專利名稱：等離子體加工設備的部件和在等離子體加工設備中刻蝕半導體基材的方法
等離子體加工設備的部件和在等離子體加工設備中刻蝕半導體基材的方法

本申請是申請?zhí)枮?00480017391. 2、發(fā)明名稱為“精加工石英玻璃表面的方法和所述方法生產的部件”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。技術領域和
背景技術：
等離子體加工設備用于進行各種エ藝，其中包括由半導體、介電體和金屬材料制得基材的等離子體刻蝕、物理氣相沉積、化學氣相沉積(CVD)、離子注入和保護層去除等。等離子體加工設備包括暴露到等離子體環(huán)境中的各種部件。鑒于希望提高加工產率，需要暴露到等離子體中的部件在這樣的等離子體環(huán)境中有降低的顆粒污染。

發(fā)明內容
提供了精加工石英玻璃表面的方法。這些方法可得到這樣的石英玻璃表面光潔度，以致當用于等離子體加工設備時可減少石英和金屬顆粒物的發(fā)生率以及分子金屬污染。還提供具有這樣的精加工石英玻璃表面的部件。包含至少ー個石英玻璃表面的部件表面精加工方法的一個優(yōu)選實施方案包括，機械拋光該部件的至少ー個石英玻璃表面、化學刻蝕經機械拋光的石英玻璃表面，以及清洗經刻蝕的石英玻璃表面以便從所述表面上除去金屬污染物。用所述方法的優(yōu)選實施方案精加工的部件包含至少ー個暴露到等離子體中的石英玻璃表面。所述的部件還可包含至少ー個未暴露到等離子體中的石英玻璃表面，例如真空密封表面。部件的暴露到等離子體中的表面可精加工到與未暴露到等離子體中的表面不同的表面形態(tài)。精加工的部件可用于等離子體加工設備，以減少基材的污染。部件表面精加工的方法優(yōu)選在石英玻璃表面上獲得低水平的金屬污染程度。優(yōu)選的，所述的部件用于等離子體加工設備時，它們可提供低的基材的金屬顆粒物和分子金屬污染。所述方法的優(yōu)選實施方案可用于精加工以前在等離子體加工設備中暴露到等離子體中或以前未暴露到等離子體中的部件。還提供了在等離子體加工設備的等離子體室中刻蝕半導體基材的方法的優(yōu)選實施方案，所述的設備包括ー個或多個如上所述已精加工的部件。


圖I為漿料拋光的石英玻璃表面的SEM顯微照片(1000倍)。圖2為漿料拋光的和等離子體調整的石英玻璃表面的SEM顯微照片(1000倍)。圖3為石英玻璃精加工エ藝的第一優(yōu)選實施方案的流程圖。圖4為石英玻璃精加工エ藝的優(yōu)選實施方案處理的石英玻璃表面的SEM顯微照片(1000 倍)。圖5表示按優(yōu)選實施方案加工的石英玻璃窗(“□”)和漿料拋光的石英玻璃窗、(“ ”)在等離子體刻蝕過程中加到硅晶片中的顆粒物數(shù)目之間的關系。圖6表示未暴露到等離子體中的漿料拋光的石英玻璃部件(“A”)、已暴露到等離子體中的漿料拋光的石英玻璃部件(“B”)和按優(yōu)選實施方案加工的石英玻璃部件(“C”)上不同金屬的數(shù)目，原子/厘米2。圖7表示石英玻璃精加工過程的第二優(yōu)選實施方案的流程圖。圖8表示石英玻璃部件的漿料研磨的密封表面。圖9表示包含可用該石英玻璃精加工方法處理的暴露到等離子體中的和密封的表面的介電窗。圖10為圖9中所示的介電窗的部分放大圖。圖11表示包含可用該石英玻璃精加工方法處理的暴露到等離子體中的和密封 的表面的氣體注入器。
具體實施例方式在各種材料例如半導體材料、介電材料和金屬在等離子體加工設備中的加工中，顆粒性能是ー個值得關心的問題。附著在等離子體反應器中加工的基材上的顆粒污染物可使產品的產率下降。在等離子體反應器中，顆粒污染物的ー個來源是暴露到等離子體中的部件表面。包含暴露到等離子體中的表面的部件可通過包括燒結和/或機械加工一個或多個部件表面的方法來制得。這些步驟使表面受到損壞，使表面破裂和不連續(xù)。這些破裂是等離子體加工過程中產生顆粒的潛在來源。漿料拋光可降低顆粒的尺寸；但是，它不能消除顆粒。圖I為漿料拋光的石英玻璃介電窗表面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖。用其它技術機械加工的石英玻璃表面有類似圖I所示的損壞。還確定，石英玻璃制成的部件可安裝在等離子體反應器中，并在等離子體反應器中達到生產半導體基材的條件以前調整，以便減少基材的與石英相關的顆粒物污染的發(fā)生率。在調整過程中，調整晶片可安裝在等離子體反應器中。等離子體通過刻蝕從暴露到等離子體中的部件表面除去ー些材料。暴露到等離子體中的表面優(yōu)選具有減少石英和金屬顆粒物的形態(tài)。最后，通過調整處理除去足夠數(shù)量的石英材料，以便達到可接受的表面石英顆粒物水平。圖2為經漿料拋光然后在等離子體反應器中暴露于等離子體(50小時)進行調整的石英玻璃介電窗表面的SEM顯微照片。但是，調整處理需要損失許多生產時間，可能需要高達10天或更長，以便在暴露到等離子體中的部件表面上產生適合用于等離子體加工的表面光潔度。因此，這樣的調整處理需要等離子體反應器大量的時間停エ，以便部件達到適合的顆粒性能。此外，調整處理需要相關的費用，其中包括調整晶片的費用、操作人員監(jiān)測費用和干預費用等。此外，需要在等離子體反應器中提供真空密封以防止在等離子體加工室內形成空氣流動路徑的石英玻璃部件的表面，也就是密封表面(例如O型環(huán)密封表面)需要有這樣的光潔度，以便提供適合的真空密封性能。這樣的密封表面不是暴露到等離子體中的表面。但是，所需的真空密封表面的光潔度可與所需的暴露到等離子體中的表面明顯不同。已確定，有暴露到等離子體中的表面和真空密封的表面的部件優(yōu)選在相同部件的不同位置上有明顯不同的表面光潔度。
圖3表示石英玻璃表面精加工方法的第一優(yōu)選實施方案的流程圖?？蓪嵤┧龅姆椒ǎ跃庸げ考囊粋€或多個適用于等離子體加工設備的石英玻璃表面。ー個或多個精加工的表面優(yōu)選包括至少ー個當該部件安裝在等離子體反應器中時暴露到等離子體中的表面。部件可為等離子體反應器的氣體注入器、介電窗、電極、觀察孔、邊環(huán)、聚焦環(huán)、限制環(huán)等。精加工石英玻璃方法的優(yōu)選實施方案可用于精加工石英玻璃制得的部件的石英玻璃表面，以及包含除石英玻璃以外的材料的部件的石英玻璃表面(例如涂層)。所述的方法優(yōu)選包括機械拋光、化學刻蝕和清洗步驟，以便在部件上產生希望的表面光潔度。可用所述方法加工的部件可具有各種形狀，例如板形、盤形、環(huán)形(例如介電窗、觀察孔、邊環(huán)等)和圓柱形，以及有不同形狀組合的表面。部件可有各種尺寸。石英玻璃部件優(yōu)選由火焰熔融的天然石英制成。火焰熔融的天然石英通常以可加エ成希望形狀和尺寸的晶塊(boules)形式存在。石英玻璃例如也可為電弧熔融的天然石英或合成石英。在進行精加工處理以前，石英玻璃材料的任何金屬的塊體純度水平優(yōu)選小于約IOppm0在石英玻璃中的這ー金屬純度可提供比表面金屬水平低得多的來自塊體的金屬水平。降低石英玻璃材料中的金屬雜質水平使顆粒和/或與金屬有關的基材上缺陷的發(fā)生率下降。可用所述方法的優(yōu)選實施方案精加工的石英玻璃部件可處于已機械加工和/或已燒結的狀態(tài)。例如，板形石英玻璃部件可從晶塊上切割，并機械加工成希望的形狀?？捎萌魏芜m合的方法例如金剛砂研磨等將機械加エ的和/或燒結的部件機械加工成希望的構造和表面條件。石英玻璃部件優(yōu)選機械拋光到希望的表面光潔度。機械拋光優(yōu)選包括將部件的一個或多個表面漿料拋光到希望的表面光潔度。所述的漿料可含有適合的研磨材料，例如包括氧化鋁、碳化硅、金剛石、氧化鈰、氧化鋯等。研磨材料優(yōu)選具有這樣的粒度，以便在部件的漿料拋光表面上產生希望的表面光潔度水平。石英玻璃部件的機械拋光優(yōu)選可在部件的不同表面位置獲得相同的表面光潔度，或另一方面可獲得不同的表面光潔度。例如，部件的ー個或多個暴露到等離子體中的表面可機械拋光到與未暴露到等離子體中的ー個或多個表面(例如密封表面)不同的表面光潔度。在化學刻蝕以前，機械拋光優(yōu)選達到希望的石英玻璃表面形態(tài)，以便刻蝕獲得類似于暴露到等離子體中的表面的表面形態(tài)。例如，經刻蝕的表面優(yōu)選具有相同的有效表面積，以及基本上沒有損壞和沒有破裂。機械拋光的表面形態(tài)例如可用算木平均粗糙度Ra來定量。在一個優(yōu)選的實施方案中，機械拋光表面的Ra優(yōu)選為約5-30微英寸(約O. 125-0. 75微米)、更優(yōu)選約12-20微英寸(約O. 3-0. 5微米)。對于一定的部件，可將不同的表面機械拋光到不同光潔度。例如，暴露到等離子體中的表面可機械拋光到比未暴露到等離子體中的表面更低的Ra值(即較平滑的光潔度)，對于后者，在等離子體加工過程中顆粒物的脫除不太受到關注。
機械加工和機械拋光步驟可產生帶破裂的表面，它是機械加工和/或機械拋光的部件表面上產生石英玻璃顆粒物和/或金屬顆粒物的來源。附著的顆?？蔀榛牡牡入x子體加工過程中顆粒污染的來源。因此，在利用等離子體反應器中存在的部件加工基材以前，希望將附著顆粒的數(shù)目減少到適合的低數(shù)目。正如上述，附著的顆?？捎玫入x子體調整技術從等離子體反應器部件上除去；但是，這些技術不能完全令人滿意。因此，刻蝕步驟優(yōu)選從經處理的組分表面上除去附著的石英玻璃和金屬污染顆粒，并優(yōu)選獲得類似暴露到等離子體中的表面的表面形態(tài)?？涛g步驟優(yōu)選使用對刻蝕石英玻璃有效的含氟刻蝕液。例如，含氟的刻蝕液可為含氫氟酸(HF)、氟化銨(NH3HF)、ニ氟化銨(NH4FHF)或其混合物的刻蝕溶液。刻蝕液還可含有添加劑，例如硝酸(HNO3)或其它酸。可這樣選擇刻蝕液的濃度、溫度和PH值、刻蝕時間和刻蝕液以及刻蝕エ藝的其它參數(shù)，以便獲得從部件除去表面材料所希望的去除率和去除深度。例如可用表面的Ra值表征刻蝕表面的表面形態(tài)。在部件的一個或多個所選的表面上，刻蝕步驟獲得的Ra值優(yōu)選為約1-100微英寸(約O. 025-2. 5微米)。正如下文說明的，對于一定的部件表面，所希望的Ra值可隨部件的類型以及精加工表面的類型(例如暴露到等離子體中的表面與未暴露到等離子體中的表面)而變化。通過刻蝕改變部件的表面形態(tài)，改變了部件的實際表面積。部件的標稱表面積由它的物理尺寸決定。部件的實際表面積還應另外考慮表面粗糙度。表面粗糙度提高使部件的實際表面積增加?；瘜W刻蝕步驟優(yōu)選獲得這樣的部件實際表面積/標稱表面積比，該比例接近暴露到等離子體(或等離子體調整的)的部件可具有的比例?；瘜W刻蝕步驟優(yōu)選獲得的部件實際表面積/標稱表面積比為約I. 1-4、更優(yōu)選約I. 2-1. 5?？涛g步驟得到的部件的表面形態(tài)也可用表面形態(tài)的特征長度來表征，它提供表面粗糙度的空間頻率的量度。部件刻蝕表面的特征長度優(yōu)選為約1-50微米。對于一定的表面，希望的特征長度可隨精加工部件的類型以及表面的類型(例如暴露到等離子體中的表面與未暴露到等離子體中的表面)變化。清洗步驟從刻蝕的石英玻璃部件的表面除去金屬污染物。清洗步驟包括將石英玻璃部件與對金屬(如果存在)具有適合的高溶解度的液體接觸，優(yōu)選通過清洗從部件中除去該金屬。這樣的金屬包括但不限于Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti和/或Zn?？捎糜谇逑词⒉Ａб员愠ミ@些金屬的適合溶劑包括但不限于硝酸(HNO3)、氫氟酸(HF)、磷酸(H3PO4),草酸(COOH)2、甲酸(HCOOH)、過氧化氫(H2O2)、鹽酸(HCl)、こ酸(CH3COOH)、檸檬酸(C6H6O7)及其混合物。此外，為了達到所希望的石英玻璃部件的潔凈程度，仔細地部件處理、超純溶劑的使用(例如含有小于約IOppb金屬雜質的溶劑)和環(huán)境控制例如使用100類清潔室來干燥和包裝是優(yōu)選的。清洗步驟使石英玻璃部件的、對于Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti和Zn中ー種或多種表面金屬污染物的水平減少到希望的低水平，它優(yōu)選小于約1000 X IOltl原子/厘米2、更優(yōu)選小于約100X 101°原子/厘米2、最優(yōu)選小于約IOX 101°原子/厘米2。圖4為已根據ー個優(yōu)選的實施方案機械拋光、刻蝕和清洗步驟處理的石英玻璃介電窗表面的SEM顯微照片。圖5表不與衆(zhòng)料拋光的石英玻璃窗(“ ”)相比,根據ー個優(yōu)選實施方案處理的石英玻璃窗(“□”)的顆粒污染物水平(在等離子體刻蝕エ藝中加入到硅晶片的尺寸大于
O.16μπι的顆粒的數(shù)目)的試驗結果。在曲線中，零RF小時對應于窗在等離子體反應器中、的安裝。曲線表明在整個試驗期間，用優(yōu)選實施方案精加工的石英玻璃窗加入的顆粒數(shù)目比漿料拋光的石英玻璃窗加入的顆粒數(shù)目要低得多。在大約前兩個RF小吋，由漿料拋光的石英玻璃窗加入的大多數(shù)顆粒為石英顆粒。雖然通過等離子體暴露可減少由漿料拋光的石英玻璃窗加入的顆粒數(shù)目，但在試驗期間，這些顆粒的數(shù)目沒有達到用優(yōu)選實施方案精加エ的石英玻璃窗加入的更低的顆粒數(shù)目。因此，圖5所示的試驗結果證明，精加工處理可生產用于等離子體加工設備的部件，所述部件的精加工表面的特點是與漿料拋光的石英玻璃窗相比，當用于等離子體環(huán)境時有低得多的顆粒加入數(shù)目。此外，試驗結果表明，對于依照所述方法的優(yōu)選實施方案處理的部件，為了達到穩(wěn)態(tài)的顆粒水平(例如加入約10個大于O. 16微米的顆粒物)，可能僅需要短的RF處理(例如約1/2小時)。因此，通過使用所述方法的優(yōu)選實施方案精加工的部件，與等離子體調整有關的設備停エ和費用可明顯減少。圖6分別表示未暴露到等離子體中的漿料拋光的石英玻璃部件(“A”)、經等離子體暴露的漿料拋光的石英玻璃部件(“B”)和依照優(yōu)選實施方案加工的石英玻璃部件(“C”)上存在的Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti和Zn的數(shù)目的試驗結果，原子 /厘米2。與漿料拋光的石英玻璃部件和漿料拋光的并等離子體暴露的石英玻璃部件相比，依照優(yōu)選實施方案的精加工處理明顯減少每種金屬的表面金屬污染物水平。金屬污染物是不希望的，因為它可在包括被污染石英玻璃的等離子體反應器室中加工的集成電路中產生缺陷，或作為沉積在晶片表面的顆粒，或作為分子污染物擴散到晶片中并引入不希望的雜質，這對摻雜分布以及晶片性能有不良影響。因此，處理石英玻璃的所述方法的優(yōu)選實施方案可減少這一問題。根據ー個優(yōu)選的實施方案，可以進行精加工處理，對以前已在等離子體反應器室內暴露到等離子體中的部件(也就是“用過的部件”)進行再調整，以便獲得與新部件精加エ處理可獲得的水平相當?shù)谋砻娼饘俸?，新部件也就是用精加工處理的但未在等離子體加工過程中用于等離子體反應器室的部件。在這樣的實施方案中，優(yōu)選僅將部件進行清洗步驟。圖7表示石英玻璃表面精加工方法的第二優(yōu)選實施方案的步驟。可進行所述的方法以便精加工用于等離子體反應器的石英玻璃部件的ー個或多個暴露到等離子體中的石英玻璃表面和ー個或多個石英玻璃真空密封表面?？删哂斜┞兜降入x子體中的表面和真空密封表面的部件例如包括等離子體反應器的氣體注入器、觀察孔和介電窗。正如圖7所示，正如在上述第一優(yōu)選實施方案中那樣，第二優(yōu)選實施方案包括機械拋光石英玻璃部件的ー個或多個表面。在第二優(yōu)選實施方案中，將ー個或多個石英玻璃密封表面精加工到所希望的光潔度。圖8表示用機械拋光(例如漿料研磨)的石英玻璃部件上形成的表面的一個示例性光潔度。機械拋光エ藝產生具有同心圓形凹槽圖案的密封表面。同心凹槽減少和優(yōu)選阻止空氣流道，在密封表面維持所希望的真空度。根據第二優(yōu)選的實施方案，石英玻璃部件的一個或多個機械拋光的密封表面在刻蝕步驟以前被遮蓋，以防止密封表面也被刻蝕。因此，這樣進行刻蝕步驟，使除密封表面外的部件表面刻蝕。石英玻璃部件的密封表面可用任何適合的遮蓋材料例如沒有污染物的膠帶和/或蠟遮蓋。
在第二優(yōu)選的實施方案中，在刻蝕步驟以后，從密封表面上除去遮蓋物并將部件清洗，如第一優(yōu)選實施方案所述。清洗步驟從包括密封表面和未密封表面(例如暴露到等離子體中的表面)的刻蝕石英玻璃部件的表面上除去金屬污染物。圖9和10表示一個示例性介電窗20，它包括平行平面22、側面24和通道26。圖10為通道26的放大圖，表示真空密封表面28和暴露到等離子體中的平面22。真空密封表面28例如可為O型環(huán)密封表面。介電窗20可有ー個以上的密封表面。由石英玻璃制成的介電窗，例如介電窗20可用以下優(yōu)選的步驟精加工。 將介電窗20暴露到等離子體中的平面(例如平面22)機械加工和機械拋光。經機械拋光的暴露到等離子體中的表面的Ra值優(yōu)選為約5-20微英寸(O. 125-0. 5微米)、更優(yōu)選約12-20微英寸(O. 3-0. 5微米)。將密封表面28遮蓋。用含氟的刻蝕液濕法刻蝕暴露到等離子體中的表面，以便達到所需的表面形態(tài)。例如，對于暴露到等離子體中的表面，可使用HF刻蝕溶液來獲得約20-100微英寸(約
O.5-2. 5微米)、更優(yōu)選約30-50微英寸(約O. 75-1. 25微米)的Ra值。經刻蝕的暴露到等離子體中的表面的實際表面積與標稱表面積的優(yōu)選比為約I. 1-4、更優(yōu)選約I. 2-1. 5。暴露到等離子體中的表面的表面形態(tài)的特征長度優(yōu)選為約2-30微米、更優(yōu)選約5-20微米。例如，暴露到等離子體中的表面的平均特征長度為約10微米。未刻蝕的密封表面28經拋光到約10-20微英寸(O. 25-0. 5微米)的優(yōu)選Ra值。密封表面的表面積不是所關心的，因為它不是暴露到等離子體中的表面。密封表面的特征長度優(yōu)選為約5-25微米。從密封表面28除去的遮蓋物并清洗介電窗20，以便從暴露到等離子體中的表面和其它表面上除去金屬污染物。清洗步驟使介電窗的被清洗表面的Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti和Zn中ー種或多種金屬的水平下降，優(yōu)選降到小于約1000X 101°原子/厘米2、更優(yōu)選小于約100X 101°原子/厘米2、最優(yōu)選小于約IOX 101°原子/厘米2。作為另ー實施例，圖11表示包含真空密封表面42、44和暴露到等離子體中的表面46的氣體注入器40。氣體注入器40還包含暴露到等離子體中的內表面，例如內孔(未示出)。例如，真空密封表面42、44可為O型環(huán)密封表面。氣體注入器可包括其它的密封表面(未示出)。石英玻璃制成的氣體注入器例如氣體注入器40可用以下優(yōu)選步驟精加工。將暴露到等離子體中的表面46機械加工并機械拋光使Ra值為約7-20微英寸(O. 025-0. 5微米)、更優(yōu)選約7-12微英寸(O. 075-0. 3微米)。氣體注入器40暴露到等離子體中的表面46足夠小，以致它對等離子體化學性質沒有明顯的影響。因此，暴露到等離子體中的表面46優(yōu)選在機械加工后盡可能平滑，以便在刻蝕步驟過程中在所希望的低HF濃度和刻蝕時間下去除受損的表面材料。用含氟的刻蝕液例如HF刻蝕液刻蝕暴露到等離子體中的表面，以便獲得所需的表面光潔度。例如表面的Ra值可為約1-100微英寸(約O. 025-2. 5微米)、更優(yōu)選40-60微英寸(約1-1. 5微米)。氣體注入器的外表面在刻蝕后盡可能平滑。可改變HF的濃度和刻蝕的時間，以便獲得所希望的暴露到等離子體中的表面的平滑度。密封表面42、44經拋光，使Ra值優(yōu)選為約12_20微英寸(O. 3-0. 5微米)。密封表面42、44的特征長度優(yōu)選為約5-25微米。從密封表面42、44上除去遮蓋物，氣體注入器40經清洗以便從外表面除去金屬污染物。清洗步驟使氣體注入器40的Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti和Zn中ー種或多種金屬污染物水平下降，優(yōu)選降到小于約1000 X IO10原子/厘米2、更優(yōu)選小于約100X IO10原子/厘米2、最優(yōu)選小于約IOX 101°原子/厘米2。因此，精加工石英玻璃的方法的優(yōu)選實施方案可用于精加工等離子體加工設備的有各種尺寸和形狀的部件，在部件的不同表面提供不同的表面光潔度。所述方法的優(yōu)選實施方案可在相同的部件上為等離子體反應器提供具有改進顆粒性能的暴露到等離子體中的表面，以及提供具有高真空性的密封表面。雖然已參考具體的實施方案詳細地描述了本發(fā)明，但對于熟悉本專業(yè)的技術人員來說，顯然在不違背附后權利要求書的范圍的條件下可作出各種改變和改進以及使用各種 等同方案。
權利要求
1.一種從用于等離子體加工裝置的部件除去金屬污染物的方法，包括 用清洗液清洗部件的表面以從表面除去金屬污染物，該清洗液包含選自草酸、甲酸、こ酸、檸檬酸及其混合物中的至少ー種酸， 其中部件選自氣體注入器、介電窗、電極、觀察孔、邊環(huán)、聚焦環(huán)和限制環(huán)。
2.根據權利要求I的方法，其中部件是電極。
3.根據權利要求I的方法，其中部件在等離子體加工裝置中先前暴露于等離子體。
4.根據權利要求I的方法，其中部件的材料選自火焰熔融的天然石英、電弧熔融的天然石英和合成石英，且表面是機加工和/或燒結的表面。
5.根據權利要求I的方法，其中表面是暴露到等離子體的表面。
6.根據權利要求I的方法，其中在清洗之前表面具有小于約IOppm的金屬雜質水平。
7.根據權利要求9的方法，其中金屬污染物選自Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti和Zn，且清洗的表面具有的至少ー種所述金屬污染物的水平小于約1000X 101°原子/厘米2、或小于約100X 101°原子/厘米2、或小于約IOX 101°原子/厘米2。
8.根據權利要求I的方法，其中金屬污染物選自Ca、Mg和Na。
9.根據權利要求I的方法，還包括在用清洗液清洗之前，用刻蝕液化學刻蝕表面。
10.權利要求9的方法，其中刻蝕液包含至少ー種選自氫氟酸、氟化銨、ニ氟化銨及其混合物的含氟化學物質。
11.權利要求9的方法，其中刻蝕的表面具有的算術平均粗糙度Ra為約1-100微英寸，且實際表面積/標稱表面積比為約I. 1-4或約I. 2-1. 5。
12.根據權利要求I的方法，還包括在清洗之前，機械拋光該部件的至少ー個表面，其中機械拋光的表面具有的算術平均粗糙度Ra為約5-30微英寸，或約12-20微英寸。
13.一種在等離子體加工設備中刻蝕半導體基材的方法，所述的方法包括 將至少一個已用根據權利要求I的方法除去金屬污染物的部件安裝在等離子體加工設備的等離子體室中；以及 在等離子體室內，等離子體刻蝕至少一個半導體基材。
14.根據權利要求13的方法，還包括在等離子體刻蝕半導體基材以前將部件等離子體調整小于約1/2小時。
全文摘要
本發(fā)明提供了表面精加工等離子體加工設備部件的方法。所述的部件包括至少一個暴露到等離子體中的表面。所述的方法包括機械拋光、化學刻蝕和清洗暴露到等離子體中的表面，以便獲得所希望的表面形態(tài)。部件的石英玻璃密封表面也可用所述的方法精加工?？蓪⑾嗤考┞兜降入x子體中的表面和密封表面精加工到彼此不同的表面形態(tài)。
文檔編號C03C19/00GK102659320SQ20121008313
公開日2012年9月12日 申請日期2004年5月28日 優(yōu)先權日2003年5月30日
發(fā)明者J·E·道格赫緹, M·W·柯赫爾鮑馳 申請人:蘭姆研究公司