專利名稱：陶瓷噴涂構(gòu)件及其清潔方法、有關(guān)程序和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷噴涂構(gòu)件-清潔方法、執(zhí)行該方法的程序、儲(chǔ)存該程序的存儲(chǔ)介質(zhì)和陶瓷噴涂構(gòu)件，更特別地涉及清潔陶瓷噴涂構(gòu)件如在由處理氣體形成的等離子體氣氛的室中使用的電極、聚焦環(huán)和靜電夾盤和在向處理裝置輸送基底等的傳送器中使用的傳送臂的陶瓷噴涂構(gòu)件-清潔方法、執(zhí)行該方法的程序、儲(chǔ)存該程序的存儲(chǔ)介質(zhì)和陶瓷噴涂構(gòu)件。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)地，在基底如半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行預(yù)定等離子體處理的等離子體處理裝置通常包括容納基底的室。在這種處理裝置中，在其上熱噴涂有陶瓷如三氧化二釔(Y2O3)(即氧化釔)或氧化鋁(Al2O3)的構(gòu)件用作室的內(nèi)壁、上電極等。通常，陶瓷傾向與空氣中的水具有高反應(yīng)性，因此，當(dāng)為了定期檢查將室敞開時(shí)或當(dāng)室進(jìn)行濕法清洗時(shí)，大量水會(huì)附著到由陶瓷噴涂構(gòu)件形成的室的內(nèi)壁、上電極等。
水從室內(nèi)壁的解吸附和對(duì)室內(nèi)壁的附著會(huì)引起問(wèn)題，如增加室抽真空的時(shí)間，這導(dǎo)致處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率降低，在形成金屬膜中形成不正常的膜，在蝕刻氧化物膜等中蝕刻速度不穩(wěn)定，粒子分離，以及在產(chǎn)生等離子體中不正常放電。
為了解決這些問(wèn)題，已經(jīng)提出真空室作為上述室，也就是提供一種在將非反應(yīng)性氣體引入真空室之前，將非反應(yīng)性氣體如氬加熱至不低于預(yù)定溫度的溫度的加熱器，和一種能向真空室施加額外熱量的室加熱器，由此清除其中的雜質(zhì)或污染物(參見(jiàn)日本特許公開的專利公告(公開)No.H07-78775)。
在這種真空室中，在處理操作期間由加熱器加熱的非反應(yīng)性氣體經(jīng)過(guò)真空室預(yù)定時(shí)間后，停止向真空室的加熱的非反應(yīng)性氣體流，并且檢查真空室內(nèi)的壓力。進(jìn)一步，將真空室抽真空至約6.7×10-5Pa(5.0×10-7Torr)，同時(shí)真空室仍是熱的，并且如果在抽真空的真空室中非反應(yīng)性氣體的壓力高于由先前進(jìn)行實(shí)驗(yàn)所獲得的真空室中的壓力，則估計(jì)真空室中有泄漏，由此可以采取措施來(lái)解決該問(wèn)題。
此外，已經(jīng)提出ECR(電子回旋共振)等離子體蝕刻裝置，它包括室、在室的一端形成向室中引入微波的微波引入口、圍繞微波引入口或部分室放置的勵(lì)磁線圈、向室中引入預(yù)定量氣體的氣體引入系統(tǒng)和將室抽至高真空的抽真空系統(tǒng)(參見(jiàn)日本特許公開的專利公告(公開)No.H08-181117)。
在這種ECR等離子蝕刻裝置中，用抽真空系統(tǒng)以低速將室抽真空，通過(guò)氣體引入系統(tǒng)將Ar氣引入室中，并且經(jīng)過(guò)微波引入口提供微波。此外，向勵(lì)磁線圈通電從而在室中產(chǎn)生等離子體。產(chǎn)生的等離子體與室的內(nèi)壁表面之間的接觸提高了室的內(nèi)壁表面的溫度，由此附著在內(nèi)壁表面的水分子被蒸發(fā)。
此外，已經(jīng)提出超高真空裝置，它包括作為抽至超高真空的氣密容器的生長(zhǎng)室、作為一種容納在生長(zhǎng)室中的構(gòu)件的基底操縱器、設(shè)置在基底操作器較低端的基底支架和作為在基底操作器相對(duì)側(cè)水平設(shè)置的內(nèi)部加熱裝置的加熱器部分(參見(jiàn)日本特許公開的專利公告(公開)No.2000-294508)。
在這種超高真空裝置中，外部加熱生長(zhǎng)室同時(shí)操作真空泵將生長(zhǎng)室抽真空至超高真空，而且通過(guò)生長(zhǎng)室內(nèi)的加熱器部分加熱基底操縱器和基底支架，同時(shí)對(duì)生長(zhǎng)室抽真空以使生長(zhǎng)室內(nèi)保持超高真空。從而，完成生長(zhǎng)室的除氣。
此外，已經(jīng)提出等離子體處理裝置，它包括在其中具有開口的底部構(gòu)件、經(jīng)過(guò)絕緣構(gòu)件從下面安裝在開口處的電極、置于電極上的盒形蓋子、作為由蓋子、底部構(gòu)件和電極圍成的空間而形成的真空室、安裝在蓋子上表面用于加熱真空室內(nèi)壁的加熱器和控制加熱器的控制部分(參見(jiàn)日本特許公開的專利公告(公布)No.H11-54484)。
在這種等離子體處理裝置中，當(dāng)進(jìn)行等離子體處理時(shí)，用控制部分控制加熱器以便真空室內(nèi)壁的溫度保持在預(yù)定溫度范圍內(nèi)。這不但可以降低吸附在真空室內(nèi)壁的水和有機(jī)物質(zhì)的量，而且可以快速蒸發(fā)掉水和有機(jī)物質(zhì)。而且，也可以顯著縮短抽真空所需的時(shí)間。
此外，已經(jīng)提出等離子清潔裝置，它包括由底板和蓋子定義的真空室、穿過(guò)底板安裝的電極、安裝在真空室頂板表面的可更換的防護(hù)構(gòu)件和連接于真空計(jì)的控制部分，且具有用于儲(chǔ)存給真空室設(shè)定的一組真空度和一組室抽真空的時(shí)間周期的存儲(chǔ)部分，以及計(jì)時(shí)器(參見(jiàn)日本特許公開的專利公告(公開)No.H11-54487)。
在這種等離子清潔裝置中，從計(jì)時(shí)器讀取當(dāng)前時(shí)間t1以便測(cè)定室抽真空的時(shí)間周期。然后，真空計(jì)給出真空測(cè)量數(shù)據(jù)，并且當(dāng)真空度達(dá)到設(shè)定的真空度時(shí)讀取時(shí)間t2。此外，如果從時(shí)間t1和時(shí)間t2確定的室抽真空的時(shí)間周期T在設(shè)定的時(shí)間周期T0內(nèi)，則驅(qū)動(dòng)氣體供應(yīng)設(shè)備向真空室引入產(chǎn)生等離子體的氣體。接著，驅(qū)動(dòng)高頻電源向電極施加高頻電壓，從而產(chǎn)生用于等離子清潔的等離子體，并且因此進(jìn)行等離子清潔。結(jié)果，可以將抽真空時(shí)間周期的增加抑制到預(yù)定的極限以保持操作時(shí)間。
還已經(jīng)提出另一種類似于上述等離子清潔裝置的裝置(參見(jiàn)日本特許公開的專利公告(公開)No.2002-124503)。
然而，在任何一種已提出的裝置中，在室中使用在其表面上熱噴涂有陶瓷的構(gòu)件的情況下，去除水的效果受到限制，以致于不可能可靠地抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件的解吸附和向陶瓷噴涂構(gòu)件的附著。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陶瓷噴涂構(gòu)件-清潔方法和執(zhí)行該方法的程序，它們可以可靠地抑制水的解吸附和附著，儲(chǔ)存該程序的存儲(chǔ)介質(zhì)和陶瓷噴涂構(gòu)件。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一方面提供一種清潔在其表面上熱噴涂有預(yù)定陶瓷材料的陶瓷噴涂構(gòu)件的方法，包括使陶瓷噴涂構(gòu)件表面和水彼此化學(xué)結(jié)合以穩(wěn)定水的穩(wěn)定化步驟和脫附物理吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件表面的水的脫附步驟。
優(yōu)選地，穩(wěn)定化步驟包括進(jìn)行將陶瓷噴涂構(gòu)件暴露在高壓、高濕和高溫環(huán)境下的水合處理。
優(yōu)選地，穩(wěn)定化步驟包括在陶瓷噴涂構(gòu)件的表面上形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
優(yōu)選地，脫附步驟包括加熱陶瓷噴涂構(gòu)件。
優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在實(shí)施穩(wěn)定化步驟之前，除去附著于陶瓷噴涂構(gòu)件的沉積物的去除步驟。
更優(yōu)選地，去除步驟包括將陶瓷噴涂構(gòu)件至少浸泡在有機(jī)溶劑或酸中。
優(yōu)選地，陶瓷材料包括稀土金屬氧化物。
更優(yōu)選地，稀土金屬氧化物包括氧化釔。
優(yōu)選地，該陶瓷噴涂構(gòu)件用于處理基底的處理室。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第二方面提供了一種陶瓷噴涂構(gòu)件，它包括基底材料，將預(yù)定的陶瓷材料熱噴涂到基底材料表面上而形成的表面層，表面層含有具有羥基的化合物，其中物理吸附在表面層的表面上的水已被脫附。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第三方面提供了一種陶瓷噴涂構(gòu)件，它包括基底材料，將預(yù)定的陶瓷材料熱噴涂到基底材料表面而形成的表面層，表面層含有具有羥基的化合物，其中在室溫下通過(guò)進(jìn)行預(yù)定時(shí)間的抽真空而從表面層釋放的水量不大于1.0×1016/cm2。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第四方面提供了一種陶瓷噴涂構(gòu)件，它包括基底材料，將預(yù)定的陶瓷材料熱噴涂到基底材料表面而形成的表面層，表面層含有具有羥基的化合物，其中從表面層檢測(cè)不到H2O結(jié)構(gòu)中的O-H鍵。
優(yōu)選地，具有羥基的化合物是預(yù)定陶瓷材料的氫氧化物。
優(yōu)選地，該陶瓷包括稀土金屬氧化物。
更優(yōu)選地，稀土金屬氧化物包括氧化釔。
優(yōu)選地，陶瓷噴涂構(gòu)件用于處理基底的處理室。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第五方面提供了一種使計(jì)算機(jī)執(zhí)行一種清潔在其表面上熱噴涂有預(yù)定陶瓷材料的陶瓷噴涂構(gòu)件的方法的計(jì)算機(jī)可讀程序，包括使陶瓷噴涂構(gòu)件表面和水彼此化學(xué)結(jié)合以穩(wěn)定水的穩(wěn)定化模塊；和脫附物理吸附于陶瓷噴涂構(gòu)件表面上的水的脫附模塊。
優(yōu)選地，穩(wěn)定化模塊執(zhí)行將陶瓷噴涂構(gòu)件暴露在高壓、高濕和高溫環(huán)境下的水合處理。
優(yōu)選地，穩(wěn)定化模塊在陶瓷噴涂構(gòu)件的表面上形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
優(yōu)選地，脫附模塊加熱陶瓷噴涂構(gòu)件。
優(yōu)選地，該程序進(jìn)一步包括除去附著于陶瓷噴涂構(gòu)件的沉積物的去除模塊，穩(wěn)定化模塊形成主要由陶瓷噴涂構(gòu)件表面上的陶瓷的氫氧化物組成的層。
更優(yōu)選地，去除模塊執(zhí)行將陶瓷噴涂構(gòu)件至少浸泡在有機(jī)溶劑或酸中。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第六方面提供一種儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)可讀程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，使陶瓷噴涂構(gòu)件表面和水彼此化學(xué)結(jié)合來(lái)使水穩(wěn)定，并且物理吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件表面的水被脫附。因此，當(dāng)使用陶瓷噴涂構(gòu)件時(shí)，可以可靠地抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件的解吸附和向陶瓷噴涂構(gòu)件的附著。
此外，由于水合處理是通過(guò)把陶瓷噴涂構(gòu)件暴露在高壓、高濕和高溫環(huán)境下而進(jìn)行的，可以進(jìn)一步穩(wěn)定化學(xué)結(jié)合到陶瓷噴涂構(gòu)件表面的水，從而更可靠地抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件的解吸附和向陶瓷噴涂構(gòu)件的附著。
此外，由于加熱陶瓷噴涂構(gòu)件，可以促進(jìn)物理吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件表面的水的解吸附，這在使用陶瓷噴涂構(gòu)件時(shí)可以可靠地抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件的解吸附和向陶瓷噴涂構(gòu)件的附著。
本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面結(jié)合所附的附圖所做的詳細(xì)說(shuō)明中更為清楚。


圖1是示意性說(shuō)明等離子體處理裝置構(gòu)造的橫截面圖，其中使用了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的陶瓷噴涂構(gòu)件；圖2是示意性說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的陶瓷噴涂構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖3是用于說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的陶瓷噴涂構(gòu)件-清潔方法的流程圖；圖4是示意性說(shuō)明用于執(zhí)行圖3中步驟S36的水合處理的加壓的加熱爐的橫截面圖；圖5是說(shuō)明從陶瓷噴涂構(gòu)件釋放的水的量的圖表。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照顯示其優(yōu)選實(shí)施方式的附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖1是示意性說(shuō)明等離子體處理裝置構(gòu)造的橫截面圖，其中使用了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的陶瓷噴涂構(gòu)件。
參照?qǐng)D1，作為用于在晶片上進(jìn)行蝕刻的蝕刻裝置的等離子體處理裝置1在其中形成由金屬例如鋁或不銹鋼形成的圓柱形室(處理室)10。置于室10內(nèi)的是圓柱形基座11，其上放置直徑例如300mm的晶片W。
在室10的內(nèi)側(cè)壁和基座11之間形成的是排氣道12，作為在基座11上將氣體排出室10的流路。環(huán)形擋板13置于排氣道12的中間部分。在擋板13下游的排氣道12部分與由可調(diào)節(jié)的蝶形閥執(zhí)行的自動(dòng)壓力控制閥(下文中稱為“APC”)14相連。APC 14與作為抽真空的真空泵的渦輪分子泵(下文中稱為“TMP”)15相連。而且，APC 14經(jīng)過(guò)TMP 15與作為真空泵的干燥泵(下文中稱為“DP”)16相連。由APC 14、TMP 15和DP 16形成的抽真空流路在下文中稱為“主抽空線”。該主抽空線不僅用APC 14控制室10的壓力，而且用TMP 15和DP 16將室10基本上減壓至真空。
此外，在擋板13下游的排氣道12部分與除了主抽空線外提供的另一排氣道(下文中稱為“粗抽空線”)相連。粗抽空線由用于連通上述空間和DP 16之間直徑如25mm的抽真空管17和設(shè)置在抽真空管17的中間部分的閥V2組成。閥V2可以切斷空間和DP 16之間的連通。粗抽空線使用DP 16將氣體排出室10。
與基座11相連的是用于向基座11提供預(yù)定的高頻電力的高頻電源18。在基座11內(nèi)的上部，放置由導(dǎo)電膜形成的圓盤形電極板20，通過(guò)靜電引力吸引晶片W。DC電源22與電極板20電連接。晶片W通過(guò)由從DC電源22施加到電極板20的DC電壓而產(chǎn)生的庫(kù)侖力或Johnson-Rahbek力被吸引和保持在基座11的上表面。當(dāng)不需要吸引晶片W時(shí)，電極板20與DC電源22斷開，從而晶片W處于浮動(dòng)狀態(tài)。進(jìn)一步，由例如硅(Si)形成的環(huán)形聚焦環(huán)24將基座11上方產(chǎn)生的等離子體會(huì)聚于晶片W。
在基座11的內(nèi)部形成沿著基座11的周圍延伸的環(huán)形制冷室25。從未顯示的冷卻器單元，經(jīng)過(guò)管26向制冷室25提供預(yù)定溫度下的冷卻劑，如冷卻水，用于循環(huán)?；?1上表面上的半導(dǎo)體晶片W的處理溫度通過(guò)冷卻劑的溫度來(lái)控制。
多個(gè)熱傳遞氣體供應(yīng)孔27和熱傳遞氣體供應(yīng)槽(未顯示)置于基座11上表面的部分(下文中稱為“固定表面(holding surface)”)，半導(dǎo)體晶片W通過(guò)吸力被保持在這里。經(jīng)由設(shè)置在基座11的傳熱氣體供應(yīng)線28，熱傳遞氣體供應(yīng)孔27等與裝有閥V3的熱傳遞氣體供應(yīng)管29相連，以便供給熱傳遞氣體，如He氣，該氣體從未顯示的熱傳遞氣體供應(yīng)部分供應(yīng)，與傳熱氣體供應(yīng)管29相連，進(jìn)入固定表面和晶片W的背面之間的間隙。因此，改善了晶片W和基座11之間的導(dǎo)熱性。閥V3可以切斷熱傳遞氣體供應(yīng)孔27和熱傳遞氣體供應(yīng)部分之間的聯(lián)系。
此外，多個(gè)推動(dòng)銷30作為可以從基座11的上表面伸出的提升銷置于固定表面上。隨著發(fā)動(dòng)機(jī)(未顯示)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)通過(guò)球形螺旋等轉(zhuǎn)變?yōu)橹本€運(yùn)動(dòng)，推動(dòng)銷30如圖1所示上下運(yùn)動(dòng)。當(dāng)半導(dǎo)體晶片W通過(guò)吸力被保持在固定表面上時(shí)，推動(dòng)銷30縮進(jìn)基座11內(nèi)。然后，完成包括蝕刻的等離子體處理后，從室10輸送晶片W時(shí)，移動(dòng)推動(dòng)銷30從基座11的上表面伸出，以使半導(dǎo)體晶片W與基座11分離并向上提升半導(dǎo)體晶片W。
噴頭33置于室10的頂部。高頻電源52與噴頭33相連并向噴頭33施加高頻電力。因此，噴頭33起上電極的作用。
噴頭33包括置于其下表面具有許多氣體出口34的電極板35，和可拆開地支撐電極板35的電極支架36。緩沖室37設(shè)置在電極支架36內(nèi)，并且從處理氣體供應(yīng)單元(未顯示)延伸的處理氣體供應(yīng)管38與緩沖室37相連。閥V1置于氣體供應(yīng)管38的中途。閥V1可以切斷緩沖室37和處理氣體供應(yīng)部分之間的聯(lián)系。設(shè)置基座11和噴頭33之間的電極間距離D例如不短于27±1mm。
閘閥32安裝在室10的側(cè)壁上，用于打開和關(guān)閉晶片W的入口/出口31。如上所述，在等離子體處理裝置1的室10的內(nèi)部，向基座11和噴頭33供應(yīng)高頻電力，以便通過(guò)基座11和噴頭33在室10的內(nèi)部施加高頻電力，導(dǎo)致從基座11和噴頭33之間的空間S中的處理氣體產(chǎn)生高密度等離子體，從而產(chǎn)生離子和自由基。
此外，等離子體處理裝置1在其內(nèi)部或外部裝有CPU 53。CPU 53與閥V1、V2、V3、APC 14、TMP 15、DP 16、高頻電源18和52以及DC電源22電連接，以控制每個(gè)組成元件響應(yīng)用戶指令或預(yù)定制成配方(process recipes)。
用等離子體處理裝置1，在蝕刻處理中，首先，打開閘閥32，并把要被處理的晶片W送入室10中，并且固定在基座11上。處理氣體(例如其中具有預(yù)定流速比的由C4H8氣、O2氣和Ar氣組成的混合氣體)以預(yù)定流速和預(yù)定流速比從噴頭33引入室10，并用APC 14等將室10內(nèi)的壓力設(shè)置到預(yù)定值。接著，從高頻電源52向噴頭33施加高頻電力，并且從高頻電源18向基座11施加高頻電力。此外，從DC電源22向電極板20施加DC電壓，從而晶片W被吸引到基座11上。然后，從噴頭33放出的處理氣體如上所述轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體。由該等離子體產(chǎn)生的自由基和離子通過(guò)聚焦環(huán)24會(huì)聚到晶片W的表面，從而物理或化學(xué)蝕刻晶片W的表面。
作為用于蝕刻的處理氣體，除了上述混合氣體外，還使用含任何鹵素的化合物如氟化物、氯化物和溴化物的氣體，因而在室10內(nèi)產(chǎn)生高腐蝕環(huán)境。為了阻止室組成部件在腐蝕環(huán)境中的腐蝕，將陶瓷材料，例如如三氧化二釔(Y2O3)(下文中稱為“氧化釔”)或氧化鋁(Al2O3)，熱噴涂到包括聚焦環(huán)24、噴頭33和基座11的組成部件以及室10的內(nèi)壁上。簡(jiǎn)而言之，在室10中使用的所有組成部件和室10的內(nèi)壁相應(yīng)于本發(fā)明的陶瓷噴涂構(gòu)件。
圖2是示意性說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施方式的陶瓷噴涂構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
參照?qǐng)D2，陶瓷噴涂構(gòu)件200由基底材料210和熱噴涂膜(表面層)220組成。熱噴涂膜220包括其外表面主要由陶瓷的氫氧化物組成的水合層221。例如熱噴涂膜220具有10至500μm的厚度，而水合層221具有約100μm的厚度。
作為基底材料210，優(yōu)選使用任何鋼包括不銹鋼(SUS)、Al和Al基合金、W和W基合金、Ti和Ti基合金、Mo和Mo基合金、碳和氧化物基或非氧化物基陶瓷燒結(jié)體以及含碳材料。
熱噴涂膜220由含有屬于周期表的第三(IIIA)族的元素(下文中簡(jiǎn)單稱為“3a族元素”)的陶瓷組成。更具體地，熱噴涂膜220優(yōu)選由包括3a族元素的氧化物的稀土金屬氧化物組成。進(jìn)一步，關(guān)于稀土金屬氧化物，優(yōu)選使用氧化釔、Sc2O3、Ce2O3和Nd2O3。特別地，優(yōu)選通常被廣泛使用的氧化釔。使用上述任何材料可以抑制熱噴涂膜220由于室10內(nèi)的高腐蝕環(huán)境的腐蝕。熱噴涂膜220不但可以通過(guò)熱噴涂方法形成，而且可以通過(guò)薄膜形成技術(shù)如PVD法或CVD法形成。
水合層221例如通過(guò)熱噴涂膜220與熱噴涂膜220周圍的蒸汽或高溫水反應(yīng)的水合反應(yīng)而在熱噴涂膜220外表面上形成。當(dāng)選自上述陶瓷的氧化釔作為熱噴涂膜220的材料時(shí)，發(fā)生由下式(1)表達(dá)的反應(yīng)...(1)在式(1)中，沒(méi)有考慮化合價(jià)。
如式(1)所示，通過(guò)水合處理最終形成氧化釔的氫氧化物。在其它3a族元素的情況下，通過(guò)類似反應(yīng)形成氫氧化物。關(guān)于氫氧化物，優(yōu)選Y(OH)3、Sc(OH)3、Ce(OH)3和Nd(OH)3。
3a族元素的氫氧化物非常穩(wěn)定，并且顯示出抑制化學(xué)吸附的水的解吸附和來(lái)自外部水的吸附的特性(疏水性)。因此，通過(guò)在熱噴涂膜220的外表面形成主要由上述氫氧化物之一組成的水合層221，可以抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件200的解吸附和外部水對(duì)陶瓷噴涂構(gòu)件200的附著。
通過(guò)下文描述的方法清潔上述構(gòu)造的陶瓷噴涂構(gòu)件。例如，在等離子體處理裝置1開始蝕刻后經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間，為了維護(hù)當(dāng)將陶瓷噴涂構(gòu)件從室10中移走時(shí)進(jìn)行該清潔過(guò)程。
圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施方式的陶瓷噴涂構(gòu)件-清潔方法的流程圖。在下面，將描述清潔在其上具有形成的氧化釔熱噴涂薄膜的陶瓷噴涂構(gòu)件的方法。
如圖3所示，首先，在室溫下將陶瓷噴涂構(gòu)件200浸泡在丙酮基或氟基溶劑中(步驟S31)。此時(shí)，將整個(gè)構(gòu)件200浸泡在溶劑中。結(jié)果，附著在陶瓷噴涂構(gòu)件200的沉積物被除去。這樣，引起顆粒產(chǎn)生的沉積物可以被可靠地去除。根據(jù)在陶瓷噴涂構(gòu)件200上沉積物附著的量和程度，浸泡時(shí)間設(shè)定為1小時(shí)至12小時(shí)范圍內(nèi)的最佳值。此外，關(guān)于氟基溶劑，優(yōu)選使用HFE7100、HFE711PA(由SUMITOMO 3M Ltd.制造)、GALDEN HT70(由AUSIMONT S.p.A.制造)等。將陶瓷噴涂構(gòu)件200取出之后，將漂浮在溶劑中的沉積物全部除去，以防止漂浮沉積物當(dāng)另一陶瓷噴涂構(gòu)件200浸泡時(shí)附著在其上。
然后，使用空氣槍向整個(gè)陶瓷噴涂構(gòu)件200鼓風(fēng)(步驟S32)，以去除附著在陶瓷噴涂構(gòu)件200的沉積物。用于鼓風(fēng)的空氣具有0.2至0.5MPa的壓力，并從位于離陶瓷噴涂構(gòu)件200的10cm或更遠(yuǎn)處的空氣槍噴嘴吹出。持續(xù)鼓風(fēng)直到視覺(jué)上可辨認(rèn)的可除出的沉積物消失。用于鼓風(fēng)的氣體可以是氮?dú)狻?br> 當(dāng)沉積物甚至在實(shí)施鼓風(fēng)之后仍保留在陶瓷噴涂構(gòu)件200上時(shí)，向陶瓷噴涂構(gòu)件200施加壓力不高于0.4MPa和干冰顆粒尺寸為0.3至0.6mm的CO2氣流，或氣壓不高于0.2MPa和水壓不高于7.0MPa的氣泡噴射(注冊(cè)商標(biāo))。CO2氣流或氣泡噴射從位于離陶瓷噴涂構(gòu)件200的15cm或更遠(yuǎn)處的噴嘴向陶瓷噴涂構(gòu)件施加，同時(shí)不斷地移動(dòng)噴嘴以防止CO2氣流或氣泡噴射在陶瓷噴涂構(gòu)件一點(diǎn)上濃縮。這可以去除附著在陶瓷噴涂構(gòu)件200表面的沉積物，從而抑制由與沉積物化學(xué)反應(yīng)所引起的顆粒的產(chǎn)生。
接著，使用浸漬少量純度不低于99％醇，如乙醇或異丙醇的擦拭工具擦拭整個(gè)陶瓷噴涂構(gòu)件200，用擦拭工具覆蓋陶瓷噴涂構(gòu)件200(步驟S33)。持續(xù)擦拭直到擦拭工具被弄臟為止。這樣，附著在陶瓷噴涂構(gòu)件200表面的有機(jī)物質(zhì)等被除去。
然后，通過(guò)施加頻率不低于20kHZ且向純水浴的輸出范圍為1000至2400W的超聲波來(lái)使用超聲波清洗陶瓷噴涂構(gòu)件200約10分鐘，同時(shí)將陶瓷噴涂構(gòu)件200浸泡在純水中(步驟S34)。優(yōu)選用于清潔的純水具有15MΩ或更大的體積電阻率。此后，從浴中取出陶瓷噴涂構(gòu)件200并使用類似上述純水的純水均勻地洗滌。
此外，使用空氣槍對(duì)整個(gè)陶瓷噴涂構(gòu)件200鼓風(fēng)(步驟S35)，以除去附著在陶瓷噴涂構(gòu)件200上的水。用于鼓風(fēng)的空氣具有0.2至0.5MPa的壓力，并從位于離陶瓷噴涂構(gòu)件200不小于10cm處的空氣槍的噴嘴吹出。持續(xù)鼓風(fēng)直到水被完全除去。如果水仍殘留在陶瓷噴涂構(gòu)件200上，則熱噴涂膜220顯示為灰色，因此優(yōu)選持續(xù)鼓風(fēng)直至熱噴涂膜220明顯失去灰色。用于鼓風(fēng)的氣體可以是氮?dú)狻?br> 接著，如圖4所示，制造加壓的加熱爐60，其由用于加熱爐60內(nèi)的內(nèi)部空間和置于內(nèi)部空間的陶瓷噴涂構(gòu)件200的加熱器61，和用于向爐60內(nèi)部空間引入蒸汽的蒸汽引入口組成。將陶瓷噴涂構(gòu)件200放置在加壓的加熱爐60中并加熱，例如，在壓力不低于202.65kPa(2.0atm)和相對(duì)濕度不低于90％的環(huán)境下于100至300℃的溫度范圍內(nèi)加熱1至24小時(shí)。也就是，將陶瓷噴涂構(gòu)件200暴露于高壓、高濕和高溫的環(huán)境中，從而使熱噴涂膜220的外表面水合(穩(wěn)定化步驟)(步驟S36)。結(jié)果，水合層221在熱噴涂膜220的外表面上形成。在水合層221中，經(jīng)過(guò)水合反應(yīng)的氧化釔將與水化學(xué)結(jié)合并被穩(wěn)定化，因此可以抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件200的解吸附和在實(shí)施清潔的過(guò)程中室的溫度附近外部水的附著。
在它用于等離子體處理裝置1之前，水合層221已經(jīng)在陶瓷噴涂構(gòu)件200的表面上形成。然而，水合層221在蝕刻過(guò)程中受到損壞，因此水合層221在清潔過(guò)程再次形成。
當(dāng)相對(duì)濕度或加熱溫度低時(shí)，不得不延長(zhǎng)加熱基底材料的時(shí)間。為了有效地進(jìn)行水合處理，要求在高溫和高壓的環(huán)境下進(jìn)行水合處理?；旧?，然而，在氧化釔表面上的水合反應(yīng)可以甚至在室溫下進(jìn)行到充分的程度，例如，在長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行水合處理，并且因而在熱噴涂膜220外表面上進(jìn)行水合處理的上述條件不是限制性的。
然后，在其上形成水合層221的陶瓷噴涂構(gòu)件200在干燥爐中在101.3kPa(1.0atm)的壓力下，在至少70℃，優(yōu)選約100℃的溫度下加熱約2小時(shí)或更長(zhǎng)(脫附步驟)(步驟S37)，以便通過(guò)干燥除去附著在水合層221或熱噴涂膜220的水。這樣，陷在水合層221表面細(xì)孔中的水，也就是，物理吸附在水合層221的水被脫附。此外，用與水具有高反應(yīng)性的氣體吹掃干燥爐，終止本過(guò)程。
接著，將說(shuō)明進(jìn)行圖3的清潔過(guò)程的陶瓷噴涂構(gòu)件200上的水分子的吸附特性。
首先，將經(jīng)受圖3的清潔過(guò)程的陶瓷噴涂構(gòu)件200在大氣中長(zhǎng)時(shí)間暴露并置于室10中，然后將室10抽真空約2小時(shí)。然后，測(cè)定從室10抽出的排氣中含有的水分子的量(下文中稱為“水含量”)。同樣，將經(jīng)受圖3的清潔過(guò)程的陶瓷噴涂構(gòu)件200在具有增濕器的高濕環(huán)境(相對(duì)濕度不低于90％)下暴露預(yù)定時(shí)間。然后，將陶瓷噴涂構(gòu)件200置于室10中，接著將室10抽真空約2小時(shí)。然后，測(cè)定從室10抽出的排氣中的水含量。
將僅使用有機(jī)溶劑或酸進(jìn)行清潔過(guò)程的另一陶瓷噴涂構(gòu)件200在大氣中長(zhǎng)時(shí)間暴露并置于室10中，然后將室10抽真空約2小時(shí)，并測(cè)定從室10抽出的排氣中的水含量。將僅使用有機(jī)溶劑或酸進(jìn)行清潔過(guò)程的另一陶瓷噴涂構(gòu)件200在上述具有增濕器的高濕環(huán)境下暴露預(yù)定時(shí)間，并置于室10中，然后在室溫如20℃下將室10抽真空約2小時(shí)，并測(cè)定從室10中抽出的排氣中的水含量。這些測(cè)量結(jié)果如圖5所示。
圖5是顯示從陶瓷噴涂構(gòu)件釋放的水量的圖。圖5縱坐標(biāo)上的值“1.00E+16”說(shuō)明從其中沒(méi)有放置構(gòu)件的室10中抽出的排氣的水含量(/cm2)(下文中稱為“參考水含量”)。
如圖5所示，陶瓷噴涂構(gòu)件在大氣中長(zhǎng)時(shí)間暴露的情況下，在實(shí)施圖3中的清潔過(guò)程之后測(cè)定的排氣中的水含量比沒(méi)有進(jìn)行清潔過(guò)程所測(cè)定的小很多，并呈現(xiàn)出基本上等于參考水含量的值。因此，在大氣中暴露之后，從經(jīng)受了圖3中清潔過(guò)程的陶瓷噴涂構(gòu)件200上脫附的水分子的量基本等于0。類似地，在陶瓷噴涂構(gòu)件在高濕環(huán)境下暴露預(yù)定時(shí)間的情況下，在實(shí)施圖3的清潔過(guò)程之后測(cè)定的排氣中的水含量比沒(méi)有實(shí)施清潔過(guò)程的小很多，并呈現(xiàn)出基本上等于參考水含量的值。因此，在高濕環(huán)境下暴露后，從實(shí)施了圖3中清潔過(guò)程的陶瓷噴涂構(gòu)件200上脫附的水分子的量基本等于0。這些結(jié)果顯示在大氣或高濕環(huán)境下在陶瓷噴涂構(gòu)件200上水分子的吸附可以通過(guò)對(duì)陶瓷噴涂構(gòu)件200實(shí)施圖3的清潔過(guò)程而抑制。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，熱噴涂膜220的外表面被水合從而使化學(xué)吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件200表面的水穩(wěn)定化(步驟S36)，并且物理吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件200的水合層221的水被脫附(步驟S37)。結(jié)果，當(dāng)使用陶瓷噴涂構(gòu)件200時(shí)，可以可靠地抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件200的解吸附和水對(duì)其的附著。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在壓力不低于202.65kPa(2.0atm)、相對(duì)濕度不低于90％且溫度范圍在100至300℃的環(huán)境下進(jìn)行水合處理，可以將化學(xué)吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件200表面的水與相同表面達(dá)到更穩(wěn)定的結(jié)合。
而且，根據(jù)本實(shí)施方式，由于加熱陶瓷噴涂構(gòu)件200，可以加速物理吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件200表面的水的解吸附，這可以進(jìn)一步可靠地抑制水從陶瓷噴涂構(gòu)件200的解吸附和水對(duì)其的附著。
雖然在本實(shí)施方式中，通過(guò)水合處理形成水合層221，這不是限制性的，而是可以使用任何其它適合的方法，只要它能最終形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
雖然在本實(shí)施方式中，在其上形成水合層221的陶瓷噴涂構(gòu)件200在干燥爐中于101.3kPa的壓力、約100℃的溫度下加熱大約不短于2小時(shí)，這不是限制性的，但是當(dāng)干燥爐減壓時(shí)，甚至可以在不高于100℃的溫度下加熱陶瓷噴涂構(gòu)件200。進(jìn)一步，甚至當(dāng)在壓力為101.3kPa的環(huán)境下干燥爐的溫度不足夠高時(shí)，可以通過(guò)將其保持在干燥爐中長(zhǎng)時(shí)間來(lái)充分干燥陶瓷噴涂構(gòu)件200，由此附著在水合層221的水可以被脫附。
進(jìn)一步，在本實(shí)施方式中，含有離子的水，如pH高于7的離子化水可以用于水合處理，以便增強(qiáng)步驟S36中水合處理的效果。這可以提高水合層221的疏水性。
在本實(shí)施方式中，可以向干燥爐中引入與水具有高反應(yīng)性的氣體，以增強(qiáng)步驟S37中加熱處理的效果。例如，可以引入甲基硅烷化合物如三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、一甲基三氯硅烷或四氯化硅，或水-反應(yīng)性氧/鹵素化合物如二氯丙烷、二溴丙烷、亞硝酰氯、碳酰氯(光氣)、碳酰氟、乙硼烷、氯、氟、亞硫酰溴、碘甲基丙烷、乙酰氯、二甲氧基丙烷(acetone dimethyl acetal)、一氧化碳、氯化氫或三氯化硼?？蛇x地，可以向干燥爐中引入任何其它基本上與水具有高反應(yīng)性的氣體。
雖然在本實(shí)施方式中，陶瓷噴涂構(gòu)件200使用加壓的加熱爐60水合，這不是限制性的，而是可以使用例如通常的HIP(熱等靜壓)爐，或可選地，可以使用任何合適的裝置，只要它向水合陶瓷噴涂構(gòu)件200提供高溫和高壓的環(huán)境。
雖然在本實(shí)施方式中，步驟S36中的水合處理通過(guò)將陶瓷噴涂構(gòu)件200暴露在高壓、高濕和高溫的環(huán)境中進(jìn)行，這不是限制性的，而是可以通過(guò)將陶瓷噴涂構(gòu)件200浸泡在水中進(jìn)行水合處理。
雖然在本實(shí)施方式中，通過(guò)等離子體處理裝置1開始蝕刻后經(jīng)過(guò)了預(yù)定時(shí)間時(shí)為了維護(hù)而去除的陶瓷噴涂構(gòu)件進(jìn)行清潔，這不是限制性的，而是可以在用于等離子體處理裝置1之前清潔陶瓷噴涂構(gòu)件。
進(jìn)一步，將通過(guò)根據(jù)本實(shí)施方式的清潔方法清洗的陶瓷噴涂構(gòu)件進(jìn)行水合處理，并因此具有含陶瓷氫氧化物的水合層221。因此，作為確定室組成部件是否經(jīng)受了根據(jù)本實(shí)施方式的清潔方法的方法，優(yōu)選使用高分辨電子能量損失譜檢測(cè)部件表面的羥基的方法。進(jìn)一步，由于根據(jù)本實(shí)施方式的清潔方法清洗的陶瓷噴涂構(gòu)件具有含陶瓷氫氧化物的水合層221，當(dāng)陶瓷噴涂構(gòu)件的表面層的結(jié)合狀態(tài)使用高分辨電子能量損失譜分析時(shí)，從表面層上不能檢測(cè)到H2O結(jié)構(gòu)中的O-H鍵。因此，當(dāng)分析結(jié)果是從表面層上不能檢測(cè)到H2O結(jié)構(gòu)中的O-H鍵時(shí)，可以確定室內(nèi)的部件已經(jīng)實(shí)行了根據(jù)本實(shí)施方式的清潔方法。
進(jìn)一步，由于水合層221具有疏水性，室部件是否實(shí)行了根據(jù)本實(shí)施方式的清潔方法可以例如通過(guò)用預(yù)定樹脂涂覆部件的水合層221表面，然后切割部件以分析樹脂在部件中的浸漬程度，例如部件橫截面的變白程度來(lái)確定。更具體地，如果橫截面變白，則可以確定部件沒(méi)有實(shí)行根據(jù)本實(shí)施方式的清潔方法，相反如果橫截面沒(méi)有變白，則可以確定部件已經(jīng)實(shí)行了清潔方法。這是因?yàn)楫?dāng)部件實(shí)行了本清潔方法，水合層221的疏水性阻止了樹脂向部件的滲透。
雖然在本實(shí)施方式中，陶瓷噴涂構(gòu)件200用在等離子體處理裝置1的室10中，這不是限制性的，而是陶瓷噴涂構(gòu)件200可以用在除了等離子體處理裝置以外的處理裝置，用于將基底等傳送到處理裝置的裝填閉鎖室，或傳送機(jī)，如大氣傳送模塊。
雖然在本實(shí)施方式中，通過(guò)等離子處理裝置1處理的目標(biāo)是晶片W，這不是限制性的，目標(biāo)還可以是玻璃基底如用于包括LCD(液晶顯示器)的FPD(平板顯示器)。
此外，只要涉及根據(jù)本實(shí)施方式的陶瓷噴涂構(gòu)件-清潔方法，在由例如構(gòu)件浸泡設(shè)備、用于向構(gòu)件吹氣的鼓風(fēng)設(shè)備、用于擦拭構(gòu)件的擦拭設(shè)備、加壓的加熱爐和干燥爐組成的陶瓷噴涂構(gòu)件-清潔系統(tǒng)中，清潔方法可以通過(guò)例如設(shè)置在清潔系統(tǒng)中的計(jì)算機(jī)來(lái)執(zhí)行的、用來(lái)控制清潔系統(tǒng)中組成元件的操作的控制器來(lái)執(zhí)行。
進(jìn)一步，應(yīng)該理解同樣可以通過(guò)提供具有存儲(chǔ)介質(zhì)的系統(tǒng)或裝置并引發(fā)系統(tǒng)或裝置的計(jì)算機(jī)(或CPU或MPU)讀取和執(zhí)行儲(chǔ)存在存儲(chǔ)介質(zhì)中的程序代碼實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，在該存儲(chǔ)介質(zhì)中儲(chǔ)存實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式功能的軟件程序代碼。
在這種情況下，本身從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的程序代碼實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能，并因此程序代碼和儲(chǔ)存程序代碼的存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明。
提供程序代碼的存儲(chǔ)介質(zhì)的例子包括軟盤(注冊(cè)商標(biāo))、硬盤、磁-光盤、光盤如CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW和DVD+RW、磁帶、永久性記憶卡和ROM?？蛇x地，程序可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)從與Internet、商業(yè)網(wǎng)、局域網(wǎng)等相連未顯示的另一計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)庫(kù)等下載。
進(jìn)一步，應(yīng)該理解上述實(shí)施方式的功能不僅可以通過(guò)執(zhí)行計(jì)算機(jī)讀取的程序編碼，而且通過(guò)使計(jì)算機(jī)上操作的OS(操作系統(tǒng))等根據(jù)程序代碼的指令執(zhí)行部分或全部的實(shí)際操作來(lái)實(shí)現(xiàn)。
進(jìn)一步，應(yīng)該理解上述實(shí)施方式的功能可以通過(guò)將從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的程序代碼寫入插入計(jì)算機(jī)的擴(kuò)充板的存儲(chǔ)器或與計(jì)算機(jī)相連的擴(kuò)展元件的存儲(chǔ)器，并且然后使在擴(kuò)充板或擴(kuò)展元件中的CPU等根據(jù)程序代碼的指令執(zhí)行部分或全部的實(shí)際操作來(lái)實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種用于清潔表面熱噴涂有預(yù)定陶瓷材料的陶瓷噴涂構(gòu)件的方法，其包括使所述陶瓷噴涂構(gòu)件的表面與水彼此化學(xué)結(jié)合使水穩(wěn)定的穩(wěn)定化步驟；和將物理吸附在所述陶瓷噴涂構(gòu)件表面上的水進(jìn)行脫附的脫附步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的穩(wěn)定化步驟包括將所述陶瓷噴涂構(gòu)件暴露在高壓、高濕和高溫環(huán)境下進(jìn)行水合處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的穩(wěn)定化步驟包括在所述陶瓷噴涂構(gòu)件的表面上形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的脫附步驟包括加熱所述陶瓷噴涂構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在實(shí)施所述的穩(wěn)定化步驟之前，除去附著在所述陶瓷噴涂構(gòu)件上的沉積物的去除步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述的去除步驟包括將所述陶瓷噴涂構(gòu)件至少浸泡在有機(jī)溶劑或酸中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陶瓷材料包括稀土金屬氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述稀土金屬氧化物包括氧化釔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陶瓷噴涂構(gòu)件用于處理基底的處理室。
10.一種陶瓷噴涂構(gòu)件，其包括基底材料；通過(guò)將預(yù)定的陶瓷材料熱噴涂到所述基底材料的表面而形成的表面層，所述表面層含有具有羥基的化合物，其中物理吸附在所述表面層表面上的水已經(jīng)被脫附。
11.一種陶瓷噴涂構(gòu)件，其包括基底材料；通過(guò)將預(yù)定陶瓷材料熱噴涂到所述基底材料的表面而形成的表面層，所述表面層含有具有羥基的化合物，其中通過(guò)在室溫下進(jìn)行預(yù)定時(shí)間的抽真空而從所述表面層釋放的水量不大于1.0×1016/cm2。
12.一種陶瓷噴涂構(gòu)件，其包括基底材料；通過(guò)將預(yù)定陶瓷材料熱噴涂到所述基底材料的表面而形成的表面層，所述表面層含有具有羥基的化合物，其中從所述表面層沒(méi)有檢測(cè)到H2O結(jié)構(gòu)中的O-H鍵。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陶瓷噴涂構(gòu)件，其中所述的具有羥基的化合物是預(yù)定陶瓷材料的氫氧化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陶瓷噴涂構(gòu)件，其中所述陶瓷包括稀土金屬氧化物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陶瓷噴涂構(gòu)件，其中所述稀土金屬氧化物包括氧化釔。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陶瓷噴涂構(gòu)件，其中所述陶瓷噴涂構(gòu)件用于處理基底的處理室。
17.一種使計(jì)算機(jī)執(zhí)行清潔表面熱噴涂有預(yù)定陶瓷材料的陶瓷噴涂構(gòu)件的方法的計(jì)算機(jī)可讀程序，其包括用于使陶瓷噴涂構(gòu)件的表面與水彼此化學(xué)結(jié)合使水穩(wěn)定的穩(wěn)定化模塊；和用于脫附物理吸附在所述陶瓷噴涂構(gòu)件表面上的水的脫附模塊。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的程序，其中所述的穩(wěn)定化模塊執(zhí)行將所述陶瓷噴涂構(gòu)件暴露在高壓、高濕和高溫環(huán)境下的水合處理。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的程序，其中所述的穩(wěn)定化模塊在所述陶瓷噴涂構(gòu)件的表面上形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的程序，其中所述的脫附模塊加熱所述陶瓷噴涂構(gòu)件。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的程序，其進(jìn)一步包括用于除去附著在所述陶瓷噴涂構(gòu)件的沉積物的去除模塊，所述穩(wěn)定化模塊在所述陶瓷噴涂構(gòu)件的表面上形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的程序，其中所述的去除模塊執(zhí)行將所述陶瓷噴涂構(gòu)件至少浸泡在有機(jī)溶劑或酸中。
23.一種儲(chǔ)存使計(jì)算機(jī)執(zhí)行清潔表面熱噴涂有預(yù)定陶瓷材料的陶瓷噴涂構(gòu)件的方法的計(jì)算機(jī)可讀程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，所述程序包括用于使陶瓷噴涂構(gòu)件的表面與水彼此化學(xué)結(jié)合使水穩(wěn)定的穩(wěn)定化模塊；和用于脫附物理吸附在所述陶瓷噴涂構(gòu)件表面上的水的脫附模塊。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述的穩(wěn)定化模塊執(zhí)行將所述陶瓷噴涂構(gòu)件暴露在高壓、高濕和高溫環(huán)境下的水合處理。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述的穩(wěn)定化模塊在所述陶瓷噴涂構(gòu)件的表面上形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述的脫附模塊加熱所述陶瓷噴涂構(gòu)件。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，其進(jìn)一步包括用于除去附著在所述陶瓷噴涂構(gòu)件的沉積物的去除模塊，所述穩(wěn)定化模塊在所述陶瓷噴涂構(gòu)件的表面上形成主要由陶瓷的氫氧化物組成的層。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述的去除模塊執(zhí)行將陶瓷噴涂構(gòu)件至少浸泡在有機(jī)溶劑或酸中。
全文摘要
一種可以可靠地抑制水的解吸附和附著的陶瓷噴涂構(gòu)件－清潔方法。陶瓷噴涂構(gòu)件的表面與水彼此化學(xué)結(jié)合，從而使水穩(wěn)定。物理吸附在陶瓷噴涂構(gòu)件表面上的水被脫附。
文檔編號(hào)B32B18/00GK1792474SQ20051002300
公開日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者守屋剛, 三橋康至 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社