專利名稱：一種覆金屬箔層壓板及覆金屬箔層壓板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及覆金屬箔層壓板及覆金屬箔層壓板的制造方法。
背景技術(shù)：
柔性電路基板采用了在耐熱性優(yōu)異的聚酰亞胺樹脂薄膜上形成金屬層(基底金屬層/上部金屬層)的覆金屬箔層壓板。在此，基底金屬層的金屬為鎳(Ni)等，上部金屬層的金屬為銅(Cu)等。但是，由于該聚酰亞胺樹脂薄膜具有高吸水性，因此在潮濕氣氛中會(huì)有尺寸精度下降的問題。因此，作為該聚酰亞胺樹脂薄膜的替代產(chǎn)品，耐熱性優(yōu)異且吸水性低的熱塑性薄膜受到關(guān)注。其中，液晶聚酯薄膜(液晶聚合物)由于熔點(diǎn)高、介電常數(shù)低、 高頻性能優(yōu)異，因此適合用作柔性電路基板的基材。另外，已知通過化學(xué)鍍?cè)谖缘偷臒崴苄员∧ど闲纬涉?、銅等基底金屬層。在用化學(xué)鍍銅形成基底金屬層時(shí)，一向使用以甲醛作為還原劑的鍍液，但從環(huán)境方面等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用以次磷酸作為還原劑的化學(xué)鍍銅液，因此該方面的研究正在展開。不過，以次磷酸作為還原劑的化學(xué)鍍銅液與現(xiàn)有的以甲醛作為還原劑使用的鍍液不同， 具有鍍層皮膜難以析出的問題。作為該問題的解決策略，專利文獻(xiàn)1提出了如下方法在施鍍預(yù)處理工序中，用鈀-錫混合催化劑處理薄膜表面后，通過浸泡到含鈀離子的溶液中使鍍層皮膜容易地析出至薄膜表面，并提高銅皮膜的附著性。另外，專利文獻(xiàn)2中提出了一種覆金屬箔層壓板的制造方法，上述覆金屬箔層壓板的熱塑性薄膜的表面設(shè)有作為基底層的化學(xué)鍍鎳-磷合金層，提高了熱塑性薄膜與基底層間的附著強(qiáng)度。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 特許第3325236號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開2008-260274號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題但是，在采用專利文獻(xiàn)1所記載的方法時(shí)，存在薄膜上的鈀付著量增多、蝕刻銅皮膜時(shí)導(dǎo)致薄膜表面留有鈀的殘?jiān)?、絕緣電阻降低、缺乏實(shí)用性的問題。另外，在采用專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)時(shí)，雖然解決了熱塑性薄膜與金屬層間的附著力的問題，但卻產(chǎn)生蝕刻銅皮膜時(shí)導(dǎo)致薄膜表面留有鎳的殘?jiān)?、絕緣電阻降低的問題。本發(fā)明是為了解決如上所述的問題而進(jìn)行的，其目的在于提供一種覆金屬箔層壓板及覆金屬箔層壓板的制造方法，上述覆金屬箔層壓板能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)提高熱塑性薄膜與金屬層間的附著性以及蝕刻后具有適當(dāng)?shù)慕^緣電阻。解決技術(shù)問題的技術(shù)手段本發(fā)明提供如下技術(shù)手段
(1) 一種覆金屬箔層壓板，其具有熱塑性薄膜、設(shè)在所述薄膜表面的基底金屬層以及設(shè)在所述基底金屬層表面的上部金屬層，其特征在于，所述基底金屬層由含有0. 05 0. 21質(zhì)量％磷的銅合金形成，所述上部金屬層由銅或銅合金形成。( 如(1)所述的覆金屬箔層壓板，其特征在于，所述基底金屬層的厚度為0.05 0. 25 μ m。(3)如(1)或( 所述的覆金屬箔層壓板，其特征在于，所述薄膜由可形成光學(xué)各向異性的熔融相的熱塑性薄膜構(gòu)成。(4) 一種覆金屬箔層壓板的制造方法，所述覆金屬箔層壓板在熱塑性薄膜的表面設(shè)有由銅合金形成的基底金屬層，在該基底金屬層的表面設(shè)有由銅或銅合金形成的上部金屬層，其特征在于，在進(jìn)行形成所述基底金屬層的化學(xué)鍍銅的預(yù)處理時(shí)，在催化劑活化工序后浸泡到氧化劑中，然后實(shí)施化學(xué)鍍銅。(5)如(4)所述的覆金屬箔層壓板的制造方法，其特征在于，所述上部金屬層通過電鍍形成。有益效果根據(jù)本發(fā)明能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)提高熱塑性薄膜與金屬層間的附著性以及蝕刻后具有適當(dāng)?shù)慕^緣電阻。
具體實(shí)施例方式對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，以下說明的實(shí)施方式并不限制本發(fā)明的范圍。因此，如果是本領(lǐng)域技術(shù)人員就有可能采用對(duì)這些各要素或全部要素進(jìn)行了等同置換的實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式也包含在本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施方式中的覆金屬箔層壓板具有薄膜、基底金屬層和上部金屬層。薄膜的選擇可根據(jù)制得的覆金屬箔層壓板的用途，適當(dāng)選擇柔性薄膜、剛性薄膜等。在本實(shí)施方式中優(yōu)選熱塑性薄膜，尤其是吸濕性低、能耐受后述制造工序中的熱處理溫度的薄膜。作為吸濕性低、能耐受后述制造工序中的熱處理溫度的薄膜可選擇熱塑性聚酰亞胺薄膜、熱塑性聚酯薄膜(熱塑性聚酯薄膜中，由于聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)比聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)的耐熱性高，因此優(yōu)選。)等。另外，可形成光學(xué)各向異性的熔融相的熱塑性薄膜，即所謂的熱塑性液晶聚合物薄膜，其耐熱溫度高，為300°C左右，能夠充分耐受熱處理。另外，作為耐熱處理的熱塑性樹脂，也優(yōu)選聚醚醚酮(PEEK)。由于上述薄膜的吸水性均較低，因此可用于濕法鍍。另外，構(gòu)成覆金屬箔層壓板的薄膜，可通過對(duì)其表面的粗化處理提高薄膜與金屬層間的附著性。在此，作為薄膜表面的粗化方法，例如優(yōu)選將薄膜浸泡到蝕刻液中的容易的方法。 用于蝕刻薄膜表面的蝕刻液可使用強(qiáng)堿溶液、高錳酸鹽溶液、鉻酸鹽溶液等。例如，當(dāng)為液晶聚合物薄膜時(shí)，使用強(qiáng)堿溶液效果好。另外，當(dāng)為難以蝕刻的薄膜時(shí)，用噴砂等機(jī)械研磨方法效果好。在所述薄膜及其表面形成基底金屬層。有時(shí)將該狀態(tài)稱為第一層壓體。在本實(shí)施方式中，將基底金屬層設(shè)置為含0. 05 0. 21質(zhì)量％磷的銅合金(銅-磷合金)。由于基底金屬層含0.05 0.21質(zhì)量％ (優(yōu)選0.07 0. 16質(zhì)量％)的磷，因此薄膜與基底金屬層間
4的附著性得以提高。如果磷不足0. 05質(zhì)量％，則無法改善薄膜與基底金屬層間的附著性， 不優(yōu)選。此外，如果磷超過0.21質(zhì)量％，則皮膜的析出速度低，工業(yè)上不優(yōu)選。并且，基底金屬層既可為一層鍍層，也可為兩層以上的鍍層，但考慮到制造工序，優(yōu)選以兩層為上限。在所述第一層壓體的表面形成上部金屬層。有時(shí)將該狀態(tài)稱為第二層壓體。在本實(shí)施方式中，將上部金屬層設(shè)置為銅或銅合金。將上部金屬層設(shè)置為銅合金時(shí)，既可與基底金屬層的銅合金組成相同，也可不同。另外，由于第一層壓體表層的基底金屬層為銅合金層，基底金屬層的導(dǎo)電率高，因此具有采用電鍍等方式易于形成用以形成第二層壓體的上部金屬層的優(yōu)點(diǎn)。通過電鍍形成上部金屬層時(shí)，基底金屬層的厚度優(yōu)選設(shè)為0.05 0. 25 μ m。當(dāng)基底金屬層的厚度不足0.05 μ m時(shí)，薄膜與金屬層間缺乏附著性，且薄片電阻增高，難以形成上部金屬層，不優(yōu)選。另外，當(dāng)鍍層厚度設(shè)為0. 25μ m以下時(shí)，用化學(xué)鍍形成基底金屬層需要時(shí)間，因此工業(yè)上不優(yōu)選形成該值以上的厚度。而且，這也由于能判斷出厚度在0.25 μ m以下時(shí)即可充分發(fā)揮作為基底金屬層的作用。此外，關(guān)于基底金屬層的形成在后面敘述。本發(fā)明實(shí)施方式的覆金屬箔層壓板，其用如下方法制造。首先，通過化學(xué)鍍?cè)诒∧け砻娴谋匾糠中纬捎珊足~合金構(gòu)成的基底金屬層(第一層壓體的形成)。采用化學(xué)鍍是由于同干法處理等相比，在薄膜上易于形成金屬層。本實(shí)施方式中，向化學(xué)鍍液添加次磷酸。次磷酸為還原劑，在形成的作為基底金屬層的化學(xué)鍍銅皮膜中，通過次磷酸分解共析出微量磷。另外，次磷酸相對(duì)于銅的催化活性非常低，施鍍時(shí)設(shè)置在薄膜表面的催化劑鈀被銅皮膜覆蓋，導(dǎo)致活化程度降低，鍍層厚度為 0. 25 μ m左右則銅停止析出。因此，鍍層厚度難以形成0. 25 μ m以上，考慮到需由下一工序的電鍍形成銅層，因此在工業(yè)上也不是上策。接下來，向如此形成的第一層壓體實(shí)施熱處理。由此提高薄膜與基底金屬層間的附著性。熱處理?xiàng)l件為在非氧化氣氛中，在比薄膜熔點(diǎn)(Tm)低大約35 85°C的溫度下加熱2 60分鐘。優(yōu)選當(dāng)熱處理溫度低時(shí)加熱時(shí)間長(zhǎng)，熱處理溫度高時(shí)加熱時(shí)間短。在此，比薄膜熔點(diǎn)(Tm)溫度低約35 85°C是指，例如，當(dāng)為熱塑性聚酯薄膜時(shí)約為200 280°C ； 當(dāng)為熱塑性聚酰亞胺薄膜時(shí)約為310 360°C。另外，上述熱處理方法可使用例如熱風(fēng)干燥爐、紅外加熱爐、加熱的金屬輥等進(jìn)行。并且，熱處理可采用放置到金屬網(wǎng)等的批處理方式進(jìn)行，也可連續(xù)移動(dòng)輥狀薄膜進(jìn)行。接下來，通過施鍍?cè)诘谝粚訅后w的表面形成由銅或銅合金構(gòu)成的上部金屬層(第二層壓體的形成)。上部金屬層通過電鍍形成。由于基底金屬層為銅合金，易于提高通過電鍍施鍍時(shí)的皮膜析出速度?？紤]到導(dǎo)電性等特性，上部金屬層厚度同基底金屬層厚度合計(jì)為2 20 μ m左右。 另外，上部金屬層既可由一層鍍層形成，也可由兩層以上鍍層形成。在本發(fā)明的覆金屬箔層壓板上也可在薄膜厚度方向形成用于貫穿薄膜內(nèi)外的貫穿用穿孔。作為形成穿孔的方法可采取激光加工、鉆孔加工或使用強(qiáng)堿液進(jìn)行蝕刻等方法。作為獲得形成有導(dǎo)電用穿孔的覆金屬箔層壓板方法，(1)首先在覆金屬箔層壓板薄膜上形成穿孔。( 然后形成化學(xué)鍍層。( 接下來，通過電鍍形成上部金屬層。
作為其他方法，可以通過如下方法形成覆金屬箔層壓板，(1)首先，預(yù)先在薄膜表面形成穿孔。( 然后，在薄膜表面及穿孔的內(nèi)壁處形成基底層。( 之后，經(jīng)熱處理，通過施鍍形成上部金屬層。在該種情況下，穿孔部的導(dǎo)體與薄膜間的附著得以提高。此外，現(xiàn)有的對(duì)覆金屬箔層壓板形成穿孔中，(1)首先，在覆金屬箔層壓板上形成穿孔。( 然后，在導(dǎo)體層及穿孔部整體上形成化學(xué)鍍層。( 之后，通過電鍍等形成上部金屬層。由此導(dǎo)體層具有一定以上厚度。不過，通過如上所述統(tǒng)一形成導(dǎo)體層和穿孔部的金屬層，能夠形成薄導(dǎo)體層。上述覆金屬箔層壓板，可僅在薄膜的單面形成金屬層用作單面柔性基板，也可在薄膜的雙面形成金屬層用作雙面柔性基板。另外，也可僅在單面層積多層形成金屬層的層壓體，用作多層層壓板。接下來，就本發(fā)明的幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明。實(shí)施例對(duì)熱塑性薄膜進(jìn)行粗化處理及催化劑施加處理后，依次實(shí)施化學(xué)鍍銅、熱處理、電鍍銅各工序，從而制造覆金屬箔層壓板。對(duì)獲得的覆金屬箔層壓板針對(duì)剝離強(qiáng)度及施鍍時(shí)的皮膜析出速度進(jìn)行評(píng)價(jià)。此外，化學(xué)鍍層及電鍍層形成在薄膜的兩面。(實(shí)施例1)作為本實(shí)施例1 (本發(fā)明例1 7)的熱塑性薄膜，使用液晶聚合物薄膜(株式會(huì)社可樂麗制VecsterCT，厚度50 μ m)。將該薄膜裁剪為MOmmX 300mm，在IOM氧化鉀溶液 (液溫80°C )中浸泡10分鐘，進(jìn)行薄膜的粗化處理。另外，一般來講，熱塑性高分子薄膜在表面粗化處理前的狀態(tài)下，薄膜兩面的凹凸不同。因此，以表面凹凸小的面作為光面(S面)、凹凸大的面作為無光面(M面)，測(cè)量S面及M面兩面的剝離強(qiáng)度，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。催化劑施加處理是通過調(diào)整劑處理(處理液1 在溫度約55°C下1分鐘)清洗基材表面。然后進(jìn)行預(yù)浸漬處理(處理液2 在溫度約20°C下30秒)。之后，使用奧野制藥工業(yè)(株)制的催化劑C-IO(鈀/錫膠體催化劑液，在溫度 30°C下1分鐘)施加催化劑。接下來，用促進(jìn)劑(處理液3 溫度約20°C，1分鐘)使催化劑活化。之后，浸泡到氧化劑(處理液4:溫度約50°C下，1分鐘)中，氧化用鈀/錫膠體催化劑液處理時(shí)殘留的錫，從而使銅皮膜易于析出。各工序均進(jìn)行水洗、乾燥。<處理液的組成>處理液1 2-氨基乙醇5亳升/升
三乙醇胺0.3亳升/升
二甲胺類表面活性劑0.5亳升/升聚亞氧烷基醇類表面活性劑0.6亳升/升
處理液2鹽酸200亳升/升
處理液3 鹽酸50亳升/升
處理液4亞氯酸鈉3克/升在用于形成基底金屬層的化學(xué)鍍銅中，采用下述鍍?cè)〗M成和施鍍條件，形成 0. Iym厚的化學(xué)鍍銅層。形成的作為基底金屬層的化學(xué)鍍銅皮膜中，通過還原劑次磷酸的分解，共析出微量的磷。通過調(diào)節(jié)PH，使基底金屬層中的磷濃度在0.05質(zhì)量％ (本發(fā)明例 1) 0.21質(zhì)量％ (本發(fā)明例7)之間變化。鍍?cè)〉膒H越高，皮膜的析出速度下降，皮膜中的磷濃度增加。反之，PH更低時(shí)，皮膜的析出速度增加，皮膜中的磷濃度降低。使用稀硫酸及氫氧化鈉水溶液將鍍?cè)〉腜H調(diào)節(jié)為7. 2 9. 6，將溫度調(diào)整為70°C 80°C。在硝酸溶液中溶解基底金屬層，用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜分析儀(島津制作所(株)制， ICPS-7500)進(jìn)行質(zhì)量分析，從而測(cè)定基底金屬層中的磷濃度，基底金屬層厚度用熒光X射線膜厚計(jì)(西科姆電子工業(yè)(株)制，SFT 3200)測(cè)定。此外，即使形成上部金屬層，制得覆銅箔層壓板后，也能預(yù)測(cè)基底金屬層的厚度。制得覆銅箔層壓板后的基底金屬層厚度采用以下方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。(1)在強(qiáng)堿溶液中溶解薄膜，使其為上部金屬層與基底金屬層結(jié)合的箔狀金屬層狀態(tài)。(2)采用次級(jí)離子質(zhì)譜分析法(SIMQ分析從箔狀金屬層的基底金屬層一側(cè)(與薄膜交界一側(cè))到檢測(cè)不出磷為止的深度方向。關(guān)于次級(jí)離子質(zhì)譜分析法，詳細(xì)地來講為，從溶解的薄膜一側(cè)以一定速度濺射，從而檢測(cè)出磷和銅。進(jìn)行濺射直到穿透金屬層為止。將檢測(cè)出的磷基線在峰強(qiáng)度一半以上的范圍，定義為含磷化學(xué)鍍銅層(基底金屬層)，從而明確基底金屬層。另外，基底金屬層和上部金屬層的濺射率的差別可從兩者結(jié)構(gòu)上的差異來考慮。例如，當(dāng)基底金屬層為化學(xué)鍍層、上部金屬層為電鍍層時(shí)，從經(jīng)驗(yàn)來講，通過將基底金屬層的濺射率設(shè)為上部金屬層的濺射率的2倍，能夠得到精度好的基底層膜厚。例示采用上述方法測(cè)定覆銅箔層壓板的基底層厚度的結(jié)果，所述覆銅箔層壓板為在0. 1 μ m厚的基底化學(xué)鍍層上形成了 10 μ m厚的電解銅鍍層。<測(cè)定條件>初級(jí)離子Cs+次級(jí)(檢測(cè))離子31P-、63CU-、180_濺射區(qū)域200 μ m X 400 μ m首先利用熒光X射線膜厚計(jì)測(cè)定的金屬層(基底金屬層+上部金屬層)的厚度為 10.1ymo另外，根據(jù)次級(jí)離子質(zhì)譜分析法的結(jié)果，基底金屬層的濺射時(shí)間為穿透金屬層整體時(shí)間的0. 5% ( = 0. 005倍)。進(jìn)一步，基底金屬層的濺射率為上部金屬層濺射率的2倍， 基底金屬層的厚度可計(jì)算為10. 1 ( μ m) X 0. 005 X 2 = 0. 1 ( μ m)。
該值與基底施鍍后立即進(jìn)行的熒光X射線的膜厚度相同。以下就基底金屬層及上部金屬層的形成條件進(jìn)行說明。<化學(xué)鍍銅浴的組成>
五水硫酸銅(作為銅成分) HEEDTA (螯合劑)
次磷酸鈉(還原劑) 氯化鈉磷酸氫二鈉
19克/升 50克/升 30克/升 20克/升 15克/升< 鍍:ρΗ
<施鍍條件> 鍍?cè)囟?75 °C
7. 2 9. 6施鍍時(shí)間 4分鐘熱處理工序?yàn)闉榱颂岣弑∧づc基底金屬層間的附著性，在設(shè)置基底金屬層后，在氮?dú)夥諊性?40°C下加熱10分鐘。然后用硫酸銅浴進(jìn)行電鍍銅，使基底金屬層和上部金屬層的合計(jì)厚度(導(dǎo)體厚度)為8μπι，從而形成上部金屬層。鍍?cè)〗M成如下所示。另外，作為添加劑使用荏原優(yōu)吉萊特(株)制 CU-Brite TH-RIII。<電解銅鍍?cè)〉慕M成>硫酸銅 120克/升硫酸 100克/升鹽酸 0. 125克/升(作為氯離子)<施鍍條件>電流密度 4. 5A/dm2對(duì)獲得的各覆金屬箔層壓板進(jìn)行附著性(剝離強(qiáng)度)的測(cè)定和對(duì)化學(xué)鍍銅皮膜的析出速度進(jìn)行評(píng)價(jià)，其結(jié)果如表1所示。各評(píng)價(jià)結(jié)果表示如下“◎”優(yōu)、“〇”良、“Δ”尚可、 “X” 差?！锤街?剝離強(qiáng)度)>附著性是對(duì)薄膜的S面和M面兩面，根據(jù)JIS C5016所記載的機(jī)械性能實(shí)驗(yàn)(90度方向扯離方法)測(cè)定金屬層的扯離強(qiáng)度(剝離強(qiáng)度)并進(jìn)行評(píng)價(jià)的。并且，其值為0. 28kN/ m以上的判定為良，不足的判定為不良。另外，在表1中，根據(jù)測(cè)定值表示如下。 當(dāng)為 0. 32kN/m 以上時(shí)“◎”·不足 0. 32kN/m 且為 0. 3kN/m 以上時(shí)“〇”·不足 0. 3kN/m 且為 0. 28kN/m 以上時(shí)“Δ”
·不足 0. 28kN/m 時(shí)“ X ”<基底鍍層皮膜的析出速度>基底鍍層皮膜的析出速度為0.03 μ m/分鐘以上的判定為良，不足的判定為不良。
而且在表1中，根據(jù)測(cè)定值表示如下。 當(dāng)為0.05 μ m/分鐘以上時(shí)“◎”·不足0. 05 μ m/分鐘且在0. 03 μ m/分鐘以上時(shí):“〇，， 不足 0. 03μπι/分鐘時(shí)“X”<綜合評(píng)價(jià)>考慮各自的評(píng)價(jià)結(jié)果，進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。然后，在表1中根據(jù)評(píng)價(jià)結(jié)果表示如下。 特別優(yōu)異的“◎” 優(yōu)異的“〇”·評(píng)價(jià)為不良的“X”(比較例)接下來，對(duì)進(jìn)行了與實(shí)施例1相同的粗化處理的液晶聚合物薄膜實(shí)施催化劑施加處理。催化劑施加處理采用實(shí)施例1中記載的處理液和條件進(jìn)行調(diào)整劑處理、預(yù)浸漬處理、 通過催化劑進(jìn)行的催化劑施加、用促進(jìn)劑使催化劑活化，進(jìn)一步地，在催化劑活化后浸泡到氧化劑的工序。另外，各工序均進(jìn)行水洗、干燥。然后進(jìn)行將化學(xué)鍍銅處理調(diào)節(jié)鍍?cè)〉腜H， 使其小于7. 2或在9. 7以上，通過上述化學(xué)鍍銅處理，制備磷濃度小于0. 05質(zhì)量％或大于 0.21質(zhì)量％的試樣。之后，依次進(jìn)行熱處理、電鍍處理各工序，制造覆金屬箔層壓板。即，除化學(xué)鍍銅的處理?xiàng)l件(PH)之外，各預(yù)處理工序均進(jìn)行與實(shí)施例1相同的處理。表權(quán)利要求
1.一種覆金屬箔層壓板，其具有設(shè)在熱塑性薄膜表面的基底金屬層和設(shè)在所述基底金屬層表面的上部金屬層，其特征在于，所述基底金屬層由含有0. 05 0.21質(zhì)量％磷的銅合金形成；所述上部金屬層由銅或銅合金形成。
2.如權(quán)利要求1所述的覆金屬箔層壓板，其特征在于，所述基底金屬層的厚度為 0. 05ym 以上 0. 25 μ m 以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的覆金屬箔層壓板，其特征在于，所述薄膜由可形成光學(xué)各向異性的熔融相的熱塑性薄膜構(gòu)成。
4.一種覆金屬箔層壓板的制造方法，所述覆金屬箔層壓板在熱塑性薄膜的表面設(shè)有由銅合金構(gòu)成的基底金屬層，在所述基底金屬層的表面設(shè)有由銅或銅合金構(gòu)成的上部金屬層，其特征在于，在進(jìn)行形成所述基底金屬層的化學(xué)鍍銅的預(yù)處理時(shí)，在催化劑活化工序后浸泡到氧化劑中，然后實(shí)施化學(xué)鍍銅。
5.如權(quán)利要求4所述的覆金屬箔層壓板的制造方法，所述上部金屬層通過電鍍形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種覆金屬箔層壓板及覆金屬箔層壓板的制造方法，上述覆金屬箔層壓板能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)提高作為基材的熱塑性薄膜與金屬層間的附著性、提高向基材施鍍的鍍層皮膜的析出速度以及蝕刻后具有適當(dāng)?shù)慕^緣電阻。覆金屬箔層壓板，其具有由熱塑性高分子薄膜構(gòu)成的基材、設(shè)置在所述基材表面的基底金屬層和設(shè)置在所述基底金屬層表面的上部金屬層，所述基底金屬層由含有0.05～0.21質(zhì)量％磷的銅合金形成；所述上部金屬層由銅或銅合金形成。
文檔編號(hào)B32B15/08GK102448721SQ2010800239
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月5日
發(fā)明者大賀賢一, 藤澤季實(shí)子 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社