果進(jìn)行說(shuō)明。
(1)由于圍堰壁側(cè)面12c以及圍堰壁側(cè)面12d具有親水性,因此將導(dǎo)電性液狀材料引入圍堰溝部20的溝中的力增加,即使在小于擊中直徑(導(dǎo)電性液狀材料11的液滴大小D)的線寬(圍堰溝部的圍堰溝寬B)的情況下,也能夠得到?jīng)]有擊中痕跡(導(dǎo)電性液狀材料11a以及導(dǎo)電性液狀材料11b)的導(dǎo)電性圖案。
實(shí)施例2接下來(lái)對(duì)照附圖對(duì)實(shí)施例2進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施例中,說(shuō)明了與實(shí)施例1不同的部分,未作說(shuō)明的部分與實(shí)施例1相同。
圖15(a)、(b)為說(shuō)明滾筒狀原版部件61的制作方法的俯視圖、剖面圖以及立體圖。
圖15(a)、(b)中,說(shuō)明了制造作為與基板10分開的部件的滾筒狀原版部件61的工序。
???2的內(nèi)壁62a,通過(guò)滾筒研磨加工,能夠使其非常圓,提高滾筒度。???2的下方,為了確保與內(nèi)壁62a之間的同心度,而設(shè)有段孔62b,中心有孔64a的底板64與底板63卡定在一起。向此處流入實(shí)施例1中所述的液狀模具劑54。
從???2的上方插入中心軸65,將中心軸65的一端插入在底板64中心的孔64a中。將與設(shè)置在模框62的上方的段孔62c卡定在一起的蓋子66,從???2的上方插入,將蓋子66中所具有的孔66a與同心軸65的另一端卡定起來(lái)并插入。多余的液狀模具劑54,從蓋子66所具有的脫離孔66b、66c流出到???2的外部。這些部件通過(guò)與實(shí)施例1相同的處理,讓液狀模具劑54固化。將所固化的模具劑54以及一部分被包圍在模具劑54內(nèi)的中心軸,從???2中取出。
圖15(c)為從???2中所取出的滾筒狀原版部件61。
測(cè)定從模具劑54中突出的中心軸65的突出部65a、65b,與模具劑54的原版面54a之間的同軸度。在所測(cè)定的同軸度不理想的情況下,或模具劑54的原版面54a中有氣泡的情況下,以中心軸65的突出部65a、65b為基準(zhǔn),旋削原版面54a。這種情況下,由于模具劑54具有彈性,因此,可以通過(guò)加熱了的鋒利的刀具來(lái)進(jìn)行旋削。
原版部件61的模具劑54的原版面54a與實(shí)施例1一樣,通過(guò)表面處理劑70進(jìn)行處理。將這樣所制作的原版部件61安裝到輥涂裝置等中,在模具劑54的原版面54a中,厚度均勻地涂布實(shí)施例1中所述的疏液劑80,轉(zhuǎn)寫到具有圍堰溝部20的基板10的圍堰上面12e上,對(duì)疏液劑80進(jìn)行成膜處理。
接下來(lái),對(duì)本實(shí)施例的效果進(jìn)行說(shuō)明。
(2)能夠在基板10的圍堰上面12e中,連續(xù)涂布疏液劑80,提高了生產(chǎn)性。
實(shí)施例3接下來(lái)對(duì)照附圖對(duì)實(shí)施例3進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施例中,說(shuō)明了與實(shí)施例1不同的部分,未作說(shuō)明的部分與實(shí)施例1相同。
本實(shí)施例,是通過(guò)壓花印刷法對(duì)基板10中所設(shè)置的圍堰膜12進(jìn)行圍堰形成,同時(shí)涂布疏液劑80,得到所期望的形狀的必要圍堰膜12a,同時(shí)讓圍堰膜上面12e具有疏液性的處理的實(shí)施方法。
圖16為說(shuō)明通過(guò)壓花印刷法形成圍堰,同時(shí)在必要圍堰膜12a的圍堰上面12e中涂布疏液劑80的工序的基板剖面圖。
圖16中,首先,如前所述,在基板10的表面中,形成成為圍堰膜12的例如聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)。對(duì)該圍堰膜12進(jìn)行干燥或加熱、光照使其固化。圍堰膜12a,既可以是對(duì)光或熱的感應(yīng)型的也可以是非感應(yīng)型的。作為非感應(yīng)型的有涂料等。
通過(guò)壓花印刷裝置75、疏液劑涂布裝置76,對(duì)具有固化了的圍堰膜12的基板10適當(dāng)加壓,變更其相對(duì)位置。壓花印刷裝置75,設(shè)置了在壓花鼓77的周圍與所期望的圍堰圖案相面對(duì)的凹凸溝的軋鋁機(jī)78。在通過(guò)不具有與所期望的圍堰圖案相面對(duì)的凹凸溝的軋鋁機(jī)78的部分,進(jìn)行接合,并安裝在壓花鼓77中的情況下,通過(guò)讓軋鋁機(jī)78的長(zhǎng)度(周長(zhǎng)),長(zhǎng)于基板10的相對(duì)位置變更的方向的長(zhǎng)度,從而能夠?qū)?0上所設(shè)置的圍堰膜12得到所期望的必要圍堰膜12a。
另外,為了防止具有軋鋁機(jī)78的壓花鼓77,與具有圍堰膜12的基板10直徑的相對(duì)位置變更時(shí),因滑動(dòng)等而導(dǎo)致位置偏移,可以設(shè)置齒輪傳動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)或帶傳動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)。
軋鋁機(jī)78的與所期望的圍堰圖案相面對(duì)的凹凸溝,是通過(guò)光刻法進(jìn)行蝕刻所形成的,或通過(guò)激光加工進(jìn)行細(xì)微融解加工所得到的。與所期望的圍堰圖案相面對(duì)的凹凸溝的深度,最好與圍堰膜12相等或稍大。
如果對(duì)具有固化了的圍堰膜12的基板10以及壓花印刷裝置75適當(dāng)進(jìn)行加壓,變更其相對(duì)位置,便在圍堰膜12中,形成與圍堰78的期望圍堰圖案相面對(duì)的凹凸溝,以及與該凹凸溝相面對(duì)的期望圖案。
圍堰膜12中,通過(guò)壓花印刷裝置75,將必要圍堰膜12a殘留在基板10上。通過(guò)經(jīng)歷這些工序,在基板10上的表面上,將必要圍堰膜12a設(shè)置成所期望的圖案,通過(guò)1個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12c、與該必要圍堰膜12a相面對(duì)的另一個(gè)必要圍堰膜12a的圍堰壁側(cè)面12d以及基板10的表面10a構(gòu)成凹部,形成圍堰溝部20。另外,將必要圍堰膜12a的上方的面稱作圍堰上面12e。該工序中,通過(guò)對(duì)圍堰膜12進(jìn)行加熱,讓圍堰膜12呈現(xiàn)出柔軟性,便能夠得到更為理想的必要圍堰膜12a。
疏液劑涂布裝置76,具有作為與本發(fā)明的實(shí)施例2的基板10分開的部件的滾筒狀原版部件61,將存儲(chǔ)部79中所儲(chǔ)存的疏液劑80,適當(dāng)供給給輔助滾筒81,通過(guò)膜厚控制裝置82的來(lái)控制輔助滾筒81的周圍所附著的疏液劑80的厚度。
輔助滾筒81,與原版部件61相鄰,將輔助滾筒81周圍的疏液劑80,轉(zhuǎn)寫到原版部件61中。所轉(zhuǎn)寫的疏液劑80,一邊通過(guò)原版部件61給基板10的必要圍堰膜12a的圍堰上面12e適當(dāng)加壓,一邊轉(zhuǎn)寫到圍堰上面12e上。之后實(shí)施疏液劑80的前述成膜處理。
通過(guò)經(jīng)歷這些工序,設(shè)置在基板10上的圍堰膜12,通過(guò)壓花印刷裝置75形成圍堰溝部20,接下來(lái)通過(guò)疏液劑涂布裝置76,在圍堰上面12e的一部分或全部中實(shí)施疏液劑80涂布/成膜處理,讓圍堰上面12e具有抗水性。
下面對(duì)本實(shí)施例的效果進(jìn)行說(shuō)明。
(3)對(duì)設(shè)置在基板10上的圍堰膜12,通過(guò)壓花印刷裝置75形成圍堰溝部20,接下來(lái),通過(guò)疏液劑涂布裝置76,在圍堰上面12e的一部分或全部中涂布疏液劑80,因此提高了生產(chǎn)性。
實(shí)施例4接下來(lái)對(duì)照附圖對(duì)實(shí)施例4進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施例中,說(shuō)明了與實(shí)施例1不同的部分,未作說(shuō)明的部分與實(shí)施例1相同。
本實(shí)施例中,在基于薄膜晶體管(以下稱作TFT)驅(qū)動(dòng)的液晶面板中,使用本發(fā)明。
圖17(a),是說(shuō)明設(shè)置用來(lái)放置TFT的柵電極的方法的基板局部俯視圖,圖17(b)為基板的部分剖面圖。
液晶面板的TFT陣列基板300上,以矩陣狀設(shè)有多個(gè)透明像素電極(未圖示),各個(gè)像素電極中,設(shè)有由多晶硅膜所形成的半導(dǎo)體層301。另外,在TFT陣列基板300與相面對(duì)的對(duì)向基板(未圖示)之間,填充液晶(未圖示),在各個(gè)基板的表面設(shè)置取向膜(未圖示),進(jìn)行讓液晶排列在給定的方向上的取向處理。在光路上設(shè)置,具有與該液晶的給定方向相一致的方向的偏光軸的一對(duì)偏光板(未圖示)。
本實(shí)施例中,對(duì)形成該半導(dǎo)體層301用柵電極302的方法進(jìn)行說(shuō)明。
在TFT陣列基板300上,分別如前所述形成所期望的必要圍堰膜12aa、12ab、12ac。通過(guò)必要圍堰膜12aa的圍堰壁側(cè)面312,與作為必要圍堰膜12ab之一邊的圍堰壁側(cè)面314,以及TFT陣列基板表面310,構(gòu)成圍堰溝部320。另外,通過(guò)作為必要圍堰膜12ab的另一邊的圍堰壁側(cè)面315,與作為必要圍堰膜12ac之一邊的圍堰壁側(cè)面316,以及TFT陣列基板表面310,構(gòu)成另一個(gè)圍堰溝部321。圍堰溝部320、321在本實(shí)施例中為直線,但也可以是彎曲的。另外,圍堰溝部320、321的寬度不一定要固定。
在必要圍堰膜12aa、12ab、12ac各自的圍堰上面312中,如前所述,涂布/成膜處理疏液劑80,使其呈現(xiàn)出疏液性。
在比圍堰溝部320的寬度大的前述液滴噴頭200(參照?qǐng)D13)所噴出的導(dǎo)電性液狀材料311,到達(dá)TFT陣列基板300的圍堰溝部320的溝的大致中心時(shí),導(dǎo)電性液狀材料311變形為導(dǎo)電性液狀材料317擊中。
由于所擊中的導(dǎo)電性液狀材料317大于圍堰溝部320的寬度,因此,導(dǎo)電性液狀材料317的一部分落在必要圍堰膜12aa與必要圍堰膜12ab的圍堰上面312上。但是,根據(jù)本發(fā)明,圍堰上面312被疏液劑80所疏液化,而圍堰溝部320被親水化,因此落在圍堰上面312上的導(dǎo)電性液狀材料317,全部被容納在圍堰溝部320中。
所容納的導(dǎo)電性液狀材料317,在圍堰溝部320中變形,從導(dǎo)電性液狀材料318a擴(kuò)展成導(dǎo)電性液狀材料318b。其擴(kuò)展量,大致由圍堰溝部320的寬度、圍堰溝部320的深度、所噴出的導(dǎo)電性液狀材料311的體積、導(dǎo)電性液狀材料311的粘性、TFT陣列基板300的溫度、圍堰溝部320的親水化程度、疏液劑80讓圍堰上面312疏液化的程度所決定。
在圍堰溝部320上,從與前述的液滴噴頭200不同的位置上噴出導(dǎo)電性液狀材料311的情況下,考慮上述擴(kuò)展量再進(jìn)行噴出。這種情況下,通過(guò)與從上述所噴出并擴(kuò)展的導(dǎo)電性液狀材料318a到導(dǎo)電性液狀材料318b之間的區(qū)域重疊,噴出導(dǎo)電性液狀材料311,能夠得到較厚的柵電極302。
另一個(gè)圍堰溝部321中,也能夠同樣噴出導(dǎo)電性液狀材料311,制造柵電極302。
TFT陣列基板300中,制造了柵電極302之后,在包括柵電極302與圍堰上面312的一部分或全部中,制造絕緣層322。這種情況下,可以設(shè)置讓設(shè)置在圍堰上面312的疏液劑80的疏液化層親水化的工序,來(lái)設(shè)置絕緣層。在該絕緣層上的給定位置中,設(shè)置半導(dǎo)體層301。另外,設(shè)置源電極323(參照?qǐng)D17(b))與漏電極324(參照?qǐng)D17(b)),作為該半導(dǎo)體層301用電極,構(gòu)成TFT的主要部分。
本實(shí)施例中,對(duì)TFT驅(qū)動(dòng)的液晶面板的柵電極302的情況進(jìn)行了說(shuō)明,但同樣也能夠用作制造TFT驅(qū)動(dòng)液晶面板的其他電極、有機(jī)TFT驅(qū)動(dòng)的液晶面板的各個(gè)電極、有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的各個(gè)電極、其他電光學(xué)顯示裝置的各個(gè)電極的方法。
下面對(duì)本實(shí)施例的效果進(jìn)行說(shuō)明。
(4)電光學(xué)顯示裝置,由于要確保用于顯示的顯示區(qū)域較大,要求增加像素?cái)?shù),使其更高細(xì)密化。根據(jù)本實(shí)施例,能夠讓用來(lái)控制晶體管、二極管等的各個(gè)電極非常細(xì),同時(shí)在圍堰上面312中不會(huì)殘留導(dǎo)電性液狀材料311,形成一種具有電氣可靠性的導(dǎo)電性圖案。
本發(fā)明的實(shí)施例并不僅限于上述方式,還能夠如下進(jìn)行變更。
(變形例1)上述實(shí)施例中,作為與基板10分開的部件的原版部件51的原版面54a,具有平滑的平面,但也可以對(duì)應(yīng)于基板10的圍堰溝部20的形狀成形為凹凸?fàn)?,在圍堰上?2e的一部分或全部中設(shè)置疏液劑80。
(變形例2)實(shí)施實(shí)施例中,作為與基板10分開的部件的原版部件61所具有的模具劑54為滾筒狀,但也可以對(duì)應(yīng)于基板10的圍堰溝部20的形狀成形為凹凸?fàn)?,在圍堰上?2e的一部分或全部中設(shè)置疏液劑80。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于,包括在基板上形成圍堰的工序;以及向所述圍堰的上面的一部分或全部涂布疏液劑的工序。
2.一種導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于,包括在基板上形成圍堰的工序;對(duì)所述基板和所述圍堰的一部分或全部進(jìn)行親水化的工序;以及,向所述圍堰的上面的一部分或全部涂布疏液劑的工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于通過(guò)將所述疏液劑附著在作為與所述基板分開的部件的原版部件上,并將所述原版部件和所述基板上的所述圍堰的上面相接觸,使所述疏液劑轉(zhuǎn)寫到所述圍堰的上面的一部分或全部。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于所述圍堰通過(guò)光刻法或轉(zhuǎn)寫法或印刷法形成。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于所述圍堰的材質(zhì)是無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料。
6.如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于所述圍堰的高度在1μm以上。
7.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于對(duì)所述基板和所述圍堰的一部分或全部進(jìn)行親水化的工序包括選自臭氧氧化處理、等離子處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子射線照射處理、酸處理、堿處理中的任一個(gè)處理。
8.如權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于所述原版部件,是平板狀或滾筒狀。
9.如權(quán)利要求3或8所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于所述原版部件的材質(zhì),是至少包括硅氧烷結(jié)構(gòu)的彈性體。
10.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性圖案的形成方法,其特征在于所述疏液劑是硅烷偶聯(lián)劑或呈現(xiàn)疏液性的高分子。
全文摘要
提供一種能夠簡(jiǎn)單地形成較大的厚度,即使墨水的擊中直徑較小,線寬中也沒(méi)有擊中痕跡的導(dǎo)電性圖案的形成方法。疏液劑(80)在圍堰上面(12e)中具有對(duì)水110°以上的高接觸角,因此對(duì)導(dǎo)電性液狀材料(11)的接觸角(θ)也很大。另外,圍堰溝部(20)具有親水性,因此,到達(dá)基板(10)的導(dǎo)電性液狀材料(11),從設(shè)置在圍堰上面(12e)中的疏液劑(80)受到壓縮力,相反,從圍堰溝部(20)受到張力。因此,導(dǎo)電性液狀材料(11)能夠沿著圍堰溝部(20)的溝,在該紙面的垂直方向的前后擴(kuò)展。另外,在圍堰溝寬(B)大于液滴的大小(D)的情況下,可以更加穩(wěn)定地將導(dǎo)電性液狀材料(11)容納在圍堰溝部(20)中。
文檔編號(hào)B41J2/01GK1780531SQ2005101200
公開日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2005年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月25日
發(fā)明者豐田直之 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社
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