專利名稱：一種硅片多線切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種硅片多線切割方法。
背景技術(shù)：
在太陽能行業(yè)中，對硅塊進(jìn)行切割獲取合格的硅片是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。目前，行業(yè)中將硅塊切割成硅片的主要方法為利用多線切割設(shè)備HCT-E500SD-B/5進(jìn)行多線切割，多線切割的方式主要有單項(xiàng)切割和往復(fù)切割，其中單項(xiàng)切割為主流切割方式。在進(jìn)行單項(xiàng)切割的過程中，首先將切割鋼線01設(shè)置于多個(gè)導(dǎo)輪02上，在導(dǎo)輪02轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中，切割鋼線01在導(dǎo)輪02上高速運(yùn)行以形成切割刃，傳統(tǒng)的切入方式是使位于切割鋼線01上方的多塊硅塊03下降，并與切割鋼線01平行于水平面內(nèi)的部分進(jìn)行接觸，使切割鋼線01對硅塊03進(jìn)行切割，且硅塊03在與切割鋼線01進(jìn)行接觸時(shí)，硅塊03的底面也處于水平狀態(tài)，即切入方式為切割鋼線01平行于硅塊03的底面切入硅塊，如圖1所示。但是此種切入方式存在一個(gè)弊端:切割鋼線01在對硅塊03進(jìn)行切割時(shí)，切入硅塊03的切割鋼線01因?yàn)槭艿焦鑹K03的壓迫，其運(yùn)行軌跡不再是水平直線，而成為下凹的弓形，當(dāng)切割鋼線01對硅塊03的切割即將完成時(shí)，由于線弓的存在，造成切割鋼線01對硅塊03的兩側(cè)已經(jīng)完全切透，而中間部位由于切割鋼線01仍位于硅塊03中，使硅塊03無法切透，如圖2所示，進(jìn)而導(dǎo)致硅塊03的切割無法徹底完成，或者在線弓部分即將切出硅塊03時(shí)對硅塊03造成崩邊和線痕，嚴(yán)重影響了硅片的切割質(zhì)量。為了避免上述情況的出現(xiàn)，人們對硅塊03的切入方式進(jìn)行了一定的改進(jìn)，不再使硅塊03的底面平行于切割鋼線01進(jìn)行切割，而是對硅塊03采取對角傾斜切入的方式，即將原來水平設(shè)置的硅塊03繞其軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使硅塊03的棱線部分先與切割鋼線01進(jìn)行接觸，并使相鄰兩塊硅塊03的旋轉(zhuǎn)方向相反，以與切割鋼線01形成兩個(gè)反向的傾斜角，如圖3所示，這樣就可以通過對線弓的調(diào)整減小甚至避免線弓在切割后期對硅塊03切割造成的影響。但是，由于兩個(gè)傾斜角方向相反，會(huì)存在一個(gè)硅塊03的入刀面傾斜角是與切割鋼線01的運(yùn)動(dòng)方向反向傾斜的，這樣在切割鋼線01運(yùn)動(dòng)時(shí)，硅塊03的入刀面傾斜角與切割鋼線01成逆方向入刀，此情況很容易對硅塊03的入刀面造成缺口，且此種切割方式對傳統(tǒng)的工藝參數(shù)設(shè)置具有制約，從而不能靈活的對參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。因此，如何進(jìn)一步提高硅塊的切割質(zhì)量，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種硅片多線切割方法，其在減小對硅塊出刀切割不良影響的同時(shí)，也不會(huì)對入刀切割造成影響，進(jìn)而提高了硅塊的切割質(zhì)量。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種硅片多線切割方法，其包括以下步驟:I)將待切割的硅塊安裝于切割鋼線的上方，并使至少一塊所述硅塊的入刀面相對于所述切割鋼線傾斜設(shè)置以保證所述入刀面與所述切割鋼線具有銳角夾角，且所述入刀面位于所述切割鋼線行進(jìn)方向下游的棱線部位首先與所述切割鋼線接觸；2)所述切割鋼線對所述硅塊進(jìn)行切割。優(yōu)選的，上述硅片多線切割方法中，與所述硅塊相鄰設(shè)置的正位硅塊的入刀面與所述切割鋼線平行設(shè)置。優(yōu)選的，上述硅片多線切割方法中，傾斜設(shè)置的所述硅塊在所述切割鋼線行進(jìn)方向上位于所述正位硅塊的上游。優(yōu)選的，上述硅片多線切割方法中，所述銳角夾角的大小為I度至1.5度。本發(fā)明提供的硅片多線切割方法中，位于切割鋼線上方的硅塊中，至少有一塊硅塊相對于切割鋼線傾斜設(shè)置，以通過對線弓的調(diào)整減小甚至避免線弓在切割后期對硅塊切割造成的影響。而且使傾斜設(shè)置硅塊的入刀面與切割鋼線形成銳角夾角，以保證切割鋼線在傾斜設(shè)置的硅塊入刀面上順方向入刀，不會(huì)對入刀面造成缺口。本發(fā)明提供的硅片多線切割方法其在減小對硅塊出刀切割不良影響的同時(shí)，也不會(huì)對入刀切割造成影響，進(jìn)而提高了硅塊的切割質(zhì)量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的硅塊平行切割方式的示意圖；圖2為以平行切割方式對硅塊進(jìn)行切割即將完成時(shí)的示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)提供的硅塊對角傾斜切割方式的示意圖；圖4和圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的硅片多線切割方法的示意圖；圖6為切割鋼線與傾斜的硅塊和正位硅塊開始接觸的示意圖；圖7為采用本發(fā)明實(shí)施例提供的硅片多線切割方法對硅塊即將完成切割的示意圖。上圖1-圖7中:切割鋼線01、導(dǎo)輪02、硅塊03 ；硅塊1、切割鋼線2、入刀面3、正位硅塊4。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了一種等離子顯示屏的氧化鎂保護(hù)膜蒸鍍裝置，實(shí)現(xiàn)了支撐載具上的各個(gè)支撐塊的高度一致，進(jìn)而降低了蒸鍍過程中玻璃基板的破裂概率，同時(shí)降低了等離子平板顯示屏的廢品率。下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖4-圖7所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的硅片多線切割方法，其包括以下步驟:
I)、將待切割的硅塊I安裝于切割鋼線2的上方，并使至少一塊硅塊I的入刀面3相對于切割鋼線2傾斜設(shè)置以保證入刀面3與鋼線具有銳角夾角，且入刀面3位于切割鋼線2行進(jìn)方向下游的棱線部位首先與切割鋼線2接觸；2)、切割鋼線2對硅塊I進(jìn)行切割。本實(shí)施例提供的硅片多線切割方法中，位于切割鋼線2上方的硅塊I中，至少有一塊硅塊I相對于切割鋼線2傾斜設(shè)置，以通過對線弓的調(diào)整減小甚至避免線弓在切割后期對硅塊I切割造成的影響。而且使傾斜設(shè)置硅塊I的入刀面3與切割鋼線2形成銳角夾角，以保證切割鋼線2在傾斜設(shè)置的硅塊I入刀面3上順方向入刀，不會(huì)對入刀面3造成缺口。本實(shí)施例提供的硅片多線切割方法其在減小對硅塊I出刀切割不良影響的同時(shí)，也不會(huì)對入刀切割造成影響，進(jìn)而提高了硅塊I的切割質(zhì)量。為了進(jìn)一步優(yōu)化上述技術(shù)方案，本實(shí)施例提供的硅片多線切割方法中，切割鋼線2同時(shí)對多塊硅塊進(jìn)行切割，其中，與硅塊I相鄰設(shè)置的正位硅塊4的入刀面與切割鋼線2平行設(shè)置，如圖4和圖5所示。當(dāng)然也可以使多塊硅塊中的一塊傾斜設(shè)置，其余硅塊均以入刀面與切割鋼線2平行的方式設(shè)置。更加優(yōu)選的，傾斜設(shè)置的硅塊I在切割鋼線2行進(jìn)方向上位于正位硅塊4的上游，且其與切割鋼線2的距離小于正位硅塊4與切割鋼線2的距離，如圖4-圖7所示。在硅塊I進(jìn)行切割的過程中，當(dāng)硅塊I下降一定高度后，由于硅塊I位于切割鋼線2行進(jìn)方向下游的棱線部位距離切割鋼線2更近，故棱線部位首先與切割鋼線2接觸，當(dāng)棱線部位與切割鋼線2接觸后，切割鋼線2受力向下彎曲產(chǎn)生線弓，此時(shí)正位硅塊4隨后下降，由于傾斜的硅塊I棱線部位的壓迫，使得正位硅塊4遠(yuǎn)離硅塊I的一側(cè)棱角處先與切割鋼線2接觸，此時(shí)傾斜的硅塊I的傾斜角處和正位硅塊4的遠(yuǎn)離硅塊I一側(cè)的棱角部位與切割鋼線2接觸，如圖6所示，兩個(gè)接觸點(diǎn)相當(dāng)于傳統(tǒng)切割方式中的導(dǎo)向條一樣對切割鋼線2的切割方向起到引導(dǎo)作用。傳統(tǒng)切割方式中，硅塊兩側(cè)完成切割后，硅塊中間部位由于線弓的存在使得切割鋼線2仍處于硅塊之中，此時(shí)進(jìn)行正常的去線弓切割(即硅塊停止下降，切割鋼線2持續(xù)運(yùn)行，直到中間處于硅塊中的切割鋼線2完成切割)。而本實(shí)施例提供的硅片切割方法中，同樣的線弓高低，但是通過初始接觸點(diǎn)的調(diào)整，使得切割即將完成時(shí)，中間處于硅塊中的切割鋼線2要相對較少，如圖7所示，且可通過切割方式的優(yōu)化，將去線弓的時(shí)間減少，使切割一次性完成，避免了在對線弓的后續(xù)處理時(shí)產(chǎn)生的硅片崩邊。當(dāng)切割鋼線2完全進(jìn)入硅塊I后(即切割鋼線2在硅塊I中的運(yùn)行路程為硅塊I的截面長度)，切割方式與傳統(tǒng)切割方式相同。切割快結(jié)束時(shí)，由于線弓的存在當(dāng)兩個(gè)硅塊的兩側(cè)切割鋼線2完全切透硅塊后，再進(jìn)行去線弓后完成切割。具體的，銳角夾角的大小為I度至1.5度。通過實(shí)際測試得出，此角度范圍可以最大程度的降低切割后期線弓對硅片切割的影響，為優(yōu)選傾斜角度。此外，傳統(tǒng)的平行切入的方式中，需要在入刀面上粘貼導(dǎo)向條以進(jìn)行輔助切割，但是，粘貼導(dǎo)向條不僅增加生產(chǎn)成本和員工工作量，而且導(dǎo)向條在參與完切割后會(huì)被切割鋼線2切割成和硅片一樣薄的薄片，對于后續(xù)的清理工作及加工過程中對砂漿的異物污染有著嚴(yán)重的影響。但是，本實(shí)施例提供的硅片多線切割方法中，由于采用了單側(cè)斜面切割，切割鋼線2的受力點(diǎn)發(fā)生變化，使線弓的中心點(diǎn)向傾斜的硅塊I偏移，這樣一來如果切割的上限位置相同的話，硅塊I的斜面?zhèn)葧?huì)晚于正位硅塊4切割完成，但傾斜的硅塊I采用了下沉式放置，切割上限較低，故在切割正常的線弓下能基本保持與正位硅塊4同時(shí)切割完成，避免了出刀時(shí)切割不同步或切割粘接用膠造成的崩邊率較高的現(xiàn)象。同時(shí)由于取消了導(dǎo)向條的應(yīng)用，整體切割高度能夠在之前的基礎(chǔ)上下調(diào)2-3mm節(jié)省了這段切割距離的耗材使用和水電氣消耗。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種硅片多線切割方法，其特征在于，包括以下步驟: I)將待切割的硅塊(I)安裝于切割鋼線(2)的上方，并使至少一塊所述硅塊(I)的入刀面(3)相對于所述切割鋼線(2)傾斜設(shè)置以保證所述入刀面(3)與所述切割鋼線(2)具有銳角夾角，且所述入刀面(3)位于所述切割鋼線(2)行進(jìn)方向下游的棱線部位首先與所述切割鋼線(2)接觸； 2)所述切割鋼線(2 )對所述硅塊(I)進(jìn)行切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片多線切割方法，其特征在于，與所述硅塊 (I)相鄰設(shè)置的正位硅塊(4)的入刀面與所述切割鋼線(2)平行設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片多線切割方法，其特征在于，傾斜設(shè)置的所述硅塊(I)在所述切割鋼線(2)行進(jìn)方向上位于所述正位硅塊(4)的上游。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的硅片多線切割方法，其特征在于，所述銳角夾角的大小為I度至1.5度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種硅片多線切割方法，其包括以下步驟1)將待切割的硅塊安裝于切割鋼線的上方，并使至少一塊所述硅塊的入刀面相對于所述切割鋼線傾斜設(shè)置以保證所述入刀面與所述切割鋼線具有銳角夾角，且所述入刀面位于所述切割鋼線行進(jìn)方向下游的棱線部位首先與所述切割鋼線接觸；2)所述切割鋼線對所述硅塊進(jìn)行切割。本發(fā)明提供的硅片多線切割方法其在減小對硅塊出刀切割不良影響的同時(shí)，也不會(huì)對入刀切割造成影響，進(jìn)而提高了硅塊的切割質(zhì)量。
文檔編號(hào)B28D5/04GK103192462SQ20131013176
公開日2013年7月10日 申請日期2013年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月16日
發(fā)明者王鑫波, 王康, 張凱, 付海洋, 王世明 申請人:天津英利新能源有限公司