專利名稱：利用率高的太陽能硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽能硅片，是一種太陽能電池基片材料。
背景技術(shù)：
目前太陽能硅片是將硅單晶結(jié)晶圓棒切割而成的高質(zhì)量硅片。目前國內(nèi)硅晶材料稀缺，價(jià)格昂貴。隨著可再生能源的廣泛應(yīng)用，太陽能硅片的市場(chǎng)需求量越來越大。傳統(tǒng)的即目前國際上普遍使用的太陽能硅片為四角為圓角的方形薄片，厚度在200um以上，這種太陽能級(jí)電池硅片的加工程序?yàn)橄葘⒐杈A棒切割成截面為方形、四角留有坯棒圓棱的柱體，而后再用砂輪將坯棒圓棱滾磨到標(biāo)準(zhǔn)圓角尺寸，磨削量約為2mm-4mm。這種截面狀的太陽能硅片存在以下缺點(diǎn)一是滾磨加工下來的廢屑為粉末狀，飄揚(yáng)在空氣中污染環(huán)境，且不能回收再利用；二是滾磨加工容易損傷柱體圓棱，發(fā)生崩邊和爆裂等質(zhì)量問題，從而降低了成品的合格率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種加工簡便，產(chǎn)品合格率高，制造成本低的利用率高的太陽能硅片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是利用率高的太陽能硅片，包括本體，上平面和下平面組成，由上平面、下平面組成的方形薄片，方形薄片四角為倒角。所述本體的上平面和下平面的距離在165um 195um范圍內(nèi)，其本體的翹曲度小于 751um。采用上述技術(shù)方案后，改變傳統(tǒng)用砂輪滾磨四角為圓角的工序?yàn)椴捎酶呔軝C(jī)床將硅晶圓棒直接切割成截面為方形、四角為相同45度倒角的八角方型柱體。其優(yōu)點(diǎn)為(1) 該截面狀的利用率高的太陽能硅片完全由精密機(jī)床切割而成，加工工藝簡單，精度高，切削余料可回收再利用，降低了產(chǎn)品的制造成本。(2)免除了砂輪滾磨半成品硅晶棒柱體圓棱的加工工序，不再發(fā)生棱角崩邊和爆裂現(xiàn)象，提高了成品的合格率。( 將利用率高的太陽能硅片的厚度從200ym降至180Lim，并保證其本體的翹曲度小于75ym，使每公斤硅晶圓棒的硅片產(chǎn)出量增加。

圖1為本實(shí)用新型的立體示意圖；圖2為本實(shí)用新型主視示意圖圖3為圖2俯視示意圖；圖4為本實(shí)用新型成品加工示意圖；圖5為圖4中A的示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 見圖1、圖2和圖3所示為太陽能硅片立體示意圖、主視圖和俯視圖，本實(shí)施例為規(guī)格125mmX125mm的太陽能硅片，一種太陽能硅片，包括本體1，上平面2和下平面3組成，由上平面2、下平面3組成的方形薄片，方形薄片四角4為倒角，所述本體1的上平面2和下平面3的距離在165um 195um范圍內(nèi)，其本體1的翹曲度小于751um，表面光潔、平整、無瑕疵，其翹曲度小于751um。本體1的寬度為C。見圖4所示為太陽能硅片的成品加工示意圖。傳統(tǒng)太陽能硅片的加工方法是先將D = € 156mm硅單晶結(jié)晶棒切割成截面為 125mm X125mm方形、四角為留有坯棒圓棱的柱體，而后采用砂輪將坯棒圓棱滾磨到F = C 150mm的標(biāo)準(zhǔn)圓角尺寸。本實(shí)施例的加工方法是采用高精密機(jī)床直接將D = Φ 156mm硅單晶結(jié)晶坯棒直接切割成截面為125mm X125mm方形、四角為倒角、倒角對(duì)邊距離為B = 147. 02mm的八角方型柱體，然后沿柱體軸線方向切割成厚度為180um+15um的太陽能硅片。見圖5所示為超薄太陽能硅片的傳統(tǒng)加工方法即四角為圓角與本實(shí)用新型即倒角的太陽能硅片材料利用情況示意圖。圖中最外層圓弧是硅晶棒坯體尺寸，里層圓弧是傳統(tǒng)法需要用砂輪滾磨后的主體尺寸。實(shí)施例2:實(shí)施例2為規(guī)格156mmX156mm的超薄太陽能硅片，由上平行平面2、下平行平面3 組成的方形薄片，方形薄片四角4為四個(gè)相同角，所述本體1的上平面2和下平面3的距離在165um 195um范圍內(nèi)，其本體1的翹曲度小于751um，表面光潔、平整、無瑕疵，其翹曲度小于751um。本實(shí)施例加工方法是采用高精密機(jī)床直接將D =C 203mm硅單晶結(jié)晶棒切割成截面為156mmX156mm方形、四角為倒角，對(duì)角距離為B = 195mm的八角方型柱體，然后沿柱體軸線方向切割成厚度為180um+15um的超薄的太陽能硅片。
權(quán)利要求1.利用率高的太陽能硅片，包括本體(1)，上平面( 和下平面C3)組成，其特征在于 由上平面O)、下平面C3)組成的方形薄片，方形薄片四角(4)為倒角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用率高的太陽能硅片，其特征在于所述本體(1)的上平面(2)和下平面(3)的距離在165um 195um范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用率高的太陽能硅片，其特征在于其本體⑴的翹曲度小于751um。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種利用率高的太陽能硅片，包括本體，上平面和下平面組成，由上平面、下平面組成的方形薄片，方形薄片四角為倒角。本實(shí)用新型的有益效果加工工藝簡單，精度高，切削余料可回收再利用，降低了產(chǎn)品的制造成本，產(chǎn)品合格率高。
文檔編號(hào)B28D5/00GK202167499SQ20112028832
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者陳一鳴 申請(qǐng)人:溫州索樂新能源科技有限公司