專利名稱：一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用微波窯爐微波去除陶瓷(電子、特種陶瓷)坯件內(nèi)蠟質(zhì)及膠質(zhì)物的工藝方法。
背景技術(shù)：
功能陶瓷、特種陶瓷大都采用熱壓鑄成型和射注成型方法，特別是形狀復(fù)雜、薄壁產(chǎn)品。熱壓鑄成型中加入石蠟等，射注成型加入有機(jī)膠及蠟做成型結(jié)合劑，產(chǎn)品在高溫?zé)芍靶鑼⑾?、有機(jī)膠排出(或叫脫蠟、或叫脫膠，以下簡(jiǎn)稱排蠟)，排蠟工藝十分關(guān)健(陶瓷熱壓鑄、射注成型工藝中，配方、模具、排蠟、燒成四個(gè)關(guān)健工藝)。成型好的坯件必需要在高溫?zé)芍靶鑼⑹灪陀袡C(jī)膠排出，也叫第一次低溫?zé)伞鹘y(tǒng)排蠟工藝因使用窯爐為燒煤或燒氣，利用燒煤或燒氣的熱量輻射傳導(dǎo)給產(chǎn)品坯件，輻射傳熱是從外逐步向內(nèi)傳導(dǎo)，這樣產(chǎn)品坯件排蠟時(shí)間長，而且因石蠟在120°C開始揮化，300°C揮化85%，若石蠟未完全揮化，假如溫度過高會(huì)造成石蠟急速揮發(fā)，至使產(chǎn)品坯件起泡、開裂、跑蠟等缺項(xiàng)。傳統(tǒng)排蠟生產(chǎn)工藝產(chǎn)品合格率低，最好合格率只有90 %，有時(shí)不到30%，整窯報(bào)廢也時(shí)有發(fā)生。其次傳統(tǒng)排蠟生產(chǎn)工藝時(shí)間長、能耗高，排蠟在整個(gè)生產(chǎn)過程消耗能源占23.3%。第三，在排蠟消耗能源的同時(shí)，有大量廢氣排放污染環(huán)境。改變傳統(tǒng)排蠟工藝是迫在眉捷之事。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對(duì)陶瓷傳統(tǒng)排蠟生產(chǎn)工藝缺項(xiàng)，改變傳統(tǒng)物體加熱燒成方式，縮減排蠟時(shí)間、提高了功效、節(jié)約能源，提高產(chǎn)品合格率，減少廢氣排放。本發(fā)明的主要技術(shù)方案如下一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于其生產(chǎn)方法如下A 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于容器內(nèi)；B 將容器置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為900-3000兆赫茲(MHz) ；C 將窯爐溫度由室溫加熱到1000°C保溫60分鐘后；D 坯件隨爐冷卻至室溫出窯。所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其優(yōu)選的生產(chǎn)方法如下·Λ 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于匣缽內(nèi)；B 將匣缽置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為915兆赫茲(MHz) ；C 升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間15分鐘、130°C 190°C時(shí)間 2. 5小時(shí)、190°C 280°C時(shí)間1. 5小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1小時(shí)；550°C 830°C時(shí)間1.5 小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間0. 5小時(shí)、860°C 960°C時(shí)間1小時(shí)；到960°C后保溫60分鐘；D 坯件隨爐冷卻至室溫出窯。所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其優(yōu)選的生產(chǎn)方法如下·Λ 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于匣缽內(nèi)；B 將匣缽置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為2450兆赫茲(MHz) ；C 升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間20分鐘、130°C 190°C時(shí)間3小時(shí)、190°C 280°C時(shí)間2小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1. 5小時(shí)；550°C 830°C時(shí)間2小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間0. 5小時(shí)、860°C 1000°C時(shí)間1小時(shí)；到1000°C后保溫60分鐘；D
坯件隨爐冷卻至室溫出窯。所述的一種利用微波窯爐排 蠟、排膠的工藝方法，其優(yōu)選的生產(chǎn)步驟如下·Λ 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于匣缽內(nèi)；B 將匣缽置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為915兆赫茲(MHz) ；C 升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間20分鐘、130°C 190°C時(shí)間 3小時(shí)、190°C 280°C時(shí)間2小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1. 5小時(shí)；D 到550°C后將微波頻率設(shè)定頻率2. 45GHz，窯爐內(nèi)升溫曲線為550°C 830°C時(shí)間2小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間0. 5 小時(shí)、860°C 1000°C時(shí)間1小時(shí)；到1000°C后保溫60分鐘；E 坯件隨爐冷卻至室溫出窯。所述的微波窯爐為間歇式微波窯爐或連續(xù)式微波窯爐。所述的間歇式微波窯爐為梭式微波窯爐、箱式微波窯爐和鐘罩式微波窯爐。所述的連續(xù)式微波窯爐為網(wǎng)帶微波窯爐、 推板微波窯爐和輥道微波窯爐。本發(fā)明采用微波窯爐排蠟，是利用電能轉(zhuǎn)化為微波能，微波可以直接穿透物體與物料直接耦合，高頻振蕩的電磁場(chǎng)使物體內(nèi)部的極性分子相互撞擊及摩擦，將微波能轉(zhuǎn)化為物體自身加熱，物料或坯件為整體(內(nèi)外)同時(shí)加熱，這樣坯件內(nèi)外溫差小，而且可在室溫到石蠟揮化溫度之前區(qū)段可快速升溫，因采用微波能，物體自身加熱，在石蠟揮化溫度之后也可快速升溫，產(chǎn)品坯件排蠟燒成時(shí)間大大縮短，節(jié)約了能源，提高了功效，并且提高產(chǎn)品合格率，還減少了廢氣排放對(duì)環(huán)境的污染。經(jīng)測(cè)算用微波窯爐排蠟縮短排蠟時(shí)間35%，節(jié)能35-45%，提高產(chǎn)品合格率 15-25 %，提高功效50 %，并且還減少了廢氣排放對(duì)環(huán)境的污染。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 將熱壓鑄或射注成型(含蠟、有機(jī)膠)坯件加入吸附粉(β-氧化鋁粉)裝于容器(特制匣缽)內(nèi)，將匣缽置于連間歇式或連續(xù)式微波窯爐內(nèi)，窯爐微波頻率為 900-3000兆赫茲(MHz)，1、設(shè)定微波頻率915MHz，窯爐升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間15分鐘、130°C 190°C時(shí)間2. 5小時(shí)、190°C 280°C時(shí)間1. 5小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1小時(shí)； 550°C 830°C時(shí)間1. 5小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間0. 5小時(shí)、860°C 960°C時(shí)間1小時(shí)；到 960°C后保溫60分鐘；隨爐冷卻至室溫出窯(冷卻時(shí)間約5-6小時(shí))，總時(shí)間約15小時(shí)。實(shí)施例2:將熱壓鑄或射注成型(含蠟、有機(jī)膠)坯件加入吸附粉(β-氧化鋁粉)裝于容器(特制匣缽)內(nèi)，將匣缽置于間歇式或連續(xù)式微波窯爐內(nèi)，窯爐微波頻率為 900-3000兆赫茲(MHz)。1、設(shè)定微波頻率2450MHz，窯爐升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間20 分鐘、130°C 190°C時(shí)間3小時(shí)、190°C 280°C時(shí)間2小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1. 5小時(shí)； 550 "C 830 "C時(shí)間2小時(shí)、830 V 860 V時(shí)間0. 5小時(shí)、860 V 1000 V時(shí)間1小時(shí);到 1000°C后保溫60分鐘；隨爐冷卻至室溫出窯(冷卻時(shí)間約6-8小時(shí))，總時(shí)間約19小時(shí)。實(shí)施例3:將熱壓鑄或射注成型(含蠟、有機(jī)膠)坯件加入吸附粉(β-氧化鋁粉)裝于容器(特制匣缽)內(nèi)，將匣缽置于間歇式或連續(xù)式微波窯爐內(nèi)，窯爐微波頻率為 900-3000兆赫茲(MHz)，1、設(shè)定微波頻率915MHz，窯爐升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間20分鐘、130°C 190°C時(shí)間3小時(shí)、190°C 280°C時(shí)間2小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1. 5小時(shí)；2、到550°C后將微波頻率設(shè)定頻率2450MHz，窯爐升溫曲線為550°C 830°C時(shí)間 2小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間0. 5小時(shí)、860°C 1000°C時(shí)間1小時(shí)；到1000°C后保溫60分鐘；隨爐冷卻至室溫出窯(冷卻時(shí)間約6-8小時(shí))，總時(shí)間約19小時(shí)。 以上實(shí)施例1、實(shí)施例2、實(shí)施例3所排蠟后產(chǎn)品，經(jīng)檢測(cè)產(chǎn)品產(chǎn)品合格率在98%以
上，縮短排 蠟時(shí)間20-35小時(shí)以上，產(chǎn)品無起泡、開裂、跑蠟等缺項(xiàng)，而且不沾吸附粉。
權(quán)利要求
1.一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于其生產(chǎn)方法如下 A 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于匣缽內(nèi)；B:將匣缽置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為900-3000兆赫茲(MHz)； C 將窯爐溫度由室溫加熱到1000°c保溫60分鐘后D 坯件隨爐冷卻至室溫出窯。
2.如權(quán)利要求1所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于其優(yōu)選的生產(chǎn)方法如下A 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于匣缽內(nèi)； B:將匣缽置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為915兆赫茲(MHz)； C 升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間15分鐘、130°C 190°C時(shí)間2. 5小時(shí)、190°C 時(shí)間1. 5小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1小時(shí)；550°C 830°C時(shí)間1. 5小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間0. 5小時(shí)、860°C 960°C時(shí)間1小時(shí)；到960°C后保溫60分鐘；D 坯件隨爐冷卻至室溫出窯。
3.如權(quán)利要求1所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于其優(yōu)選的生產(chǎn)方法如下A 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于匣缽內(nèi)； B 將匣缽置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為M50兆赫茲(MHz)； C 升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間20分鐘、130°C 190°C時(shí)間3小時(shí)、190°C 280°C 時(shí)間2小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1. 5小時(shí)；550°C 830°C時(shí)間2小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間 0. 5小時(shí)、860°C 1000°C時(shí)間1小時(shí)；到1000°C后保溫60分鐘；D 坯件隨爐冷卻至室溫出窯ο
4.如權(quán)利要求1所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于其優(yōu)選的生產(chǎn)方法如下A 將熱壓鑄或射注成型的坯件加入吸附粉裝于匣缽內(nèi)； B:將匣缽置于微波窯爐內(nèi)，設(shè)定窯爐微波頻率為915兆赫茲(MHz)； C 升溫曲線為室溫 130°C時(shí)間20分鐘、130°C 190°C時(shí)間3小時(shí)、190°C 280°C 時(shí)間2小時(shí)、280°C 550°C時(shí)間1. 5小時(shí)；D 到550°C后將微波頻率設(shè)定頻率M50MHz，窯爐內(nèi)升溫曲線為550°C 830°C時(shí)間2 小時(shí)、830°C 860°C時(shí)間0. 5小時(shí)、860°C 1000°C時(shí)間1小時(shí)；到1000°C后保溫60分鐘； E 坯件隨爐冷卻至室溫出窯。
5.如權(quán)利要求1所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于所述的微波窯爐為間歇式微波窯爐或連續(xù)式微波窯爐。
6.如權(quán)利要求5所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于所述的間歇式微波窯爐為梭式微波窯爐、箱式微波窯爐和鐘罩式微波窯爐。
7.如權(quán)利要求5所述的一種利用微波窯爐排蠟、排膠的工藝方法，其特征在于所述的連續(xù)式微波窯爐為網(wǎng)帶式微波窯爐、推板式微波窯爐和輥道式微波窯爐。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用微波窯爐微波去除陶瓷(電子、特種陶瓷)坯件內(nèi)蠟質(zhì)及膠質(zhì)物的工藝方法。按照該發(fā)明方法將陶瓷生產(chǎn)中的熱壓鑄或射注成型(含蠟、有機(jī)膠)的坯件加入吸附粉(β-氧化鋁粉)裝于容器(特制匣缽)內(nèi)，置于微波窯爐內(nèi)加熱，微波窯爐頻率為900-3000兆赫茲(MHz)，工作頻率設(shè)定優(yōu)先采用915MHz和2450MHz，加熱溫度為室溫～1000℃，隨爐冷卻至室溫出窯，時(shí)間為15-19小時(shí)(含保溫、冷卻時(shí)間)。該發(fā)明方法是利用微波窯爐的微波能特有性能，改變物體加熱方式，縮短排蠟時(shí)間35％，達(dá)到提高功效、節(jié)約能源，提高產(chǎn)品合格率，減少廢氣排放對(duì)環(huán)境的污染等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C04B35/638GK102153354SQ20101059578
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者李曉文, 王一華, 王亮 申請(qǐng)人:王一華