導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ITO層，銀層及WO3層，其中，所述ITO為氧化銦錫。上述導(dǎo)電薄膜通過在ITO層的表面沉積金屬銀作為導(dǎo)電層，在金屬銀層表面沉積高功函的WO3層制備導(dǎo)電薄膜，既能保持ITO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高。本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及應(yīng)用。
【專利說明】導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]導(dǎo)電薄膜電極是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)器件的發(fā)光效率。其中，氧化銦錫(ITO)是近年來研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。要在保持透明度和導(dǎo)電性的前提下，提高薄膜的表面功函數(shù)，則需要比較復(fù)雜的工序，而且效果不是很明顯，穩(wěn)定性不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要針對(duì)導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問題，提供一種功函數(shù)較高的導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0004]一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ITO層，銀層及WO3層，其中ITO為氧化銦錫。
[0005]一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0006]將ITO靶材、銀和WO3及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X IO-3Pa?1.0X 10_6Pa，ITO為氧化銦錫靶材；
[0007]在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為35mm?90mm,濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2Pa，工作氣體的流量為IOsccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC ；
[0008]在所述ITO層表面濺鍍銀層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm,濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC ；
[0009]在所述銀層表面濺鍍WO3層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm,濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm,襯底溫度為25CTC?75CTC ;及
[0010]剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，ITO層的厚度為50nm?150nm,所述銀層的厚度為5nm?35nm,所述WO3層的厚度為0.5nm?5nm。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體混合均勻，其中SnO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為3%?20%，余量為In2O3,將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述ITO層的厚度為80nm，所述銀層的厚度為25nm，所述WO3層的厚度為2nm。[0014]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、ITO層，銀層及冊(cè)3層，其中，所述ITO為氧化銦錫。
[0015]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟:
[0016]將ITO靶材、銀和WO3及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X IO-3Pa?1.0X 10_6Pa，ITO為氧化銦錫靶材；
[0017]在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為35mm?90mm,濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2Pa，工作氣體的流量為IOsccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC ；
[0018]在所述ITO層表面濺鍍銀層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm,濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC ；
[0019]在所述銀層表面濺鍍WO3層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm,濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體混合均勻，其中SnO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為3%?20%，余量為In2O3,將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述ITO層的厚度為50nm?150nm，所述銀層的厚度為5nm?35nm,所述WO3層的厚度為0.5nm?5nm。
[0022]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，所述陽極包括層疊的ITO層，銀層及WO3層，其中ITO為氧化銦錫。
[0023]上述導(dǎo)電薄膜通過在ITO層的表面沉積銀作為導(dǎo)電層，在金屬銀層表面沉積高功函的WO3層制備導(dǎo)電薄膜，既能保持ITO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜在300?800nm波長(zhǎng)范圍可見光透過率82 %?93 %，方塊電阻范圍5?30 Ω/ □，表面功函數(shù)5.8?6.1eV;上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)制備沉積ITO層，銀層及WO3層，工藝較為簡(jiǎn)單；使用該導(dǎo)電薄膜作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(jí)之間差距較小，降低了載流子的注入勢(shì)壘，可顯著的提高發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為一實(shí)施方式的導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0026]圖3為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為實(shí)施例1制備的導(dǎo)電薄膜的透射光譜譜圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步闡明。
[0029]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的導(dǎo)電薄膜100包括層疊的ITO層10，銀層20及WO3層30，其中，所述ITO為氧化銦錫。
[0030]ITO層10的厚度為50nm?150nm，優(yōu)選的為80nm ；
[0031]銀層20的厚度為5nm?35nm，優(yōu)選的為25nm ；
[0032]WO3層30的厚度為0.5nm?5nm，優(yōu)選的為2nm。
[0033]上述導(dǎo)電薄膜100通過在ITO層10的表面沉積導(dǎo)電銀層20及高功函的WO3層30制備導(dǎo)電薄膜，既能保持ITO層10的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜100的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜100在300?800nm波長(zhǎng)范圍可見光透過率82%?93%，方塊電阻范圍5?30 Ω/口，表面功函數(shù)5.8?6.1eV0
[0034]上述導(dǎo)電薄膜100的制備方法，包括以下步驟:
[0035]SllOjf ITO靶材、銀和WO3及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X IO-3Pa?1.0X 10_6Pa，ITO為氧化銦錫靶材。
[0036]本實(shí)施方式中，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體混合均勻，其中SnO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為3%?20%，余量為In2O3，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成祀材。
[0037]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0038]本實(shí)施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X10_4Pa。
[0039]步驟S120、在所述襯底表面濺鍍ITO層10，濺鍍所述ITO層10的工藝參數(shù)為:基靶間距為35mm?90mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C。
[0040]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為？ °C。
[0041]形成的ITO層10的厚度為50nm?150nm,優(yōu)選為80nm。
[0042]步驟S130、在所述ITO層10表面濺鍍銀層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm,襯底溫度為25CTC?75CTC。
[0043]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為？ °C。
[0044]形成的銀層20的厚度為5nm?35nm,優(yōu)選為25nm。
[0045]步驟S140、在所述銀層20表面濺鍍WO3層30，濺鍍所述銀層20的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C
[0046]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為？ °C。
[0047]形成的WO3層30的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選為2nm。
[0048]步驟S150、剝離襯底，得到導(dǎo)電薄膜100。
[0049]上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)制備ITO層10及沉積在ITO層10表面的銀層20，在銀層20表面沉積WO3層30，工藝較為簡(jiǎn)單。
[0050]請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200，包括層疊的襯底201、ITO層202，銀層203及WO3層204，其中，其中ITO為氧化銦錫。[0051]襯底201為石英片，單晶硅片和藍(lán)寶石等硬質(zhì)襯底。襯底201的厚度為0.1mm?
3.0mm,優(yōu)選為 1.0mm。
[0052]ITO層202的厚度為50nm?150nm，優(yōu)選的為80nm。
[0053]銀層203的厚度為5nm?35nm，優(yōu)選的為25nm。
[0054]WO3層204的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選的為2nm。
[0055]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200通過在ITO層202的表面沉積導(dǎo)電銀層203及高功函的WO3層204制備導(dǎo)電薄膜，既能保持ITO層202的良好的導(dǎo)電性能，又使基底200的功函數(shù)得到了顯著的提高，基底200在300?800nm波長(zhǎng)范圍可見光透過率82 %?93 %，方塊電阻范圍5?30 Ω / □,表面功函數(shù)5.8?6.1eV0
[0056]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，包括以下步驟:
[0057]S210、將ITO靶材、銀和WO3及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X IO-3Pa?1.0X 10_6Pa，ITO為氧化銦錫靶材。
[0058]本實(shí)施方式中，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體混合均勻，其中SnO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為3%?20%，余量為In2O3，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成祀材。
[0059]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0060]本實(shí)施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X10_4Pa。
[0061]步驟S220、在所述襯底表面濺鍍ITO層202，濺鍍所述ITO層202的工藝參數(shù)為:基靶間距為35mm?90mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C。
[0062]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為？ °C。
[0063]形成的ITO層202的厚度為50nm?150nm，優(yōu)選為80nm。
[0064]步驟S230、在所述ITO層202表面濺鍍銀層203，濺鍍所述銀層203的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C。
[0065]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為450°C。
[0066]形成的銀層203的厚度為5nm?35nm,優(yōu)選為25nm。
[0067]步驟S240、在所述銀層203表面濺鍍WO3層204，濺鍍所述銀層203的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C
[0068]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為450°C。
[0069]形成的WO3層204的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選為2nm。
[0070]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)在襯底201上制備ITO層202及沉積在ITO層202表面的銀層203，在銀層203表面沉積WO3層204，工藝較為簡(jiǎn)單。
[0071]請(qǐng)參閱圖3，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件300包括依次層疊的襯底301、陽極302、發(fā)光層303以及陰極304。陽極302由導(dǎo)電薄膜100制成，包括層疊的ITO層10，銀層20及WO3層30，其中，所述ITO為氧化銦錫。襯底301為玻璃襯底，可以理解，根據(jù)有機(jī)電致發(fā)光器件300具體結(jié)構(gòu)的不同，襯底301可以省略。發(fā)光層303及陰極304的材質(zhì)為Ag，Au, Al, Pt 或 Mg/Ag 合金。
[0072]ITO層10的厚度為50nm?150nm,優(yōu)選的為80nm ；
[0073]銀層20的厚度為5nm?35nm,優(yōu)選的為25nm ；
[0074]WO3層30的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選的為2nm。
[0075]可以理解，上述有機(jī)電致發(fā)光器件300也可根據(jù)使用需求設(shè)置其他功能層。
[0076]上述有機(jī)電致發(fā)光器件300，使用導(dǎo)電薄膜100作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)5.8?6.1eV,與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(jí)(典型的為5.7?6.3eV)之間差距較小，降低了載流子的注入勢(shì)壘，可提高發(fā)光效率。
[0077]下面為具體實(shí)施例。
[0078]實(shí)施例1
[0079]選用純度為99.9 %的粉體，質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為98 %的In2O3和質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2 %的SnO2經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的ITO陶瓷祀材,將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到6.0X 10_4Pa，気氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為1.0Pa，襯底溫度為450°C，濺射功率為100W，得到ITO薄膜后，放入蒸鍍?cè)O(shè)備中，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至2.0X 10_4Pa，先后在ITO薄膜上蒸鍍Ag薄膜和WO3薄膜。ITO薄膜的厚度為80nm，Ag薄膜的厚度為25nm，WO3薄膜的厚度為2nm，得到ITO-Ag-WO3透明導(dǎo)電薄膜，方塊電阻范圍5 Ω / □，表面功函數(shù)6.0eV,可見光平均透過率為85%。
[0080]請(qǐng)參閱圖4，圖4所示為得到的透明導(dǎo)電薄膜的透射光譜，使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試，測(cè)試波長(zhǎng)為300?800nm。由圖4可以看出薄膜在可見光470?790nm波長(zhǎng)范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到85%。
[0081]實(shí)施例2
[0082]選用純度為99.9%的粉體，質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為99.9%的In2O3和質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.1%的SnO2經(jīng)過均勻混合后，在1350°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的ITO陶瓷靶材，將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為35mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為15SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為2.0Pa，襯底溫度為750°C，濺射功率為160W，得到ITO薄膜后，放入蒸鍍?cè)O(shè)備中，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至
1.0X 10_6Pa，先后在ITO薄膜上蒸鍍Ag薄膜和WO3薄膜。ITO薄膜的厚度為50nm，Ag薄膜的厚度為35nm，WO3薄膜的厚度為0.5nm，得到ITO-Ag-WO3透明導(dǎo)電薄膜，方塊電阻范圍6 Ω / □，表面功函數(shù)5.8eV，可見光平均透過率為82%。
[0083]實(shí)施例3
[0084]選用純度為99.9 %的粉體，質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為97 %的In2O3和質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為3 %的SnO2經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的ITO陶瓷祀材,將祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C，濺射功率為600W，得到ITO薄膜后，放入蒸鍍?cè)O(shè)備中，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X10_3Pa，先后在ITO薄膜上蒸鍍Ag薄膜和WO3薄膜。ITO薄膜的厚度為150nm，Ag薄膜的厚度為5nm，WO3薄膜的厚度為5nm，得到ITO-Ag-WO3透明導(dǎo)電薄膜，方塊電阻范圍30Ω/ □，表面功函數(shù)
6.leV，可見光平均透過率為93%。
[0085]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于，包括層疊的ITO層，銀層及冊(cè)3層，其中ITO為氧化銦錫。
2.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將ITO靶材、銀和WO3及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X IO-3Pa?1.0X IO-6Pa, ITO為氧化銦錫靶材； 在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為35mm?90mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述ITO層表面濺鍍銀層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述銀層表面濺鍍WO3層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C '及剝離所述襯底，得到所 述導(dǎo)電薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述ITO層的厚度為50nm?150nm,所述銀層的厚度為5nm?35nm,所述WO3層的厚度為0.5nm?5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體混合均勻，其中SnO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為3%?20%，余量為In2O3,將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述ITO層的厚度為80nm，所述銀層的厚度為25nm，所述WO3層的厚度為2nm。
6.—種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底,其特征在于,包括依次層疊的襯底、ITO層,銀層及WO3層，其中，所述ITO為氧化銦錫。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將ITO靶材、銀和WO3及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X IO-3Pa?1.0X IO-6Pa, ITO為氧化銦錫靶材； 在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為35mm?90mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述ITO層表面濺鍍銀層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述銀層表面濺鍍WO3層，濺鍍所述銀層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為IOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體混合均勻，其中SnO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為3%?20%，余量為In2O3，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述ITO層的厚度為50nm?150nm,所述銀層的厚度為5nm?35nm,所述WO3層的厚度為0.5nm?5nm。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述陽極包括層疊的ITO層 ，銀層及WO3層，其中ITO為氧化銦錫。
【文檔編號(hào)】B32B33/00GK103427033SQ201210148379
【公開日】2013年12月4日 申請(qǐng)日期:2012年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月14日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司