專利名稱：具有障礙物檢測的襯底分裂設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及材料處理，更具體而言涉及電子學、光學或光電子學的襯底的處理。更確切地說，本發(fā)明涉及根據(jù)分裂平面將初始相互鄰接的兩個晶片材料分裂開來的設(shè)備。
背景技術(shù)：
規(guī)定，鄰接晶片意指晶片布置成物理接觸。因此，鄰接晶片可以 -通過結(jié)構(gòu)部件進一步連接(該情形尤其針對以下晶片，即相互之間限定有諸如下文所述的脆化平面，并且經(jīng)過處理(例如熱處理)，以使兩個晶片在脆化平面每一側(cè)上僅僅局部分裂);-或者相反，沒有通過任何結(jié)構(gòu)部件連接在一起，而僅僅依靠諸如與兩個晶片的相鄰接但相分離的表面之間的吸引作用對應(yīng)的力之類的力和/或范德華力來加固(該情形尤其針對以下晶片，即最初源自同一襯底，相互之間限定有脆化平面，并且經(jīng)過熱處理或其它處理以便在脆化平面的任一側(cè)上在兩個晶片之間實現(xiàn)完全分裂)。兩個鄰接晶片形成的組件被稱為襯底。從而,該設(shè)備用于分裂SOI型(對應(yīng)于英文術(shù)語Silicon On Insulator(絕緣體上娃)的首字母縮寫詞)結(jié)構(gòu)的晶片，但也可以是SOA型(對應(yīng)于Silicon On Anything (任何材料上娃)的首字母縮寫詞)結(jié)構(gòu)的晶片，甚至AOA型(對應(yīng)于Anything On Anything (任何材料上任何材料)的首字母縮寫詞)結(jié)構(gòu)的晶片。然而，規(guī)定，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備(在下文中通過非限制性實例描述)的尤其有利的應(yīng)用涉及SOI型結(jié)構(gòu)的晶片的分裂。通用名稱為SMART⑶T 工藝的SOI型襯底的制作工藝包括以下主要步驟〇注入步驟，在半導體材料(諸如單晶硅)襯底的給定深度注入粒種(species)(離子或原子)，以便在襯底中限定脆化平面；〇固定步驟，將該襯底固定在加強材(諸如表面被可選地氧化的硅)上；然后〇分裂步驟，意在至少部分確保根據(jù)限定在被注入粒種層的水平處的脆化平面來斷裂；〇晶片位于裂口的每一側(cè)上(第一晶片與單晶硅襯底中已分離且可選地固定在加強材上以形成SOI的部分對應(yīng)，并且第二晶片與剩余的硅對應(yīng))。在該類工藝中，不管分裂步驟期間出現(xiàn)的斷裂是完全斷裂還是部分斷裂，兩個晶片實際上仍彼此粘附(在完全斷裂且晶片的面極其光滑的情形下通過簡單的吸引作用來彼此粘附)。因此，在各種情形下還需要徹底完成晶片的分裂，以便同時獲得最終的SOI襯底和單晶硅殘余物，該單晶硅殘余物可以在工藝中重復(fù)利用。
存在襯底分裂設(shè)備，諸如公開號為EP I 423 244的歐洲專利中所描述的設(shè)備。該設(shè)備包括-基體；-襯底晶片的分裂裝置；以及-用于執(zhí)行一些襯底晶片的受控移動的裝置，其包括能夠相對于設(shè)備的基體而移動的至少一個推動器；所述推動器能夠移動布置在支承件中的襯底，所述襯底的存儲方向限定設(shè)備的縱向。然而，歐洲專利EP I 423 244中描述的分裂設(shè)備因設(shè)備的可靠性不足而不能令人完全滿意，可靠性不足可能引起襯底損耗并且延長所述設(shè)備的停工時間。 本發(fā)明旨在彌補這些不足。尤其，本發(fā)明旨在增加襯底分裂設(shè)備的可靠性。本發(fā)明的另一個目的是全面改善襯底晶片的分裂工藝。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第一方面，本發(fā)明涉及襯底分裂設(shè)備，所述襯底包括其間限定有分裂平面的兩個鄰接晶片，所述設(shè)備包括-基體；-襯底晶片的分裂裝置；以及-用于執(zhí)行一些襯底晶片的受控移動的裝置，其包括能夠相對于設(shè)備的基體移動的至少一個推動器，所述至少一個推動器包括襯底的操縱裝置，所述操縱裝置適合于將襯底容納在推動器上襯底的接收空間中；所述推動器能夠移動布置在支承件中的襯底，所述襯底的存儲方向限定縱向，所述設(shè)備包括適合于當所述推動器處于檢測位置時確定在所述推動器的接收空間的至少一個區(qū)域內(nèi)是否存在障礙物的檢測裝置，所述區(qū)域位于所述襯底的操縱裝置的附近。根據(jù)其它有利和非限制性特點-所述檢測裝置固接在基體上；-檢測裝置包括用于發(fā)送電磁波束的至少一個發(fā)射機和與所述發(fā)射機相關(guān)的且用于接收所述電磁波束的接收機，所述發(fā)射機和所述接收機之間的電磁波束的軌跡限定了接收空間的區(qū)域，當所述推動器處于檢測位置時確定在所述區(qū)域內(nèi)是否存在障礙物；-發(fā)射機和與所述發(fā)射機相關(guān)的接收機按照縱向放置；-當所述推動器處于檢測位置時，所述襯底的接收空間位于所述發(fā)射機與所述接收機之間；-襯底操縱裝置在與推動器的縱向垂直的截面中具有輪廓截面，所述輪廓截面包括由在與推動器的縱軸線垂直的截面中的不同輪廓段表征的若干個段，所述檢測裝置布置成對襯底的接收空間中與每一個段相關(guān)的區(qū)域進行限定，以確定在襯底的接收空間與每一個段相關(guān)的每一個區(qū)域上是否存在障礙物；-所述推動器的檢測位置位于推動器在基體中的縮回位置與推動器支撐襯底的位置之間。
根據(jù)第二方面，本發(fā)明涉及根據(jù)上述方面所述的設(shè)備的控制方法，其中將所述推動器固定在其檢測位置中，直到所述檢測裝置確定出在接收空間的所述區(qū)域內(nèi)不存在障礙物。每當所述推動器到達其檢測位置時，優(yōu)選地將所述推動器固定，直到所述檢測裝置確定出在接收空間的所述區(qū)域內(nèi)不存在障礙物。此外，當所述檢測裝置確定出在接收空間的所述區(qū)域內(nèi)存在障礙物時，使所述設(shè)備中的部件停止移動。


本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點由以下優(yōu)選實施例的描述給出。該描述將參考附圖給出，其中-圖I是根據(jù)本發(fā)明的襯底分裂設(shè)備的組件的示意性正視圖； -圖2是襯底分裂設(shè)備的四分之三視圖；-圖3是與推動器的縱軸垂直的截面圖；-圖4示出了放置在結(jié)構(gòu)上的檢測裝置的布置；-圖5示出了放置在結(jié)構(gòu)上的檢測裝置的布置，其中示出了電磁束；-圖6示出了在推動器處于檢測位置的情形下檢測裝置的布置。
具體實施例方式如上所述，襯底分裂設(shè)備用于分裂襯底，所述襯底包括兩個鄰接晶片，所述兩個鄰接晶片之間限定有分裂平面。圖I示出了這種設(shè)備I。這些襯底2布置在支承件8上。所述襯底2在所述支承件8上的存儲方向限定設(shè)備I的縱向Y。該支承件8適用于硅襯底的操縱。該支承件8例如可以為石英艙(quartznacelle)。支承件8用于操縱襯底2，尤其用于將襯底引導至在所述襯底的分裂工藝范圍內(nèi)的處理設(shè)備(未示出)(例如熱處理裝置)，以對限定在構(gòu)成所述襯底的晶片之間的脆化平面執(zhí)行完全或部分地分裂。尤其還可以設(shè)置對襯底或由分裂所述襯底而產(chǎn)生的晶片進行操縱的其它補充操縱裝置(未示出)，特別是為了將襯底饋給分裂設(shè)備，并且排出晶片。這些操縱裝置可以為例如FOUP型(前開口標準箱(Front Opening Unified Pod))或 FOSB 型(前開口裝運盒(Front Opening Shipping Box))。在該示例中，襯底分裂設(shè)備I的第一工作臺STl設(shè)計成容裝支承件8，所述支承件8可以容納多個襯底2。支承件8的典型容量例如為25至50個襯底(為了清楚可見圖I示出了更少的襯底)。襯底的直徑為幾百毫米，典型地300mm。襯底2按照襯底存儲方向Y在支承件8中對齊，以使所述襯底2的面與存儲方向Y垂直。此外，襯底的背面是與進行特定處理(光學、電子結(jié)構(gòu)的構(gòu)造)的活性面相反的面。為此，在支承件8中設(shè)置有按照襯底的存儲方向均勻地分布的容納部，以使襯底2按照給定的基準間距均勻地分布。
支承件8可以通過沿縱向Y移動的可移動臺車13而移動，以使第一工作臺STl的支承件8進入(bring in)或縮回。鑒于導致或者準備使每一個襯底分裂成兩個晶片(典型地為SOI或SOA晶片，以及硅殘余物晶片)，支承件8可以直接從對襯底2進行熱處理的爐獲得。如上所述，這些襯底2必須徹底分裂成兩個晶片(即，此處兩個晶片必須彼此分裂開)。分裂裝置的組件12示出在第二工作臺ST2的水平上，除分裂裝置(諸如分離器)以外包括襯底的操縱裝置，例如梳形件121、122。在圖I中在第二工作臺ST2的開口 15的水平上縮回基體11中的推動器5適于與分裂裝置組件12同時地從一個臺橫向地(按照方向X)移動至另一個臺，更確切地說從一個 臺的開口 15移動至另一個臺的開口 15。在第一工作臺STl的水平上，推動器5可以向上展開(按照方向Z)以接合到在對支承件8下部的容納部進行承載的結(jié)構(gòu)部件之間留出的開口中，并且可以舉起支承件8上的襯底。對于第二工作臺ST2，推動器5也可以向上(按照方向Z)展開，以接合到在載件(未示出)的結(jié)構(gòu)部件之間留出的開口中。例如，襯底分裂裝置的組件12安裝在平行于方向X延伸的軌道上，其中設(shè)置有該組件12的移動控制裝置。同時，分裂裝置組件12包括具有梳形件121、122形式的襯底操縱裝置或晶片。從而，分裂裝置的組件12可以用于操縱襯底或晶片，尤其用于通過載件和鉸接臂將襯底或晶片從支承件8移動至另外的FOUP型或FOSB型的操縱裝置(未示出)。從而，在使用FOUP的情形下，使包含有水平位置上的多個襯底的所述FOUP靠近SCARA (selective compliance assembly robot arm (平面雙關(guān)節(jié)型機器人)的首字母縮寫詞)型的鉸接機械臂。所述鉸接機械臂將襯底從FOUP移動至可傾斜載件(未示出)。載件傾斜，其中襯底處于豎直位置，即依靠在襯底的各自邊緣上。組件12的梳形件121、122用于操縱襯底。推動器5舉起襯底，以將襯底帶到梳形件121、122的水平上。然后，梳形件121、122保持襯底，并且組件12按照方向X發(fā)生橫向移動，以處于第一工作臺STl上的支承件8的水平。伴隨分裂裝置的組件12的移動，推動器5當前也處于第一工作臺STl的水平。將推動器5沿方向Z上舉穿過支承件8，并且與襯底2接觸以支撐襯底2，同時組件12的梳形件121、122釋放所述襯底2。接著，支撐襯底2的推動器5再次下降，并且在其移動中將襯底2存放在支承件8上。在使晶片之間產(chǎn)生至少部分分裂的處理之后，在襯底2的分裂期間沿相反方向執(zhí)行類似的操縱過程。圖2示出了當推動器5處于較高位置時的分裂設(shè)備1，其中在所述較高位置推動器5支撐襯底2以使襯底與組件12的梳形件121、122接觸。推動器5可以向上穿過支承件8，以收集容納在支承件8中的襯底2。在這點上，推動器5安裝有包含容納部的襯底操縱裝置，所述容納部按照襯底2的存儲方向Y均勻間隔地延伸，以將襯底容納在這些容納部中。襯底2的存儲方向Y為推動器5的縱向。
推動器5的操縱裝置由例如聚合材料(諸如聚醚醚酮)制成。容納部優(yōu)選地為單或雙兩種類型。雙型容納部設(shè)計成接收并保持由兩個鄰接的晶片構(gòu)成的襯底，而單型容納部設(shè)計成接收并保持由襯底分裂產(chǎn)生的晶片。如圖3所示，襯底操縱裝置在與推動器5的縱軸線Y垂直的截面上具有截面輪廓6。該截面輪廓6包括由在與推動器的縱軸線Y垂直的截面中的不同輪廓段表征的若干個段7。外部段71、75以相對于推動器的基部51突出且向內(nèi)傾斜的輪廓為特征，襯底操縱裝置放置在推動器上。過渡段72、74以與推動器的基部51平行的輪廓為特征。中心段73以高度小于外部段71、75的輪廓且平行于推動器的基部51的突出輪廓為特征。推動器的這種截面輪廓6允許推動器將襯底保持在推動器5上的襯底接收空間2·中。該接收空間在推動器的基部51的相反側(cè)上，在襯底操縱面上方的空間中延伸，所述襯底操縱面包括段7的上面。每一個襯底2或晶片相對于推動器5的位置通過形式上的配合來自動地調(diào)整，也可充分地調(diào)整推動器5的容納部以保持襯底或晶片處于豎直位置。在第一工作臺STl的水平上，推動器5也可以隨襯底或晶片再次下降并且將這些襯底或晶片放在支承件8中，當推動器5向下經(jīng)過支承件8的結(jié)構(gòu)部件的開口時支承件8通過將襯底或晶片放置在容納部中來截獲襯底或晶片，而推動器5繼續(xù)向下行進直到其縮回到基體11中。在第二工作臺ST2的水平上，利用載件或任何其它襯底操縱裝置來執(zhí)行同樣的操作。從以下狀態(tài)開始-支承件8容納已進行過分裂(所述分裂必須以機械的方式進行，或者不以機械的方式進行，不管怎樣，根據(jù)本發(fā)明使每一個襯底分裂成兩個晶片)的襯底2并且處于臺STl中；-分裂裝置的組件12和推動器5對置并且垂直于臺STl(按照圖I的方向X適應(yīng)地移動之后)，以及-分裂裝置12包括伸展且打開的對稱梳形件，首先對推動器5的上升進行控制。推動器5收集襯底2，每一個襯底2由推動器5的容納部(為此，位于襯底下方的容納部也具有形成為漏斗狀且聚集襯底的V形斜坡)接收。在臺STl水平上的位置處的推動器將襯底上舉至較高位置，其中襯底中心在組件12的梳形件121、122的高度處，在圖2所示的位置中。然后，將梳形件121、122接合在襯底2中。襯底分裂裝置對襯底進行分裂。這些分裂裝置包括至少一個分離器，該分離器具有例如接合在鄰接晶片之間的分裂平面中的刀片的形式。該分離器緊固在每一個襯底上，以便將每一個襯底的兩個晶片分裂并分離，如專利EP I 423244中所詳述的那樣。在分裂晶片期間，推動器5保持襯底2的下部。一旦分裂完成，推動器5即向下撤走，并且縮回到基體11中，以便僅由組件12的梳形件121、122保持由襯底2分裂而產(chǎn)生的晶片。然后，分裂裝置的組件12通過其控制裝置按照圖I的方向X移動，直到組件12與臺ST2垂直。推動器5與分裂裝置的組件12固接，并且按照方向X橫向地移動，直到推動器與分裂裝置的組件12同時到達第二工作臺ST2。處于縮回位置的推動器5發(fā)生移動，從而推動器5從形成基體11的上部的平板14下方經(jīng)過。在臺ST2的水平上放置有用于操縱晶片的裝置。這些操縱裝置適于容納并保持晶片或者襯底，并且推動器5能夠經(jīng)過所述操縱裝置的結(jié)構(gòu)部件。參考上述實例，這可以是可傾斜載件(未示出)。然后，控制推動器5的上升，以使推動器5經(jīng)過操縱裝置而與晶片的下緣接觸。在該位置處，推動器5支撐晶片。然后，組件12的梳形件121、122釋放晶片，以使晶片僅由推動器5保持。接著，使推動器5及其所支撐的晶片下降。推動器5向下經(jīng)過結(jié)構(gòu)部件的開口、支 承件8，所述支承件8通過將晶片放置在容納部中來截獲晶片，同時推動器5繼續(xù)向下行進直到其縮回到基體11中。
梳形件121、122可適于在若干步驟內(nèi)釋放晶片，例如在第一步中僅釋放包含襯底的活性面的晶片，然后釋放其它晶片，反之亦然。在該情形下，對每一個步驟執(zhí)行使用適合的操縱裝置和推動器5來相同操縱。在目的是對襯底晶片的分裂過程成品率進行優(yōu)化的研究期間，申請人發(fā)現(xiàn)，襯底晶片斷裂將引起明顯的可靠性問題。實際上，因為襯底晶片受到不同的機械和熱應(yīng)力，而機械和熱應(yīng)力可能破壞并損壞設(shè)備。在襯底晶片斷裂的情形下，在分裂之前、期間或之后，則在機器運行周圍會出現(xiàn)不同尺寸的碎片。這些碎片可能出現(xiàn)在推動器上，更精確地說在推動器對襯底進行操縱的操縱面上。然后，可能發(fā)生，這些碎片妨礙推動器在襯底接收空間中恰當?shù)亟邮找r底，該情形轉(zhuǎn)化為無法被分裂或者進而斷裂的錯放襯底。此外，這些碎片出現(xiàn)在推動器上時可能會損壞基體11。實際上，推動器可能必須從一個工作臺橫向地移動至另一個工作臺。在這些移動期間，推動器移入基體11的縮回位置，并且在構(gòu)成支承件8的支撐的板14下方橫向移動，從而定位在另一個工作臺的開口以支撐襯底或晶片。在推動器從一個工作臺橫向移動至另一個工作臺的期間，出現(xiàn)在接收空間中的任何可能的碎片都可能在推動器的接收空間內(nèi)突出并且與基體11或結(jié)構(gòu)部件(諸如支承件8)的局部發(fā)生碰撞。該碰撞可能導致推動器5的操縱面改變，損壞基體11或結(jié)構(gòu)部件，甚至因所述碎片對推動器5的移動產(chǎn)生的阻力而使推動器5的移動或控制系統(tǒng)劣化。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備I具有檢測裝置9，當推動器5處于檢測位置時該檢測裝置9適于確定在推動器5的接收空間的至少一個區(qū)域內(nèi)是否存在障礙物，所述區(qū)域位于襯底的操縱裝置附近。這些檢測裝置與基體11固接，并且位于至少一個工作臺ST1、ST2的水平上，優(yōu)選地在第一工作臺STl上，盡管檢測裝置可以放在每一個工作臺ST1、ST2的水平上。圖4和圖5示出了可以在本發(fā)明范圍內(nèi)使用的檢測裝置的非限制性實例。檢測裝置9包括至少一個發(fā)射機91，其用于發(fā)送電磁波束10 ;以及接收機92，其與所述發(fā)射機91相關(guān)，并且用于接收所述電磁波束10，發(fā)射機91和接收機92之間的電磁波束10的軌跡限定了接收空間的區(qū)域，當推動器5處于檢測位置時確定在所述區(qū)域內(nèi)是否存在障礙物。
例如，發(fā)射機91可以發(fā)送由與其相關(guān)的接收機92接收的激光束類型的電磁波束10，從而確定在由激光束的軌跡限定的接收區(qū)域中不存在障礙物。在該檢測區(qū)域存在障礙物，諸如襯底碎片時，將妨礙接收機92接收激光束。根據(jù)接收機92未接收到激光束來確定在接收空間的所述區(qū)域中存在障礙物。發(fā)射機91和與所述發(fā)射機91有關(guān)的接收機92可以按照推動器的縱向Y而放置在推動器所經(jīng)過的開口 96的任一側(cè)上。這些檢測裝置9可以放置在固定于設(shè)備I的基體11上的結(jié)構(gòu)95上，從而使檢測裝置與所述基體緊固在一起。檢測裝置9還可以由用于保護
的罩97覆蓋。推動器5的檢測位置位于推動器5在基體11中的縮回位置與推動器5支撐襯底2的較高位置之間。將推動器5處于檢測裝置9之間時的位置定義所述推動器5的檢測位置。可以在單個工作臺上安裝檢測裝置9，優(yōu)選在發(fā)生分裂并且襯底或晶片最可能斷裂的第一工作臺STl上。優(yōu)選地，安裝有檢測裝置9的每一個工作臺ST1、ST2上均具有檢測位置。 更確切地說，當電磁波束10經(jīng)過推動器5的接收空間的區(qū)域時推動器5處于檢測位置，所述區(qū)域位于襯底操縱裝置52附近。優(yōu)選地，檢測區(qū)必須充分接近襯底操縱裝置52，以便尺寸足以改變襯底的操縱或推動器5的移動并且將停留在推動器5的操縱裝置52上的碎片至少部分在檢測區(qū)中。優(yōu)選地，僅僅當推動器5處于檢測位置時才啟動檢測裝置9。如上文所述和圖3所示，襯底操縱裝置52在與推動器的縱向Y垂直的截面中具有輪廓截面6，所述輪廓截面6包括由在與推動器5的縱軸線Y垂直的截面中的不同的輪廓段表征的若干個段7，檢測裝置9布置成對襯底2的接收空間53中與每一個段7相關(guān)的區(qū)域進行限定，以確定在襯底2的接收空間53中與每一個段7相關(guān)的每一個區(qū)域上是否存在障礙物。圖6示出了檢測裝置9的布置。圖中示出了處于檢測位置的推動器5。檢測裝置9布置在由各自的輪廓確定的每一個段71、72、73、74、75附近，即在外部段71、75、過渡段72、74和中心段73附近。圖6示出了例如發(fā)射機91以及與每一個發(fā)射機91相關(guān)的接收機92 (在罩97下方，看不見)，所述接收機92沿推動器的縱向Y與發(fā)射機91對置，且在第一平面中罩97的下方。因此，操縱裝置52的每一個段71、72、73、74、75具有對襯底的接收空間53的檢測區(qū)進行限定的成對的發(fā)射機91/接收機92。根據(jù)第二方面本發(fā)明涉及設(shè)備I的控制方法，其中，除上文提到的步驟以外，還包括以下步驟，即將推動器5固定在其檢測位置，直到檢測裝置9確定出接收空間53的區(qū)域內(nèi)不存在障礙物。每當推動器5到達其檢測位置時，優(yōu)選地固定推動器5，直到檢測裝置9確定出接收空間53的區(qū)域內(nèi)不存在障礙物。此外，當檢測裝置9確定出在接收空間53的區(qū)域內(nèi)存在障礙物時，使設(shè)備I中部件停止移動。因此，任何碎片，例如硅片，其可能切斷一個或多個束10，停止分裂設(shè)備I的所有運動，從而防止任何損壞，并提醒分裂設(shè)備I的用戶需要清除碎片。
權(quán)利要求
1.一種用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，所述襯底包括其間限定有分裂平面的兩個鄰接晶片，所述設(shè)備包括 -基體(11)； -襯底晶片的分裂裝置(12);以及 -用于執(zhí)行一些襯底晶片(2)的受控移動的裝置，其包括能夠相對于所述設(shè)備(I)的基體(11)移動的至少一個推動器(5)，所述至少一個推動器(5)包括襯底的操縱裝置(52)，所述操縱裝置(52)適于將襯底容納在所述推動器(5)上襯底(2)的接收空間(53)中； 所述推動器(5)能夠移動布置在支承件(8)中的襯底(2)，所述襯底的存儲方向限定縱向(Y)，所述設(shè)備的特征在于，其包括適于當所述推動器(5)處于檢測位置時確定在所述推動器(5)的接收空間(53)的至少一個區(qū)域內(nèi)是否存在障礙物的檢測裝置(9)，所述區(qū)域位于所述襯底的操縱裝置(52)的附近。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，其中所述檢測裝置(9)固接在基體(11)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I至2中任一項所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，其中所述檢測裝置(9)包括用于發(fā)送電磁波束(10)的至少一個發(fā)射機(91)和用于接收所述電磁波束(10)且與所述發(fā)射機(91)相關(guān)的接收機(92)，所述發(fā)射機(91)與所述接收機(92)之間的電磁波束(10)的軌跡限定了接收空間(53)的區(qū)域，當所述推動器(5)處于檢測位置時確定在所述接收空間(53)的區(qū)域內(nèi)是否存在障礙物。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，其中發(fā)射機(91)和與所述發(fā)射機(91)相關(guān)的接收機(92)按照縱向(Y)放置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3至4中任一項所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，其中當所述推動器(5)處于檢測位置時，所述襯底的接收空間(53)位于所述發(fā)射機(91)與所述接收機(92)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，其中所述襯底的操縱裝置(52)在與所述推動器(5)的縱向(Y)垂直的截面中具有截面輪廓(6)，所述截面輪廓(6)包括在與縱軸線(Y)垂直的截面中由不同的輪廓段表征的若干個段(7)，所述檢測裝置(9)布置成對襯底(2)的接收空間(53)中與每一個段(7)相關(guān)的區(qū)域進行限定，以確定在襯底(2)的接收空間(53)中與每一個段(7)相關(guān)的每一個區(qū)域上是否存在障礙物。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任一項所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，其中所述推動器(5 )的檢測位置位于所述推動器(5 )在所述基體(11)中的縮回位置與所述推動器(5 )支撐所述襯底(2)的位置之間。
8.一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(I)的控制方法，其中將所述推動器(5)固定在其檢測位置中，直到所述檢測裝置(9)確定出在接收空間(53)的所述區(qū)域內(nèi)不存在障礙物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(I)的控制方法，其中每當所述推動器(5)到達其檢測位置時，將所述推動器(5)固定，直到所述檢測裝置(9)確定出在接收空間(53)的所述區(qū)域內(nèi)不存在障礙物。
10.根據(jù)權(quán)利要求8和9中任一項所述的用于分裂襯底(2)的設(shè)備(I)的控制方法，其中所述檢測裝置(9)確定出在接收空間(53)的所述區(qū)域內(nèi)存在障礙物時，使所述設(shè)備(I)的部件的移動停止 。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有障礙物檢測的襯底分裂設(shè)備。本發(fā)明涉及用于分裂襯底(2)的設(shè)備(1)，所述襯底包括其間限定有分裂平面的兩個鄰接的晶片，所述設(shè)備包括基體(11)；用于分裂襯底晶片的裝置(12)；以及用于執(zhí)行一些襯底晶片(2)的受控移動的裝置，其包括能夠相對于設(shè)備(1)的基體(11)移動的至少一個推動器(5)，所述至少一個推動器(5)包括襯底的操縱裝置，所述操縱裝置適于將襯底容納在推動器(5)上襯底(2)的接收空間中。所述推動器(5)能夠移動布置在支承件(8)中的襯底(2)，所述設(shè)備包括適于當推動器(5)處于檢測位置時確定在推動器(5)的接收空間的至少一個區(qū)域內(nèi)是否存障礙物的檢測裝置(9)，所述區(qū)域位于所述襯底的操縱裝置附近。
文檔編號B28D1/32GK102800610SQ201210162389
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
發(fā)明者T·貝納爾 申請人:Soitec公司