專利名稱：防偽材料及防偽檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及防偽領(lǐng)域，尤其涉及一種防偽材料及防偽檢測方法。
背景技術(shù)：
目前紙張防偽技術(shù)主要有水印、安全線、激光全息、熒光涂飾、 防偽纖維、磁性油墨等技術(shù)，在這些紙張防偽技術(shù)當(dāng)中，采用非晶態(tài) 合金的防盜防偽標(biāo)簽得到了廣泛應(yīng)用，這是由于非晶態(tài)合金具有巴克 豪森效應(yīng)(在磁化過程中疇壁發(fā)生跳躍式的不可逆位移過程)，以及 在交變磁場的激勵下能夠產(chǎn)生豐富的高次諧波的效應(yīng)，這兩種效應(yīng)可
能實現(xiàn)優(yōu)良的防盜防偽功能。
現(xiàn)有技術(shù)中對采用非晶態(tài)合金的防盜防偽標(biāo)簽進行防偽檢測的
方案如圖l所示，可以看出防偽標(biāo)簽中含有多根不同矯頑力的非晶絲
材，其中的非晶絲材2a、 2b、 2c、 2d按照矯頑力的由小至大的順序， 依次平行且按固定間隔的排列分布在防偽標(biāo)簽1中。在檢測時，防偽 標(biāo)簽l由傳送系統(tǒng)按照矯頑力小的非晶絲材先進入、矯頑力大的非晶 絲材后進入的方式送至檢測區(qū)域。在交變磁場的激勵下，防偽標(biāo)簽在 不同的磁場下感生出多個脈沖信號，形成一個磁場強度的脈沖序列 (Ha、 Hb、 Hc、 Hd )，才艮據(jù)該脈沖序列間隔的比率來判斷標(biāo)簽的真 偽。此外利用這種方式，通過調(diào)整非晶絲材的根數(shù)以及材料矯頑力的 大小，在實現(xiàn)防偽功能的同時，還實現(xiàn)了對標(biāo)簽的筒單編碼。 但這種防偽檢測技術(shù)存在著以下的缺點
1、防偽標(biāo)簽必須以特定的方向進入檢測區(qū)域，以使得非晶絲材 依次按照矯頑力從小到大的順序被激勵，如果矯頑力大的非晶絲材先 進入檢測區(qū)域，而矯頑力小的非晶絲材后進入，則可能會導(dǎo)致激勵順 序錯亂，造成誤報。2、由于判斷標(biāo)簽真?zhèn)蔚囊罁?jù)是脈沖序列間隔的比率，那么如果 防偽標(biāo)簽出現(xiàn)皺褶，使得非晶絲材之間的間隔發(fā)生變化，則會導(dǎo)致感 生的脈沖序列間隔發(fā)生改變，從而造成誤報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提出一種防偽材料，能夠便于使用，且不易 仿造，誤報率低。
本發(fā)明的另一目的是提出一種防偽檢測方法，能夠避免現(xiàn)有技術(shù) 中防偽標(biāo)簽必須以特定方向進入檢測區(qū)域?qū)е碌恼`報，且降低因防偽 材料不規(guī)范導(dǎo)致的誤報情況。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種防偽材料，所述防偽材料中 嵌入或貼附有至少兩根非晶合金細長材料，所述非晶合金細長材料中 至少有兩根具有不同的矯頑力，所述非晶合金細長材料相互平行。
進一步的，所述非晶合金為正磁致伸縮材料或近零磁致伸縮材料。
進一 步的，所述非晶合金細長材料之間有間隔或無間隔或有間隔 和無間隔混合。
進一步的，所述間隔為非等間距。
進一步的，所述非晶合金細長材料不按矯頑力大小的順序排列。 進一步的，所述非晶合金細長材料為非晶帶材、非晶絲材或玻璃 包覆非晶絲。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種對前述防偽材料進行防偽檢 測的方法，包括以下步驟
將所述防偽材料置入激勵磁場，其中所述防偽材料中的非晶合金 細長材料的長度方向與所述激勵磁場方向 一致，并提取所述非晶合金 細長材料在所述激勵磁場中感生出的感生電壓信號；
判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求，是則確定 所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材料。
進一步的，所述判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求的操作具體為
判斷所述感生電壓信號的峰值絕對值是否符合沿時間增加的方 向非依次遞減的要求。
進一步的，在判斷出所述感生電壓信號的峰值絕對值沿時間增加 的方向非依次遞減后，還包括進一步的防偽檢測步驟，具體為
提取所述感生電壓信號中的前n個峰值位置和峰值幅值，n為正 整數(shù)，并將所述前n個峰值位置和峰值幅值與預(yù)設(shè)的防偽編碼表進行 匹配編碼，判斷該編碼是否符合預(yù)設(shè)的防偽編碼，其中所述防偽編碼 表由多組峰值位置和峰值幅值進行劃分。
進一步的，在將所述前n個峰值位置和峰值幅值與預(yù)設(shè)的防偽編 碼表進行匹配編碼之前，還包括對所述前n個峰值位置和/或峰值幅值 進行歸一化的操作。
進一步的，當(dāng)確定所述防偽材料為假防偽材料時，啟動報警系統(tǒng)。
基于上述技術(shù)方案，本發(fā)明以非晶合金感生出的電壓信號的衰減 情況作為防偽材料真?zhèn)蔚呐袛嘁罁?jù)，這既不要求防偽材料中非晶合金 細長材料有特定順序，也避免了在對防偽材料進行防偽檢測時，褶皺 或者傾斜等帶來的誤報問題。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本申請
的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)
成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖l為現(xiàn)有技術(shù)中對采用非晶態(tài)合金的防盜防偽標(biāo)簽進行防偽檢
測的方案示意圖。
圖2a-2c為本發(fā)明防偽材料的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明防偽檢測方法的一實施例的流程示意圖。
圖4為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有單一矯頑力的非晶合金細
長材料的一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。
圖5為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有單一矯頑力的非晶合金細長材料的另一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。
圖6為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有不同矯頑力的非晶合金細 長材料的一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。
圖7為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有不同矯頑力的非晶合金細 長材料的另一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。
圖8為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有不同矯頑力的非晶合金細 長材料的再一 防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。
圖9為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有不同矯頑力的非晶合金細 長材料的又一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。
圖IO為本發(fā)明防偽編碼表的一種實例的示意圖。
圖11為本發(fā)明防偽檢測方法的另一實施例的流程示意圖。
圖12為本發(fā)明防偽檢測方法的一種實現(xiàn)方案的示意圖。
具體實施例方式
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。
首先介紹一下本發(fā)明所采用的防偽材料，如圖2a-2c所示，為本 發(fā)明防偽材料的結(jié)構(gòu)示意圖。防偽材料由兩部分構(gòu)成，分別是防偽材 料的基片4和非晶合金細長材料3。非晶合金細長材料3可以貼附在 基片4的表面，也可以嵌入在基片4內(nèi)。非晶合金細長材料3通常至 少有兩根，在本實施例給出了三根的例子，實際使用中還可以設(shè)置更 多。
非晶合金細長材料3被平行布置在基片4上，非晶合金細長材料 3之間可以有間隔，或者無間隔，或者有間隔和無間隔混合。其間隔 可以為等間距，也可以是非等間距。
在防偽材料上的這些非晶合金細長材料3中，至少有兩根具有不 同的矯頑力。由于防偽檢測的原理不同，因此這些非晶合金細長材料 3的排列順序不必按矯頑力大小的順序排列。
非晶合金可以采用正磁致伸縮材料，也可以采用近零磁致伸縮材料。非晶合金細長材料可以為非晶帶材、非晶絲材或玻璃包覆非晶絲。 其中優(yōu)選玻璃包覆非晶絲，與非晶帶材、非晶絲材相比，其尺寸小、 隱蔽性好。
接下來，對本發(fā)明的防偽檢測原理進行說明，如圖3所示，檢測 過程如下
步驟IOI、將前述的防偽材料置入激勵磁場，如圖12所示，防偽 材料中的非晶合金細長材料的長度方向與激勵磁場的方向 一致，并提 取所述非晶合金細長材料在所述激勵磁場中感生出的感生電壓信號；
步驟102、判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求， 是則執(zhí)行步驟103，否則執(zhí)行步驟104;
步驟103、確定所述防偽材料為真防偽材料；
步驟104、確定所述防偽材料為假防偽材料。
這里的判斷感生電壓信號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求的操作 具體是判斷感生電壓信號的峰值絕對值是否符合沿時間增加的方向非 依次遞減的要求，也就是根據(jù)是否出現(xiàn)"反常衰減"現(xiàn)象作為判斷防 偽檢測的依據(jù)。 -
下面通過一 系列對比試驗來對本發(fā)明的防偽檢測原理進行說明。 如圖4所示，為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有單一矯頑力的非晶合 金細長材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。在本次對比試驗中， 激勵磁場為lKHz交變磁場，在防偽材料表面上的多根非晶合金細長 材料均具有單一矯頑力，矯頑力大小為lOe。在將防偽材料置入激勵 磁場中后，由圖4的感生電壓信號曲線可見，出現(xiàn)了多個震蕩的峰值 絕對值，并隨著時間增加的方向依次遞減。
圖5也采用的是單一矯頑力的多根非晶合金細長材料，其矯頑力 大小為0.8Oe,可以看出，圖5中的峰值絕對值也遵循著隨時間增加 的方向依次遞減的規(guī)律。與圖4相比，峰值絕對值出現(xiàn)的時間和幅值 不同，這是由材料特性決定的，在本實施例中，主要是矯頑力大小的 因素?？梢钥闯觯捎脝我怀C頑力的非晶合金細長材料時，感生出的 電壓信號的峰值絕對值按時間增加的方向依次減小的趨勢是相同的。接下來，使用前面描述的本發(fā)明的防偽材料進行試驗，本發(fā)明的 防偽材料中至少有兩根非晶合金細長材料，非晶合金細長材料中至少
有兩根具有不同的矯頑力。如圖6所示，為釆用本發(fā)明防偽檢測方法 對具有不同矯頑力的非晶合金細長材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示 意圖。在本例中存在兩種矯頑力的非晶合金細長材料， 一種為0.7Oe， 一個為lOe，其所感生出的電壓信號的趨勢與前面圖4和圖5明顯不 同，出現(xiàn)了 "反常衰減"的現(xiàn)象。圖6中前1-5個峰值電壓依次為2.5V、 -0.7V、 2V、 -IV、 0.7V，可以看出第二個峰值絕對值明顯低于第三個 峰值絕對值。這種"反常衰減"現(xiàn)象是含有不同矯頑力的非晶合金細 長材料的防偽材料所特有的，可以作為辨別真?zhèn)蔚囊罁?jù)。
圖7給出了矯頑力大小分別為0.70e和1.20e的防偽材料的感生 電壓信號曲線，可以看出前l(fā)-5個峰值電壓依次為1.8V、 -0.7V、 0.9V、 -O.IV、 0.5V。其中第二個峰值絕對值低于第三個峰值絕對值，且第四 個峰值絕對值低于第五個峰值絕對值。也就是說，圖7的試驗中出現(xiàn) 了 "反常衰減"現(xiàn)象。
圖8給出了矯頑力大小分別為10e和1.20e的防偽材料的感生電 壓信號曲線，可以看出前1-5個峰值電壓依次為2.4V、-1V、 1.2V、-0.7V、 0.5V。其中第二個峰值絕對值低于第三個峰值絕對值。圖7的試驗中 出現(xiàn)了 "反常衰減"現(xiàn)象，而且圖8與前兩個試驗的附圖相比，出現(xiàn) 峰值的時間和峰值的幅值也明顯不同。
圖9采用了與圖6相同的矯頑力，即一種為0.7Oe， 一種為lOe, 區(qū)別在于矯頑力為lOe的非晶合金細長材料的尺寸不同，以優(yōu)選的玻 璃包覆非晶絲為例，圖9中矯頑力大小為lOe的玻璃包覆非晶絲的金 屬芯直徑為16微米，玻璃層厚度為4微米，不同于圖6中的23微米 的金屬芯，6微米的玻璃層厚度。其所感生的電壓信號前1-5個峰值 分別為2.5V、 -1,3V、 1.3V、畫0.6V、 0.5V，其中第二個峰值絕對值等 于第三個峰值絕對值，仍然是未延時間增加的方向非依次遞減，即出 現(xiàn)了 "反常衰減，，現(xiàn)象。
對比圖6和圖9，可以看出雖然都出現(xiàn)了 "反常衰減，，現(xiàn)象，防偽材料感生出的電壓信號的衰減形式、幅值、峰值位置是由防偽材料 中含有的非晶合金細長材料的物理性能決定的，如果將不同物理性能 的非晶合金細長材料添加入防偽材料中，則可以調(diào)節(jié)感生信號的衰減 形式、幅值、峰值位置等參數(shù)，從而實現(xiàn)防衛(wèi)材料的編碼。
從前面的幾個試驗可以看出，釆用本發(fā)明的防偽檢測方法，是對 感生信號的衰減方式進行判斷，因此對防偽材料的進入檢測區(qū)域的方 向以及對防偽材料上的非晶合金細長材料的排列方式(有否間隔，是 否均等間隔等)均沒有特別的要求，即使防偽材料在與激勵磁場有一 定的傾角的情況下進入，其在幅值、峰值位置等參數(shù)上可能會出現(xiàn)變 化，但其衰減方式仍然符合"反常衰減"的現(xiàn)象。
接下來，本發(fā)明還提供了另一個防偽檢測方法的實施例，參見圖 11，與前一個實施例相比，本實施例在檢測到感生電壓衰減方式符合
要求之后，執(zhí)行以下步驟
步驟105、提取所述感生電壓信號中的前n個峰值位置和峰值幅 值，n為正整數(shù)；
步驟106、將所述前n個峰值位置和峰值幅值與預(yù)設(shè)的防偽編碼 表進行匹配編碼；
步驟107、判斷該編碼是否符合預(yù)設(shè)的防偽編碼，其中所述防偽 編碼表由多組峰值位置和峰值幅值進行劃分，如果符合，則執(zhí)行步驟 108，否則執(zhí)行步驟104，確定防偽材料為假防偽材料；
步驟108、確定所述防偽材料為真防偽材料。
下面舉例進行說明，將本發(fā)明的防偽材料置入激勵磁場后，使用 前五個峰值作為判斷依據(jù)，其時間和幅值依次為(8jis， 2.5V)、 (llps， -0.7V) 、 (14ns， 2V) 、 (17jis， -IV) 、 (20jis， 0.7V)。防偽檢 測系統(tǒng)可以預(yù)先存儲一份防偽編碼表和判斷用的防偽編碼，該防偽編 碼表可以由多組峰值位置和峰值幅值進行劃分，當(dāng)獲得上述的時間和 幅值后，將上述各組與防偽編碼表進行匹配，獲得被檢測的防偽材料 的編碼，如果該防偽材料的編碼與預(yù)設(shè)的防偽編碼相符合，則可以確 定為真防偽材料。此外，在將所述前n個峰值位置和峰值幅值與預(yù)設(shè)的防偽編碼表 進行匹配編碼之前，還可以包括對所述前n個峰值位置和/或峰值幅值 進行歸一化的操作。也就是說，采用峰值位置和/或峰值幅值的比率進 行編碼，由于比率可以不受非晶合金細長材料與激勵磁場之間夾角的 影響，因此這種歸一化的處理可以避免進入激勵磁場的方向變化產(chǎn)生 出的電壓幅值的變化，而導(dǎo)致誤報的發(fā)生。
還以剛才的例子進行說明，感生出的前五組數(shù)據(jù)(8網(wǎng)，2.5V)、 (lips, -0.7V) 、 (l爭，2V) 、 (17ns， -IV) 、 (20ps， 0.7V) 經(jīng)過對電壓幅值的歸一化，得到電壓比率依次為1、 0.28、 0.8、 0.4、 0.28。按照峰值位置和峰值幅值(本實施例指的是峰值幅值的比率) 將坐標(biāo)空間劃分為不同的區(qū)域，每個區(qū)域與特定的峰值位置和峰值幅 值相對應(yīng)，并可以標(biāo)注對應(yīng)的編號。如圖10所示，編號為ll的區(qū)間 范圍為(2.5ps， 7.5jis，(0.1， 0.3，編號12的區(qū)間范圍為(2.5fis, 7.5ns，(0.3， 0.5，編號21的區(qū)間范圍為(7.5ns，12.5ns，(0.1，0.3，以此類推。
在本實施例中，假設(shè)預(yù)設(shè)的防偽編碼為(25、 21、 34、 32、 41)， 即圖10中標(biāo)為3A的點，如果檢測出的編碼為(25、 21、 34、 32、 41)， 與預(yù)設(shè)的防偽編碼相同，則可以確定為真的編碼材料，如果檢測出的 編碼(35、 32、 42、 51、 51)，即圖10中標(biāo)為3C的點，則可以確定 為假的編碼材料。
上述實施例既不要求防偽材料中非晶合金細長材料有特定順序， 也避免了在對防偽材料進行防偽檢測時，褶皺或者傾斜等帶來的誤報 問題。
在上述實施例中，如果確定所述防偽材料為假防偽材料時，可以 啟動報警系統(tǒng)進行報警，報警系統(tǒng)可以采用蜂鳴器、LED等方式。 本發(fā)明適用于各種防偽材料，例如防偽用的標(biāo)簽、紙、薄膜等。 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部 分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于 一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實 施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括ROM、 RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
最后應(yīng)當(dāng)說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而 非對其限制；盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，所屬 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解依然可以對本發(fā)明的具體實施方式

進 行修改或者對部分技術(shù)特征進行等同替換；而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案 的精神，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明請求保護的技術(shù)方案范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1. 一種防偽材料，所述防偽材料的基片中嵌入或貼附有至少兩根非晶合金細長材料，所述非晶合金細長材料中至少有兩根具有不同的矯頑力，所述非晶合金細長材料相互平行。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽材料，其中所述非晶合金為正磁 致伸縮材料或近零磁致伸縮材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的防偽材料，其中所述非晶合金細長材 料之間有間隔或無間隔或有間隔和無間隔混合。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的防偽材料，其中所述間隔為非等間距。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的防偽材料，其中所述非晶合金細長材 料不按矯頑力大小的順序排列。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的防偽材料，其中所述非晶合金細長材 料為非晶帶材、非晶絲材或玻璃包覆非晶絲。
7、 一種對權(quán)利要求l-6任一所述防偽材料進行防偽檢測的方法， 包括以下步驟將所述防偽材料置入激勵磁場，其中所述防偽材料中的非晶合金 細長材料的長度方向與所述激勵磁場方向一致，并提取所述非晶合金 細長材料在所述激勵磁場中感生出的感生電壓信號；判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求，是則確定 所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材料。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述判斷所述感生電壓信 號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求的操作具體為判斷所述感生電壓信號的峰值絕對值是否符合沿時間增加的方 向非依次遞減的要求。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述判斷所述感生電壓信 號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求的操作具體為在判斷出所述感生電壓信號的峰值絕對值沿時間增加的方向非 依次遞減后，還包括進一步的防偽檢測步驟，具體為提取所述感生電壓信號中的前n個峰值位置和峰值幅值，n為正 整數(shù)，并將所述前n個峰值位置和峰值幅值與預(yù)設(shè)的防偽編碼表進行 匹配編碼，判斷該編碼是否符合預(yù)設(shè)的防偽編碼，其中所述防偽編碼 表由多組峰值位置和峰值悸值進行劃分，如果符合，則確定所述防偽 材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材料。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在將所述前n個峰值位置 和峰值幅值與預(yù)設(shè)的防偽編碼表進行匹配編碼之前，還包括對所述前 n個峰值位置和/或峰值幅值進行歸一化的操作。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7或9所述的方法，其中當(dāng)確定所述防偽材料 為假防偽材料時，啟動報警系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防偽材料，防偽材料的基片中嵌入或貼附有至少兩根非晶合金細長材料，非晶合金細長材料中至少有兩根具有不同的矯頑力，非晶合金細長材料相互平行。本發(fā)明還涉及一種防偽檢測的方法，包括以下步驟將防偽材料置入激勵磁場，并提取非晶合金細長材料在激勵磁場中感生出的感生電壓信號；判斷感生電壓信號的衰減方式是否符合預(yù)設(shè)要求，是則確定防偽材料為真防偽材料，否則確定防偽材料為假防偽材料。本發(fā)明以非晶合金感生出的電壓信號的衰減情況作為防偽材料真?zhèn)蔚呐袛嘁罁?jù)，這既不要求防偽材料中非晶合金細長材料有特定順序，也避免了在對防偽材料進行防偽檢測時，褶皺或者傾斜等帶來的誤報問題。
文檔編號D21H21/40GK101424059SQ2008101835
公開日2009年5月6日 申請日期2008年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月18日
發(fā)明者盧志超, 周少雄, 張俊峰, 張宏浩, 李德仁, 挺 種, 征 陳 申請人:安泰科技股份有限公司