專利名稱：用于將晶片從晶片堆分離的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于將晶片從晶片堆分離的方法以及適合于執(zhí)行該方法的設(shè)備，晶片 堆形式上是在對(duì)晶片塊進(jìn)行鋸切后存在的并且是從梁(例如玻璃)釋放的。
背景技術(shù)：
在對(duì)硅晶片塊進(jìn)行鋸切后，有必要將它們從所得到的堆或其他晶片分離而分離成 單獨(dú)的晶片，從而它們以單一的形式存在并且得到后續(xù)的進(jìn)一步處理。通常，在晶片堆從梁 (晶片或晶片塊固定在梁上)上釋放后，其被放置在豎直位置，以使獨(dú)立的晶片堆疊在彼此 頂部上。然后，非常薄從而非常易損壞的晶片被分別手工移除并且放置在傳送裝置上，以便 進(jìn)一步傳送到后續(xù)進(jìn)一步的處理平臺(tái)。通過(guò)手工執(zhí)行這種工作非常耗費(fèi)時(shí)間和成本。還有的缺點(diǎn)就是幾乎沒有可能足夠 仔細(xì)地處理這些非常易損壞且甚至更薄的晶片，其結(jié)果是存在很大的晶片損壞的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的問題在于提供前述方法和前述設(shè)備，以使得有可能避免現(xiàn)有技術(shù)的問題 并且特別地允許將晶片從晶片堆快速而非常仔細(xì)地分離。通過(guò)具有權(quán)利要求1特征的方法以及用于執(zhí)行該方法的具有權(quán)利要求10特征的 設(shè)備解決了此問題。本發(fā)明的有利且優(yōu)選的開發(fā)形成了其他權(quán)利要求的主題并且在后文 中得到更詳細(xì)地說(shuō)明。設(shè)備的一些特征并未分別地給予說(shuō)明，而是僅結(jié)合方法進(jìn)行說(shuō)明， 從而避免了不必要的重復(fù)。此外，同一申請(qǐng)人在2007年12月11日提交的優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)DE 102007061410. 3的內(nèi)容通過(guò)明確的引用成為本說(shuō)明書內(nèi)容的一部分。通過(guò)明確的引用，權(quán) 利要求的內(nèi)容成為說(shuō)明書內(nèi)容的一部分。根據(jù)本發(fā)明，運(yùn)動(dòng)或運(yùn)動(dòng)裝置從上方作用在晶片堆或頂部晶片上并構(gòu)造成旋轉(zhuǎn)或 繞轉(zhuǎn)并且具有向下指向的抽吸表面。頂部晶片放置在所述抽吸表面上，晶片在抽吸表面上 的接合或者因此而在運(yùn)動(dòng)裝置上的接合可通過(guò)真空或抽吸得到進(jìn)一步增強(qiáng)。因此，借助于 運(yùn)動(dòng)裝置和抽吸表面并一方面經(jīng)由靜態(tài)摩擦另一方面經(jīng)由真空，可在晶片上施加充分大的 力，使得不管粘接作用，晶片仍能從晶片堆釋放并且繼續(xù)傳送。該粘接作用由于晶片堆上以 及獨(dú)立晶片之間的水的附著而引起，特別地通過(guò)在那里形成的氫橋而引起。為了幫助分離 幾個(gè)重疊的晶片(這些晶片可以說(shuō)是懸掛在運(yùn)動(dòng)裝置或頂部晶片上)，至少執(zhí)行相繼描述 的兩個(gè)步驟a)或b)中的至少一個(gè)并且有利地執(zhí)行兩個(gè)步驟。在步驟a)中，水從下面以傾 斜的方式被對(duì)著頂部晶片的前導(dǎo)緣泵送或噴射。為此目的，設(shè)置有利地相應(yīng)構(gòu)造的水噴嘴， 并且具有至少一個(gè)噴嘴，但特別有利地具有兩個(gè)或更多個(gè)噴嘴。由于它們的作用，水射流， 其甚至可浸沒在水中被產(chǎn)生，水射流在水中可具有效果，幾個(gè)相互粘附晶片的前導(dǎo)緣被分 離并且可被扇形散開。在步驟b)中，晶片由運(yùn)動(dòng)裝置在剝離設(shè)備上導(dǎo)引，剝離設(shè)備以這樣的方式構(gòu)造使 得其從下面接合在運(yùn)動(dòng)晶片或幾個(gè)被抓住晶片的下側(cè)上。該剝離設(shè)備將一個(gè)或多個(gè)晶片壓
3靠在運(yùn)動(dòng)裝置或抽吸表面上。盡管頂部晶片的頂側(cè)被運(yùn)動(dòng)裝置從水堆移開，其仍在所述晶 片的下側(cè)上施加制動(dòng)作用。所述剝離設(shè)備因此也用作進(jìn)一步將從晶片堆一次移開的幾個(gè)晶 片分離。如果運(yùn)動(dòng)裝置上僅有一個(gè)晶片，則剝離設(shè)備的制動(dòng)作用不再足以保持該晶片或?qū)?其從運(yùn)動(dòng)裝置分離。因此，與上述噴射水非常類似的方式，剝離設(shè)備用作分離幾個(gè)被抓住的 晶片。在實(shí)施了上述兩個(gè)步驟中的至少一個(gè)后，晶片被從運(yùn)動(dòng)裝置帶到傳送裝置上并且然 后被傳送離開?；旧峡梢源_認(rèn)的是，有可能獨(dú)立地執(zhí)行兩個(gè)步驟a)或b)中的每一個(gè)。然而，有 利地，兩個(gè)步驟被一起執(zhí)行或相繼執(zhí)行。這如此取決于順序或構(gòu)造使得在運(yùn)動(dòng)裝置抓住頂 部晶片后，首先噴射水，然后將剝離設(shè)備設(shè)置在其后面或下游。在本發(fā)明的一種開發(fā)中，運(yùn)動(dòng)裝置可構(gòu)造成使得它們具有可運(yùn)動(dòng)繞轉(zhuǎn)帶。其有利 地在更長(zhǎng)的長(zhǎng)度上延伸并且特別有利地延伸到跟隨的傳送裝置，大致平行于晶片堆的頂 側(cè)。然后，前述抽吸表面位于可運(yùn)動(dòng)帶上或者由可運(yùn)動(dòng)帶形成，使得當(dāng)頂部晶片接近運(yùn)動(dòng)裝 置時(shí)，運(yùn)動(dòng)裝置在頂部晶片的頂側(cè)上在盡可能大面積的方式與抽吸表面接合。在本發(fā)明的 替代性開發(fā)中，運(yùn)動(dòng)裝置可具有輪狀構(gòu)造或者設(shè)置有至少一個(gè)輪或滾子。有利地，相繼設(shè)置 幾個(gè)這種輪或滾子以便形成伸長(zhǎng)的運(yùn)動(dòng)裝置，其中在運(yùn)動(dòng)裝置和晶片頂側(cè)之間具有幾個(gè)接 觸點(diǎn)，使得在頂部晶片上施加充分的力，從而使得頂部晶片被從晶片堆釋放并且可被傳送 罔開。在本發(fā)明的一種開發(fā)中，設(shè)置并且以并置或平行的方式布置至少兩個(gè)類似的運(yùn)動(dòng) 裝置。它們有利地從彼此間隔開或者至少存在兩個(gè)類似的運(yùn)動(dòng)裝置，使得在運(yùn)動(dòng)裝置之間 提供所述間隔或相應(yīng)間隙。盡管運(yùn)動(dòng)裝置有利地具有閉合表面，但特別地為了形成前述抽 吸表面，在所述間隔附近在運(yùn)動(dòng)裝置之間形成穿孔表面，該穿孔表面特別地為剛性并且具 有開口或孔。在所述穿孔表面上或者在開口處，從上方產(chǎn)生抽吸作用，例如作為具有相應(yīng)真 空的簡(jiǎn)單抽吸效果。結(jié)果，頂部晶片的頂側(cè)被從晶片堆向下抽吸并且被壓靠到運(yùn)動(dòng)裝置的 下側(cè)或壓靠到運(yùn)動(dòng)裝置形成的抽吸表面，從而允許令人滿意的繼續(xù)運(yùn)動(dòng)。為此，穿孔表面有 利地在某種程度上被定位在抽吸表面的上方，這是因?yàn)樗龃┛妆砻嬗欣貫閯傂曰蛘咭?平面方式構(gòu)造成板。替代性地，運(yùn)動(dòng)裝置可具有開口，例如具有穿孔帶的形式，并且然后從 上方通過(guò)抽吸作用產(chǎn)生真空以便在晶片的頂側(cè)上具有抽吸效果。通常，有可能在分離或與 運(yùn)動(dòng)裝置在水中抓住期間浸沒晶片堆，使得晶片可更容易地被分離。在本發(fā)明的進(jìn)一步開發(fā)中，水射流可被通風(fēng)或透氣以便幫助將晶片從晶片堆分 離，或者可包含空氣或氣體氣泡。所述通風(fēng)效果可通過(guò)將空氣或氣體弓I入水射流或者引入 用于水射流的噴嘴而產(chǎn)生。例如，這有可能與利用通風(fēng)設(shè)備的水龍頭或給水栓出口的通風(fēng) 或透氣類似的方式，例如由Neoperl公司以網(wǎng)孔或網(wǎng)眼形式生產(chǎn)的通風(fēng)設(shè)備。這種被通風(fēng) 的水射流具有這樣的優(yōu)點(diǎn)，不僅水壓力本身可以扇形方式使晶片堆的頂部晶片的前導(dǎo)緣散 開并且取代空氣氣泡可在獨(dú)立的晶片之間通過(guò)并且由此可消除粘接作用。這種水射流的另 一個(gè)有利效果是，與下文針對(duì)剝離裝置描述的相同方式，其也可用作將晶片壓靠到抽吸表如果水射流具有相對(duì)水平方向在20和70°之間的角，則被認(rèn)為是有利的。特別有 利地，該角在35和60°之間。構(gòu)造剝離設(shè)備的一種可能性是具有向上指向的刷，該刷在晶片的傳送路徑下面裝配到運(yùn)動(dòng)裝置跟隨晶片堆。刷必須由足夠柔軟的材料制成，使得它們不會(huì)損壞或刮傷易損 壞的晶片。然而，如果一個(gè)或多個(gè)晶片在刷上被引導(dǎo)通過(guò)運(yùn)動(dòng)裝置，這些刷也必須能夠施加 一定的制動(dòng)作用。特別地，如果與上述步驟a)中噴射水結(jié)合起來(lái)，運(yùn)動(dòng)裝置抓住幾個(gè)晶片 或者懸掛發(fā)生在由于水射流而被抓住的頂部晶片上，晶片的一定移位可沿與傳送方向相反 的方向發(fā)生。剝離設(shè)備可增加該移位，這簡(jiǎn)化了分離。作為刷的替代，剝離設(shè)備可按照繞轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)的方式構(gòu)造，例如再次構(gòu)造成滾子或 帶。其可接合在與運(yùn)動(dòng)裝置接合的一個(gè)或多個(gè)晶片的下側(cè)上，并且可使底部晶片減速或在 某種程度上從上方晶片抽吸開。用于在晶片上傳送的傳送器裝置有利地構(gòu)造成滾子傳送器。然而，其也可具有帶、 帶子等。有利地，為了放置或在晶片上傳送，傳送器裝置位于剝離設(shè)備后面并且有利地構(gòu)造 成使得其用作進(jìn)一步分離仍然至少部分重疊的晶片。為此目的，其可具有沿傳送方向相繼 布置的幾個(gè)節(jié)段，這幾個(gè)節(jié)段在各種情況下均具有逐漸上升的速度。根據(jù)步驟a)或b)，由 于上游水射流噴嘴和剝離設(shè)備的緣故，仍然部分彼此粘附的一組晶片(例如三個(gè)或四個(gè)) 以這樣的方式被移位使得頂部晶片突出，其前導(dǎo)緣充分高于下面的晶片，其在各種情況中 首先被跟隨的傳送器裝置節(jié)段抓住。如果所述節(jié)段快于前面的節(jié)段并且存在速度差，其被 另外地從其他晶片抽吸開，或者完全地抽吸開或者抽吸開至少一定的量。通過(guò)幾個(gè)這種節(jié) 段(這些節(jié)段在各種情況中具有更快的速度)，最終形成了對(duì)幾個(gè)晶片的更加可靠的分離。 為此目的，如果傳送器裝置的表面或頂側(cè)以與晶片下側(cè)高度粘接的方式構(gòu)造，則是有利的。從晶片堆移除獨(dú)立晶片的進(jìn)一步開發(fā)可以是，晶片堆被均勻地向上或向下移動(dòng)， 或者具有振動(dòng)。這可通過(guò)數(shù)秒的往復(fù)周期而實(shí)現(xiàn)，例如三到五秒。擺動(dòng)或幅度應(yīng)當(dāng)最大為 10mm，優(yōu)選地為約5mm。如果用于將晶片從晶片堆移除的循環(huán)時(shí)間被選擇為類似于前述往復(fù) 周期，也即數(shù)秒，則有可能確保在各種情況中當(dāng)晶片堆達(dá)到其頂點(diǎn)時(shí)，頂部晶片在某種程度 上被壓靠到運(yùn)動(dòng)裝置或抽吸表面，然后其不必向下運(yùn)動(dòng)。由于連續(xù)的抽吸，抓住或粘接作用 應(yīng)當(dāng)非?？焖俚匕l(fā)生。這導(dǎo)致晶片堆傳送離開的橫向運(yùn)動(dòng)以及向下運(yùn)動(dòng)，從而很有可能的 是，運(yùn)動(dòng)裝置僅抓住一個(gè)晶片或者至多抓住數(shù)個(gè)晶片或者僅略多的晶片從頂部被抓住的晶 片向下懸掛。在一定的情況下，晶片堆上可存在些微的振動(dòng)以便幫助晶片的相互釋放。用于執(zhí)行所述方法的創(chuàng)造性設(shè)備的構(gòu)造可從上面的方法描述中獲得，其中在各種 情況中對(duì)于步驟a)和b)具有獨(dú)立的功能性單元。參見關(guān)于附圖的描述，這些描述與特定 的構(gòu)造可能性有關(guān)。這些和進(jìn)一步的特征可從權(quán)利要求、說(shuō)明書和附圖得到，并且單獨(dú)的特征，單獨(dú)地 以及以組合形式，均可在本發(fā)明實(shí)施例以及其他領(lǐng)域中實(shí)施，并且可代表有利的、可獨(dú)立保 護(hù)的構(gòu)造，本文要求保護(hù)這些構(gòu)造。將本申請(qǐng)細(xì)分為獨(dú)立部分以及副標(biāo)題均不以任何方式 限制其下作出的一般性申明的有效性。


本發(fā)明的實(shí)施例由所附的示意性附圖示出并且在下面得到更詳細(xì)地描述。附圖示 出了 圖1是說(shuō)明了本發(fā)明方法的發(fā)明設(shè)備的示意性功能構(gòu)造的側(cè)視圖；圖2是運(yùn)動(dòng)裝置的平面圖，該運(yùn)動(dòng)裝置具有兩個(gè)平行帶的形式，其中兩個(gè)平行帶之間具有穿孔的表面；和圖3是圖2的運(yùn)動(dòng)裝置的變型，其中單一的帶具有穿孔表面。
具體實(shí)施例方式圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備11，該設(shè)備11使得獨(dú)立的晶片12能夠從晶片堆16 移除并且運(yùn)動(dòng)離開晶片堆15以便傳送而進(jìn)行進(jìn)一步處理。晶片12被示出它們的向上指向 的頂側(cè)14和向左指向的前導(dǎo)緣13。它們堆疊在晶片堆16上，晶片堆位于倉(cāng)盒17上或內(nèi)， 倉(cāng)盒17轉(zhuǎn)而裝配在升降設(shè)備18上或內(nèi)。具有晶片堆16的倉(cāng)盒17被未示出的裝置帶到升 降設(shè)備18中，而升降設(shè)備18轉(zhuǎn)而被放置在充有水21的水槽20中。清楚的是，晶片堆16 的頂部晶片12的頂側(cè)14大概與水槽20的邊緣平齊或者有些低于水槽20的邊緣。因此， 水槽20可具有一定的溢流，例如確保在來(lái)自下面的水重填充后，獨(dú)立的晶片12或晶片堆16 向上漂浮或散開，從而確保一定的水循環(huán)。代替水槽20中的普通自來(lái)水，水槽20也可盛有 DI水或清潔溶液。升降設(shè)備18旁的虛線箭頭表明升降設(shè)備18以所指示的運(yùn)動(dòng)上下運(yùn)動(dòng)，例如以一 定間隔或具有若干秒的運(yùn)動(dòng)時(shí)間以及最高IOmm的運(yùn)動(dòng)高度。運(yùn)動(dòng)裝置23設(shè)置在晶片堆16上并具有順時(shí)針繞轉(zhuǎn)帶24或者兩個(gè)并置帶。應(yīng)當(dāng) 參見圖2來(lái)獲取進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。帶24的一個(gè)表面25形成了前述抽吸表面25。借助于抽吸 設(shè)備27而以這樣的方式施加真空使得晶片堆16的頂部晶片12的頂側(cè)14被壓靠到帶24 或其抽吸表面25，然后被帶24或其抽吸表面25抓住并向左側(cè)運(yùn)動(dòng)離開晶片堆16。在晶片堆16向左的一定位置處示出了水噴嘴29，水噴嘴29的噴射方向與水平方 向成約45度的角并且指向晶片堆16的頂部晶片12的前導(dǎo)緣13。如前面所述，水噴嘴29 產(chǎn)生的水射流30可由未示出的通風(fēng)或透氣裝置來(lái)通風(fēng)或透氣。即使水射流30近似在水槽 20的水21內(nèi)產(chǎn)生，仍可得到射流動(dòng)作，這用作將晶片堆16頂部處的前導(dǎo)緣或晶片12散開， 特別用于利用運(yùn)動(dòng)裝置23將優(yōu)選地單一晶片12或至多若干個(gè)晶片12從晶片堆16釋放。 緊接著作為前述分離裝置之一的水射流30，運(yùn)動(dòng)裝置23引導(dǎo)單一或若干個(gè)晶片12越過(guò)前 述用于分離目的的剝離設(shè)備，該剝離設(shè)備構(gòu)造為刷32。其有利地延伸越過(guò)晶片12或晶片 堆16的整個(gè)寬度并且具有向上指向的剛毛，剛毛任選地也可在一定程度上指向晶片12的 傳送方向。由于實(shí)際上，運(yùn)動(dòng)裝置23將晶片12以及其他晶片12 —起從晶片堆16釋放成 為小堆，而且晶片12的下側(cè)15接合在刷上，所以相對(duì)于其他晶片或者至少相對(duì)于直接接合 在抽吸表面25上的頂部晶片12，其被刷減速。由于刷32在運(yùn)動(dòng)方向上的長(zhǎng)度(該長(zhǎng)度大 致與晶片12的長(zhǎng)度處于同一數(shù)量級(jí))，幾個(gè)仍舊互相粘附的晶片12可被分開或至少被互相 移位使得它們的前導(dǎo)緣13具有一定的相互間隔，例如數(shù)厘米。抽吸設(shè)備27或者另外未示出抽吸設(shè)備的抽吸作用也可施加在刷32上。因此，晶 片12被運(yùn)動(dòng)裝置23從刷32減速或者釋放，并且可然后再次被抽吸表面25抓住并且被傳 送到左側(cè)。也清楚的是，運(yùn)動(dòng)裝置23延伸超過(guò)刷32。然后，在離刷32 —定間隔的情況下，設(shè) 置第一傳送帶35，跟著設(shè)置第二傳送帶37，等。第一傳送帶35離運(yùn)動(dòng)裝置23和刷32都有 一定間隔。清楚的是，對(duì)于幾個(gè)晶片12粘附到抽吸表面25的情況，至少跟著刷32，這幾個(gè) 晶片12的前導(dǎo)緣12被向右移位。因此，這意味著首先，直接粘附到抽吸表面25的晶片12
6到達(dá)或接合在第一傳送帶35上。所述第一傳送帶35以比運(yùn)動(dòng)裝置23高得多的速度運(yùn)轉(zhuǎn)， 例如以兩倍速度運(yùn)轉(zhuǎn)。因此，盡管頂部晶片12的前導(dǎo)緣13被第一傳送帶35抓住，剩余的 晶片仍被刷32減速。因此，同樣作為這種情況的結(jié)果，頂部晶片12被抽取出來(lái)成為單一晶 片并且被單獨(dú)地放置在第一傳送帶35上。第二傳送帶37直接跟隨傳送帶35，并且再次以高得多的速度運(yùn)轉(zhuǎn)，例如以至少兩 倍速度運(yùn)轉(zhuǎn)。該速度差的結(jié)果是，其效果與對(duì)于刷32的效果非常一致，即此處該速度差也 用作首先將延伸得最遠(yuǎn)的晶片12抓向左側(cè)并且將其從其他晶片抽取出來(lái)，其他晶片的下 側(cè)15仍放置在第一傳送帶35上。最后，跟隨第二傳送帶37，所有的晶片均被分開。這些晶片放置在傳送裝置上時(shí)相 互間隔的任何不同均可由已知機(jī)構(gòu)來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。在矩形或大致正方形規(guī)格的情況下，晶片12通常具有約高于200 μ m的厚度以及 IOOmm到200mm之間的邊緣長(zhǎng)度。圖2是通過(guò)圖1運(yùn)動(dòng)裝置23的抽吸的中間平面的剖視平面圖。運(yùn)動(dòng)裝置23具有 兩個(gè)類似的帶24a、24b，帶24a、24b以一定間隔并置并且由輪26a和26b驅(qū)動(dòng)，該間隔小于 帶的寬度。帶24a和24b的外側(cè)或表面形成了前述抽吸表面25。這并不必然意味著所述 表面25施加抽吸動(dòng)作，而是代之以通過(guò)抽吸作用將晶片12的頂側(cè)14放置成抵靠所述表面 25。具有多個(gè)小孔40的穿孔板39布置在帶24a和24b之間的間隙上，這些小孔40例 如具有若干毫米的直徑。三個(gè)抽吸設(shè)備27位于穿孔板39上，這些抽吸設(shè)備27例如具有管 的形式。它們具有真空狀抽吸作用并且將水21從水槽20抽取出來(lái)。同時(shí)，它們通過(guò)孔40 在晶片堆16的頂部晶片12的頂側(cè)14上施加抽吸作用。結(jié)果，在接合到帶24a和24b的抽 吸表面25上之后，存在向上的運(yùn)動(dòng)并且得以維持，盡管其仍然被抽吸作用向上抽吸。由于 晶片12不應(yīng)當(dāng)直接接合在穿孔板39上而是應(yīng)當(dāng)僅接合在帶24a和24b上，其同時(shí)以其連 續(xù)的運(yùn)動(dòng)移動(dòng)到圖1和圖2的左側(cè)，并且因此遠(yuǎn)離晶片堆16。此處，晶片12以虛線形式示 出在一個(gè)位置，例如晶片12占據(jù)在晶片堆16上。圖2清楚表明提供幾個(gè)抽吸設(shè)備27從而沿傳送方向在運(yùn)動(dòng)裝置23和穿孔板39 的可觀長(zhǎng)度上確保抽吸作用盡管不是強(qiáng)制必須的，但卻是有利的。這使得有可能確保晶片 12總是被抽吸抵靠帶24a和24b的抽吸表面25。在本發(fā)明的進(jìn)一步開發(fā)中，可設(shè)置多于兩個(gè)的并置的帶24并且然后這些帶相應(yīng) 地在它們之間具有幾個(gè)穿孔板39。如所述的，可采用輪來(lái)代替帶24。然而，由于輪僅能夠 在困難的情況下施加用于傳送晶片12遠(yuǎn)離晶片堆16所必需的靜態(tài)摩擦力，因此很明顯，帶 是優(yōu)選的。圖3中示出了運(yùn)動(dòng)裝置的變型，其中，運(yùn)動(dòng)裝置123具有單一的帶124。所述帶124 在兩個(gè)輪126上運(yùn)轉(zhuǎn)，非常類似于圖2中的帶。然而，由于不存在帶之間的間隙，因而無(wú)法 如圖2中那樣使用穿孔板，所以帶124自身是穿孔的并且具有孔140，例如類似于圖2中穿 孔板39的那些孔。在下帶124之上其外側(cè)上形成了抽吸表面125，存在具有給定分布的幾 個(gè)抽吸設(shè)備127。至于它們的抽吸作用并且有利地至于它們的直接構(gòu)造性布置結(jié)構(gòu)，它們應(yīng) 當(dāng)在帶124或者以虛線形式示出的晶片12的寬度上延伸，并且在帶124長(zhǎng)度的一定區(qū)域上 延伸。雖然圖2中具有管狀形狀的抽吸設(shè)備27可直接向上延續(xù)，但在圖3中，其必須實(shí)際
7上從帶124的繞轉(zhuǎn)回路被移位到側(cè)方。 根據(jù)圖3的布置結(jié)構(gòu)具有的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)上比穿孔板39的情況更簡(jiǎn)單。而且，利 用穿孔帶124的抽吸可直接在帶124的抽吸表面125上實(shí)施，從而晶片12的頂側(cè)14精確 地粘附到橫向傳送走并抽吸晶片12的表面。抽吸作用的強(qiáng)度通?？梢环矫娼?jīng)由抽吸裝置 并且另一方面經(jīng)由孔的大小來(lái)調(diào)節(jié)。任選地，根據(jù)圖2，也可經(jīng)由下面的帶24上穿孔板39 的高度來(lái)調(diào)節(jié)。
權(quán)利要求
1.一種用于將晶片從晶片堆分離的方法，所述晶片堆以重疊的方式豎直堆疊，所述晶 片經(jīng)由從上面作用的運(yùn)動(dòng)裝置被單獨(dú)地從上方傳送離開，其特征在于，所述運(yùn)動(dòng)裝置以繞 轉(zhuǎn)方式構(gòu)造并具有抽吸表面，頂部晶片施加在所述抽吸表面上，真空或抽吸增強(qiáng)了所述晶 片在所述抽吸表面或所述運(yùn)動(dòng)裝置上的接合，并且為了使幾個(gè)重疊的晶片分離，在所述運(yùn) 動(dòng)裝置上執(zhí)行下面兩個(gè)步驟中的至少一個(gè)a)對(duì)著所述頂部晶片的前導(dǎo)緣從所述頂部晶片下面以增強(qiáng)的方式傾斜地噴射水；b)所述運(yùn)動(dòng)裝置在剝離設(shè)備上引導(dǎo)所述晶片，所述剝離設(shè)備從下面接合到運(yùn)動(dòng)晶片的 下側(cè)上并且擠壓所述晶片抵靠所述運(yùn)動(dòng)裝置或抽吸表面，并且還在其上產(chǎn)生制動(dòng)作用；其中，接下來(lái)，所述晶片被帶到傳送裝置上以便傳送離開。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述運(yùn)動(dòng)裝置具有可運(yùn)動(dòng)帶，所述可運(yùn)動(dòng)帶 特別地在可觀的長(zhǎng)度上延伸，優(yōu)選地向上延伸到跟隨的傳送裝置，并大致平行于所述晶片 堆的所述頂側(cè)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，至少兩個(gè)類似的運(yùn)動(dòng)裝置是并置的或是 平行的并且具有相互的間隔，所述運(yùn)動(dòng)裝置具有閉合表面，并且在它們之間的所述間隔區(qū) 域中設(shè)置穿孔的、優(yōu)選為剛性的帶有開口的表面，從上方在所述穿孔表面上產(chǎn)生抽吸作用 以便將所述晶片堆的頂部晶片的頂側(cè)抽吸并壓靠到所述運(yùn)動(dòng)裝置的下側(cè)。
4.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述水射流被通風(fēng)并且包含空氣或 氣體氣泡，所述空氣或氣體氣泡優(yōu)選地通過(guò)將空氣或氣體引入所述水射流的噴嘴而產(chǎn)生。
5.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述水射流具有相對(duì)于水平方向在 20°到70°之間的角，所述角優(yōu)選地在35°到60°之間。
6.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述剝離設(shè)備具有向上指向的刷，所 述刷優(yōu)選地至少與晶片同寬和/或同長(zhǎng)。
7.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述剝離設(shè)備繞轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)，優(yōu)選 地具有滾子或帶的形式，并且接合在與所述運(yùn)動(dòng)裝置接合的晶片的下側(cè)上以便制動(dòng)并且分 離下方晶片，所述下方晶片粘附到與所述運(yùn)動(dòng)裝置接合的上方晶片。
8.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述傳送裝置構(gòu)造成用于將晶片放 置在所述剝離設(shè)備后面以便由于沿傳送方向相繼定位的許多獨(dú)立傳送裝置節(jié)段的速度加 快而從仍然重疊的晶片進(jìn)一步分離，所述傳送裝置優(yōu)選地設(shè)計(jì)為滾子傳送器或傳送帶。
9.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述晶片堆按照一種振動(dòng)運(yùn)動(dòng)被向 上或向下運(yùn)動(dòng)，特別地具有5秒的時(shí)間間隔，優(yōu)選地為約3秒，并且具有最大IOmm的運(yùn)動(dòng)高 度，優(yōu)選地為約5mm。
10.一種用于執(zhí)行如前述任一權(quán)利要求所述方法的設(shè)備，其特征在于，繞轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)裝置具 有在下側(cè)上的抽吸表面、水射流噴嘴和/或所述水射流噴嘴和跟隨的傳送裝置之間的剝離 設(shè)備，所述傳送裝置為應(yīng)用而構(gòu)造并且將從所述晶片堆移走的晶片傳送離開。
全文摘要
在用于將晶片(12)從豎直晶片堆(16)分離的方法中，晶片(12)從上方經(jīng)由從上面作用的運(yùn)動(dòng)裝置(23)被單獨(dú)地從上方傳送離開。運(yùn)動(dòng)裝置(23)設(shè)計(jì)為循環(huán)帶(24)并具有抽吸表面(25)，最上方晶片(12)鄰接并抵靠抽吸表面，其中，負(fù)壓抽吸增強(qiáng)了晶片(12)抵靠抽吸表面的鄰接。為了使多個(gè)位于彼此之上的晶片(12)分離，運(yùn)動(dòng)裝置(23)經(jīng)歷下面兩個(gè)步驟中的至少一個(gè)a)對(duì)著頂部晶片的前導(dǎo)緣噴射水(30)，水從頂部晶片下面被傾斜地引導(dǎo)；b)運(yùn)動(dòng)裝置(23)在剝離裝置(32)上引導(dǎo)晶片(12)，剝離裝置從下面接合到運(yùn)動(dòng)晶片(12)的下側(cè)并且擠壓晶片(12)抵靠抽吸表面(25)并且在其上產(chǎn)生制動(dòng)作用；而后，晶片(12)被帶到傳輸路徑(35、37)上以便在上面?zhèn)鬏敹糜谶M(jìn)一步處理。
文檔編號(hào)B28D5/00GK102006976SQ200880126572
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2008年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月11日
發(fā)明者R·休伯 申請(qǐng)人:吉布爾.施密德有限責(zé)任公司