一種膏體材料及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種膏體材料及其應(yīng)用，其中包括重量百分?jǐn)?shù)分別為5％-45％，2％-30％、5％-20％和20％-60％的粘性連結(jié)料、單質(zhì)或混合的酸性物質(zhì)、抗流變物質(zhì)和溶劑。本發(fā)明的膏體漿料組分簡單，制備方便，效果獨(dú)特且穩(wěn)定，運(yùn)用成熟的絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備各種圖形、直接在平板光學(xué)玻璃或柔性PC膜片的濺射薄層Nb2O5的表面上印刷本發(fā)明的膏體漿料.，就能實(shí)現(xiàn)對(duì)所需圖形加工蝕刻的單面制程，全過程制作方法簡單方便，易于控制；并可大大節(jié)約加工成本、降低能耗、減少對(duì)環(huán)境的污染。
【專利說明】一種膏體材料及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體微加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及的是一種膏體材料及其應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]真空涂膜、濺射涂層、離子注入等是半導(dǎo)體器件精細(xì)加工的重要手段現(xiàn)有加工技術(shù)主要由在黃光區(qū)用紫外光刻的方法來實(shí)現(xiàn)。工藝長步驟多耗費(fèi)大.本發(fā)明的蝕刻膏體漿料能有條件地部分替代黃光區(qū)工藝及材料達(dá)到降本節(jié)能的功效.[0003]現(xiàn)有的常規(guī)制備方法主要有半導(dǎo)體濕化學(xué)工藝刻蝕法、反應(yīng)離子刻蝕法等?？梢圆捎霉饪棠z掩膜保護(hù)，開出窗口，背面增加保護(hù)層，然后進(jìn)行濕法刻蝕方法，均不能實(shí)現(xiàn)單面制程，濕法刻蝕法必須將整片被加工材料浸潰于刻蝕溶液中，因而過程不易控制，成品率不高，并且經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致整批的刻蝕失敗，在浸潰蝕刻過程中，背面同時(shí)會(huì)被蝕刻，無謂的損耗了寶貴材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種膏體材料及其應(yīng)用，能完成選擇性蝕刻真空濺射薄層。
[0005]一種膏體材料，其基本組成成分及質(zhì)量百分比為:
[0006]
【權(quán)利要求】
1.一種膏體材料，其特征在于，其基本組成成分及質(zhì)量百分比為:粘性連結(jié)料5%-45%單質(zhì)或混會(huì)酸性物質(zhì)2%- 35%抗流變物質(zhì)5%-20%溶劑40%-60%消泡劑0.1%-5%觸變劑1%-10%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膏體材料，其特征在于:所述酸性物質(zhì)為乙二酸、冰醋酸、氫氟酸、硝酸、鹽酸、磷酸、硫酸其中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膏體材料，其特征在于:所述抗流變物質(zhì)選自氧化鋁、氧化鋯、炭黑中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述膏體材料，其特征在于:所述溶劑選自二乙二醇丁醚、單乙二醇丁醚、乙二醇.、丙三醇或與水的混合物的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膏體材料，其特征在于:所述消泡劑選自正丁醇、異丙醇、有機(jī)硅中的一種或多種；所述粘性連結(jié)料選自變性淀粉及其衍生物中的一種或多種。
6.一種膏體材料的應(yīng)用，其特征在于:用于在平板光學(xué)玻璃.PC柔性膜片上經(jīng)真空濺射生成Nb205的薄層表面，亦可適用于真空濺射形成的其它合金薄層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膏體材料的應(yīng)用，其特征在于:所述膏體材料的使用方法包括以下步驟: 1)涂布:采用滾涂或絲印的方式，在平板光學(xué)玻璃.PC柔性膜片上經(jīng)真空濺射生成Nb205的薄層表面均勻涂覆或選擇性印刷上述膏體材料，膏體厚度為10m-50m ； 2)停留時(shí)間:經(jīng)過2-10分鐘； 3)去除膏體:直接用清水噴淋沖洗去除膏體。
【文檔編號(hào)】C03C15/00GK103508677SQ201310434943
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月24日
【發(fā)明者】蔣劼 申請人:蘇州諾維克光伏新材料有限公司