一種低輻射玻璃的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種低輻射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步驟：A、交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2介質(zhì)層；B、直流電源濺射鉻平面靶，在TiO2介質(zhì)層上磁控濺射CrNx阻擋層；C、交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在TiO2介質(zhì)層上磁控濺射AZO平整層；D、直流電源濺射銀平面靶，在AZO平整層上磁控濺射Ag功能層；E、直流電源濺射，在Ag功能層上磁控濺射(NiCr)xOy層；F、交流中頻電源濺射錫靶，在(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO2保護(hù)層；G、直流電流濺射石墨靶，在步SnO2保護(hù)層上磁控濺射C層。本發(fā)明的目的提供一種工藝簡(jiǎn)單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低的低輻射玻璃的制作方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種低輻射玻璃的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種低輻射玻璃的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低輻射玻璃是指對(duì)紅外輻射具有高反射率，對(duì)可見(jiàn)光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應(yīng)用于窗戶、爐門(mén)、冷藏柜門(mén)等地方。
[0003]現(xiàn)有的低輻射玻璃其強(qiáng)度不夠很容易遭受損壞，影響正常的使用，不能滿足使用者的需求，故此，現(xiàn)有的低輻射玻璃有待于進(jìn)步完善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種工藝簡(jiǎn)單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低的低輻射玻璃的制作方法。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案:
[0006]一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟:
[0007]A、采用氬氣作為 反應(yīng)氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2介質(zhì)層；
[0008]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO2介質(zhì)層上磁控濺射CrNx阻擋層；
[0009]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟B中的TiO2介質(zhì)層上磁控濺射AZO平整層；
[0010]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控派射Ag功能層；
[0011]E、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，直流電源濺射，在步驟D中的Ag功能層上磁控派射(NiCr) xOy層；
[0012]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體,交流中頻電源派射錫祀,在步驟E中的(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO2保護(hù)層；
[0013]G、直流電流濺射石墨靶，在步驟F中的SnO2保護(hù)層上磁控濺射C層。
[0014]如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述TiO2介質(zhì)層的厚度為10~30nm，濺射功率為30~90KW。
[0015]如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟B中CrNx阻擋層的厚度為0.5~2nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為1:2。
[0016]如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟C所述AZO平整層的厚度為5~20nm。
[0017]如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟E中所述Ag功能層的厚度為7~IOnnio[0018]如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述(NiCiOxOy層的厚度為
0.5 ~5nm。
[0019]如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述SnO2保護(hù)層的厚度為20 ~50nm。
[0020]如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述C層的厚度為10~20nmo
[0021]綜上所述，本發(fā)明的有益效果:
[0022]本發(fā)明工藝方法簡(jiǎn)單，操作方便，生產(chǎn)成本相對(duì)較低。本發(fā)明中(NiCr)xOy能提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性。
[0023]本發(fā)明中C層代替PE保護(hù)膜或隔離粉，防止鍍膜玻璃在處理過(guò)程中被劃傷；此膜層在鋼化過(guò)程中會(huì)被完全燃燒，從而不影響鍍膜玻璃的光學(xué)性能。
[0024]本發(fā)明產(chǎn)品特點(diǎn):透過(guò)率達(dá)83%，輻射率小于0.08，膜層不易被劃傷。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
[0026]實(shí)施例1
[0027]本發(fā)明一種低輻射玻璃的制作方法，包括以下步驟:
[0028]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2介質(zhì)層；所述氬氣的氣體流量lOOOsccm，所述TiO2介質(zhì)層的厚度為10nm，濺射功率為30KW ；
[0029]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO2介質(zhì)層上磁控派射CrNx阻擋層；所述CrNx阻擋層的厚度為0.5nm, IS氣與氮?dú)獾捏w積流量比為1:2，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500SCCm:lOOOsccm ；CrNx阻擋層有效防止Ag層被氧化；
[0030]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟B中的TiO2介質(zhì)層上磁控濺射AZO平整層；ΑΖ0平整層的厚度為5nm，AZO平整層為Ag層作鋪墊，降低輻射率；
[0031]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控派射Ag功能層；所述Ag功能層的厚度為7nm ；
[0032]E、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，直流電源濺射，在步驟D中的Ag功能層上磁控派射(NiCr) xOy層；所述(NiCr) xOy層的厚度為0.5nm ； (NiCr) xOy層能有效提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性；
[0033]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體,交流中頻電源派射錫祀,在步驟E中的(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO2保護(hù)層；所述SnO2保護(hù) 層的厚度為20nm ；Sn02保護(hù)層耐腐蝕性好；
[0034]G、直流電流濺射石墨靶，在步驟F中的SnO2保護(hù)層上磁控濺射C層，所述C層的厚度為10nm。此層不是LOW-E玻璃的功能層，是用來(lái)代替鍍完LOW-E膜后的PE保護(hù)膜或隔離粉，防止鍍膜玻璃在處理過(guò)程中被劃傷；此膜層在鋼化過(guò)程中會(huì)被完全燃燒，從而不影響鍍膜玻璃的光學(xué)性能。
[0035]本發(fā)明產(chǎn)品透過(guò)率達(dá)83%，輻射率小于0.08，膜層不易被劃傷。實(shí)施例2[0036]本發(fā)明一種低輻射玻璃的制作方法，包括以下步驟:
[0037]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2介質(zhì)層；所述氬氣的氣體流量lOOOsccm，所述TiO2介質(zhì)層的厚度為30nm，濺射功率為90KW ；
[0038]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO2介質(zhì)層上磁控濺射CrNx阻擋層；所述CrNx阻擋層的厚度為2nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為1:2，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500SCCm:lOOOsccm ；CrNx阻擋層有效防止Ag層被氧化；
[0039]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟B中的TiO2介質(zhì)層上磁控濺射AZO平整層；AZ0平整層的厚度為20nm，AZO平整層為Ag層作鋪墊，降低輻射率；
[0040]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控派射Ag功能層；所述Ag功能層的厚度為IOnm ；
[0041]E、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，直流電源濺射，在步驟D中的Ag功能層上磁控派射(NiCr) xOy層；所述(NiCr) xOy層的厚度為5nm ； (NiCr) xOy層能有效提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性；
[0042]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體,交流中頻電源派射錫祀,在步驟E中的(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO2保護(hù)層；所述SnO2保護(hù)層的厚度為50nm ；Sn02保護(hù)層耐腐蝕性好；
[0043]G、直流電流濺射石墨靶，在步驟F中的SnO2保護(hù)層上磁控濺射C層，所述C層的厚度為20nm。此層不是LOW-E玻璃的功能層，是用來(lái)代替鍍完LOW-E膜后的PE保護(hù)膜或隔離粉，防止鍍膜玻璃在處理過(guò)程中被劃傷；此膜層在鋼化過(guò)程中會(huì)被完全燃燒，從而不影響鍍膜玻璃的光學(xué)性能。`
[0044]本發(fā)明產(chǎn)品透過(guò)率達(dá)83%，輻射率小于0.08，膜層不易被劃傷。實(shí)施例3
[0045]本發(fā)明一種低輻射玻璃的制作方法，包括以下步驟:
[0046]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2介質(zhì)層；所述氬氣的氣體流量lOOOsccm，所述TiO2介質(zhì)層的厚度為20nm，濺射功率為50KW ；
[0047]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO2介質(zhì)層上磁控派射CrNx阻擋層；所述CrNx阻擋層的厚度為Inm,気氣與氮?dú)獾捏w積流量比為1:2，即氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為500SCCm:lOOOsccm ；CrNx阻擋層有效防止Ag層被氧化；
[0048]C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟B中的TiO2介質(zhì)層上磁控濺射AZO平整層；AZ0平整層的厚度為15nm，AZO平整層為Ag層作鋪墊，降低輻射率；
[0049]D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控派射Ag功能層；所述Ag功能層的厚度為8nm ；
[0050]E、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，直流電源濺射，在步驟D中的Ag功能層上磁控派射(NiCr) xOy層；所述(NiCr) xOy層的厚度為3nm ； (NiCr) xOy層能有效提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性；[0051]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，交流中頻電源濺射錫靶，在步驟E中的(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO2保護(hù)層；所述SnO2保護(hù)層的厚度為35nm ；Sn02保護(hù)層耐腐蝕性好；
[0052]G、直流電流濺射石墨靶，在步驟F中的SnO2保護(hù)層上磁控濺射C層，所述C層的厚度為15nm。此層不是LOW-E玻璃的功能層，是用來(lái)代替鍍完LOW-E膜后的PE保護(hù)膜或隔離粉，防止鍍膜玻璃在處理過(guò)程中被劃傷；此膜層在鋼化過(guò)程中會(huì)被完全燃燒，從而不影響鍍膜玻璃的光學(xué)性能。
[0053]本發(fā)明產(chǎn)品透過(guò)率達(dá)83%，輻射率小于0.08，膜層不易被劃傷。
[0054]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。`
【權(quán)利要求】
1.一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟: A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2介質(zhì)層； B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO2介質(zhì)層上磁控濺射CrNx阻擋層； C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟B中的TiO2介質(zhì)層上磁控濺射AZO平整層； D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控濺射Ag功能層； E、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，直流電源濺射，在步驟D中的Ag功能層上磁控濺射(NiCr) xOy 層； F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體,交流中頻電源派射錫祀,在步驟E中的(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO2保護(hù)層； G、直流電流濺射石墨靶，在步驟F中的SnO2保護(hù)層上磁控濺射C層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述TiO2介質(zhì)層的厚度為10~30nm，濺射功率為30~90KW。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟B中CrNx阻擋層的厚度為0.5~2nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為1:2。``
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟C所述AZO平整層的厚度為5~20nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟E中所述Ag功能層的厚度為7~10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述(NiCr)xOy層的厚度為0.5~5nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述SnO2保護(hù)層的厚度為20~50nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述C層的厚度為`10 ~20nm。
【文檔編號(hào)】C03C17/34GK103771726SQ201310718118
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月21日
【發(fā)明者】魏佳坤 申請(qǐng)人:揭陽(yáng)市宏光鍍膜玻璃有限公司