專利名稱：多層聚合物膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本說明書一般涉及多層含氟聚合物膜。
背景制造的制品和器件通常與聚合物膜相層疊。這些聚合物膜為制造的制品提供機(jī)械保護(hù)和化學(xué)保護(hù)。例如，具有所需機(jī)械性質(zhì)的膜可以保護(hù)制品免受摩擦或沖擊的影響，具有所需耐化學(xué)性的膜可保護(hù)所述制品免于暴露于化學(xué)品和環(huán)境。在一示例性的實(shí)施方式中，可以用聚合物膜為制品提供抗沖擊性、防濕層和防污染性。
在一
具體實(shí)施例方式
中，使用聚合物薄膜保護(hù)光電池、光傳感器和顯示器。例如，可以用透明聚合物膜保護(hù)光電池免受水分和氧氣之類的環(huán)境危險(xiǎn)因素影響，以及保護(hù)其免受沖擊和摩擦之類的機(jī)械危害因素的影響。通常將乙烯乙酸乙烯酯(EVA)膜與覆蓋的乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)保護(hù)層結(jié)合起來，用來包封光電池。EVA提供了適合通過熔融進(jìn)行包封的低熔點(diǎn)軟聚合物，而ETFE提供了具有耐熱性和耐候性、以及防水性和防污性的較硬的表面。通常對(duì)光電池涂敷熔融的EVA，使該EVA固化或交聯(lián)。EVA的固化需要很長(zhǎng)的時(shí)間，使得用EVA連續(xù)層疊的工藝難以進(jìn)行。另外，ETFE膜通常是獨(dú)立擠出，并在其一面上進(jìn)行預(yù)處理，以便與EVA粘合。盡管EVA和ETFE膜最初提供所需的保護(hù)，但是已知EVA很容易老化，失去光學(xué)透明度，生成腐蝕性副產(chǎn)物。因此，老化的EVA會(huì)減少到達(dá)光電池的太陽(yáng)能的量。另外，老化的EVA會(huì)通過腐蝕性降解產(chǎn)物(例如在EVA降解過程中生成的乙酸)破壞下面的光電池。因此人們需要改進(jìn)的聚合物膜。

發(fā)明內(nèi)容
在一
具體實(shí)施例方式
中，本說明書涉及包括第一層和第二層的聚合物膜。所述第一層包含第一含氟聚合物，熔點(diǎn)低于135℃。第二層覆蓋著第一層，包含第二含氟聚合物。第二層的熔點(diǎn)高于135℃。
在另一示例性的實(shí)施方式中，本說明書涉及一種包括第一層和第二層的聚合物膜。第一層包含第一含氟聚合物。第二層覆蓋著第一層，包含第二含氟聚合物。第一層和第二層熔點(diǎn)之差至少為10℃。
在另一示例性的實(shí)施方式中，本說明書涉及一種包括第一層和第二層的聚合物膜。第一層包含第一含氟聚合物。第二層覆蓋在第一層之上，包含第二含氟聚合物。所述第二含氟聚合物的氟含量高于第一含氟聚合物。
在另一示例性實(shí)施方式中，本說明書涉及一種包括第一層和第二層的聚合物膜。所述第一層包含第一THV共聚物。第二層覆蓋著第一層，與第一層直接接觸。第二層包含第二THV共聚物。所述第二THV共聚物的氟化程度高于第一THV共聚物。


圖1和圖2包括多層膜的例舉性實(shí)施例。
詳述在一個(gè)特定實(shí)施方式中，本說明書涉及包括第一層和第二層的聚合物膜。所述第一層包含第一含氟聚合物，第二層包含第二含氟聚合物。所述第二層的熔點(diǎn)高于第一層的熔點(diǎn)。第二層通常覆蓋第一層，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，第二層與下面的層直接接觸。在其它實(shí)施方式中，在第一層和第二層之間可包括中間層。
在將所述膜用作所制造的制品的層疊體的時(shí)候，通常將膜至少加熱至第一層的熔點(diǎn)，但是低于第二層熔點(diǎn)的溫度。將膜輥軋或壓在制品上，使得第一層接觸制品。示例性的層疊制品包括光電池、光傳感器和顯示器。所述聚合物膜可用于間歇式層疊和連續(xù)層疊過程。例如，可以將膜施加在預(yù)先涂過膠的光電片材上，并以間歇壓制法進(jìn)行壓制。在另一實(shí)施例中，以連續(xù)壓制法將膜輥軋?jiān)谶B續(xù)的光電片材上。
所述第一層和第二層的第一含氟聚合物和第二含氟聚合物可分別由氟化單體的聚合物和共聚物形成。共聚物包括接枝共聚物、交替共聚物、無規(guī)共聚物和嵌段共聚物。示例性的含氟聚合物可以由包括以下物質(zhì)的單體形成四氟乙烯(TFE)、六氟丙烯(HFP)、全氟丙基或全氟甲基乙烯基醚、三氟氯乙烯(CTFE)、偏二氟乙烯(VF2或VDF)和氟乙烯(VF)。所述含氟聚合物可包括含有一種或多種上述單體的聚合物、聚合物混合物和共聚物，例如氟代乙烯丙烯(FEP)、乙烯-四氟乙烯(ETFE)、聚四氟乙烯-全氟丙基醚(PFA)、聚四氟乙烯-全氟甲基乙烯基醚(MFA)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯-三氟氯乙烯(ECTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)以及四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯(THV)。在另外的示例性實(shí)施方式中，含氟聚合物可以是烯烴單體與氟代單體的共聚物，例如購(gòu)自Daikin America，Inc.的DaikinTMEFEP。
通常所述第一層和第二層主要由各自的含氟聚合物形成，使得對(duì)于聚合物混合物的情況下，非氟化聚合物在聚合物總量中的含量限制在小于15重量％，例如小于10重量％，小于5重量％或小于2重量％。在某些實(shí)施方式中，第一層和第二層的聚合物基本是100％的含氟聚合物。在一些實(shí)施方式中，所述層基本分別由上述含氟聚合物組成。在本文中，短語“基本由……組成”用來描述含氟聚合物的時(shí)候，表示排除了影響含氟聚合物的基本特性和新穎特性的非氟化聚合物的存在，但是在聚合物層中可以使用通常應(yīng)用的處理試劑和添加劑，例如抗氧化劑、填料、UV劑、染料和抗老化劑。
在一個(gè)
具體實(shí)施例方式
中，所述第一和第二含氟聚合物可以是由單體TFE、HFP和VDF形成的共聚物，例如THV共聚物。所述THV共聚物可包括DyneonTMTHV 220，DyneonTMTHV 2030GX，DyneonTMTHV 500G，DyneonTMTHV X815G或DyneonTMTHV X610G。例如，所述共聚物可包含約20-70重量％的VDF單體，例如約35-65重量％的VDF單體。所述共聚物可包含約15-80重量％的TFE單體，例如約20-55重量％的TFE單體。另外，共聚物可包含約15-75重量％的HFP單體，例如約20-65重量％。在一實(shí)施方式中，較低熔點(diǎn)的共聚物包含至少50重量％的VDF單體，例如約55重量％的VDF單體，或約60重量％的VDF單體。在另一實(shí)施方式中，較高熔點(diǎn)的共聚物包含不少于約50重量％的VDF單體，例如不超過大約45重量％的VDF單體，或不超過大約40重量％的VDF單體。
圖1示例性地顯示了膜102，其包括層104和層106.層104由含氟聚合物形成，層106由含氟聚合物組成。層104的熔點(diǎn)高于層106。在所示的實(shí)施方式中，層104和層106可以被共擠出。如圖所示，層104和層106可以共擠出成互相直接接觸的形式，使得層104和層106之間無中間層。
在一個(gè)具體實(shí)施例中，聚合物膜的厚度大于2密耳，例如大于3密耳，大于4密耳，或大于5密耳。層104的厚度不超過所述多層膜厚度的大約95％。例如，層104的厚度可不超過多層膜厚度的大約35％，不超過大約30％，不超過大約25％，不超過大約20％，或不超過大約15％。層106的厚度可以至少約為多層膜厚度的5％，例如至少約50％，至少約65％，至少約75％，至少約80％，或至少約85％。在一個(gè)具體實(shí)施方式

中，層104的厚度與層106的厚度之比可約為5∶95至95∶5，例如約為10∶90至50∶50，約為10∶90至30∶70。在一個(gè)具體實(shí)施方式

中，該比例約為20∶80。
在一示例性實(shí)施方式中，層104的熔點(diǎn)高于135℃。層106的熔點(diǎn)約低于135℃。例如，層104的熔點(diǎn)至少約為160℃，至少約為180℃，或至少約為220℃。層106的熔點(diǎn)可為(例如)低于135℃，例如不高于約125℃，不高于約120℃，不高于約115℃，或不高于約110℃。
層104和層106的熔點(diǎn)之差通常至少約為10℃。例如，層104和層106的熔點(diǎn)之差至少約為25℃，至少約為40℃，至少約為60℃，或至少約為100℃。
在另一示例性實(shí)施方式中，層104包含氟化含量高于層106的含氟聚合物的含氟聚合物。例如，層104的含氟聚合物可包含比層106的含氟聚合物更多的氟原子數(shù)。除此之外，或者作為替代表示方式，層104的含氟聚合物可包含比層106的含氟聚合物更多數(shù)量的氟化碳。在一具體實(shí)施例中，層104的含氟聚合物和層106的含氟聚合物是共聚物，其包含單體TFE、HFP和VDF，例如THV共聚物。此處，層104的含氟聚合物中的VDF單體的重量百分含量可低于層106的含氟聚合物。在另一實(shí)施例中，層104的含氟聚合物中HFP單體的重量百分含量大于層106的含氟聚合物。在另一實(shí)施例中，層104的含氟聚合物中TFE單體的重量百分含量大于層106的含氟聚合物。
在其它聚合物膜102的示例性實(shí)施方式中，層104可由PVDF、THV、ETFE、EFEP或PCTFE形成，層106可由PVDF或THV形成。例如，層104可由DyneonTMTHV 500G，DyneonTMTHV x815G或DyneonTMTHV x610G形成。層106可由例如PVDF、DyneonTMTHV 220或DyneonTMTHV 2030Gx形成。
在一具體實(shí)施例中，由多個(gè)層(104和106)形成的聚合物膜102對(duì)透射光具有最小的光學(xué)透明度。例如，聚合物膜的光學(xué)透明度可以透射至少85％的光，例如透射可見光譜中至少85％的光。例如，光學(xué)透明度可透射至少90％的光，透射至少約92％的光，透射至少約95％的光，透射至少約98％的光，或透射至少約99％的光?？梢酝ㄟ^(例如)BYK-Gardner Haze-Gard Plus測(cè)量光學(xué)透明度。
另外，聚合物膜可具有耐候性、不沾污性能、機(jī)械韌性、防濕層性能、紫外穩(wěn)定性、對(duì)制品的結(jié)合能力以及介電性能之類的品質(zhì)。
圖1所示的聚合物膜可包括另外的含氟聚合物層。這些另外的層可覆蓋層104。例如，聚合物膜102可包括由ETFE、PCTFE、EFEP或PVDF形成的層。這些另外的層可以與層104和106共擠出。
圖2說明了包括層204、206和208的多層聚合物膜202的另一實(shí)施方式。層206和層208分別與如上所述的層104和106相類似。層208可包括熔點(diǎn)低于層206和204的含氟聚合物層。層206可包含熔點(diǎn)高于層208的含氟聚合物。類似地，層204的熔點(diǎn)可高于層208。在一示例性實(shí)施方式中，層204可作為阻擋層，耐候?qū)?，或自清潔層。?04可包括(例如)PCTFE阻擋層或ETFE覆蓋層。
在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，層206的熔點(diǎn)高于135℃，例如至少約為160℃，至少約為180℃，或者至少約為220℃。層208的熔點(diǎn)小于135℃，例如不高于約125℃，不高于約120℃，不高于約115℃，或不高于約110℃。
在另一實(shí)施方式中，層206的熔點(diǎn)至少比層208的熔點(diǎn)高大約10℃，例如至少高大約25℃，至少高大約40℃，至少高大約60℃，或至少高大約100℃。
在另一示例性實(shí)施方式中，層206包含的含氟聚合物的氟代含量高于層208的含氟聚合物。例如，層206和208可以由THV共聚物形成，層206可包含比層208更高百分含量的TFE或HFP，或者比層208更低百分含量的VDF。關(guān)于層206和208的另外的細(xì)節(jié)可分別參見層104和106。
在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，低熔點(diǎn)層可包含DyneonTM的THV 220之類的含氟聚合物。在另一示例性實(shí)施方式中，低熔點(diǎn)含氟聚合物可包含DyneonTM的THV 2030GX。較高熔點(diǎn)的含氟聚合物的示例性實(shí)施方式包括DyneonTMTHV500G，DyneonTMTHV 815G和DyneonTMTHV 610G。
在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，膜宜用于連續(xù)工藝，例如在連續(xù)的長(zhǎng)片形基材上進(jìn)行層疊，而不是將膜放好進(jìn)行切割，以適應(yīng)分段的片形基材。例如，膜宜用于層疊在撓性的光電層上，光電層處理成卷的形式，而不采用交聯(lián)方法將膜與光電表面結(jié)合起來。
在另外的示例性實(shí)施例中，膜由含氟聚合物形成，經(jīng)常不含氯代含氟聚合物。某些實(shí)施方式明確地排除了氯代含氟聚合物。在另一示例性實(shí)施方式中，膜的光學(xué)透明度是透射超過95％的光，例如透射超過96％的光。
實(shí)施例多層聚合物膜的一個(gè)示例性實(shí)施方式包括第一含氟聚合物層，所述第一含氟聚合物層的熔點(diǎn)低于第二含氟聚合物層。所述含氟聚合物層如實(shí)施例1所述共擠出。
實(shí)施例1在3/4英寸的Brabender擠出機(jī)上，以8rpm的轉(zhuǎn)速對(duì)熔點(diǎn)為224℃的含氟聚合物DyneonTMTHV X815G進(jìn)行處理。Brabender擠出機(jī)的區(qū)域溫度為220℃、270℃、260℃和260℃。使用熔點(diǎn)為116℃的含氟聚合物DyneonTMTHV 220G形成兩個(gè)另外的層。這兩個(gè)層中的一個(gè)在1英寸的Killion擠出機(jī)上，在12rpm下進(jìn)行處理。Killion擠出機(jī)的區(qū)域溫度為120℃、170℃、220℃和220℃。這兩個(gè)層中的另一個(gè)在3/4英寸的Brabender擠出機(jī)上，在8rpm下進(jìn)行處理，Brabender擠出機(jī)的區(qū)域溫度為120℃、170℃、220℃和220℃。擠出機(jī)給保持在240℃的ABC-型分流器(feedblock)和保持在230℃的模頭進(jìn)料。
制備了厚度為2密耳和5密耳的示例性膜，它們有效地包括兩個(gè)層，DyneonTMTHV X815G層和DyneonTMTHV 220G層的，其層厚度比(THV815∶THV 220)為20∶80。
上述內(nèi)容被認(rèn)為是示例性而非限制性的，所附權(quán)利要求書中將包括本發(fā)明真正范圍內(nèi)的全部修改、改進(jìn)和其它實(shí)施方式。因此，在法律許可的最大范圍內(nèi)，本發(fā)明的范圍由以下權(quán)利要求書以及它們的等價(jià)內(nèi)容最寬泛的許可釋義所決定，不應(yīng)受到以上詳述的約束或限制。
權(quán)利要求
1.一種聚合物膜，該聚合物膜包括包含第一含氟聚合物、且熔點(diǎn)低于135℃的第一層；覆蓋著所述第一層，且包含第二含氟聚合物的第二層，所述第二層的熔點(diǎn)高于135℃。
2.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述聚合物膜的光學(xué)透明度能夠透射至少85％的光。
3.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層被共擠出。
4.如權(quán)利要求3所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層互相直接接觸。
5.如權(quán)利要求4所述的聚合物膜，其特征在于，在所述第一層和第二層之間不存在中間層。
6.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括含氟聚合物共聚物。
7.如權(quán)利要求6所述的聚合物膜，其特征在于，所述含氟聚合物共聚物包含TFE、HFP和VDF單體。
8.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物包括含氟聚合物共聚物。
9.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物的氟含量高于第一含氟聚合物。
10.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物的氟代碳的百分含量大于第一含氟聚合物。
11.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層熔點(diǎn)之差至少約為10℃。
12.如權(quán)利要求11所述的聚合物膜，其特征在于，所述熔點(diǎn)差至少約為25℃。
13.如權(quán)利要求11所述的聚合物膜，其特征在于，所述熔點(diǎn)差至少約為40℃。
14.如權(quán)利要求11所述的聚合物膜，其特征在于，所述熔點(diǎn)差至少約為60℃。
15.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二層的熔點(diǎn)至少約為160℃。
16.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二層的熔點(diǎn)至少約為180℃。
17.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二層的熔點(diǎn)至少約為220℃。
18.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的偏二氟乙烯的百分含量低于第一THV共聚物。
19.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的TFE百分含量高于第一THV共聚物。
20.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的HFP百分含量高于第一THV共聚物。
21.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層各自不含氯代含氟聚合物。
22.如權(quán)利要求1所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層主要由各自的第一和第二含氟聚合物組成。
23.一種聚合物膜，該聚合物膜包括包含第一含氟聚合物的第一層；覆蓋著所述第一層、而且包含第二含氟聚合物的第二層，所述第一層和第二層的熔點(diǎn)之差至少約為10℃。
24.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層被共擠出。
25.如權(quán)利要求24所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層互相直接接觸。
26.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括含氟聚合物共聚物。
27.如權(quán)利要求26所述的聚合物膜，其特征在于，所述含氟聚合物共聚物包含TFE、HFP和VDF單體。
28.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物包括含氟聚合物共聚物。
29.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物的氟含量高于第一含氟聚合物。
30.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物的氟代碳百分含量大于第一含氟聚合物。
31.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層的熔點(diǎn)低于135℃，第二層的熔點(diǎn)高于135℃。
32.如權(quán)利要求31所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二層的熔點(diǎn)至少約為160℃。
33.如權(quán)利要求31所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二層的熔點(diǎn)至少約為180℃。
34.如權(quán)利要求31所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二層的熔點(diǎn)至少約為220℃。
35.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述熔點(diǎn)差至少約為25℃。
36.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述熔點(diǎn)差至少約為40℃。
37.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述熔點(diǎn)差至少約為60℃。
38.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的偏二氟乙烯的百分含量低于第一THV共聚物。
39.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的TFE百分含量高于第一THV共聚物。
40.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的HFP百分含量高于第一THV共聚物。
41.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層各自不含氯代含氟聚合物。
42.如權(quán)利要求23所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層主要由各自的第一和第二含氟聚合物組成。
43.一種聚合物膜，該聚合物膜包括包含第一含氟聚合物的第一層；覆蓋著所述第一層、而且包含第二含氟聚合物的第二層，所述第二含氟聚合物的氟含量高于第一含氟聚合物。
44.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層被共擠出。
45.如權(quán)利要求44所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層互相直接接觸。
46.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括含氟聚合物共聚物。
47.如權(quán)利要求46所述的聚合物膜，其特征在于，所述含氟聚合物共聚物包含TFE、HFP和VDF單體。
48.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物包括含氟聚合物共聚物。
49.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二含氟聚合物的氟代碳百分含量高于第一含氟聚合物。
50.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物和第二含氟聚合物的熔點(diǎn)差至少約為10℃。
51.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層的熔點(diǎn)低于135℃，第二層的熔點(diǎn)高于135℃。
52.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的偏二氟乙烯的百分含量低于第一THV共聚物。
53.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的TFE百分含量高于第一THV共聚物。
54.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一含氟聚合物包括第一THV共聚物，所述第二含氟聚合物包括第二THV共聚物，所述第二THV共聚物的HFP百分含量高于第一THV共聚物。
55.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層各自不含氯代含氟聚合物。
56.如權(quán)利要求43所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層主要由各自的第一和第二含氟聚合物組成。
57.一種聚合物膜，該聚合物膜包括包含第一THV共聚物的第一層；覆蓋著第一層、與第一層直接接觸、而且包含第二THV共聚物的第二層，所述第二THV共聚物的氟化程度高于第一THV共聚物。
58.如權(quán)利要求57所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層被共擠出。
59.如權(quán)利要求57所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層和第二層的熔點(diǎn)差至少約為10℃。
60.如權(quán)利要求57所述的聚合物膜，其特征在于，所述第一層的熔點(diǎn)低于135℃，第二層的熔點(diǎn)高于135℃。
61.如權(quán)利要求57所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二THV共聚物的偏二氟乙烯的百分含量低于第一THV共聚物。
62.如權(quán)利要求57所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二THV共聚物的TFE百分含量高于第一THV共聚物。
63.如權(quán)利要求57所述的聚合物膜，其特征在于，所述第二THV共聚物的HFP百分含量高于第一THV共聚物。
全文摘要
本文涉及一種包括第一層和第二層的聚合物膜。第一層包含第一含氟聚合物，熔點(diǎn)低于135℃。第二層覆蓋著第一層，包含第二含氟聚合物。第二層的熔點(diǎn)高于135℃。
文檔編號(hào)B32B27/08GK1964843SQ200580018278
公開日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2005年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月4日
發(fā)明者K·G·赫茨勒, A·圖卡希斯基, B·M·弗里德曼, P·W·奧蒂茲 申請(qǐng)人:圣戈本操作塑料有限公司