專(zhuān)利名稱(chēng)：Rf標(biāo)簽及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非接觸式連接型的RF標(biāo)簽及其制造方法。更詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種 通過(guò)將各層經(jīng)由半固化片板進(jìn)行熱壓接而形成的非接觸式連接型RF標(biāo)簽及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著信息化社會(huì)的高度發(fā)展，用于通信設(shè)備等的信號(hào)的頻帶逐漸向超短波(UHF)、 厘米波(SHF)頻帶等、可進(jìn)行信息的更高密度傳輸?shù)母哳l帶轉(zhuǎn)移。在最近受到廣泛關(guān)注的 RFID (Radio Frequency Identification)系統(tǒng)中也是如此。RFID系統(tǒng)是指，通過(guò)對(duì)能夠在 非接觸狀態(tài)下讀取和寫(xiě)入信息的存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫(xiě)來(lái)收發(fā)信息。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的 進(jìn)步，用作RF標(biāo)簽的存儲(chǔ)介質(zhì)逐漸向小型化、高性能化發(fā)展，隨著通訊距離的擴(kuò)張及通信 穩(wěn)定性的提高等，期待RF標(biāo)簽應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域中。特別是利用了高頻帶的RF標(biāo)簽，是 利用電波向RF標(biāo)簽的存儲(chǔ)介質(zhì)供給電力，因此大幅提高了通信距離，使得在通信距離短的 RFID系統(tǒng)中難于實(shí)現(xiàn)的同時(shí)讀取多個(gè)RF標(biāo)簽及讀取正在移動(dòng)的RF標(biāo)簽等成為可能。通過(guò)RFID系統(tǒng)的高頻化，使其應(yīng)用范圍大幅擴(kuò)展，但隨之應(yīng)用環(huán)境也變得嚴(yán)峻。 在寒冷地區(qū)及冷凍設(shè)備內(nèi)部中使用、在夏季炎熱的天氣下使用自不必說(shuō)，進(jìn)而在像船舶裝 載集裝箱這類(lèi)的設(shè)置對(duì)象為金屬時(shí)，由于還附加吸熱、放熱的條件，因此造成溫度變化的幅 度變大，成為極其嚴(yán)峻的使用環(huán)境。另一方面，RF標(biāo)簽在利用高頻帶上也存在著技術(shù)難度。電信號(hào)具有頻率越高傳輸 損失越大的性質(zhì)，因此強(qiáng)烈需求一種能應(yīng)對(duì)高頻帶的、且具有優(yōu)異的高頻傳輸特性的電絕 緣材料。在與絕緣材料接觸的電路中的傳輸損失包括由天線(xiàn)電路的形狀、表皮電阻、特性阻 抗等決定的導(dǎo)體損失和由電路周?chē)碾娊橘|(zhì)層的介電特性所決定的電介質(zhì)損失，尤其是在 高頻率電路中作為電介質(zhì)損失而被釋放，成為電子設(shè)備誤操作的原因。電介質(zhì)損失與相對(duì) 介電常數(shù)(ε )和材料的介電損失(tan δ )的乘積成比例增大。因此，為了稍微減少電介質(zhì) 損失，都需要使用具有低介電常數(shù)和低介電損失特性的材料。在高分子絕緣材料中，熱塑性樹(shù)脂具有優(yōu)異的低介電常數(shù)及低介電損失，并且容 易加工，因此適合作為用于RF標(biāo)簽電介質(zhì)層的材料。專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種在金屬箔層和 天線(xiàn)電路之間，通過(guò)熱塑性樹(shù)脂的注塑成型而形成了電介質(zhì)層的RF標(biāo)簽，并公開(kāi)了其進(jìn)行 設(shè)置時(shí)不區(qū)分設(shè)置對(duì)象是導(dǎo)電性物質(zhì)還是非導(dǎo)電性物質(zhì)，都能夠不減小通信距離?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 特開(kāi)2008-9514號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題本申請(qǐng)發(fā)明人意識(shí)到了現(xiàn)有技術(shù)的不足。S卩，由于在現(xiàn)有技術(shù)中將線(xiàn)膨脹系數(shù)有 很大差異的部件進(jìn)行粘結(jié)，因此在部件之間產(chǎn)生殘余應(yīng)力。因此，對(duì)RF標(biāo)簽施加反復(fù)進(jìn)行加熱和冷卻等的負(fù)荷時(shí)，可能會(huì)發(fā)生部件之間的層間剝離，當(dāng)在注塑成型時(shí)內(nèi)部殘留少量 空隙的情況下，會(huì)發(fā)生局部性膨脹收縮，使層間剝離的可能性進(jìn)一步增大。RFID系統(tǒng)通過(guò)調(diào)節(jié)使用頻率和存儲(chǔ)介質(zhì)的阻抗匹配來(lái)發(fā)揮輻射模式及增益等目 的功能，但該調(diào)節(jié)與RF標(biāo)簽的相對(duì)介電常數(shù)及電介質(zhì)層的厚度有很大關(guān)系。因此，由于發(fā) 生層間剝離而在電介質(zhì)層中加入空氣層，從而導(dǎo)致的RF標(biāo)簽整體的介電常數(shù)的變化、及由 基于將線(xiàn)膨脹系數(shù)不同的部件相互粘結(jié)所產(chǎn)生的應(yīng)力應(yīng)變而出現(xiàn)的難于控制厚度，是在RF 標(biāo)簽的持續(xù)使用上存在的致命性問(wèn)題。并且，將數(shù)千 數(shù)萬(wàn)個(gè)易發(fā)生層間剝離的RF標(biāo)簽用 在一個(gè)系統(tǒng)中，對(duì)于使用者來(lái)說(shuō)要承擔(dān)很大的財(cái)政風(fēng)險(xiǎn)，而且由于這樣的RF標(biāo)簽在再利用 性方面存在難點(diǎn)，因此也關(guān)系到制造成本的增加。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種在高頻帶內(nèi)具有優(yōu)異的傳輸特性、即使在溫度 變化的嚴(yán)峻環(huán)境下也不會(huì)發(fā)生層間剝離等問(wèn)題、能夠維持所期望的傳輸特性的信賴(lài)性高的 RF標(biāo)簽。解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段本發(fā)明人為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足進(jìn)行了深入研究，結(jié)果找到了采用特定結(jié)構(gòu)的 接枝共聚物作為電介質(zhì)層，在將電介質(zhì)層與天線(xiàn)電路及金屬箔層進(jìn)行接合時(shí)使用由特定的 玻璃布基材環(huán)氧樹(shù)脂半固化片(prepreg)所構(gòu)成的熱固化板這一解決方法。一種實(shí)施方案的RF標(biāo)簽，包括半固化片板和天線(xiàn)電路10及金屬箔層40，所述半 固化片板是由第一電介質(zhì)層20a及分別層疊于所述第一電介質(zhì)層20a的兩個(gè)主表面上的兩 個(gè)半固化片層30a、30b所形成，所述天線(xiàn)電路10及金屬箔層40分別層疊于所述半固化片 板的所述兩個(gè)半固化片層30a、30b上。所述第一電介質(zhì)層20a是由在60 85質(zhì)量份聚合 物(a)上接枝聚合15 40質(zhì)量份芳香族乙烯單體(b)所得到的接枝共聚物構(gòu)成，所述聚 合物(a)是由基于α-烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的單體單元所構(gòu)成，所述芳香族乙烯 單體(b)含有70 95質(zhì)量％的單官能芳香族乙烯單體(bl)及5 30質(zhì)量％的雙官能芳 香族乙烯單體( )。所述兩個(gè)半固化片層30a、30b分別為在玻璃纖維材料中浸漬環(huán)氧樹(shù)脂 所得到的環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃纖維基材。所述天線(xiàn)電路10包括第一導(dǎo)體層1 和安裝于所 述第一導(dǎo)體層1 上的可讀取及寫(xiě)入信息的存儲(chǔ)介質(zhì)11。所述兩個(gè)半固化片層30a、30b， 通過(guò)熱壓接分別接合到所述第一電介質(zhì)層20a的所述兩個(gè)主表面上。所述天線(xiàn)電路10及 所述金屬箔層40，通過(guò)熱壓接分別接合到所述半固化片板的所述兩個(gè)半固化片層30a、30b 上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第一電介質(zhì)層20a是由特定的接枝共聚物構(gòu)成，該接枝共聚物實(shí)質(zhì) 上是由烴基形成，由于不具有極性基團(tuán)，因此表現(xiàn)出低介電常數(shù)及低介電損失，具有優(yōu)異的 高頻特性。進(jìn)一步地，該接枝共聚物由于具有基于芳香族乙烯單體(b)的單體單元相對(duì)于 作為基體(matrix)的聚合物(a)形成結(jié)構(gòu)域(domain)的結(jié)構(gòu)，因此其對(duì)于有機(jī)溶劑有部 分溶解性，即使溫度在熔點(diǎn)以上，接枝共聚物也不會(huì)發(fā)生熱松弛。因此能夠應(yīng)對(duì)半固化片層 30a、30b的熱壓接，抑制第一電介質(zhì)層20a和半固化片層之間形成空隙，提高兩層之間的貼 附性。再加上半固化片層30a、30b是在玻璃纖維基材(Si)中浸漬環(huán)氧樹(shù)脂(S》的半固化 片，例如通過(guò)在140 180°C下進(jìn)行熱壓接而固化。半固化片層30a、30b能夠強(qiáng)化加固電介 質(zhì)層20a的兩個(gè)主表面與天線(xiàn)電路10及金屬箔層40之間的接合，接合后能夠維持所希望 的耐久性。
因此，RF標(biāo)簽在具有優(yōu)異的高頻傳輸特性的同時(shí)，即使對(duì)于使用環(huán)境的溫度變化， 也能夠維持所希望的傳輸特性。在一個(gè)例子中，所述第一導(dǎo)體層12a與所述金屬箔層40電導(dǎo)通?；谠摻Y(jié)構(gòu)，能 夠?qū)⒃诘谝粚?dǎo)體層1 上安裝了可讀取和寫(xiě)入信息的存儲(chǔ)介質(zhì)11的天線(xiàn)電路10所具有的 天線(xiàn)功能賦予金屬箔層40。這有助于RF標(biāo)簽的小型化。在一個(gè)例子中，在所述第一導(dǎo)體層12a的表面中、與所述半固化片層30b相反側(cè) 的面上具有依次層疊的第二電介質(zhì)層20b和第二導(dǎo)體層12b，所述第一導(dǎo)體層1 和所述 第二導(dǎo)體層12b電導(dǎo)通；所述第二電介質(zhì)層20b是由在60 85質(zhì)量份聚合物(a)上接 枝共聚15 40質(zhì)量份芳香族乙烯單體(b)所得到的接枝共聚物構(gòu)成，所述聚合物(a)是 基于α-烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的單體單元所構(gòu)成，所述芳香族乙烯單體(b)含有 70 95質(zhì)量％的單官能芳香族乙烯單體(bl)以及5 30質(zhì)量％的雙官能芳香族乙烯單 體( )；所述第一導(dǎo)體層12a、所述第二電介質(zhì)層20b和所述第二導(dǎo)體層12b，通過(guò)熱壓接 依次接合?；谠摻Y(jié)構(gòu)，能夠使RF標(biāo)簽進(jìn)一步小型化。一種實(shí)施方案的RF標(biāo)簽的制造方法，包括工序A及工序B，所述工序A是將所述兩 個(gè)半固化片層30a、30b通過(guò)熱壓接分別接合于第一電介質(zhì)層20a的兩個(gè)主表面上，制成所 述半固化片板的工序；所述工序B是在所述半固化片板的所述兩個(gè)半固化片層30a、30b上， 通過(guò)熱壓接分別接合所述天線(xiàn)電路10及所述金屬箔層40的工序?；谠摻Y(jié)構(gòu)，能夠通過(guò) 簡(jiǎn)單的工藝有效地制造出層間接合強(qiáng)度提高的RF標(biāo)簽。


圖1為符合一種實(shí)施方式的RF標(biāo)簽分解截面圖。圖2(a) (c)為表示圖1的RF標(biāo)簽制造工序的截面圖；(d)為存儲(chǔ)介質(zhì)容納于 埋頭孔部的變形例的RF標(biāo)簽截面圖。圖3為符合變形例的RF標(biāo)簽截面圖。圖4(a) (e)為具有用于電導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)的RF標(biāo)簽的立體示意圖。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)施方式的RF標(biāo)簽包括半固化片板以及天線(xiàn)電路10和金屬箔層40，所述半固 化片板是將兩個(gè)半固化片層30a、30b通過(guò)熱壓接分別接合于第一電介質(zhì)層20a的兩個(gè)主表 面上，所述天線(xiàn)電路10及金屬箔層40分別熱壓接于該半固化片板的兩個(gè)半固化片層30a、 30b上。這樣的RF標(biāo)簽在高頻帶具有高傳輸特性，對(duì)于溫度變化也能夠維持所希望的性能。 下面對(duì)有關(guān)RF標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)要素依次進(jìn)行說(shuō)明。電介質(zhì)層20該電介質(zhì)層20是由在基于α _烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的單體單元所構(gòu)成 的聚合物(a)上接枝聚合芳香族乙烯單體(b)而得到的接枝共聚物構(gòu)成。構(gòu)成電介質(zhì)層20 的結(jié)構(gòu)單元的是基于α-烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的聚合物(a)單元和基于芳香族乙 烯單體(b)的單元，任意一個(gè)單元實(shí)質(zhì)上都是由烴基構(gòu)成。因而這些單元不含具有高偶極 矩的極性基團(tuán)，因此作為聚合物時(shí)表現(xiàn)出低介電常數(shù)及低介電損失。因而電介質(zhì)層20具有良好的高頻特性。進(jìn)一步地，電介質(zhì)層20是由在α -烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的單體單元所構(gòu) 成的聚合物(a)上接枝芳香族乙烯單體(b)的接枝共聚物構(gòu)成?？梢哉J(rèn)為該接枝共聚物的 分子形態(tài)是，聚合物(a)單元形成基體、芳香族乙烯單體(b)單元形成結(jié)構(gòu)域。因此，電介 質(zhì)層20對(duì)有機(jī)溶劑等僅表現(xiàn)出部分溶解性，即使溫度在熔點(diǎn)以上也不會(huì)以液態(tài)形式流動(dòng)， 具有難以發(fā)生熱松弛的特性。聚合物(a)單元形成該接枝共聚物的主鏈結(jié)構(gòu)(主干成分)、 芳香族乙烯單體(b)單元形成該接枝共聚物的側(cè)鏈結(jié)構(gòu)(嫁接物、接枝成分)。所述α -烯烴單體具體為用通式R-CH = CH2 (式中R表示碳原子數(shù)1 16個(gè)的 烷基)所示的碳原子數(shù)3 18個(gè)的α-烯烴。作為α-烯烴單體，例如有丙烯、1-丁烯、 1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4，4_ 二甲基-1-戊 烯等。其中，優(yōu)選為選自丙烯、I-丁烯、I-己烯、I-辛烯及4-甲基-1-戊烯中的至少一種。并且，鏈狀共軛二烯單體具體為碳原子數(shù)3 10的鏈狀共軛二烯化合物。鏈狀 是指直鏈或支鏈。作為鏈狀共軛二烯單體，例如有異戊二烯、1，3_ 丁二烯、2，3_ 二甲基-1， 3- 丁二烯、1，3-戊二烯、1，3-己二烯等。其中，優(yōu)選為異戊二烯及1，3- 丁二烯，尤其優(yōu)選為 1，3— ^p._ 火布 ο接枝共聚物的主鏈結(jié)構(gòu)為基于所述α -烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的單體單 元而構(gòu)成的聚合物。這里，聚合物可以為均聚物也可以為共聚物，有時(shí)也描述為均聚/共聚 物。當(dāng)主鏈結(jié)構(gòu)為共聚物的情況下，為無(wú)規(guī)共聚物或嵌段共聚物的任意均可。并且，基于 α-烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的單體單元也可以是多種不同單體混合形成。并且，主鏈 結(jié)構(gòu)中的鏈狀共軛二烯單體單元還可以進(jìn)行部分氫化。接枝到上述主鏈結(jié)構(gòu)上的芳香族乙烯單體具體為碳原子數(shù)8 18個(gè)的芳香族乙 烯化合物。作為單官能芳香族乙烯單體(bl)，例如有苯乙烯、對(duì)甲基苯乙烯、α-甲基苯乙 烯等苯乙烯類(lèi)單體。作為雙官能芳香族乙烯單體0^2)，例如有二乙烯基苯、1，3_ 二乙烯基 萘等。這些單體可以分別混合一種或兩種以上使用。形成接枝共聚物時(shí)的聚合物(a)和芳香族乙烯單體(b)的比例為60 85質(zhì)量份 聚合物(a)與15 40質(zhì)量份芳香族乙烯單體(b)，優(yōu)選為65 75質(zhì)量份聚合物(a)與 125 35質(zhì)量份芳香族乙烯單體(b)。當(dāng)芳香族乙烯單體(b)的比例少于15質(zhì)量份時(shí)，接 枝共聚物強(qiáng)烈表現(xiàn)出α -烯烴類(lèi)聚合物及鏈狀共軛二烯聚合物的特性，在熔點(diǎn)以上時(shí)表現(xiàn) 出很強(qiáng)的流動(dòng)性，因此難于控制厚度。另一方面，當(dāng)多于40質(zhì)量份時(shí)，接枝共聚物變得非常 脆，難以形成板狀。進(jìn)而，在芳香族類(lèi)乙烯單體(b)中，單官能芳香族乙烯單體(bl)和雙官能芳香族 乙烯單體( )的比例為單官能芳香族乙烯單體(bl) 70 95質(zhì)量％、雙官能芳香族乙烯單 體(1^)5 30質(zhì)量％。當(dāng)雙官能芳香族乙烯單體的比例少于5質(zhì)量％時(shí)，不能充分表現(xiàn)出 其功能，當(dāng)多于30質(zhì)量％時(shí)，接枝共聚物變得非常脆，難以形成板狀。制造構(gòu)成電介質(zhì)層20的接枝共聚物時(shí)的接枝方法可以是基于使用過(guò)氧化物的鏈 轉(zhuǎn)移法、電離輻射法、聚合物引發(fā)劑法等任意方法，優(yōu)選為下列所示的浸漬接枝聚合法。基 于該浸漬接枝聚合法，其接枝效率高，不發(fā)生由熱引起的二次凝聚，因此更為有效地表現(xiàn)其 性能，同時(shí)還具有制造方法簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。在使用含浸接枝聚合法時(shí)，接枝共聚物通?？筛鶕?jù) 下述方法制得。將100質(zhì)量份由選自α-烯烴單體及鏈狀共軛二烯單體中的至少一種的單體所形成的聚合物懸浮于水中。另外，向5 400質(zhì)量份的芳香族乙烯單體中加入溶解有 后述自由基共聚性有機(jī)過(guò)氧化物的一種或兩種以上的混合物、以及用于獲得10小時(shí)半衰 期的分解溫度為40 90°C的自由基聚合引發(fā)劑的溶液，所述自由基共聚性有機(jī)過(guò)氧化物 相對(duì)于100質(zhì)量份上述芳香族乙烯單體為0. 1 10質(zhì)量份，所述自由基聚合引發(fā)劑相對(duì)于 芳香族乙烯單體與自由基共聚性有機(jī)過(guò)氧化物合計(jì)100質(zhì)量份為0. 01 5質(zhì)量份。然后，將所述自由基共聚性有機(jī)過(guò)氧化物浸漬到主鏈結(jié)構(gòu)中。然后，在自由基聚合 引發(fā)劑沒(méi)有實(shí)質(zhì)性分解的條件下設(shè)定該水性懸濁液的溫度，將芳香族乙烯單體及自由基共 聚性有機(jī)過(guò)氧化物在主鏈結(jié)構(gòu)中進(jìn)行共聚，得到接枝化前驅(qū)體。所述自由基共聚性有機(jī)過(guò) 氧化物是兼具作為可在單分子中進(jìn)行自由基共聚的單體的特性，以及作為有機(jī)過(guò)氧化物的 特性的化合物。作為自由基共聚性有機(jī)過(guò)氧化物，優(yōu)選為叔丁基過(guò)氧化丙烯酰氧基乙基碳 酸酯、叔丁基過(guò)氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯、叔丁基過(guò)氧化烯丙基碳酸酯、叔丁基過(guò)氧 化甲基烯丙基碳酸酯等。其中，最優(yōu)選為叔丁基過(guò)氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯。然后，通過(guò)將浸漬后的主鏈結(jié)構(gòu)在100 300°C下熔融混煉，能夠得到目標(biāo)接 枝共聚物。作為熔融混煉的方法，例如有使用兼具加熱功能和混煉功能的班伯里混煉機(jī) (Banbury mixer)、單軸或雙軸螺桿擠壓機(jī)等的方法。其中，使用螺桿擠壓機(jī)，通過(guò)主料斗供 給接枝化前驅(qū)體進(jìn)行熔融混煉后，從模具中吐出的棒狀成型物通過(guò)造粒機(jī)得到造粒物(顆 粒)的方法簡(jiǎn)便且廉價(jià)，因此優(yōu)選。并且，對(duì)得到的接枝共聚物，在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)可以添加潤(rùn)滑劑、增塑 劑、結(jié)晶成核劑、紫外線(xiàn)抑制劑、著色劑、阻燃劑、抗氧化劑、重金屬鈍化劑等通常的添加劑。 接枝共聚物與添加劑的混煉方法沒(méi)有特別地限制，可以使用兼具加熱功能和混煉功能的班 伯里混煉機(jī)、壓力捏合機(jī)、輥、單軸或雙軸螺桿擠壓機(jī)等進(jìn)行混煉。尤其優(yōu)選為雙軸螺桿擠 壓機(jī)，可以在與獲得接枝共聚物時(shí)所使用的方法相同的條件下制造。然后，作為使用基于上述共聚反應(yīng)所得到的接枝共聚物、或該接枝共聚物與添加 劑的混合物，獲得作為電介質(zhì)層P的板狀成型物的方法，可采用T型口成型法、膨脹成型法、 輥成型法、沖壓成型法或注塑成型法中的任意方法，但是優(yōu)選采用板狀成型物難以發(fā)生彎 曲的輥成型法或注塑成型法。半固化片層30a、30b用于形成半固化片層30a、30b的半固化片是在玻璃纖維基材(Si)上浸漬作為未 固化的熱固性樹(shù)脂的環(huán)氧樹(shù)脂(S》后，呈半固化狀態(tài)(所謂B階段)的半固化片?！床ＡЮw維基材(Si)>玻璃纖維基材(Si)是用于半固化片、賦予RF標(biāo)簽所需剛性的材料。為了得到高 頻帶用RF標(biāo)簽之用途所需的電特性，材料品種可以使用玻璃。作為玻璃材料除了 E玻璃、C 玻璃、A玻璃外，還可以使用增加二氧化硅(SiO2)的含量來(lái)改善介電特性的S玻璃、D玻璃 或石英玻璃。作為纖維的形態(tài)，例如有連續(xù)氈(continuous mat)、交叉布、無(wú)紡布、方格布、 表面氈(surfacing mat)以及短切氈(chopped mat)等，可以根據(jù)成型物的用途及性能進(jìn) 行適當(dāng)選擇。其中優(yōu)選為交叉布。作為玻璃纖維基材(Si)，在對(duì)電特性不產(chǎn)生壞影響的范圍內(nèi)，可根據(jù)需要使用經(jīng) 過(guò)絕緣涂層處理或基于硅烷化合物(氯硅烷，烷氧基硅烷，有機(jī)官能硅烷、硅氮烷)、偶聯(lián)劑 (鈦酸鹽類(lèi)、鋁類(lèi))等的表面處理的材料。
半固化片中的玻璃纖維基材(Si)的加入量?jī)?yōu)選為10 60質(zhì)量％，更優(yōu)選為15 45質(zhì)量％。當(dāng)該加入量低于10質(zhì)量％時(shí)，組合物的粘度過(guò)度增加使操作性降低、在固化物 中粗大分離使半固化片的強(qiáng)度降低。另一方面，當(dāng)加入量高于60質(zhì)量％時(shí)，環(huán)氧樹(shù)脂(S2) 和玻璃纖維基材(Si)之間的粘接性及基于環(huán)氧樹(shù)脂(S》的韌性增強(qiáng)效果不夠充分，并且 使得半固化片在高頻帶中的低介電常數(shù)性及低介電損失性降低。<環(huán)氧樹(shù)脂S2>作為用于半固化片的環(huán)氧樹(shù)脂(S2)沒(méi)有特別的限制，可以使用雙酚A型、雙酚F 型、雙酚S型、氨基縮水甘油醚型、氨基苯酚型、酚醛型、萘型、脂肪族、脂環(huán)族等環(huán)氧樹(shù)脂。 其中由于雙酚A型、雙酚F型及雙酚S型等雙酚類(lèi)環(huán)氧樹(shù)脂可使半固化片具有良好的耐熱 性及機(jī)械強(qiáng)度，因此優(yōu)選。作為半固化片的種類(lèi)，例如有單向半固化片、交叉半固化片、紗線(xiàn)半固化片、氈半 固化片、粗紗半固化片等，優(yōu)選為氈半固化片或交叉半固化片。半固化片的厚度通常為 20 400 μ m、優(yōu)選為30 300 μ m、更優(yōu)選為40 200 μ m、也可以使用一張或多張重疊使用。天線(xiàn)電路10天線(xiàn)電路為在導(dǎo)體層12上安裝有能夠讀取及寫(xiě)入信息的存儲(chǔ)介質(zhì)11的電路。導(dǎo) 體層12和存儲(chǔ)介質(zhì)11通過(guò)任意方法進(jìn)行電接合。作為電接合方法，可以采用焊接、導(dǎo)電膏 接合等公知方法。并且，通過(guò)將接合有存儲(chǔ)介質(zhì)的導(dǎo)體層12與金屬箔層40進(jìn)行導(dǎo)通，能夠 將天線(xiàn)電路10具有的作為天線(xiàn)的功能賦予金屬箔層40。對(duì)天線(xiàn)電路10的形狀沒(méi)有特別的 限定，可以是帶狀(參見(jiàn)圖4(a) 4(e))、環(huán)狀、線(xiàn)圈狀等各種形狀。導(dǎo)體層12導(dǎo)體層12是采用基于銅、鋁、鐵、鎳、鋅等單體或合金的金屬箔而形成，根據(jù)需要 可以使用實(shí)施了用于防銹的表面處理后的金屬箔。這些金屬箔可通過(guò)電解法、延壓法等制 得。此外，也可以是通過(guò)真空蒸鍍法、電鍍法形成的金屬箔。對(duì)于第一導(dǎo)體層12a、第二導(dǎo)體 層12b可分別采用不同種類(lèi)的材料。存儲(chǔ)介質(zhì)11存儲(chǔ)介質(zhì)11可以使用如下裝置，其包括用于非接觸下記錄并讀取信息的通信電 路、內(nèi)存及預(yù)設(shè)的控制電路，同時(shí)還具有用于與導(dǎo)體層12電連接的芯片電極。金屬箔層40金屬箔層40可以采用箔狀或薄板狀的金屬板，或者金屬網(wǎng)、多孔金屬板之類(lèi)的多 孔箔狀或薄板狀的金屬網(wǎng)。金屬箔層40的厚度優(yōu)選為5 100 μ m、更優(yōu)選為5 50 μ m。 當(dāng)該厚度小于5 μ m時(shí)，導(dǎo)體電路的電阻會(huì)過(guò)高；當(dāng)厚度大于100 μ m時(shí)，在通過(guò)蝕刻形成導(dǎo) 體電路時(shí)，由于單側(cè)蝕刻使導(dǎo)體電路被切斷的可能性變大。對(duì)金屬箔層40的金屬種類(lèi)沒(méi)有特別的限制，可以使用鋁、鈦、鐵、銅、鎳、鎳鉻合 金、錫、鉛、鎂、金、銀、鉬、其他各種金屬及它們的合金等。RF標(biāo)簽的制造方法RF標(biāo)簽優(yōu)選通過(guò)工序A及工序B制得。工序A是將兩個(gè)半固化片層30a、30b通過(guò)熱壓接分別與第一電介質(zhì)層20a的兩個(gè) 主表面接合，制成半固化片板的工序。各半固化片層30a、30b可選自半固化片。
工序B是將天線(xiàn)電路10及金屬箔層40通過(guò)熱壓接分別與經(jīng)工序A制得的半固化 片板的所述兩個(gè)半固化片層30a、30b接合的工序?？梢酝瑫r(shí)進(jìn)行工序A的熱壓接及工序B的熱壓接。這時(shí)，可以通過(guò)一次熱壓接形 成RF標(biāo)簽。在進(jìn)行工序B之前，在半固化片板上，存儲(chǔ)介質(zhì)11的預(yù)定設(shè)置位置上，可以通過(guò)鉆 孔加工設(shè)置埋頭孔部(counter boring) 14(參見(jiàn)圖2(b))。這時(shí)，安裝于天線(xiàn)10上的存儲(chǔ) 介質(zhì)11容納在埋頭孔部14內(nèi)，能夠避免從RF標(biāo)簽的最外表面向外側(cè)突出(參見(jiàn)圖2 (d))。 如圖所示的例子，作為填充劑的例子之一，環(huán)氧樹(shù)脂填埋在埋頭孔部14和存儲(chǔ)介質(zhì)11之間 的空隙。也可以使存儲(chǔ)介質(zhì)11和埋頭孔部14之間不產(chǎn)生空隙來(lái)形成埋頭孔部14，而不使 用填充劑。電介質(zhì)層20具有在由α烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體的單體單元所構(gòu)成的無(wú)規(guī) 共聚物或嵌段共聚物上接枝了芳香族乙烯單體的接枝共聚物的分子形態(tài)。因此，芳香族乙 烯單體單元相對(duì)于基體形成結(jié)構(gòu)域，對(duì)于有機(jī)溶劑等僅表現(xiàn)出部分溶解性，即使溫度在熔 點(diǎn)以上也不會(huì)以液態(tài)流動(dòng)，具有不發(fā)生熱松弛的特性。因此，能夠應(yīng)對(duì)在半固化片層30a、 30b的使用溫度范圍內(nèi)的熱壓接。進(jìn)而，能夠通過(guò)熱壓接賦予均勻的表面壓力，能夠制得層 間接合強(qiáng)度提高了的、難以發(fā)生層間剝離的RF標(biāo)簽。通過(guò)工序A制得的半固化片板具有由絕緣性半固化片層30a、30b所提供的兩個(gè)主 表面。天線(xiàn)電路10和金屬箔層40通過(guò)熱壓接與絕緣性半固化片層30a、30b接合。通過(guò)該 層疊結(jié)構(gòu)，即使是在RF標(biāo)簽的安裝對(duì)象為導(dǎo)電性物質(zhì)的情況下，也能夠防止通信距離的降 低。對(duì)RF標(biāo)簽的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1中的RF標(biāo)簽由基于所述接枝共聚物制成 的第一電介質(zhì)層20a、分別層疊于該第一電介質(zhì)層20a的兩個(gè)主表面上的兩個(gè)半固化片層 30a、30b、層疊于一側(cè)半固化片層上的天線(xiàn)電路10、層疊于另一側(cè)半固化片層上的作為導(dǎo)體 的金屬箔層40構(gòu)成。各半固化片層可由例如玻璃環(huán)氧樹(shù)脂形成。天線(xiàn)電路10包括第一導(dǎo) 體層1 及通過(guò)焊錫13與第一導(dǎo)體層12a的內(nèi)側(cè)面接合的存儲(chǔ)介質(zhì)11。對(duì)RF標(biāo)簽的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。如圖2(a)所示，通過(guò)熱壓接將半固化片層30a、 30b分別與第一電介質(zhì)層20a的兩個(gè)主表面接合。有時(shí)將由第一電介質(zhì)層20a和半固化片 層30a、30b所構(gòu)成的層壓體稱(chēng)為半固化片板。另一方面，如圖2 (b)所示，通過(guò)載置于第一導(dǎo)體層1 內(nèi)側(cè)面上的焊錫13，將存儲(chǔ) 介質(zhì)11搭載于第一導(dǎo)體層1 上。第一導(dǎo)體層1 及存儲(chǔ)介質(zhì)11構(gòu)成天線(xiàn)電路10。準(zhǔn)備好半固化片板和天線(xiàn)電路10后，使存儲(chǔ)介質(zhì)11為內(nèi)側(cè)，即使存儲(chǔ)介質(zhì)11與 半固化片板一側(cè)的半固化片層相對(duì)，設(shè)置天線(xiàn)電路10。同時(shí)，在半固化片板另一側(cè)的半固化 片層上重疊金屬箔層40。在該狀態(tài)下，通過(guò)熱壓接，使天線(xiàn)電路10及金屬箔層40與半固化 片板接合，得到如圖2(c)所示的RF標(biāo)簽。這時(shí)，通過(guò)熱壓接將存儲(chǔ)介質(zhì)11壓入、埋設(shè)于半 固化片層30b及第一電介質(zhì)層20a中。下面對(duì)符合變形例的RF標(biāo)簽進(jìn)行具體說(shuō)明。在符合變形例的RF標(biāo)簽中，第一導(dǎo) 體層1 和金屬箔層40電導(dǎo)通。導(dǎo)通可以通過(guò)使用導(dǎo)電性物質(zhì)進(jìn)行連接、通孔(via)或端 面電極等任意方法進(jìn)行(參見(jiàn)圖4(a) 4(e))。通孔50
導(dǎo)體層間的電導(dǎo)通可以通過(guò)通孔來(lái)實(shí)施。通孔例如包括將電介質(zhì)層向厚度方向延 伸的貫通孔以及盲通孔。通孔例如可以通過(guò)激光加工或鉆孔加工等方法形成導(dǎo)通孔，在該 導(dǎo)通孔的內(nèi)側(cè)面形成電鍍層或在導(dǎo)通孔中填充導(dǎo)體插頭的方式制造。對(duì)于通孔的數(shù)量及位 置沒(méi)有特別的限制，可以以任意數(shù)量設(shè)置在任意位置。端面電極60導(dǎo)體層間的電導(dǎo)通可以通過(guò)端面電極60來(lái)實(shí)施。端面電極設(shè)置于該電介質(zhì)層的 外表面(側(cè)面或端面)，使其橫向穿過(guò)電介質(zhì)層的厚度方向。在一個(gè)例子中，端面電極60可 通過(guò)在RF標(biāo)簽的端面上實(shí)施導(dǎo)電膏或金屬鍍層形成。在另外的例子中，端面電極60還可 以由大括號(hào)(square bracket) “]”字型的金屬卡固部件、用鋁或碳制造的導(dǎo)電膠帶等導(dǎo)體 構(gòu)成。對(duì)端面電極60的數(shù)量、位置沒(méi)有特別的限制，可以以任意數(shù)量設(shè)置在任意位置。也可以并用上述通孔50和端面電極60。下面對(duì)符合本發(fā)明其他變形例的RF標(biāo)簽進(jìn)行說(shuō)明。如圖3所示，RF標(biāo)簽包括在 實(shí)施方式的RF標(biāo)簽的第一導(dǎo)體層1 的表面中、與半固化片層30b相反側(cè)的面上依次層疊 的第二電介質(zhì)層20b和第二導(dǎo)體層12b，第一導(dǎo)體層1 和第二導(dǎo)體層12b電導(dǎo)通。導(dǎo)通可 通過(guò)使用導(dǎo)電性物質(zhì)的連接、通孔或端面電極等任意方法實(shí)施。對(duì)于通孔及端面電極可參 照上述說(shuō)明。在圖3的例子中，形成有連接第一電介質(zhì)層20a和第二電介質(zhì)層20b的貫通 孔。還可以是連接第一導(dǎo)體層12a與第二導(dǎo)體層12b的通孔、連接第一導(dǎo)體層1 與金屬 箔層40的通孔以及這些通孔的組合。第二電介質(zhì)層20b與第一導(dǎo)體層12a的接合、以及第 二電介質(zhì)層20b與第二導(dǎo)體層12b的接合可通過(guò)熱壓接同時(shí)或分別進(jìn)行。例如，可以先將 第二電介質(zhì)層20b與第二導(dǎo)體層12b通過(guò)預(yù)熱壓接接合，然后設(shè)置第二電介質(zhì)層20b以覆 蓋天線(xiàn)電路10，將第二電介質(zhì)層20b與第一導(dǎo)體層1 通過(guò)熱壓接接合?；蛘撸€可以將第 二電介質(zhì)層20b與第二導(dǎo)體層12b重疊設(shè)置以覆蓋天線(xiàn)電路10，在這種狀態(tài)下通過(guò)熱壓接 接合。當(dāng)天線(xiàn)電路10的第一導(dǎo)體層12a與半固化片30b不是完全重疊而是僅重疊一部分 時(shí)，第二電介質(zhì)層20b可以與半固化片30b的主表面中、沒(méi)有與第一導(dǎo)體層1 重疊的地方 部分接合。對(duì)于熱壓接，可參照上述工序A及工序B的說(shuō)明。根據(jù)需要，也可以設(shè)置覆蓋圖1中的第一導(dǎo)體層12a或圖3中的第二導(dǎo)體層12b 的保護(hù)層。實(shí)施例下面通過(guò)例舉合成例、實(shí)施例及比較例進(jìn)一步具體說(shuō)明實(shí)施方式。首先說(shuō)明各例 中所使用的RF標(biāo)簽的評(píng)價(jià)方法。耐環(huán)境性評(píng)價(jià)對(duì)于耐環(huán)境性的判定是通過(guò)耐熱循環(huán)性試驗(yàn)及耐高溫高濕性來(lái)進(jìn)行。用于評(píng)價(jià)的 試樣的形態(tài)如下所示。RF 標(biāo)簽長(zhǎng) 90mm、寬 50mm 及厚 4mm。天線(xiàn)電路10 長(zhǎng)90mm及寬40mm。金屬箔M 長(zhǎng)90mm及寬55mm。耐熱循環(huán)性通過(guò)將RF標(biāo)簽試樣放進(jìn)耐熱循環(huán)性評(píng)價(jià)裝置中來(lái)進(jìn)行耐熱循環(huán)性的判定。作為 評(píng)價(jià)指標(biāo)采用RF標(biāo)簽的基于目測(cè)確認(rèn)觀測(cè)到層間剝離時(shí)的循環(huán)數(shù)、以及達(dá)到500次循環(huán)時(shí)的天線(xiàn)電路間電阻值和GND圖形間電阻值的從初始值起的變化率。試驗(yàn)條件溫度為-20°C /+60°C、各30分鐘。耐高溫高濕性通過(guò)將RF標(biāo)簽試樣放進(jìn)恒溫恒濕槽中來(lái)進(jìn)行耐高溫高濕性的判定。作為評(píng)價(jià)指 標(biāo)采用RF標(biāo)簽的基于目測(cè)確認(rèn)觀測(cè)到層間剝離時(shí)的循環(huán)數(shù)、以及達(dá)到500次循環(huán)時(shí)的天線(xiàn) 電路間電阻值和GND圖形間電阻值的從初始值起的變化率。 試驗(yàn)條件溫度80°C，相對(duì)濕度85%。在上面兩個(gè)試驗(yàn)中，對(duì)于天線(xiàn)電路間及GND圖形間的導(dǎo)通的確認(rèn)方法為，測(cè)定在 天線(xiàn)電路10的存儲(chǔ)介質(zhì)11被電連接的部分加載0. 5A的電流時(shí)的導(dǎo)體電阻率，基于從初始 值起的變化率進(jìn)行評(píng)價(jià)。此外，對(duì)于放進(jìn)耐熱循環(huán)性評(píng)價(jià)裝置后小于500次循環(huán)或放進(jìn)恒 溫恒濕槽后小于500小時(shí)就發(fā)生了層間剝離的RF標(biāo)簽、在制造工序中或剛制造完成后發(fā)現(xiàn) 層間剝離的情況等沒(méi)能制得RF標(biāo)簽的樣品，其各圖形間電阻值變化率的評(píng)價(jià)為不能測(cè)定。然后，用于實(shí)施例的高分子材料的制造方法如合成例所示。合成例1接枝共聚物的制造在內(nèi)部容積為20升的不銹鋼制高壓釜中加入8500g純水，然后溶解作為懸濁劑的 750g聚乙烯醇1質(zhì)量％水溶液。向其中加入3500g如下所述的聚丙烯，進(jìn)行攪拌分散。另 外，將10. Og作為自由基聚合引發(fā)劑的過(guò)氧化苯甲酰、37. 5g作為自由基共聚性有機(jī)過(guò)氧化 物的叔丁基過(guò)氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯溶于IOSOg單官能芳香族乙烯單體的苯乙 烯和300g的雙官能芳香族乙烯單體的二乙烯基苯中，將該溶液投入到所述高壓釜中進(jìn)行 攪拌。然后將高壓釜的溫度升至85 95°C，攪拌2小時(shí)，從而將含有過(guò)氧化苯甲酰及叔 丁基過(guò)氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯的二乙烯基苯及苯乙烯浸漬到聚丙烯中。然后將溫 度降至75 85°C，在該溫度下保持5小時(shí)，使聚合完全，過(guò)濾后，經(jīng)水洗及干燥得到接枝化 前驅(qū)體。然后，將該接枝化前驅(qū)體用LABO PLAST0MILL擠出機(jī)((株)東洋精機(jī)制作所制) 在210°C下擠出，通過(guò)接枝反應(yīng)得到接枝樹(shù)脂。進(jìn)而，在該接枝樹(shù)脂中分別干混IOg作為 抗氧化劑的1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二叔丁基-4-羥基芐基)苯、雙(2，6-二叔 丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二磷酸酯后，給料到進(jìn)料筒溫度設(shè)定為210°C的螺桿直徑為 30mm的同軸方向雙軸螺桿擠壓機(jī)(TEX-30ci、(株)日本制鋼所制)，經(jīng)擠出后造粒得到接 枝共聚物。聚丙烯(商品名“SunAllomer-PM671A，，、SunAllomer (株)制)過(guò)氧化苯甲酰(商品名“NYPER-BW、日油(株)制、75%純度的含水物)叔丁基過(guò)氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯(日油(株)制、40%甲苯溶液)1，3，5_三甲基-2，4，6-三(3，5_ 二叔丁基_4_羥基芐基)苯(商品名“Irganox 1330”，Ciba Specialty Chemicals (株)制)雙(2，6_ 二叔丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二磷酸酯(商品名“ADKSTAB PEP-36，，、(株)ADEKA 制)合成例2 14、接枝共聚物的制造使用與合成例1所示的方法相同的方法，將芳香族乙烯單體接枝聚合到各種主鏈
權(quán)利要求
1.一種RF標(biāo)簽，該RF標(biāo)簽包括半固化片板和天線(xiàn)電路(10)及金屬箔層00)；所述半固化片板是由第一電介質(zhì)層(20a)及分別層疊于所述第一電介質(zhì)層(20a)的兩個(gè)主表面上的兩個(gè)半固化片層(30a、30b)所形成；所述天線(xiàn)電路(10)以及金屬箔層GO)分別層疊于所述半固化片板的所述兩個(gè)半固化 片層(30a、30b)；所述第一電介質(zhì)層(20a)是由在60 85質(zhì)量份聚合物(a)上接枝聚合15 40質(zhì)量 份芳香族乙烯單體(b)所得到的接枝共聚物構(gòu)成，所述聚合物(a)是由基于α-烯烴單體 或鏈狀共軛二烯單體的單體單元所構(gòu)成；所述芳香族乙烯單體(b)含有70 95質(zhì)量％的 單官能芳香族乙烯單體bl以及5 30質(zhì)量％的雙官能芳香族乙烯單體1^2 ；所述兩個(gè)半固化片層(30a、30b)分別為在玻璃纖維基材中浸漬環(huán)氧樹(shù)脂而得到的環(huán) 氧樹(shù)脂浸漬玻璃纖維基材；所述天線(xiàn)電路(10)包括第一導(dǎo)體層(12a)和安裝于所述第一導(dǎo)體層(12a)上的可讀 取及寫(xiě)入信息的存儲(chǔ)介質(zhì)(11)；所述兩個(gè)半固化片層(30a、30b)通過(guò)熱壓接分別接合到所述第一電介質(zhì)層(20a)的所 述兩個(gè)主表面上；所述天線(xiàn)電路(10)以及所述金屬箔層GO)通過(guò)熱壓接分別接合到所述半固化片板的 所述兩個(gè)半固化片層(30a、30b)上。
2.如權(quán)利要求1所述的RF標(biāo)簽，其特征在于，所述第一導(dǎo)體層(12a)和所述金屬箔層 (40)電導(dǎo)通。
3.如權(quán)利要求1或2所述的RF標(biāo)簽，其特征在于，在所述第一導(dǎo)體層(12a)的表面中、 與所述半固化片層(30b)相反側(cè)的面上具有依次層疊的第二電介質(zhì)層(20b)和第二導(dǎo)體層 (12b)，所述第一導(dǎo)體層(12a)和所述第二導(dǎo)體層(12b)電導(dǎo)通；所述第二電介質(zhì)層(20b)是由在60 85質(zhì)量份聚合物(a)上接枝聚合15 40質(zhì)量 份芳香族乙烯單體(b)所得到的接枝共聚物構(gòu)成，所述聚合物(a)是基于α-烯烴單體或 鏈狀共軛二烯單體的單體單元所構(gòu)成，所述芳香族乙烯單體(b)含有70 95質(zhì)量％的單 官能芳香族乙烯單體(bl)以及5 30質(zhì)量％的雙官能芳香族乙烯單體( )；所述第一導(dǎo) 體層(1 )、所述第二電介質(zhì)層OOb)與所述第二導(dǎo)體層(12b)通過(guò)熱壓接依次接合。
4.如權(quán)利要求2或3所述的RF標(biāo)簽，其特征在于，還包括用于所述電導(dǎo)通的通孔(50)。
5.如權(quán)利要求2或3所述的RF標(biāo)簽，其特征在于，還包括用于所述電導(dǎo)通的端面電極 (60)。
6.權(quán)利要求1所述的RF標(biāo)簽的制造方法，其特征在于，包括工序A及工序B；所述工序A是將所述兩個(gè)半固化片層(30a、30b)通過(guò)熱壓接分別接合于所述第一電介 質(zhì)層QOa)的所述兩個(gè)主表面上，制成所述半固化片板的工序；所述工序B是將所述天線(xiàn)電路(10)及所述金屬箔層GO)通過(guò)熱壓接分別接合于所述 半固化片板的所述兩個(gè)半固化片層(30a、30b)上的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種RF標(biāo)簽，該RF標(biāo)簽包括半固化片板，所述半固化片板包括第一電介質(zhì)層(20a)、以及分別層疊到該電介質(zhì)層(20a)的兩個(gè)主表面上的半固化片層(30a、30b)。所述第一電介質(zhì)層(20a)是在60～85質(zhì)量份的聚合物(a)上聚合15～40質(zhì)量份的芳香族乙烯單體(b)得的接枝共聚物，所述聚合物(a)是基于α-烯烴單體或鏈狀共軛二烯單體得到的，所述芳香族乙烯單體(b)含有70～95質(zhì)量％的單官能芳香族乙烯單體(b1)以及5～30質(zhì)量％的雙官能芳香族乙烯單體(b2)。各半固化片層(30a、30b)為環(huán)氧樹(shù)脂浸漬玻璃纖維基材。天線(xiàn)電路(10)以及金屬箔層(40)通過(guò)熱壓接分別與半固化片板的半固化片層(30a、30b)接合。
文檔編號(hào)B32B15/092GK102124474SQ2009801319
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2009年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月30日
發(fā)明者久保田和宏, 大田利博, 水口勝信 申請(qǐng)人:日油株式會(huì)社