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激光解吸電離質(zhì)譜裝置的制作方法

文檔序號(hào):12477812閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,所述裝置包括MALDI離子源真空腔,線性離子阱真空腔和飛行時(shí)間分析器真空腔;其中MALDI離子源真空腔內(nèi)設(shè)有MALDI離子源靶板;MALDI離子源靶板的靶板運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)位于真空腔之外,處于常壓環(huán)境;MALDI離子源靶板和靶板運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)之間設(shè)有靶板運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)真空過(guò)渡機(jī)構(gòu);靶板運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)真空過(guò)渡機(jī)構(gòu)將靶板運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的動(dòng)能傳遞至MALDI離子源真空腔內(nèi),實(shí)現(xiàn)MALDI離子源靶板的運(yùn)動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,MALDI離子源真空腔內(nèi)還設(shè)有MALDI濺射離子聚集成束裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,靶板運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的電機(jī)為常壓電機(jī)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,所述MALDI離子源真空腔內(nèi)的真空度為大于10Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,線性離子阱真空腔的真空度為10-2-10-3Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,所述飛行時(shí)間分析器真空腔采用反射式分析器結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,所述飛行時(shí)間分析器真空腔的真空度為小于10-4Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,所述飛行時(shí)間分析器真空腔內(nèi)設(shè)有離子加速器,離子反射器和離子檢測(cè)器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光解吸電離質(zhì)譜裝置,其特征在于,所述裝置的工作電壓小于5kV。

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