可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述膜層自玻璃基片向外依次包括：基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銅層、第二阻擋層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第一電介質(zhì)平鋪層、第一銀層、第一電介質(zhì)保護(hù)層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第二電介質(zhì)平鋪層、第二銀層、第二電介質(zhì)保護(hù)層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三電介質(zhì)平鋪層、第三銀層、第三阻擋層、頂層電介質(zhì)組合層。本實(shí)用新型采用一層銅和三層銀相結(jié)合的獨(dú)特膜系結(jié)構(gòu)，相對(duì)四銀低輻射鍍膜玻璃而言具有價(jià)格低廉、輻射低、可見光透過率高、外觀不呈現(xiàn)干擾色、選擇系數(shù)高、節(jié)能效果佳、極好的耐候性，可進(jìn)行后續(xù)加工。
【專利說明】可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及建筑玻璃和汽車玻璃領(lǐng)域，尤其涉及一種可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃。
【背景技術(shù)】
[0002]三銀低輻射鍍膜玻璃作為目前市場(chǎng)上的高端產(chǎn)品，三銀加銅低輻射鍍膜玻璃可達(dá)到四銀的低輻射效果，由三層的銀層和一層的銅層組成，具有較高的可見光透過率、很高的紅外線反射率，可以獲得極佳的隔熱保溫效果，另外對(duì)于紫外線的阻擋也有著很好的效果。一種可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃可以實(shí)現(xiàn)先鍍膜后再進(jìn)行改切、磨邊和鋼化等后續(xù)加工，解決銀和銅，尤其是銅，在后續(xù)熱處理中被破壞的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種產(chǎn)品性能好，耐磨耗、抗腐蝕、抗氧化極優(yōu)，在鍍膜后可進(jìn)行后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃。
[0004]本實(shí)用新型為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是:
[0005]一種可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和膜層，其特征在于，所述膜層自玻璃基片向外依次包括:基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銅層、第二阻擋層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第一電介質(zhì)平鋪層、第一銀層、第一電介質(zhì)保護(hù)層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第二電介質(zhì)平鋪層、第二銀層、第二電介質(zhì)保護(hù)層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三電介質(zhì)平鋪層、第三銀層、第三阻擋層、頂層電介質(zhì)組合層。
[0006]本實(shí)用新型還可以采用如下技術(shù)措施:
[0007]所述基層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層為硅的化合物。
[0008]所述基層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層為Si3N4、SiOxNy, Si02中的至少一種。第一、第二和第三阻擋層為 NiCr、NiV, NiVOx、T1、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx 和 CrNx中的一種。
[0009]所述第一、第二和第三隔層電介質(zhì)組合層為Si3N4、ZnSnOX, ZnO、Zr02、Nb305、In203、SnO, AZO, SiOXNy, Ta205、ZnAlOx、Ti02 和 InSbO 中的一種或幾種。
[0010]所述第一、第二和第三電介質(zhì)平鋪層為ZnAlOx、ZnO和AZO中的一種。
[0011]所述第一、第二電介質(zhì)保護(hù)層為ΑΖ0。
[0012]所述的基層電介質(zhì)組合層的厚度為10-100nm、第一阻擋層的厚度為0.5-5nm、銅層的厚度為3-30nm、第二阻擋層的厚度為0.5_5nm、第一隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10-150nm、第一電介質(zhì)平鋪層的厚度為l_20nm、第一銀層的厚度為5_40nm、第一電介質(zhì)保護(hù)層的厚度為2-20nm、第二隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第二電介質(zhì)平鋪層的厚度為l_20nm、第二銀層的厚度為5_40nm、第二電介質(zhì)保護(hù)層的厚度為2_20nm、第三隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第三電介質(zhì)平鋪層的厚度為l_20nm、第三銀層的厚度為5-40nm、第三阻擋層的厚度為0.5_5nm、頂層電介質(zhì)組合層的厚度為10-100nm。[0013]本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:本實(shí)用新型采用一層銅和三層銀相結(jié)合的獨(dú)特膜系結(jié)構(gòu)，解決了傳統(tǒng)低輻射玻璃銀層厚度和層數(shù)增加后可見光透過較低、外觀顏色呈現(xiàn)干擾色、顏色選擇受限等問題。產(chǎn)品具有價(jià)格低廉相對(duì)四銀低輻射鍍膜玻璃而言、輻射低、可見光透過率高、外觀不呈現(xiàn)干擾色、選擇系數(shù)高、節(jié)能效果佳、極好的耐候性等特點(diǎn)，且可進(jìn)行后續(xù)加工。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的
【發(fā)明內(nèi)容】
、特點(diǎn)及功效，茲例舉以下實(shí)施例，并配合附圖詳細(xì)說明如下:
[0016]如圖1所示，一種可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和膜層，其特征在于，所述膜層自玻璃基片向外依次包括:基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銅層、第二阻擋層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第一電介質(zhì)平鋪層、第一銀層、第一電介質(zhì)保護(hù)層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第二電介質(zhì)平鋪層、第二銀層、第二電介質(zhì)保護(hù)層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三電介質(zhì)平鋪層、第三銀層、第三阻擋層、頂層電介質(zhì)組合層。
[0017]本實(shí)用新型還可以采用如下技術(shù)措施:
[0018]所述基層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層為硅的化合物。
[0019]所述基層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層為Si3N4、SiOxNy, Si02中的至少一種。第一、第二和第三阻擋層為 NiCr、NiV, NiVOx、T1、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx 和 CrNx中的一種。
[0020]所述第一、第二和第三隔層電介質(zhì)組合層為Si3N4、ZnSnOX, ZnO、Zr02、Nb305、In203、SnO、AZO、Si0XNy、Ta205、ZnAlOx、Ti02 和 InSbO 中的一種或幾種。
[0021]所述第一、第二和第三電介質(zhì)平鋪層為ZnAlOx、ZnO和AZO中的一種。
[0022]所述第一、第二電介質(zhì)保護(hù)層為ΑΖ0。
[0023]用于生產(chǎn)上述可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜方式，具體包括以下步驟:
[0024]1、清洗玻璃基片，干燥后置于磁控濺射區(qū)。
[0025]2、在所述玻璃基片上自下向上依次沉積形成基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銅層、第二阻擋層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第一電介質(zhì)平鋪層、第一銀層、第一電介質(zhì)保護(hù)層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第二電介質(zhì)平鋪層、第二銀層、第二電介質(zhì)保護(hù)層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三電介質(zhì)平鋪層、第三銀層、第三阻擋層、頂層電介質(zhì)組合層。
[0026]3、形成產(chǎn)品。
[0027]所述基層電介質(zhì)層、第一至第三電介質(zhì)平鋪層、第一至第三隔層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)層均采用雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式沉積；所述銅層、第一至第三銀層、第一至第三阻擋層、第一至第二電介質(zhì)保護(hù)層均采用平面陰極、直流磁控濺射的方式沉積。
[0028]所述的直流磁控濺射方式是在純氧、氬氧或氬氮氛圍中進(jìn)行；所述的雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式是在氬氧、氬氮、純氬或氬氧氮氛圍中進(jìn)行。
[0029]本實(shí)用新型的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃的膜層機(jī)構(gòu)和厚度如下:
[0030]基層電介質(zhì)組合層的厚度為10-100nm、第一阻擋層的厚度為0.5_5nm、銅層的厚度為3-30nm、第二阻擋層的厚度為0.5_5nm、第一隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第一電介質(zhì)平鋪層的厚度為l-20nm、第一銀層的厚度為5_40nm、第一電介質(zhì)保護(hù)層的厚度為2-20nm、第二隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第二電介質(zhì)平鋪層的厚度為l_20nm、第二銀層的厚度為5-40nm、第二電介質(zhì)保護(hù)層的厚度為2_20nm、第三隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第三電介質(zhì)平鋪層的厚度為l_20nm、第三銀層的厚度為5_40nm、第三阻擋層的厚度為0.5-5nm、頂層電介質(zhì)組合層的厚度為10-100nm。
[0031]下面為本實(shí)用新型的一個(gè)具體應(yīng)用實(shí)例的材料膜層結(jié)構(gòu):
[0032]玻璃基片/Si3N4/NiCr/Cu/NiCr/Si3N4/Zn0/Ag/AZ0/Si3N4/Zn0/Ag/AZ0/Si3N4/Zn0/Ag/NiCr/Si3N4。
[0033]其中，基層基層電介質(zhì)組合層為氮化娃Si3N4,膜層厚度為:48nm ;
[0034]第一阻擋層為鎳鉻為NiCr，膜層厚度為:lnm ；
[0035]銅層Cu ?旲層厚度為:12nm ；
[0036]第二阻擋層為鎳鉻NiCr，膜 層厚度為:0.8nm ；
[0037]第一隔層電介質(zhì)組合層為氮化娃Si3N4,膜層厚度為:77nm ;
[0038]第一電介質(zhì)平鋪層為氧化鋅ZnO，膜層厚度為:3.4nm ；
[0039]第一銀層膜層厚度為:14.6nm ；
[0040]第一電介質(zhì)保護(hù)層為ΑΖ0,膜層厚度為:3.7nm ;
[0041]第二隔層電介質(zhì)組合層為氮化娃Si3N4,膜層厚度為:57.7nm ；
[0042]第二電介質(zhì)平鋪層為氧化鋅ZnO，膜層厚度為:10.4nm ；
[0043]第二銀層膜層厚度為:17nm ；
[0044]第二電介質(zhì)保護(hù)層為ΑΖ0,膜層厚度為:5.0nm;
[0045]第三隔層電介質(zhì)組合層為氮化娃Si3N4,膜層厚度為:60.7nm ；
[0046]第三電介質(zhì)平鋪層為氧化鋅ZnO,膜層厚度為:15.0nm;
[0047]第三銀層膜層厚度為:16nm ;
[0048]第三阻擋層為鎳鉻，膜層厚度為:0.Snm ；
[0049]頂層電介質(zhì)組合層為風(fēng)化娃Si3N4，I旲層厚度為:42.3nm。
[0050]上面所述的膜層加工工藝如下:
[0051]氮化硅(Si3N4)層使用硅鋁(92: 8)靶，采用雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式在氬、氮氛圍中濺射沉積，工作氣壓約2.5 E - 3mb ar，功率為2 O -110 kw，電源頻率為18-40kHzo
[0052]氧化鋅(ZnO)層使用鋅鋁(98: 2)靶，采用雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式在氬、氧氛圍中濺射沉積，工作氣壓約3.0E-3mbar，功率為5_60kw，電源頻率為18_40kHz。
[0053]AZO層使用氧化鋅靶，采用雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射方式在氬、氧氛圍中濺射沉積，工作氣壓約2.5E-3mbar，功率為3_15kw，電源頻率為18_40kHz。
[0054]鎳鉻(NiCr)層使用鎳鉻合金靶，采用平面陰極、直流磁控濺射方式在純氬氛圍中濺射沉積，工作氣壓約4.0E-3mbar,功率為1.6_10kw。
[0055]功能層Cu層使用無氧銅靶，采用平面陰極、直流磁控濺射方式在純氬氛圍中濺射沉積，工作氣壓約4.0E_3mbar,功率為3_30kw。
[0056]功能層Ag層使用銀靶，采用平面陰極、直流磁控濺射方式在純氬氛圍中濺射沉積，工作氣壓約4.0E-3mbar,功率為3_20kw。
[0057]本實(shí)用新型制作流程如下:
[0058](I).將玻璃基片清洗干燥后，將其置于真空濺射區(qū)，進(jìn)行預(yù)真空過渡；
[0059](2).在所述玻璃基片上沉積形成基層電介質(zhì)組合層；
[0060](3).在所述基層電介質(zhì)組合層上沉積形成第一阻擋層；
[0061](4).在所述的第一阻擋層上沉積形成功能層銅層；
[0062](5).在所述的功能層銅層上沉積形成第二阻擋層；
[0063](6).在所述的第二阻擋層上沉積形成第一隔層電介質(zhì)組合層；
[0064](7).在所述的第一隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第一電介質(zhì)平鋪層；
[0065](8).在所述的第一電介質(zhì)平鋪層上沉積形成功能層第一銀層；
[0066](9).在功能層第一銀層上沉積形成第一電介質(zhì)保護(hù)層；
[0067](10).在第一電介質(zhì)保護(hù)層上沉積形成第二隔層電介質(zhì)組合層；
[0068](11).在第二隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第二電介質(zhì)平鋪層；
[0069](12).在第二電介質(zhì)平鋪層上沉積形成功能層第二銀層；
[0070](13).在功能層第二銀層上沉積形成第二電介質(zhì)保護(hù)層；
[0071](14).在第二電介質(zhì)保護(hù)層上沉積形成第三隔層電介質(zhì)組合層；
[0072](15).在第三隔層電介質(zhì)組合層上沉積形成第三電介質(zhì)平鋪層；
[0073](16).在第三電介質(zhì)平鋪層上沉積形成功能層第三銀層；
[0074](17).在功能層第三銀層上沉積形成第三阻擋層；
[0075](18).在第三阻擋層上沉積形成頂層電介質(zhì)組合層。
[0076](19).形成產(chǎn)品；
[0077](20).在線測(cè)量光學(xué)性能參數(shù)；
[0078](21).成品檢驗(yàn)；
[0079](22).產(chǎn)品包裝。
[0080]按照上面所述流程制作出來的玻璃產(chǎn)品，經(jīng)過鋼化后光學(xué)性能如下(玻璃為6mm普通白玻):
[0081 ]玻璃可見光透過率Τ=60.5% ；
[0082]可見光玻璃面反射率=10.5% ；
[0083]可見光玻璃面色坐標(biāo)a*值=-1.5 ;
[0084]可見光玻璃面色坐標(biāo)b* = -9.5 ；
[0085]可見光膜面反射率=4.2% ；
[0086]可見光膜面色坐標(biāo)a*值=9.2 ;
[0087]可見光膜面色坐標(biāo)b* = -25 ；
[0088]玻璃輻射率E = 0.014 ;
[0089]膜層電阻低于1.1 Ω.cm2 ο[0090] 使用本實(shí)用新型制成:6mm含銀低福射玻璃+12mm空氣層+6mm普通白玻結(jié)構(gòu)的中空玻璃，性能參數(shù)如下:
[0091 ] 可見光透過率T = 55.2 % ;
[0092]可見光玻璃面反射率=12.7% ；
[0093]太陽能透過率T = 15% ；
[0094]太陽能反射率=55%
[0095]G-value = 0.22 ；
[0096]遮陽系數(shù)SC = 0.25;
[0097]U 值=1.08W/m2.K ;
[0098]選擇系數(shù)光熱比LSG = 2.5 ；
[0099]本實(shí)用新型提供一種獨(dú)特的膜系結(jié)構(gòu)，尤其是一層銅和三層銀的相互組合，對(duì)傳統(tǒng)的低輻射鍍膜玻璃進(jìn)行了改進(jìn)，解決了以下問題:
[0100]傳統(tǒng)以銀或者銅和銀組合作為紅外線反射層的低輻射鍍膜玻璃，不能再進(jìn)行后續(xù)加工的原因:銅層和銀層在鋼化加熱過程中極易被燒壞，導(dǎo)致膜層易脫膜、膜層表面發(fā)霧和減弱紅外線反射功能等問題。本實(shí)用新型通過改變基層和頂層的工藝參數(shù)、銅層的前后增加耐高溫阻擋層、銀層前后選用了特殊工藝的保護(hù)層，保護(hù)了銅和銀在鋼化高溫過程中不被破壞，可以實(shí)現(xiàn)先鍍膜后進(jìn)行鋼化等后續(xù)加工。
[0101]本實(shí)用新型采用獨(dú)特的膜系結(jié)構(gòu)及特殊工藝，解決多膜層的易劃傷、易脫膜和易氧化現(xiàn)象，滿足了后續(xù)加工的要求。
[0102]以上所述僅是對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改，等同變化與修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和膜層，其特征在于，所述膜層自玻璃基片向外依次包括:基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、銅層、第二阻擋層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第一電介質(zhì)平鋪層、第一銀層、第一電介質(zhì)保護(hù)層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第二電介質(zhì)平鋪層、第二銀層、第二電介質(zhì)保護(hù)層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三電介質(zhì)平鋪層、第三銀層、第三阻擋層、頂層電介質(zhì)組合層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，基層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層為硅的化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，基層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層為Si3N4、SiOxNy、Si02中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，第一、第二和第三阻擋層為 NiCr、NiV, NiVOx, T1、Cr、Nb、Zr、NiCrOx, NiCrNx 和 CrNx 中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，第一、第二和第三隔層電介質(zhì)組合層為Si3N4、ZnSnOX, ZnO、Zr02、Nb305、In203、 Sn0、AZ0、Si0XNy、Ta205、ZnA10x、Ti02 和 InSbO 中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，第一、第二和第三電介質(zhì)平鋪層為ZnAlOx、ZnO和AZO中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，第一、第二電介質(zhì)保護(hù)層為ΑΖ0。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可后續(xù)加工的含銅、銀四層低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述的基層電介質(zhì)組合層的厚度為10-100nm、第一阻擋層的厚度為0.5_5nm、銅層的厚度為3-30nm、第二阻擋層的厚度為0.5_5nm、第一隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第一電介質(zhì)平鋪層的厚度為l-20nm、第一銀層的厚度為5_40nm、第一電介質(zhì)保護(hù)層的厚度為2-20nm、第二隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第二電介質(zhì)平鋪層的厚度為l_20nm、第二銀層的厚度為5-40nm、第二電介質(zhì)保護(hù)層的厚度為2_20nm、第三隔層電介質(zhì)組合層的厚度為10_150nm、第三電介質(zhì)平鋪層的厚度為l_20nm、第三銀層的厚度為5_40nm、第三阻擋層的厚度為0.5-5nm、頂層電介質(zhì)組合層的厚度為10-100nm。
【文檔編號(hào)】B32B15/04GK203651100SQ201320413365
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】林嘉宏 申請(qǐng)人:臺(tái)玻天津玻璃有限公司