專利名稱：磁記錄介質(zhì)及磁記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可進(jìn)行大容量的信息記錄的磁記錄介質(zhì)、特別是適于高密度記錄的圖案化介質(zhì)、磁記錄介質(zhì)及使用其的磁記錄裝置。
背景技術(shù)：
近年來，不僅個人計(jì)算機(jī)，家庭用的電氣化產(chǎn)品中也搭載小型而大容量的磁盤裝置等，磁記錄裝置的大容量化的要求強(qiáng)烈，要求提高記錄密度。為了應(yīng)對這種情況，正在努力開發(fā)磁頭及磁記錄介質(zhì)等。原本一直在謀求提高面記錄密度，但目前開始要求縮減尺寸或記錄密度遠(yuǎn)超過以往的飛躍性的提高。因此，提出了用槽或非磁性體分離鄰接的記錄磁道來抑制磁道間的磁性干涉的分離磁道介質(zhì)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)以及用槽或非磁性體分離鄰接的記錄位來抑制位間的磁性干涉的圖案化介質(zhì)(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。在磁記錄介質(zhì)中，為了確保磁頭的上浮穩(wěn)定性，重視表面的平坦性。在面記錄密度高、記錄磁疇小的分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)的情況下，表面的平坦性特別重要，因此用非磁性體填充磁性體區(qū)域間的槽。進(jìn)而，與現(xiàn)有的記錄介質(zhì)同樣，即使在分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)中，為了保護(hù)記錄層及吸附潤滑劑，一般是在記錄層之上形成碳系材料的保護(hù)膜。碳系材料中，由于類金剛石碳(以下稱作DLC)是無定形的，表面平滑性優(yōu)異，耐久性、耐腐蝕性也優(yōu)異，所以常常被利用(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。另一方面，在分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)的可靠性的改善方面，由利用干蝕刻等對磁性膜進(jìn)行凹凸加工時的損傷引起的腐蝕及起因于記錄層的磁性區(qū)域或非磁性區(qū)域的極微小的間隙或缺陷的腐蝕的問題很明顯。列舉現(xiàn)有的耐腐蝕性改善技術(shù)的例子時，對于垂直磁記錄介質(zhì)，提出了關(guān)于腐蝕成為很大問題的軟磁性基底層，通過選擇作為其上層的種子層(seed layer)的材料或結(jié)構(gòu)的組合，使耐腐蝕性改善(例如專利文獻(xiàn)4)。進(jìn)而，對于分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)，也提出了通過在記錄層和保護(hù)膜之間形成導(dǎo)電膜而抑制磁性體區(qū)域的腐蝕(例如專利文獻(xiàn)5)。[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]日本特開平7-邪406號公報(圖1)[專利文獻(xiàn)2]日本特許第3觀6291號公報(段落編號W025])[專利文獻(xiàn)3]日本特開2006-120222號公報(段落編號W025])[專利文獻(xiàn)4]日本特開2007-184019號公報(圖1)[專利文獻(xiàn)5]日本特開2006-228282號公報(段落編號
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發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題然而，為了抑制磁性體區(qū)域的腐蝕而在其上層形成保護(hù)膜時，磁頭和磁記錄介質(zhì)的磁性距離增加，磁記錄特性變差。另一方面，為了改善磁特性而促進(jìn)保護(hù)膜的薄膜化時，難以獲得從耐腐蝕性的觀點(diǎn)考慮滿足產(chǎn)品性能的結(jié)果。即，判明在現(xiàn)有公知的磁記錄層的磁性體區(qū)域的防腐蝕技術(shù)中，存在不能兼顧高磁記錄特性和耐腐蝕性這樣的問題。本發(fā)明的第一目的在于，實(shí)現(xiàn)磁記錄特性和耐腐蝕性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)、特別是分離磁道介質(zhì)及圖案化介質(zhì)。本發(fā)明的第二目的在于，提供充分發(fā)揮該分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)的性能的磁
記錄裝置。用于解決課題的手段為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，使涂布在保護(hù)膜上的潤滑層具有耐腐蝕性是很重要的。對此，大致區(qū)分有以下兩種方法。(1)關(guān)于分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)，在涂布在保護(hù)膜上的潤滑層中使?jié)櫥瑒┖蛯︹捇蜮捄辖鹁哂幸种聘g作用的化合物共存。(2)涂布用對鈷或鈷合金具有抑制腐蝕作用的官能團(tuán)修飾表現(xiàn)出潤滑特性的化合物的至少一個末端而成的潤滑劑。上述磁記錄介質(zhì)的記錄層中腐蝕問題嚴(yán)重的是磁性體區(qū)域使用的Co系合金。Co 系合金不僅耐腐蝕性不優(yōu)異，而且由于在水溶液環(huán)境中帶有非常低的電位，與鄰近的金屬之間發(fā)生電偶腐蝕(不同種類金屬間腐蝕)。在顆粒型磁記錄層的情況下，為了促進(jìn)氧化物向記錄層的晶界偏析，在記錄層的底層形成Ru或Ru合金。在作為記錄層的加工部的凹部， 因加工損傷而露出Ru或Ru合金層與記錄層的接觸部的情況下，由于Ru或Ru合金是貴金屬，因此電位非常高，所以記錄層的Co合金發(fā)生電偶腐蝕，比單質(zhì)的腐蝕更迅速。另外，對分離磁道介質(zhì)或圖案化介質(zhì)而言，由于利用干蝕刻等對磁性膜進(jìn)行凹凸加工時受到損傷， 因此磁性體區(qū)域的腐蝕加速這樣的問題更明顯。在這一方面，發(fā)現(xiàn)要抑制加工部中的作為記錄層的磁性體區(qū)域的腐蝕，通過在加工部中的記錄層的磁性體區(qū)域?qū)︹捇蜮捄辖鸪尸F(xiàn)抑制腐蝕作用的有機(jī)物設(shè)置于涂布在潤滑保護(hù)膜上的潤滑層中，可以防止因不同種類金屬接觸引起的腐蝕或因加工損傷引起的腐蝕。這種情況下，選定的有機(jī)物的特性很重要。作為從腐蝕的觀點(diǎn)考慮所要求的設(shè)于加工部中的記錄層的磁性體區(qū)域的有機(jī)物的性質(zhì)，可舉出(i)對Co或Co合金呈現(xiàn)抑制腐蝕作用；(ii)缺陷盡量少、可構(gòu)成平滑而致密的膜；(iii)具有不因磁頭和磁記錄材料的磁性距離增加而引起磁記錄特性變差的結(jié)構(gòu)。另外，并非有機(jī)物層本身的性質(zhì)，但可獲得不對磁性層產(chǎn)生影響的效果。另外，作為腐蝕環(huán)境，基本上為水系，但存在因潤滑劑的分解引起的酸化或堿化、氯化物的混入等因素，要求在寬泛的PH環(huán)境下的耐腐蝕性。特別是腐蝕成為問題的地方是記錄層的磁性體層和非磁性體層的交界部，一般認(rèn)為該部分形成間隙，因此作為在該部分發(fā)生腐蝕的環(huán)境，為酸性。從這方面考慮，特別要求在酸性區(qū)域中的耐腐蝕性。關(guān)于上述項(xiàng)目(i)，進(jìn)行各種研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，苯并三唑(BTA)代表的具有雜環(huán)的有機(jī)化合物層可以抑制Co或Co合金的腐蝕。關(guān)于苯并三唑代表的具有雜環(huán)的有機(jī)化合物層，認(rèn)為由于雜環(huán)中的雜原子和記錄層中的Co牢固地鍵合，同時雜環(huán)之間形成網(wǎng)絡(luò)，因此耐腐蝕性得以改善。
關(guān)于(ii)，具有雜環(huán)的化合物層、例如苯并三唑的情況，在Co或Co合金材料的表面，必定自然地形成原子級的薄薄的氧化Co覆膜，但由于BTA分子與該氧化Co形成牢固的配位鍵，同時BTA分子之間也形成共價鍵，在Co或Co合金的表面形成牢固的BTA高分子膜， 因此形成極其致密的沒有缺陷而且密合性優(yōu)異的覆膜。關(guān)于(iii)，是將涂布的潤滑層的厚度控制在數(shù)nm。由于BTA以分子級排列，所以不會引起因磁記錄介質(zhì)的磁性距離增加引起的磁記錄特性的變差，可抑制腐蝕。由以上可知，可以通過使涂布在保護(hù)膜上的潤滑層具有耐腐蝕性的功能來改善耐腐蝕性。S卩，本發(fā)明提供在非磁性基板上配置磁記錄層、保護(hù)層及潤滑層而成的磁記錄介質(zhì)，其包括所述潤滑層包含具有雜環(huán)的化合物的所述磁記錄介質(zhì)。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，通過在涂布于磁記錄層上的保護(hù)膜上的潤滑層中導(dǎo)入對鈷或鈷合金呈現(xiàn)抑制腐蝕作用的有機(jī)物，可以實(shí)現(xiàn)耐腐蝕性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。


圖1示意性地表示磁記錄介質(zhì)的剖面結(jié)構(gòu)。圖2表示磁記錄介質(zhì)的制造方法。圖3表示從上方看到的磁記錄裝置的概略圖。圖4表示磁記錄裝置的剖面圖。符號說明1...磁記錄介質(zhì)、11...基板、12...密合層、13...軟磁性基底層、14...種子層、15...中間層、16...記錄層、17...磁性體區(qū)域、18...填充材料區(qū)域、19...潤滑層、 20...保護(hù)膜C、21...抗蝕劑、22...印模、30...圖案化介質(zhì)、31...磁頭、32...記錄再生
信號處理裝置、33...驅(qū)動裝置、34...驅(qū)動部
具體實(shí)施例方式以下，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明涉及在非磁性基板上配置磁記錄層、保護(hù)層及潤滑層而成的磁記錄介質(zhì)， 其中，所述潤滑層包含具有雜環(huán)的化合物。所謂“雜環(huán)”，是包含雜原子的環(huán)系。作為雜原子，可以舉出氮原子、硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、磷原子、硼原子等。可以優(yōu)選舉出氮原子、硫原子及氧原子。對作為雜環(huán)的成環(huán)原子所包含的雜原子數(shù)沒有特別限定，但包含2個以上雜原子的雜環(huán)表現(xiàn)出很強(qiáng)的防腐蝕作用，因此優(yōu)選。對雜環(huán)的成環(huán)原子數(shù)沒有特別限定，優(yōu)選為 3 14，特別優(yōu)選為5 10。本發(fā)明中的“雜環(huán)”包含芳香族雜環(huán)及脂環(huán)式雜環(huán)中的任一種。另外，雜環(huán)和烴環(huán)的稠環(huán)也包含在本發(fā)明的雜環(huán)中。進(jìn)而，烴環(huán)包含芳香族烴環(huán)及脂環(huán)式烴環(huán)中的任一種。作為雜環(huán)，可舉出例如吡咯、咪唑、吡唑、三唑、四唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、呋喃、喊唑、異喊唑、噻吩、噻唑、噻二唑、哌啶、哌嗪、嗎啉、四氫呋喃、內(nèi)酰胺、內(nèi)酯、苯并呋喃、異苯并呋喃、吲哚、異吲哚、苯并噻吩、嘌呤、苯并喊唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、羥基
5喹啉、吖啶、喹唑啉、噌啉、苯并咪唑、苯并三唑、香豆素、蝶啶等，但并不限定于這些雜環(huán)?？梢詢?yōu)選使用芳香族雜環(huán)，具體而言，可以使用咪唑、三唑、四唑、噻二唑、苯并噻唑及苯并三唑?！半s環(huán)”既可以被取代基取代，也可以不取代。作為取代基，沒有特別限定，可以舉出烷基(例如C1-C6烷基)、硝基、羧基、磺基、氨基、巰基、羥基、芳基(例如苯基)等。本發(fā)明中的“具有雜環(huán)的化合物”包含由無取代或被取代基取代的雜環(huán)形成的化合物(以下稱作“雜環(huán)化合物”)(例如苯并三唑、四唑、烷基取代苯并三唑等)。進(jìn)而，作為“具有雜環(huán)的化合物”，還可以舉出在潤滑劑殘基的末端具有雜環(huán)的化合物。在此，所謂“潤滑劑殘基”，是指潤滑劑化合物和雜環(huán)化合物鍵合所得的化合物中的潤滑劑化合物部分。作為本發(fā)明中的潤滑劑化合物，沒有特別限定，可以使用在本發(fā)明所屬的領(lǐng)域中通常使用的各種化合物?？膳e出例如烴系潤滑劑、全氟聚醚系潤滑劑、F0MBLIN系潤滑劑等?？梢詢?yōu)選使用全氟聚醚系潤滑劑。作為全氟聚醚，可以舉出例如全氟甲醛聚合物、全氟環(huán)氧乙烷聚合物、全氟正環(huán)氧丙烷聚合物、全氟異環(huán)氧丙烷聚合物、這些聚合物的共聚物等。全氟聚醚的分子量沒有特別限定，優(yōu)選為1000 4000。例如可以舉出下式表示的全氟聚醚系潤滑劑。RCOOC-CF2- (OC2F4) p- (OCF2) ,-OCF2-COOH(式 1)HOOC-CF2- (OC2F4) p- (OCF2) ,-OCF2-COOH(式 2)
HO-CH2-CF2- (OC2F4) p- (OCF2) q-0CF2-CH2-C00H (式 3)
F-(C2F3CF2O)nCF2-CF2-COOH(式 4) CF3[式中，R為烷基，P、q及η相互獨(dú)立地為0或正整數(shù)，優(yōu)選為分子量成為1000 4000的整數(shù)]雜環(huán)優(yōu)選鍵合在潤滑劑殘基的末端。例如優(yōu)選使用下式X-(L1)1-Cf-(L2)m-YF-Cf-(L3)n-Het[式中，X及Y相互獨(dú)立地為雜環(huán)、(C1-C6)烷基、氟、羧基、羥基或氫，但X及Y中的至少一個為雜環(huán)，LpL2及L3相互獨(dú)立地為二官能性官能團(tuán)，例如為(C1-C6)亞烷基、(C1-C6) 亞烷基氧基(C1-C6)，l、m及η相互獨(dú)立地為0或1]表示的這樣的含雜環(huán)的全氟聚醚系潤滑劑。更具體而言，優(yōu)選使用下式Het-CH2OCH2-CF2O (CF2CF2O) m (CF2O) nCF2_CH20CH2-Het (式 5)F-(CF2CF2O)nCF2CF2-CH2OCH2-Het(式 6)[式中，Het為雜環(huán)，m及η相互獨(dú)立地為0或正整數(shù)，優(yōu)選為全氟聚醚的主鏈部分的分子量成為1000 4000的整數(shù)]表示的這樣的含雜環(huán)的全氟聚醚系潤滑劑。當(dāng)潤滑劑殘基和雜環(huán)沒有經(jīng)由雜環(huán)的雜原子而鍵合、即經(jīng)由雜環(huán)的碳原子而鍵合時，可以獲得較高的抑制腐蝕效果。例如優(yōu)選使用下式
權(quán)利要求
1.磁記錄介質(zhì)，其在非磁性基板上配置有磁記錄層、保護(hù)層及潤滑層，其中，所述潤滑層包含具有雜環(huán)的化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，潤滑層包含具有雜環(huán)的化合物和潤滑劑化合物。
3.如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其中，具有雜環(huán)的化合物為雜環(huán)化合物。
4.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，潤滑層包含在潤滑劑殘基的末端具有雜環(huán)的化合物作為具有雜環(huán)的化合物。
5.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，潤滑層包含具有雜環(huán)的化合物和在潤滑劑殘基的末端具有雜環(huán)的化合物。
6.如權(quán)利要求5所述的磁記錄介質(zhì)，其中，具有雜環(huán)的化合物為雜環(huán)化合物。
7.如權(quán)利要求4 6中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其中，潤滑劑殘基的末端和雜環(huán)經(jīng)由雜環(huán)的碳原子而鍵合。
8.如權(quán)利要求4 7中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其中，潤滑劑殘基具有全氟聚醚基。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其中，雜環(huán)具有至少2個雜原子作為成環(huán)原子。
10.如權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其中，雜環(huán)未被取代或者被選自由烷基、硝基、羧基、磺基、氨基、巰基、羥基及芳基構(gòu)成的組中的取代基取代。
11.在末端具有雜環(huán)的全氟聚醚衍生物。
12.如權(quán)利要求11所述的全氟聚醚衍生物，其中，末端和雜環(huán)經(jīng)由雜環(huán)的碳原子而鍵
13.用作潤滑劑及腐蝕抑制劑的組合物，其包含權(quán)利要求11或12所述的全氟聚醚衍生物。
14.磁記錄裝置，其具有以下部件權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)； 沿記錄方向驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部； 具備記錄部及再生部的磁頭；使所述磁頭相對于所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行相對運(yùn)動的裝置；以及對于所述磁頭的輸入信號及輸出信號進(jìn)行波形處理的信號處理裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供耐腐蝕性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)，其在非磁性基板上配置有磁記錄層、保護(hù)層及潤滑層，其中，所述潤滑層包含具有雜環(huán)的化合物。
文檔編號C03C21/00GK102314890SQ20111018943
公開日2012年1月11日 申請日期2011年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月9日
發(fā)明者天羽美奈, 本棒享子, 馬渕勝美 申請人:株式會社日立制作所