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一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板的制作方法

文檔序號(hào):2414527閱讀:299來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,屬于撓性覆銅基板(FCCL) 技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
[0002]目前,在撓性覆銅板(FCCL)技術(shù)領(lǐng)域,單面銅箔基板主要分為有接著劑型和無(wú)接著劑型。有接著劑型期絕緣層采用熱固性聚酰亞胺膜與環(huán)氧樹(shù)脂型粘合劑相結(jié)合使用,此方法生產(chǎn)單面銅箔基板具有較高的剝離強(qiáng)度但其耐高溫性能較差;無(wú)接著劑型采用將熱固性聚酰胺酸溶液通過(guò)涂覆機(jī)的涂頭涂布在銅箔的毛面上,經(jīng)烘箱烘干和高溫亞胺化后成為二層法單面銅箔基板,此方法生產(chǎn)單面銅箔基板具有較高的耐高溫性能,但其存在剝離強(qiáng)度較低、剝離強(qiáng)度均勻性不好、蝕刻后容易卷曲等問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型的目的,是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的單面銅箔基板剝離強(qiáng)度低、蝕刻后易卷曲的問(wèn)題,提供一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,具有較高的剝離強(qiáng)度和耐高溫性能、剝離強(qiáng)度均勻、卷曲較小等優(yōu)點(diǎn)。[0004]本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)采取如下技術(shù)方案達(dá)到[0005]一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是由聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔經(jīng)高溫壓制貼合而成,聚酰亞胺復(fù)合膜經(jīng)高溫壓制與銅箔緊密貼合,在所述聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔的貼合處形成熔合式連接結(jié)構(gòu)。[0006]本實(shí)用新型的目的還可以通過(guò)采取如下技術(shù)方案達(dá)到[0007]進(jìn)一步的技術(shù)改進(jìn)方案是所述聚酰亞胺復(fù)合膜包括熱固性聚酰亞胺層和熱塑性聚酰亞胺層,熱塑性聚酰亞胺層貼合在熱固性聚酰亞胺層的兩面上,形成TPI/PI/TPI結(jié)構(gòu)復(fù)合膜,所形成的聚酰亞胺復(fù)合膜的厚度為10-50um。[0008]進(jìn)一步的技術(shù)改進(jìn)方案是所述聚酰亞胺復(fù)合膜包括熱固性聚酰亞胺層和熱塑性聚酰亞胺層,熱塑性聚酰亞胺層貼合在熱固性聚酰亞胺層的一面上,形成TPI/PI結(jié)構(gòu)復(fù)合膜,所形成的聚酰亞胺復(fù)合膜的厚度為10-50um。[0009]進(jìn)一步的技術(shù)改進(jìn)方案是所述熱塑性聚酰亞胺層的厚度可以為1-lOum。[0010]進(jìn)一步的技術(shù)改進(jìn)方案是所述銅箔1可以為電解銅箔或壓延銅箔,其厚度可以為 9_70umo[0011]本實(shí)用新型的有益效果[0012]本實(shí)用新型由聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔經(jīng)高溫壓制貼合而成,由于在所述聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔的貼合處形成熔合式連接結(jié)構(gòu),因此,不但能解決現(xiàn)有接著劑型的耐熱性能不高的問(wèn)題,而且解決了涂布法單面撓性銅箔基板剝離強(qiáng)度不高和不均的問(wèn)題及其卷曲問(wèn)題。在蝕刻后卷曲和剝離強(qiáng)度方面均比涂布法二層單面撓性覆銅板優(yōu)異,更符合撓性印刷電路板廠商對(duì)單面撓性覆銅板的性能要求。


[0013]圖1是本實(shí)用新型具體實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。[0014]圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0015]
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。[0016]具體實(shí)施例1 [0017]參照?qǐng)D1,本實(shí)施例涉及的壓合式單面撓性銅箔基板,由聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔1 經(jīng)高溫壓制貼合而成,聚酰亞胺復(fù)合膜經(jīng)高溫壓制與銅箔1緊密貼合,在所述聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔1的貼合處形成熔合式連接結(jié)構(gòu)。[0018]本實(shí)施例中[0019]所述聚酰亞胺復(fù)合膜包括熱固性聚酰亞胺PI層2和熱塑性聚酰亞胺TPI層3,熱塑性聚酰亞胺TPI層3貼合在熱固性聚酰亞胺層2的兩面上,形成TPI/PI/TPI結(jié)構(gòu)復(fù)合膜, 所形成的聚酰亞胺復(fù)合膜的厚度為10-50um。所述聚酰亞胺復(fù)合膜還包括熱固性聚酰亞胺 (PI)層、及熱固性聚酰亞胺層一面上的熱塑性聚酰亞胺(TPI)層,該聚酰亞胺復(fù)合膜的厚度為10-50um。所述熱固性聚酰亞胺PI層2可以由熱固性聚酰亞胺膜構(gòu)成,所述熱塑性聚酰亞胺TPI層3可以由涂覆機(jī)在纖維布上涂一層I-IOum的熱塑性聚酰胺酸溶液,經(jīng)烘箱烘干和高溫亞胺化制得。所述聚酰亞胺復(fù)合膜可從市面上購(gòu)得,例如日本鐘淵化學(xué)株式會(huì)社生產(chǎn)的商品名PIXEO BP的聚酰亞胺復(fù)合膜及日本宇部化學(xué)株式會(huì)社生產(chǎn)的的聚酰亞胺復(fù)合膜。所述銅箔1可以為電解銅箔或壓延銅箔,其厚度可以為9-70um。[0020]本實(shí)用新型制作時(shí),首先將熱塑性聚酰胺酸溶液通過(guò)涂覆機(jī)涂布在熱固性聚酰亞胺膜的其中一面,經(jīng)烘箱烘干和高溫亞胺化成聚酰亞胺復(fù)合膜。然后將聚酰亞復(fù)合膜與銅箔分別旋轉(zhuǎn)在放料輥上,并通過(guò)高溫貼合輥壓合制得壓合法單面撓性銅箔基板。最后將所制得單面撓性銅箔基板連續(xù)地通過(guò)表面處理裝置對(duì)非銅箔面進(jìn)行表面處理,此表面處理裝置包括等離子體處理裝置或電暈處理裝置等。[0021]具體實(shí)施例2:[0022]參照?qǐng)D2,本實(shí)施例的特點(diǎn)是所述聚酰亞胺復(fù)合膜包括熱固性聚酰亞胺PI層2 和熱塑性聚酰亞胺TPI層3,熱塑性聚酰亞胺TPI層3貼合在熱固性聚酰亞胺層2的一面上,形成TPI/PI結(jié)構(gòu)復(fù)合膜,所形成的聚酰亞胺復(fù)合膜的厚度為10-50um。其余同具體實(shí)施例1.[0023]現(xiàn)將本實(shí)用新型的壓合法無(wú)接著劑型單面銅箔基板的制造方法詳細(xì)說(shuō)明如下。但本實(shí)用新型并非局限在實(shí)施例范圍。[0024]制造實(shí)例1 [0025]采用厚度為13um的聚酰亞胺復(fù)合膜,通過(guò)300_400°C的高溫貼合輪輥,與12um的電解銅箔貼合成壓合法二層單面撓性覆銅板。[0026]制造實(shí)例2 [0027]采用厚度為25um的聚酰亞胺復(fù)合膜,通過(guò)300_400°C的高溫貼合輪輥,與18um的電解銅箔貼合成壓合法二層單面撓性覆銅板。[0028]制造實(shí)例3 [0029]采用厚度為12um的電解銅箔,通過(guò)涂覆機(jī)涂布上一層13um厚度的熱固性聚酰胺酸溶液,經(jīng)烘箱烘干和高溫亞胺化后成為二層法單面銅箔基板。[0030]制造實(shí)例4 [0031]采用厚度為ISum的電解銅箔,通過(guò)涂覆機(jī)涂布上一層25um厚度的熱固性聚酰胺酸溶液,經(jīng)烘箱烘干和高溫亞胺化后成為二層法單面銅箔基板。[0032]上述各實(shí)施例與比較例所制得的二層法單面撓性覆銅板的性能如下表。[0033]表1 二層法單面撓性覆銅板性能比較性能處理?xiàng)l件實(shí)施例1實(shí)施例2比較例1比較例2蝕刻后卷曲AIcm2 cm3 cm5 cm剝離強(qiáng)度A1.2N/mm1.5N/mm0. 7N/mm1. ON/mm[0034]以上性能的測(cè)試方法如下[0035](1 )、蝕刻后卷曲參照IPC-TM-6502. 4. 22方法進(jìn)行測(cè)試。[0036](2)、剝離強(qiáng)度參照IPC-TM-6502. 4. 9方法測(cè)試。[0037]從上表數(shù)據(jù)看出,本實(shí)用新型的壓合法二層單面撓性覆銅板,在蝕刻后卷曲和剝離強(qiáng)度方面均比涂布法二層單面撓性覆銅板優(yōu)異,更符合撓性印刷電路板廠商對(duì)單面撓性覆銅板的性能要求。[0038]以上所述,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),可以根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形,而所有這些改變和變形都應(yīng)發(fā)球本實(shí)用新型后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,其特征是由聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔(1)經(jīng)高溫壓制貼合而成,聚酰亞胺復(fù)合膜經(jīng)高溫壓制與銅箔(1)緊密貼合,在所述聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔(1)的貼合處形成熔合式連接結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,其特征是所述聚酰亞胺復(fù)合膜包括熱固性聚酰亞胺層(2 )和熱塑性聚酰亞胺層(3 ),熱塑性聚酰亞胺層(3 )貼合在熱固性聚酰亞胺層(2)的兩面上,形成TPI/PI/TPI結(jié)構(gòu)復(fù)合膜,所形成的聚酰亞胺復(fù)合膜的厚度為10-50um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,其特征是所述聚酰亞胺復(fù)合膜包括熱固性聚酰亞胺層(2 )和熱塑性聚酰亞胺層(3 ),熱塑性聚酰亞胺層(3 )貼合在熱固性聚酰亞胺層(2)的一面上,形成TPI/PI結(jié)構(gòu)復(fù)合膜,所形成的聚酰亞胺復(fù)合膜的厚度為10-50um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,其特征是所述熱塑性聚酰亞胺層(3)的厚度為1-lOum。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,其特征是所述銅箔 (1)為電解銅箔或壓延銅箔,其厚度可以為9-70um。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種壓合式無(wú)接著劑型單面銅箔基板,其特征是由聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔(1)經(jīng)高溫壓制貼合而成,聚酰亞胺復(fù)合膜經(jīng)高溫壓制與銅箔(1)緊密貼合,在所述聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔(1)的貼合處形成熔合式連接結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型由聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔經(jīng)高溫壓制貼合而成,由于在所述聚酰亞胺復(fù)合膜與銅箔的貼合處形成熔合式連接結(jié)構(gòu),因此,不但能解決現(xiàn)有接著劑型的耐熱性能不高的問(wèn)題,而且解決了涂布法單面撓性銅箔基板剝離強(qiáng)度不高和不均的問(wèn)題及其卷曲問(wèn)題。在蝕刻后卷曲和剝離強(qiáng)度方面均比涂布法二層單面撓性覆銅板優(yōu)異,更符合撓性印刷電路板廠商對(duì)單面撓性覆銅板的性能要求。
文檔編號(hào)B32B15/08GK202283799SQ20122001903
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者劉榮鎮(zhèn), 張正浩, 漆小龍, 黃俊明 申請(qǐng)人:廣州聯(lián)茂電子科技有限公司
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