專利名稱:用于玻璃模制用模口及工具加工的TiAlN涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是針對在玻璃模制過程中使用的一種系統(tǒng),并且更具體地是針對在玻璃模制過程中使用的一種包括氮化鈦鋁(TiAlN)涂層的系統(tǒng)。
背景技術(shù):
精密玻璃模制廣闊地用于由玻璃來制造用于多種應(yīng)用(包括例如照相機(jī)、顯微鏡、以及準(zhǔn)直儀)中的光學(xué)透鏡。在制造玻璃的過程中常使用兩種方法來生產(chǎn)透鏡。一種方法包括由玻璃而精密研磨一種透鏡,而另一種方法包括制備一種用于模制玻璃透鏡的高精度模具。由于相關(guān)聯(lián)的時間以及成本節(jié)省,第二種方法被廣泛地用于高體積的透鏡。在這種方法中,由于低反應(yīng)性的玻璃連同低的模制溫度(即小于600°C ),所使用的典型的模具材料是WC-Co。在一些實(shí)例中,該模具材料可以包括或可以不包括一個涂層,如一個類金剛石碳(DLC)涂層。然而,透鏡生產(chǎn)商正轉(zhuǎn)向包含反應(yīng)性元素(如氟、鉀、鈉、鋁、磷、鍺)的玻璃組合物并且因此要求在更高的模制溫下進(jìn)行加工。這樣做的過程中,他們已發(fā)現(xiàn)目前的WC-Co模具材料和/或其上的涂層在更高的溫度條件下并不表現(xiàn)得令人滿意,這是由于該模具材料和/或涂層在高溫下是不穩(wěn)定的和/或由于該模具材料和/或涂層與玻璃發(fā)生了反應(yīng)。典型地,硅酸鹽和非硅酸鹽玻璃由于它們的寬范圍的光學(xué)特性(這進(jìn)而有助于創(chuàng)造用于各種各樣應(yīng)用的透鏡)已經(jīng)得到使用。然而,這些玻璃中的一些具有較高的軟化溫度和/或呈現(xiàn)出較高的反應(yīng)性。因此,盡管目前使用基于WC-Co模具和/或涂層的精密玻璃模制方法對于在較低軟化溫度下和/或用較小反應(yīng)性的玻璃進(jìn)行模制可能是成功的,但是這些材料在高于600°C的溫度下并且關(guān)于更大反應(yīng)性的玻璃仍然會失效。此外,已經(jīng)考慮了多種涂層,如TiN、Ti-B-C-N、Ni-Al-N、Mo_M (其中M是Re、Hf、 Tc或Os)以及Pt-Ir。然而,對這些涂層中的一些的測試已經(jīng)顯示它們不能在高于600°C的溫度下處理反應(yīng)性玻璃。此外,基于Pt或貴族金屬的涂層是高不可及的昂貴。除了該涂層對反應(yīng)性玻璃呈現(xiàn)出惰性之外,同樣重要的是該涂層不使模具的輪廓精度改變大于一個關(guān)鍵量,同時還保持必要的表面光潔度。該輪廓精度是指形成的模具在該模具上的任何一點(diǎn)處與公式確定的幾何表面的偏差。典型地,所允許的輪廓精度偏差小于0.5 μ m。此外,一個涂覆的模具的表面光潔度典型地小于5nm。如果輪廓精度或者表面光潔度偏離了這些可接受的范圍,那么這些透鏡的光學(xué)性能可能受損。用來實(shí)現(xiàn)所希望的輪廓精度和表面光潔度的一種方式是將涂層限制在某個厚度并且使用例如一個薄的涂層。然而,關(guān)于薄涂層的一個問題(尤其是在較高溫度下)是基底中的粘合劑和其他物種穿過該涂層的顯著擴(kuò)散。這些擴(kuò)散的物種進(jìn)而與玻璃發(fā)生反應(yīng)并且導(dǎo)致模具的失效。可替代地,可以將一個更厚的涂層沉積在基底上以避免此類問題。然而,更厚的涂層經(jīng)常要求涂覆后的操作,例如拋光,以便實(shí)現(xiàn)所要求的輪廓和/或表面光潔度。然而,此類涂覆后操作對模具增加附加成本并且增加了這些模具的生產(chǎn)時間。因此,對于用于精密玻璃模制操作的、在高的模制溫度下為化學(xué)上惰性的一種有成本效益的材料系統(tǒng)存在著一種需要。
發(fā)明內(nèi)容
一種涂層組合物包括TiAlxNy,其中χ是約0. 7-1. 5,如0. 8-1. 2,并且y是約 2. 0-3. 0,如2. 2-3. 0,并且如2. 2-2. 7。在多個實(shí)施方案中,一個基底涂覆有一種TiAlxNy組合物,其中χ是約0. 7-1. 5,如0. 8-1. 2,并且y是約2. 0-3. 0,如2. 2-3. 0,并且如2. 2-2. 7。 該基底可以具有小于約1. 0 μ m的涂層厚度。其他實(shí)施方案是針對用于精密玻璃模制的一種系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括一個基底以及在其至少一部分上的一個涂層。這個涂層包括TiAlxNy,其中χ是約0.7-1. 5,如0.8-1. 2 ;并且y是約2. 0-3.0,如2. 2-2. 7。該基底可以包括小于該基底總重量1. 2%的次要組分。這些次要組分可以包括例如鈷、鉻、或鎳中的至少一種。該基底可以包括具有小于1.2wt. % 次要組分的碳化一鎢(monotungsten carbide) 0該涂層厚度可以小于約1. 0 μ m,例如是約 0.5μπι。該涂覆的基底的表面粗糙度(RMS)可以大于是小于約5nm。該涂覆的基底可以具有小于約0. 5 μ m的輪廓精度。該系統(tǒng)還可以包括在該基底與該涂層之間的一個中間層。該中間層可以包括具有小于約1. 2wt. %次要組分的碳化鎢、鎢、或者它們的一種組合。其他實(shí)施方案是針對涂覆一個基底的一種方法。該基底可以包括小于1. 2wt. % 的次要組分并且該涂層可以包括TiAlxNy,其中χ是約0. 7-1. 5,如0. 8-1. 2 ;并且y是約 2.0-3.0,如2. 2-2. 7。該涂層厚度可以小于約1. 0 μ m,例如是約0. 5 μ m。該方法可以進(jìn)一步包括對該涂覆的基底進(jìn)行表面處理。該方法可以進(jìn)一步包括在涂覆該基底之前施加一個中間層。該中間層可以包括碳化鎢、鎢、或者它們的一個組合。本發(fā)明的這些以及其他方面將在下面的說明中變得更清楚。
圖IA和IB是具有一個DLC涂層的基底分別在熱處理之前和熱處理之后的顯微照片。圖2A和2B是具有一個TiN涂層的基底分別在熱處理之前和熱處理之后的顯微照片。圖3A和;3B是具有一個根據(jù)本發(fā)明的TiAlN涂層的基底分別在熱處理之前和熱處理之后的顯微照片。圖4是與玻璃組合物A相接觸的、涂覆有一個根據(jù)本發(fā)明的涂層的基底顯微照片。圖5是與玻璃組合物B相接觸的、涂覆有一個根據(jù)本發(fā)明的涂層的基底顯微照片。圖6A和6B是與玻璃組合物B的玻璃相接觸的、涂覆有Ti16Al27N57的基底分別在暴露于高溫之前和之后的顯微照片。圖7A和7B是與玻璃組合物B的玻璃相接觸的、涂覆有DLC的基底分別在暴露于高溫之前和之后的顯微照片。圖8A和8B是與玻璃組合物B的玻璃相接觸的、涂覆有TiN的基底分別在暴露于高溫之前和之后的顯微照片。
具體實(shí)施方式
在描述本發(fā)明的材料、方法、以及系統(tǒng)之前,應(yīng)當(dāng)理解本披露不受限于所描述的具體方法以及材料,因?yàn)檫@些可以改變。還應(yīng)該理解本說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述這些特定的形式或?qū)嵤┓桨傅哪康?、而不是旨在限制該范圍。例如,除非上下文明確地另有說明,如在此和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式“一個”、“一種”和“該”包括復(fù)數(shù)的指代物。例如,盡管在此提及的是“一個”模具、“一個”涂層、“一種”玻璃等等,但是可以使用這些或任何其他部件中的一個或多個。此外,如在此使用的詞語“包括”旨在表示“包含但不限于”。除非另外限定,在此使用的所有技術(shù)的或科學(xué)的術(shù)語具有與本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。本發(fā)明總體上是針對在精密玻璃模制過程中使用的化學(xué)上惰性的材料系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括一個基底以及一個涂層。在多個實(shí)施方案中,該系統(tǒng)可以包括在該基底與該涂層之間的一個中間層。該基底可以是任何模具、毛坯、半光制的或光制(finished)的物品。在多個實(shí)施方案,該基底是模具或???。該系統(tǒng)的適當(dāng)基底包括高純度的材料。在多個實(shí)施方案中,該高純度基底材料具有小于該基底總重約1. 2wt. %的次要組分,如小于約1. Owt. %的次要組分。次要組分可以包括例如鎳、釩、鉻、鈦、鈷等,連同雜質(zhì)如鐵、鈣、鉀等。用于基底的合適材料可以包括碳化鎢、鎢等等。例如,該基底可以是具有不大于約 1. 2wt. %次要組分的一種碳化鎢材料。在其他多個實(shí)施方案中,一種碳化鎢基底可以具有小于約0. 45wt. %的鈷,例如小于約0. 4wt. %的鈷。然而,在其他多個實(shí)施方案中,一種碳化鎢基底可以具有小于約1. Owt. %的鉻,例如小于約0. 95wt. %的鉻。在多個實(shí)施方案中,該基底可以是具有等于或接近化學(xué)計量學(xué)的碳、低的粘合劑含量、低的雜質(zhì)含量、以及小于約0. 5微米的均一標(biāo)稱晶粒大小的一種碳化鎢基底。在一個實(shí)施方案中,該基底是具有約6. 06wt. % -6. 13wt. %的碳、約0. 20wt. % -0. 55wt. %的晶粒生長抑制劑、小于約0. 25wt. %的粘合劑、小于約0. 6wt. %的雜質(zhì)、并且余量是鎢的一種碳化鎢材料。該碳化鎢基底可以具有小于約0.5微米(如約0. 25至0.4微米)的標(biāo)稱晶粒大小。該粘合劑成分可以是從約0. Iwt. %至0. 15wt. %的鈷。碳含量可以是從約6. 09wt. % 至6. IOwt. %。該碳化鎢基底可以主要由碳化一鎢構(gòu)成。該晶粒生長抑制劑可以是碳化釩、碳化鉻、碳化鈮、或者它們的一種組合。該碳化鎢基底可以具有的密度為至少98%的理論密度以及小于2%的空隙體積。適當(dāng)?shù)母呒兌忍蓟u材料包括在2009年11月10日提交的名禾爾為"Inert High Hardness Material for Tool Lens Production in Imaging Applications”的美國專利申請?zhí)?2/615,885的段落
至
中說明的那些,將該申請的這些部分通過引用結(jié)合在此。該基底可以是光制的或者半光制的,并且基底的表面粗糙度和輪廓精度可以被控制。在多個實(shí)施方案中,該基底可以具有小于約IOnm(如小于約5nm)的表面粗糙度(如通過算術(shù)平均值或者均方根值所測量的)。此外,該基底的輪廓精度可以小于約0. 5 μ m,如小于0.3 μ m。輪廓精度是通過如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解的接觸型輪廓儀測量的。該系統(tǒng)進(jìn)一步包括一個涂層。該系統(tǒng)的涂層包括一個氮化鈦鋁涂層。這個涂層的化學(xué)計量學(xué)是TiAlxNy,其中χ是約0. 7-1. 5并且y是約2. 0-3. 0。在其他多個實(shí)施方案中, 該涂層可以是TiAltl.8_L 2N2.2_3.0,例如TiAltl.8_L 2N2.2_2.7。在多個實(shí)施方案中,該系統(tǒng)可以包括多于一個的涂覆層。不受一種理論束縛,理論上是額外的氮通過鈍化該表面來對抗所獲取的氧而進(jìn)行穩(wěn)定化。該涂層可以被施加在該基底的至少一部分上。在多個實(shí)施方案中,該涂層可以被施加在和/或覆蓋在該基底的整個表面區(qū)域。可以將該涂層施加在基底上使得以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員了解的多種方式來實(shí)現(xiàn)一個致密的無缺陷的涂層。將該涂層涂敷到基底上的適當(dāng)方法包括但不限于過濾式電弧、磁控濺射、等離子體增強(qiáng)的CVD、離子電鍍等、連同陰極電弧沉積。基底上的涂層的厚度可以是小于約1. 0 μ m,如小于約0.7 μ m,并且諸如小于約 0. 5μπ 。該涂層被施加為使得實(shí)質(zhì)性地維持了未涂覆的模具的這些表面條件和輪廓精度。在多個實(shí)施方案中,該涂覆的基底的輪廓精度可以小于約0.5 μ m,如小于 0.3 μ m(例如使用一個接觸型輪廓儀測得的)。處于沉積態(tài)的該涂層的表面粗糙度(如通過算術(shù)平均值或者均方根值來測量的)可以小于約5nm,如小于約3nm。諸位發(fā)明人已經(jīng)出乎意料地發(fā)現(xiàn)如在此說明的一個亞微米的薄TiAlN涂層可以用于高溫玻璃模制應(yīng)用、并且在多個實(shí)施方案中可以消除涂覆后的加工步驟。這種行為通過使用一個高純度基底和/或一種涂層化學(xué)計量學(xué)和/或如在此說明的厚度得以實(shí)現(xiàn)。不受一種特定的理論限制,諸位發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基底中的次要組分(如鈷和其他物種)的擴(kuò)散受到在此說明的涂層(甚至是在高溫下)的使用所限制。因此,諸位發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn),在一個高純度基底上包括如在此說明的一個薄的氮化鈦鋁涂層的系統(tǒng)證明了意外的并且優(yōu)越的特性,包括例如對于在高溫下和/或使用反應(yīng)性玻璃的玻璃模制應(yīng)用而言的惰性。在其他的實(shí)施方案中,該系統(tǒng)可以包括一個基底和至少一個中間層以及一個涂層。該中間層可以與在此說明的基底材料或者任何其他適當(dāng)?shù)幕撞牧喜⑶遗c在此說明的涂層一起使用。該至少一個中間層可以是一個擴(kuò)散阻擋層并且位于基底與涂層之間。適當(dāng)?shù)闹虚g層包括高純度材料,如具有不大于1. 2wt. %次要成分的碳化鎢、鎢、或者它們的一種組合。在其他多個實(shí)施方案中,本發(fā)明是針對制造一種用于精密玻璃模制的模具的一種方法。該模具可以在高溫下和/或與反應(yīng)性玻璃一起使用。該方法可以包括制備和/或制造一個基底。該基底可以按如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員了解的任何方式來制造以便實(shí)現(xiàn)一種致密的和/或無缺陷的基底。在多個實(shí)施方案中,該基底可以具有的密度為至少98%的理論密度以及小于2%的空隙體積。該基底可以是一種高純度碳化鎢基底,其中次要組分和雜質(zhì)的總量大約小于1.2wt. %。這些次要組分可以包括鈷、鎳、釩、鉻、鈦等等,連同雜質(zhì)如鐵、 鈣和鉀。在一個實(shí)施方案中,該基底可以主要由碳化一鎢構(gòu)成。在生產(chǎn)該基底之后,該方法可以包括一個光制步驟。例如,該基底可以通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員了解的任何方法來進(jìn)行光制。該基底的表面光潔度或粗糙度可以是小于約5nm。該基底的輪廓精度偏差是小于約0.3 μ m。在其他的實(shí)施方案中,該方法可以包括另外的多個加工步驟,諸如用于去除研磨紋理和/或促進(jìn)涂層粘附性的一種表面處理。然后該方法可以包括將一個涂層施加在該基底上。該涂層可以具有 TiAl0^-L5N2.0-3.0的構(gòu)成,如TiAltl^5Nmf該涂層的厚度可以是約小于l.Oym,如小于 0. 7 μ m,并且如小于0. 5 μ m。該涂層被施加為使得該沉積態(tài)的涂覆的基底表面保持和/或具有與未涂覆基底的基本上相同的表面光潔度以及輪廓精度。在多個實(shí)施方案中,該涂覆的基底具有小于約5nm的表面粗糙度。該涂層可以通過如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解的任何方法沉積在該基底上。適當(dāng)?shù)姆椒òㄟ^濾式電弧或磁控濺射PVD技術(shù)連同等離子體增強(qiáng)的CVD、離子電鍍及類似方式、以及陰極電弧沉積中的任何變體。在其他多個實(shí)施方案中,該方法可以包括制備一個基底、施加一個中間層并且將一個涂層施加在該中間層上。該基底可以是任何材料。例如,該基底可以具有小于1. 2wt. % 的次要組分含量。該中間層可以是一個擴(kuò)散阻擋層。適當(dāng)?shù)闹虚g層包括在此說明的高純度碳化鎢、鎢、或者它們的一種組合。該高純度碳化鎢中間層可以具有小于1. 2wt. %的次要組分含量。該涂層可以具有TiAlaH5N2^的構(gòu)成,如TiAlci^2N2H7t5在多個實(shí)施方案中, 可以施加多個中間層和/或多個涂覆層。該方法可以任選地包括在制備基底之后、施加該中間層之后、和/或在施加該涂層之后的多個表面光制步驟。表面光制步驟包括例如表面處理。該涂覆的基底優(yōu)選地具有與未涂覆的基底的表面粗糙度基本上類似的表面粗糙度。以下這些實(shí)例旨在闡釋本發(fā)明并且不應(yīng)解釋為以任何方式限制本發(fā)明。實(shí)施例第一個試驗(yàn)檢驗(yàn)了在670°C的模制環(huán)境下(流動的氮?dú)?沒有玻璃存在時本發(fā)明的涂層與常規(guī)的涂層(DCL以及TiN)相比的穩(wěn)定性。所使用的基底是一種具有小于 0. 5wt. %的總次要組分(具有小于0. 2wt. %的鈷)的碳化鎢基底。將三個基底涂覆上三個不同的涂層,并且然后測試穩(wěn)定性。第一基底涂覆有DLC(類金剛石碳),第二基底涂覆有 TiN(Ti50N50),并且第三基底涂覆有具有化學(xué)計量學(xué)Ti22Al22N55的本發(fā)明的涂層。這些對比涂料DLC和TiN是從商販那獲得的。然后對這些已涂覆的基底測試高溫度下的穩(wěn)定性。對這些樣品單獨(dú)地在一個帶有流動的超高純氮?dú)?UHP N2)的管式爐(模擬了模制玻璃的條件)中進(jìn)行測試。將各個樣品引入該爐的熱區(qū)并且在約670°C的溫度下保持4分鐘并且然后冷卻下來。圖1、圖2以及圖3分別是碳化鎢基底上的DLC、TiN、以及本發(fā)明的TiAlN涂層在 670°C下的熱處理之前和之后的SEM顯微照片。圖IA示出了在熱處理之前的涂覆態(tài)的DLC 碳化鎢基底并且圖IB示出了在熱處理之后的相同材料。如圖IA中所示的熱處理之前DLC 涂覆的碳化物材料的測得的表面粗糙度(冊幻是2 士 Inm并且在如IB中所示的熱處理之后的是大于200 nm。處理之前與之后表面粗糙度的急劇變化清楚地展示了該涂層的廣泛降解以及因此DLC涂層在高溫下的不穩(wěn)定性。圖2A展示了在熱處理之前涂覆態(tài)的TiN涂覆的碳化鎢基底并且圖2B示出了在熱處理之后的相同材料。如圖2A中所示的TiN涂覆的基底的測得的表面粗糙度(RMS)是 7士 lnm,并且如圖2B中所示的熱處理后的是62士 lnm。該TiN涂覆的基底的表面粗糙度上的差異還證明了該涂層的不穩(wěn)定性,如由該涂層的至少部分的降解所證明的。圖3A展示了在熱處理之前涂覆態(tài)的本發(fā)明的Ti22Al22N55CTiAl1N2J涂覆的碳化鎢基底并且圖3B示出了在熱處理之后的相同材料。如圖3A中所示的TiAlN涂覆的基底的測得的表面粗糙度(RMS)是1 士 lnm,并且如圖中所示在熱處理后的為2 士 lnm,由此證明了本發(fā)明的涂層在高溫下的極小的變化或者反應(yīng)性和/或降解。具體地講,圖3B展示了熱處理之后該涂層的極小的降解(若有的話)。此外,本發(fā)明的涂層證實(shí)了顯著低于DLC和 TiN涂層的反應(yīng)性和/或涂層降解。進(jìn)行了第二個試驗(yàn)來測試具有兩種反應(yīng)性玻璃組合物的本發(fā)明的涂層的惰性。玻璃組合物A是在550°C的最大溫度下模制成的一種非硅酸鹽玻璃,并且玻璃組合物B是在650°C的最大溫度下模制成的一種含氟和鉀的硅酸鹽玻璃。在這兩種反應(yīng)性玻璃組合物中, 玻璃組合物B比玻璃組合物A更具反應(yīng)性,因?yàn)樗哂懈叩能浕c(diǎn)并且因?yàn)榱硗獾脑胤外浀拇嬖凇_@些玻璃的組成是通過能量分散X射線光譜法(EDQ來測定的并且在表1 中列出。表 權(quán)利要求
1.一種包括TiAlxNy的涂層組合物,其中,X是約0. 7-1. 5并且y是約2. 2-3. 0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層組合物,其中,χ是約0.8-1. 2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層組合物,其中,y是約2.2-2. 7。
4.一種涂覆有權(quán)利要求1所述的涂層組合物的基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基底,具有小于約Ι.Ομπι的涂層厚度。
6.一種用于進(jìn)行精密玻璃模制的系統(tǒng),包括一個基底;以及在該基底的至少一部分上的一個涂層,其中該涂層包括TiAlxNy,其中,χ是約0. 7-1.5 并且y是約2. 0-3.0。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,χ是約0.8-1. 2。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,y是約2.2-2. 7。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,該基底具有小于約Ι.Ομπι的涂層厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng),其中,該涂層厚度是約0.5 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,該涂覆的基底的表面粗糙度(RMS)是大約小于約 5nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,該涂覆的基底具有小于約0.5 μ m的輪廓精度。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,該基底包括具有小于1.2%的次要組分的碳化鎢、鎢、或者它們的一種組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng),其中,這些次要組分包括鈷、鉻、或鎳中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,該基底包括具有小于1.2wt.%的次要成分的碳化一鎢。
16.一種方法,包括將一個涂層施加到一個基底上,其中該基底包括具有小于1.2wt. %次要成分的碳化鎢、鎢、或者它們的一種組合,并且其中,該涂層包括TiAlxNy,其中χ是約0. 7-1. 5并且y是約 2. 2-3. 0。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,χ是約0.8-1. 2并且y是約2. 2-2. 7。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,該涂層厚度小于約Ι.Ομπι。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,這些次要組分包括鈷、鉻、或鎳中的至少一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,進(jìn)一步包括在涂覆該基底之前施加一個中間層,其中該中間層包括碳化鎢、鎢、或者它們的一種組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于玻璃模制用模口及工具加工的TiAlN涂層。一種用于進(jìn)行精密玻璃模制的系統(tǒng),包括一個基底和一個涂層。該個基底具有小于1.2wt.%的次要組分。該涂層包括TiAlxNy,其中x是約0.7-1.5并且y是約2.0-3.0。該涂層被涂覆在該基底的至少一部分上。
文檔編號C03B40/00GK102329081SQ20111016699
公開日2012年1月25日 申請日期2011年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者I·斯皮特斯伯格, M·J·沃提, S·布拉曼達(dá)姆 申請人:鈷碳化鎢硬質(zhì)合金公司