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浮法玻璃制造方法及浮法玻璃制造設(shè)備的制作方法

文檔序號:1957887閱讀:198來源:國知局

專利名稱::浮法玻璃制造方法及浮法玻璃制造設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及浮法玻璃制造方法及浮法玻璃制造設(shè)備。
背景技術(shù)
:在浮法玻璃制造方法中,首先,向容納有熔融金屬的浴槽的水平浴面連續(xù)地供給熔融玻璃而形成玻璃帶,然后將玻璃帶從熔融金屬浴槽出口提起并拉出到熔融金屬浴槽外。利用將該玻璃帶從浴槽的出口提起的拉伸力使其成形為目標厚度。然后,利用輸送輥(也稱為提升輥)輸送玻璃帶并將其送入緩冷爐中,在緩冷爐內(nèi)輸送的同時進行緩冷。之后,將玻璃帶切割為預(yù)定的長度,由此制造板狀的浮法玻璃。上述的浮法玻璃制造方法(以下也稱為浮法)中,由熔融金屬的浴面形成玻璃的一個面,并且通過熔融玻璃在熔融金屬上鋪展而形成另一面即自由面,因此,是玻璃的平坦性極高、并且也適合大量生產(chǎn)的方法。因此,被應(yīng)用于汽車用玻璃、建筑用玻璃、等離子體顯示器用玻璃及液晶顯示器用玻璃等板玻璃的生產(chǎn)。不過,浮法中,在將玻璃帶從熔融金屬的浴面提起時,熔融金屬有時會附著在玻璃帶的下面而被從熔融金屬浴槽中帶出,并附著在提升輥的外周面上。附著的熔融金屬在提升輥的外周面上生成氧化物凸部,或者腐蝕提升輥的外周面而產(chǎn)生凹部或微小的缺陷,從而可能在玻璃帶上產(chǎn)生污染或缺陷。另外,浮法中,熔融金屬浴槽的熔融金屬容易附著在位于玻璃帶從熔融金屬浴面提起而離開所述浴面的部分的下游的浴槽壁上端部及其附近。接著,該附著的熔融金屬通過再附著在玻璃帶的下面而被從熔融金屬浴槽中帶出,并附著在提升輥的外周面上,與上述同樣地生成氧化物凸部或者腐蝕提升輥的外周面而產(chǎn)生凹部或微小的缺陷,從而可能在玻璃帶上產(chǎn)生污染或缺陷。為了防止這樣的提升輥外周面上的氧化物的生成或外周面的腐蝕,以往如專利文獻1所述使用輥主體部由石英形成的提升輥。通過用石英形成輥主體部,能夠在一定程度上抑制熔融金屬或其氧化物的附著。專利文獻1:日本特開2006-37168號公報
發(fā)明內(nèi)容如上所述,利用輥主體部的表面由石英構(gòu)成的提升輥,能夠在一定程度上抑制熔融金屬或其氧化物的附著,但是并不能完全抑制。特別是在制造所謂的平板顯示器的基板中使用的玻璃時,即使產(chǎn)生極微量的污垢或缺陷也會成為顯示器顯示不良的原因,因此需要盡可能防止玻璃帶的污垢或缺陷的產(chǎn)生。本發(fā)明鑒于上述情況而做出,其目的在于提供能夠防止玻璃帶中污垢或缺陷產(chǎn)生的浮法玻璃制造方法及浮法玻璃制造設(shè)備。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下構(gòu)成。本發(fā)明的浮法玻璃制造方法,包括以下步驟向容納有熔融金屬的熔融金屬浴槽3的水平浴面連續(xù)地供給熔融玻璃而形成玻璃帶,將所述玻璃帶從所述浴面提起,并通過多個輸送輥輸送到緩冷爐,該方法的特征在于,在所述輸送輥的表面形成有碳膜的狀態(tài)下,形成、提起和輸送所述玻璃帶。其次,本發(fā)明的浮法玻璃制造設(shè)備,具有用于容納熔融金屬、并且熔融玻璃被連續(xù)地供給到所述熔融金屬的水平浴面而形成玻璃帶的熔融金屬浴槽、用于使所述玻璃緩冷的緩冷爐和用于將所述玻璃帶從所述熔融金屬浴槽輸送到所述緩冷爐的輸送輥,其特征在于,在所述輸送輥的表面形成有碳膜。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的浮法玻璃制造方法,在輸送輥的表面形成有碳膜,因此能夠防止熔融金屬或其氧化物在輸送輥上附著,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,碳膜還作為潤滑劑起作用,因此,即使在輸送輥與玻璃帶間產(chǎn)生速度差而使玻璃帶在輸送輥的輥面上摩擦的情況下,也不必擔(dān)心會在玻璃帶上產(chǎn)生缺陷。另外,本發(fā)明的浮法玻璃制造方法中,熔融金屬浴槽的浴槽壁上端部及其附近的表面可以形成有碳膜,此時,熔融金屬或其氧化物難以附著在浴槽壁上端部及其附近,因而熔融金屬或其氧化物不會從浴槽壁上端部及其附近的表面附著到玻璃帶的下面,由此能夠防止熔融金屬或其氧化物再附著在輸送輥上,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,本發(fā)明的浮法玻璃制造方法中,優(yōu)選通過供給含碳氣體并使其熱分解來形成碳膜,此時,即使在碳膜在玻璃帶的制造中磨損或分解的情況下也能夠重新形成碳膜,由此,能夠連續(xù)地制造無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,本發(fā)明的浮法玻璃制造方法中,優(yōu)選選擇乙炔作為含碳氣體,此時,能夠容易地形成致密的碳膜,能夠防止熔融金屬或其氧化物附著在輸送輥或浴槽壁上端部等,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。其次,根據(jù)本發(fā)明的浮法玻璃制造設(shè)備,在輸送輥的表面形成有碳膜,因此能夠防止熔融金屬或其氧化物附著在輸送輥上,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,碳膜還作為潤滑劑起作用,因此,即使在輸送輥與玻璃帶間產(chǎn)生速度差而使玻璃帶在輸送輥的輥面上摩擦的情況下,也必不擔(dān)心會在玻璃帶上產(chǎn)生缺陷。另外,本發(fā)明的浮法玻璃制造設(shè)備中,熔融金屬浴槽的浴槽壁上端部及其附近的表面可以形成有碳膜,由此防止熔融金屬或其氧化物附著在浴槽壁上端部等,防止熔融金屬或其氧化物再附著在輸送輥上,能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,本發(fā)明的浮法玻璃制造設(shè)備中,優(yōu)選具有供給含碳氣體并使其熱分解來形成碳膜的碳膜形成裝置,從而能夠容易地在輸送輥表面或浴槽壁上端部及其附近的表面上形成碳膜。由此,防止熔融金屬或其氧化物附著在這些構(gòu)件上,能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,本發(fā)明的浮法玻璃制造設(shè)備中,通過沿輸送輥的縱向配置至少一個氣體供給噴嘴,能夠在輸送輥的輸送輥表面的整個面上形成碳膜。另外,本發(fā)明的浮法玻璃制造設(shè)備中,優(yōu)選選擇乙炔作為含碳氣體,此時,能夠容易地形成致密的碳膜,能夠防止熔融金屬或其氧化物附著在輸送輥或浴槽壁上端部等,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。圖1是表示本發(fā)明的實施方式的浮法玻璃制造設(shè)備的剖面示意圖。圖2是表示圖1的浮法玻璃制造設(shè)備中具有的碳膜形成裝置的立體示意圖。圖3是表示構(gòu)成圖2的碳膜形成裝置的導(dǎo)入部的立體示意圖。圖4是表示構(gòu)成碳膜形成裝置的導(dǎo)入部的設(shè)置例的剖面示意圖。圖5是從玻璃帶的移動方向觀察構(gòu)成碳膜形成裝置的導(dǎo)入部的設(shè)置例的示意圖。圖6是表示構(gòu)成碳膜形成裝置的導(dǎo)入部的另一設(shè)置例的剖面示意圖。圖7是表示構(gòu)成碳膜形成裝置的導(dǎo)入部的又一設(shè)置例的剖面示意圖。圖8是表示圖1的浮法玻璃制造設(shè)備中具有的熔融金屬浴槽的浴槽壁上端部的剖面示意圖。圖9是表示實施例中的碳膜形成用實驗裝置的剖面示意圖。圖10是表示實施例中的碳膜的摩擦系數(shù)的評價裝置的剖面示意圖。圖11是表示實施例2中制造的碳膜的照片。圖12是表示實施例2中制造的碳膜的掃描電鏡照片。符號說明la…熔融金屬;lb…浴面;lc…熔融金屬浴槽;le…浴槽壁上端部;2a…提升輥(輸送輥);2b…輥面;3…緩冷爐;5…熔融玻璃;6…玻璃帶;11…碳膜形成裝置;12…氣體供給部(氣體供給裝置);14b…氣體供給噴嘴;30…碳膜;TO…起飛(takeoff)部具體實施例方式以下,參考本發(fā)明的實施方式。另外,以下說明中參考的附圖用于說明本實施方式的浮法玻璃制造設(shè)備及浮法玻璃制造方法,圖示的各部分的大小、厚度、尺寸等有時與實際的制造設(shè)備的尺寸關(guān)系不同。首先,對本實施方式的浮法玻璃制造設(shè)備(以下稱為制造設(shè)備)進行說明。圖1是表示本實施方式的浮法玻璃制造設(shè)備的剖面示意圖,圖2是表示圖1的浮法玻璃制造設(shè)備中具有碳膜形成裝置的立體示意圖。圖1所示的制造設(shè)備的概略構(gòu)成包括在將玻璃原料熔融并使其澄清的熔融澄清槽(圖示略)的后部設(shè)置的金屬熔池1、在金屬熔池1的后部設(shè)置的金屬熔池出口部2和在金屬熔池出口部2的后部設(shè)置的緩冷爐3。另外,緩冷爐3的后部具有省略圖示的用于檢查玻璃帶6的表面的缺陷檢測器和省略圖示的用于切割冷卻后的玻璃帶6的切割機。如圖1所示,金屬熔池1包括裝滿熔融金屬la的熔融金屬浴槽lc和在熔融金屬浴槽lc的上部設(shè)置的上部結(jié)構(gòu)體ld,并且以盡可能將金屬熔池1的內(nèi)部與外部氣氛隔斷的方式構(gòu)成。另外,金屬熔池出口部2的概略構(gòu)成包括具有提升輥2a的作為下部殼體的錫槽箱2A和作為上部殼體的密封閘(sealinggate)2B。熔融金屬浴槽lc中裝滿由金屬錫等形成的熔融金屬la,并以從熔融澄清槽(圖示略;下同)向該熔融金屬la的浴面lb上連續(xù)供給熔融玻璃5的方式構(gòu)成。另外,上部結(jié)構(gòu)體ld具有省略圖示的管道,從該管道供給包含氫氣和氮氣的還原性混合氣體,使金屬熔池1內(nèi)總是保持大氣壓以上的還原性氣氛。由此,盡可能地將金屬熔池l的內(nèi)部與外部氣氛隔斷。金屬熔池內(nèi)的還原氣氛還從拉出玻璃帶6的金屬熔池1的出口流出到錫槽箱2A—側(cè)。其次,錫槽箱2A具有提升輥2a(輸送輥),并以利用提升輥2a的牽引力將成形為板狀的玻璃帶6從熔融金屬浴槽lc拉出的方式構(gòu)成。提升輥2a的概略構(gòu)成包括由石英形成的輥主體部和支撐輥主體部的軸,該輥主體部的輥面上形成有碳膜。碳膜通過后述的碳膜形成裝置在玻璃帶的形成、提起或輸送中、或者在生產(chǎn)開始前或上述操作的間隙形成。通過該碳膜,使熔融金屬la或其氧化物難以附著在提升輥2a上。另外,提升輥2a的個數(shù)沒有特別限制,只要能將玻璃帶6輸送到緩冷爐則設(shè)置幾個都可以。另外,各提升輥2a的下部配置有石墨制密封塊21,用于阻斷熔融金屬浴槽lc與緩冷爐3之間的氣流。各密封塊21以其上面與各提升輥2a的輥面接觸的方式配置在底座22上。另外,金屬熔池出口部2設(shè)置有省略圖示的加熱器,能夠調(diào)節(jié)玻璃帶6的溫度。另外,提升輥2a的下方設(shè)置有用于噴出氮氣等惰性氣體的省略圖示的配管。優(yōu)選將該惰性氣體預(yù)熱到40060(TC后噴出。這是為了防止惰性氣體引起玻璃帶6的局部冷卻。另外,提升輥2a的上方設(shè)置有鋼材制的密封閘2B。另外,金屬熔池出口部2的入口及出口、以及玻璃帶6與提升輥2a的接觸點的上方,分別配置有不銹鋼制簾(dr即e)2c。各簾2c以從密封閘2B垂下的狀態(tài)設(shè)置在與玻璃帶6不接觸的位置。通過設(shè)置簾2c,能夠防止熔融金屬浴槽lc內(nèi)的壓力下降以及氧侵入熔融金屬浴槽lc內(nèi)而造成的熔融金屬la的污染。其次,緩冷爐3中具有退火輥(lehrroll)3b,以利用退火輥3b將從錫槽箱2A輸送來的玻璃帶6輸送到緩冷爐3內(nèi)的方式構(gòu)成。將在熔融澄清槽內(nèi)熔融的熔融玻璃5從熔融澄清槽連續(xù)地供給到熔融金屬浴槽lc的熔融金屬la的浴面lb上,使熔融玻璃5成形為所需厚度和寬度的玻璃帶6后,利用提升輥2a(輸送輥)的牽引力從熔融金屬浴槽lc的出口拉出。玻璃帶6通過金屬熔池出口部2而輸送到緩冷爐3內(nèi),在通過緩冷爐3內(nèi)部時緩慢冷卻。其次,如圖2所示,本實施方式的制造設(shè)備中,具有用于在提升輥2a上形成碳膜的碳膜形成裝置ll。碳膜形成裝置ll是將含碳氣體供給到提升輥2a的輥面(表面)的周圍,并使含碳氣體熱分解而在輥面上形成碳膜的裝置,其由氣體供給部12(氣體供給裝置)、沿提升輥2a的縱向與輥面相對配置的至少一個氣體供給噴嘴和連接在氣體供給部12上將含碳氣體導(dǎo)入氣體供給噴嘴的至少一個導(dǎo)入部13構(gòu)成。氣體供給噴嘴及導(dǎo)入部13為多個的情況下,各導(dǎo)入部13從氣體供給部12分叉連接,沿與各提升輥2a的旋轉(zhuǎn)軸平行的方向(縱向)延伸。另外,氣體供給噴嘴只要能夠?qū)⒑細怏w基本均勻地供給到提升輥2a的輥面周圍則可以是任何形狀,可以是與提升輥2a長度基本相同的一體化噴嘴,也可以沿多個提升輥面配置噴出口直徑lmm30mm的獨立噴嘴。氣體供給部12用于供給含碳氣體和惰性氣體的混合氣體,由含碳氣體源12a和惰性氣體供給部12b構(gòu)成。作為由含碳氣體源12a供給的含碳氣體,優(yōu)選例如烴,其中,特別優(yōu)選乙炔。另外,作為從惰性氣體供給源12b供給的惰性氣體,優(yōu)選例如氮氣等。惰性氣體優(yōu)選加熱到約60(TC。另外,該混合氣體(以下稱為導(dǎo)入氣體)中含碳氣體的濃度優(yōu)選例如30體積%以下。另外,導(dǎo)入氣體的溫度優(yōu)選為50060(TC的范圍。如果為60(TC以下則含碳氣體不易在氣體供給部12和導(dǎo)入部13內(nèi)部分解,如果為500°C以上則可以減少使被CN101754937A涂布的構(gòu)件冷卻而對制造工序產(chǎn)生影響的擔(dān)心。如圖3所示,導(dǎo)入部13由具有中空部14a的圓筒狀噴嘴用外插管14(以下稱為外插管14)和插入到外插管14的中空部14a中的多根氣體供給用內(nèi)插管15(以下稱為內(nèi)插管15)構(gòu)成。圖3中,具有4根內(nèi)插管15,各內(nèi)插管15分別具有不同的長度。另外,各內(nèi)插管15的一端15a側(cè)連接到氣體供給部12上,各內(nèi)插管的另一端15b側(cè)開有氣體供給口15c。另外,外插管14上沿其縱向設(shè)置有多個氣體供給噴嘴14b。各氣體供給噴嘴14b設(shè)置在與位于各內(nèi)插管的另一端15b的氣體供給口15c的位置對應(yīng)的部位。通過該構(gòu)成,從氣體供給部12供給到導(dǎo)入部13的導(dǎo)入氣體流過構(gòu)成導(dǎo)入部13的內(nèi)插管15并從氣體供給口15c放出,放出的導(dǎo)入氣體各自主要通過位于附近的氣體供給噴嘴14b放出到外部。另外,外插管14的末端部14c閉塞,由此使導(dǎo)入氣體不會從末端部14c漏出。圖3中,通過點劃線表示導(dǎo)入氣體的流動。圖4及圖5中,表示導(dǎo)入部13的設(shè)置例的剖面示意圖和從玻璃帶6的移動方向觀察導(dǎo)入部13的設(shè)置例的示意圖。構(gòu)成導(dǎo)入部13的外插管14例如如圖4所示設(shè)置在提升輥2a下側(cè)的石墨制密封塊21的內(nèi)部。密封塊21如上所述以與提升輥2a的輥面2b接觸的方式設(shè)置,用于阻斷熔融金屬浴槽lc與緩冷爐3之間氣流,但是,如圖4所示,也可以在該密封塊21的上面21a上形成溝部21b,并將構(gòu)成導(dǎo)入部13的外插管14插入在該溝部21b中而設(shè)置。另外,設(shè)置外插管14時,可以使氣體供給噴嘴14b朝向輥面2b—側(cè)來設(shè)置。另外,為了有效地發(fā)揮密封塊21的氣流阻斷功能,可以以閉塞設(shè)置在密封塊21上的溝部21b的方式配置提升輥2a。通過以閉塞溝部21b的方式配置提升輥2a并且在該溝部21b中設(shè)置外插管14,使從外插管14的氣體供給噴嘴14b放出的導(dǎo)入氣體難以擴散到溝部21b的外部,從而使設(shè)置在密封塊21上的溝部21b發(fā)揮作為含碳氣體的反應(yīng)室的功能。另外,如圖5所示,在提升輥2a上設(shè)置導(dǎo)入部13時,設(shè)置在外插管14上的氣體供給噴嘴14b可以沿提升輥2a的旋轉(zhuǎn)軸方向等間隔地排列配置。由此,使導(dǎo)入氣體均等地供給到提升輥2a的輥面2b的幾乎整個面上,因此,碳膜的成長速度基本恒定。另外,圖4和圖5中表示提升輥2a的輥面2b上形成有碳膜30的狀態(tài)。其次,圖6中表示導(dǎo)入部13的另一設(shè)置例的剖面示意圖。該另一設(shè)置例中,與前一例不同,在稍稍離開密封塊21且與輥面2b相對的位置設(shè)置導(dǎo)入部13。此時,可以在外插管14上安裝氣流控制板16。以夾著氣體供給噴嘴14b的方式設(shè)置一對氣流控制板16,并且氣流控制板16設(shè)置為向輥面2b側(cè)突出為宜。通過設(shè)置氣流控制板16,使導(dǎo)入氣體容易與輥面2b接觸,能夠減少導(dǎo)入氣體從輥面2b與外插管14之間擴散而流出的量。另外,根據(jù)本例,密封塊21與輥面2b接觸,因此能夠更有效地發(fā)揮氣流的阻斷功能。其次,圖7中表示導(dǎo)入部的又一設(shè)置例的剖面示意圖。該又一設(shè)置例中,與圖4所示的例子同樣地在密封塊21的上面21a上形成溝部21c,并將構(gòu)成導(dǎo)入部13的外插管14插入到該溝部21c中,但是,與圖4不同的是,溝部21c的形成位置設(shè)置在稍稍偏離輥面2b的接觸位置S的位置。更具體而言,設(shè)置在從密封塊21與輥面2b的接觸位置S向輥2a的旋轉(zhuǎn)方向的進行側(cè)偏移的位置。另外,在密封塊21的端部形成有突出部21b,通過該突出部21b,輥面2b與密封塊2l的間隔變窄。由此,使從外插管14的氣體供給噴嘴14b放出的導(dǎo)入氣體難以擴散到溝部21c的外部,從而使設(shè)置在密封塊21上的溝部21c發(fā)揮作為含碳氣體的反應(yīng)室的功能。另外,根據(jù)本例,能夠更有效地發(fā)揮密封塊21的氣流阻斷功能。7其次,對使用上述制造設(shè)備的浮法玻璃制造方法進行說明。圖1中,將在熔融澄清槽內(nèi)熔融的熔融玻璃5從熔融澄清槽連續(xù)地供給到熔融金屬浴槽lc的熔融金屬la的浴面lb上。使熔融玻璃5成形為所需厚度和寬度的玻璃帶6后,利用提升輥2a的牽引力從熔融金屬浴槽lc的出口拉出,拉出的玻璃帶6由提升輥2a輸送到金屬熔池出口部2內(nèi),然后輸送到緩冷爐3。輸送到緩冷爐3的玻璃帶6在通過緩冷爐3內(nèi)部時緩慢冷卻。進行該玻璃帶6的形成、提起或輸送這一系列操作的同時、或者在這些操作的間隙,將包含含碳氣體和惰性氣體的導(dǎo)入氣體從圖2所示的氣體供給部12供給到導(dǎo)入部13。供給到導(dǎo)入部13的導(dǎo)入氣體經(jīng)由氣體供給用的內(nèi)插管15,從外插管14的各氣體供給噴嘴14b向旋轉(zhuǎn)的提升輥2a的輥面2b放出。此時,導(dǎo)入氣體中所含的含碳氣體在輥面2b上熱分解,從而在輥面2b上形成致密的碳膜30。另外,供給導(dǎo)入氣體時使提升輥2a旋轉(zhuǎn)能夠以均勻的厚度在輥面2b的整個面上形成碳膜,因此優(yōu)選。浮法玻璃制造設(shè)備中具有的提升輥2a,為了防止熔融金屬浴槽lc中的熔融金屬la的氧化而設(shè)置在含有氫氣的還原氣氛下。另外,提升輥2a與從熔融金屬浴槽lc中提起的玻璃帶6接觸,因此,為了防止玻璃帶的翹曲或破裂而配置在約65(TC約70(TC的高溫氣氛中。在這樣的還原性高溫氣氛中,使用乙炔作為含碳氣體能夠形成致密的碳膜30,因此優(yōu)選。乙炔在輥表面2b上還原分解而形成碳膜30。另外,提升輥2a的輥面2b例如優(yōu)選由石英、Fe等形成。導(dǎo)入氣體中的含碳氣體、優(yōu)選乙炔氣體的濃度優(yōu)選為40體積%以下,更優(yōu)選1020體積%的范圍。如果濃度為40體積%以下則能夠形成均質(zhì)的碳膜,并且不易形成碳的凝聚體。另外,如果濃度在1020體積%的范圍內(nèi),則乙炔的供給量充分,并且能夠更均勻地形成碳膜30。另外,導(dǎo)入氣體的供給量可以根據(jù)輥的尺寸、輥的旋轉(zhuǎn)速度、用于暴露的開口部面積進行適當(dāng)設(shè)定。另外,導(dǎo)入氣體的供給可以間隔一定的時間間歇地供給,但是,為了保持碳膜30的均質(zhì)性,優(yōu)選總是連續(xù)地供給。輥面2b上形成的碳膜由于設(shè)置在還原氣氛中,因此通常不會氧化分解,但是,有時微量的氧從緩冷爐3—側(cè)混入到錫槽箱2A的內(nèi)部,在這樣的情況下,微量的氧導(dǎo)致碳膜30氧化分解,有時碳膜30的膜厚部分地變薄或者碳膜30部分地消失。另外,玻璃帶6在與提升輥2a輕微滑動的同時進行輸送,因此也難以避免碳膜的磨損。因此,為了保持碳膜30的均質(zhì)性,優(yōu)選總是連續(xù)地供給原料氣體。另外,碳膜30的厚度沒有特別限制,優(yōu)選在0.01ymlOym的范圍內(nèi)。碳膜30的厚度如果為0.01iim以上,則能夠可靠地防止熔融金屬la或其氧化物的附著,因此優(yōu)選。另外,碳膜30的厚度如果為10iim以下,則無需擔(dān)心碳膜30剝離而附著在玻璃帶6上。另外,即使是萬一碳膜30的一部分附著在玻璃帶6上的情況下,由于玻璃帶6輸送后部的緩冷爐處于大氣氣氛下,因而碳膜30被大氣氣氛中的氧氧化為二氧化碳而從玻璃帶6的表面消失,因此玻璃的品質(zhì)上沒有特別的問題。更優(yōu)選的碳膜30的厚度為0.1iim1iim的范圍。如上所述,根據(jù)上述的浮法玻璃制造方法,在提升輥2a的輥面2b上形成碳膜30,因此,能夠減小提升輥2a對Sn等熔融金屬la的潤濕性。由此,能夠通過碳膜30的形成防8止熔融金屬la或其氧化物附著在提升輥2a上,另外,碳膜30還作為潤滑劑起作用,因此能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶6。本發(fā)明中,在提升輥2a上形成碳膜30的同時,可以在與玻璃帶6的下側(cè)鄰接的構(gòu)件即熔融金屬浴槽lc的浴槽壁上端部le和浴槽壁上端部附近形成碳膜。圖8中表示圖1的浮法玻璃制造設(shè)備中具有的熔融金屬浴槽lc的浴槽壁上端部le的剖面示意圖。熔融金屬浴槽lc的浴槽壁上端部le,如圖8所示,是指位于玻璃帶6的起飛部TO下游的浴槽壁If的上端部。另外,玻璃帶6的起飛部TO,是指將玻璃帶6從熔融金屬la的浴面連續(xù)地提起時玻璃帶6從浴面lb離開的位置。位于該起飛部TO附近的浴槽壁上端部le,是與玻璃帶6的下側(cè)鄰接的構(gòu)件,也是熔融金屬la或其氧化物容易附著的部分。附著在浴槽壁上端部le上的熔融金屬la或其氧化物,有時通過再附著到玻璃帶6的下面而被從熔融金屬浴槽lc帶出,并附著在提升輥2a等輸送輥的外周面上。另外,浴槽壁上端部附近,如圖8所示,是指位于玻璃帶6的起飛部TO下游的浴槽壁le的側(cè)壁部lg,即夾著浴槽壁上端部le的側(cè)壁部lg。該側(cè)壁部lg上也容易附著熔融金屬la或其氧化物。因此,與上述提升輥2a的情況同樣,優(yōu)選在浴槽壁上端部le和/或側(cè)壁部lg的周圍配置碳膜形成裝置的氣體供給噴嘴114b,從該氣體供給噴嘴114b供給含碳氣體,從而形成碳膜31。通過形成碳膜31,能夠減小浴槽壁上端部le和/或側(cè)壁部lg對熔融金屬la的潤濕性,從而使熔融金屬la難以附著。由此,能夠防止熔融金屬la或其氧化物附著在玻璃帶6、提升輥2a上,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶6。另外,作為用于在浴槽壁上端部le上涂敷碳膜31的含碳氣體,可以例示例如乙炔、乙烯、乙烷、甲烷、丙烷等。實施例(實驗1)使用圖9所示的碳膜形成用實驗裝置,在作為提升輥的輥構(gòu)成材料的石英玻璃板(試樣)105上形成碳膜,對形成的碳膜進行各種評價。對圖9所示的實驗裝置進行說明,該實驗裝置100以在管狀反應(yīng)容器101的外周設(shè)置有加熱器102的管型電爐103為主體而構(gòu)成。反應(yīng)容器101的內(nèi)部設(shè)置有由耐熱材料形成的試樣臺104,在該試樣臺104上設(shè)置有欲形成碳膜的石英玻璃板105。另外,反應(yīng)容器101中設(shè)置有用于供給含有含碳氣體的導(dǎo)入氣體的石英玻璃制供給管106。位于供給管106末端的氣體供給噴嘴106a設(shè)置在石英玻璃板105的表面附近,能夠?qū)⒑細怏w供給到石英玻璃105的表面周圍。另外,反應(yīng)容器101中設(shè)置有用于供給包含氫氣的還原性氣體的另一供給管107。對使用上述實驗裝置形成碳膜的方法進行說明。首先,在反應(yīng)容器101的試樣臺104上設(shè)置石英玻璃板105,并以向石英玻璃板105表面噴吹導(dǎo)入氣體的方式配置氣體供給噴嘴106a。然后,從另一供給管107向反應(yīng)容器101內(nèi)供給包含氫氣和氮氣的混合氣體的還原性氣體,使反應(yīng)容器101內(nèi)具有與玻璃制造設(shè)備的金屬熔池出口部同樣的氣氛。然后,利用加熱器102將反應(yīng)容器內(nèi)升溫到預(yù)定的處理溫度。之后,通過氣體供給噴嘴106a導(dǎo)入預(yù)定濃度的導(dǎo)入氣體(預(yù)定的烴與氮氣的混合氣體),在預(yù)定的處理時間內(nèi)進行碳膜形成處理后,停止導(dǎo)入氣體的導(dǎo)入,并在排出殘留氣體后降低溫度。按照上述順序,如下表1所示地設(shè)定含碳氣體的種類、導(dǎo)入氣體中含碳氣體的濃度、處理溫度及處理時間,得到實施例113及比較例12的試樣。對于得到的試樣,利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡(SEM)觀察石英玻璃板105的表面狀態(tài)。對于形成了碳膜的試樣,進行碳膜的摩擦系數(shù)測定,并且評價錫的潤濕性。結(jié)果如表2所示。碳膜的摩擦系數(shù)的測定使用圖10所示的評價裝置進行。對圖10所示的評價裝置進行說明,該評價裝置200以在管狀容器201的外周設(shè)置有加熱器202的管型電爐203為主體而構(gòu)成。容器201的內(nèi)部設(shè)置有不銹鋼制的一對輥切片(口一^切片)204,在一個輥切片204中埋設(shè)有位置測量用的紅寶石針204a。在這些輥切片204上,以被處理面向下的方式設(shè)置由上述實驗裝置處理后的石英玻璃板105。在石英玻璃板105上放置重物205a,使石英玻璃板105與輥切片204的單位接觸面積上施加有100g的負荷。另外,石英玻璃板105上安裝有鉑絲206,鉑絲206連接到巻取器207上,使石英玻璃板105相對于輥切片以30mm/分鐘的速度滑動。另外,鉬絲206中組裝有負荷計208,能夠測定石英玻璃板105對輥切片的摩擦力。另外,容器201中設(shè)置有用于供給氫氣和氮氣的混合氣體的供給管209。然后,從供給管209供給氫氣和氮氣的混合氣體,使容器201內(nèi)的氣氛成為與玻璃制造設(shè)備的金屬熔池出口部同樣的氣氛,在利用加熱器202將容器201內(nèi)升溫到50(TC的狀態(tài)下,使巻取器運轉(zhuǎn)并進行摩擦力的評價。由測定的摩擦力求出摩擦系數(shù)。結(jié)果如表2所示。另外,錫的潤濕性使用評價高溫下金屬的潤濕性的裝置(7&"'7々公司制造的WET1200)進行評價。在該裝置的加熱臺上以被處理面向上的方式設(shè)置由上述實驗裝置處理后的石英玻璃板105,使熔融的錫從石英玻璃板105上開設(shè)的小孔噴出,測定熔融狀態(tài)的錫的接觸角。接觸角為IIO。以上評價為"良好",小于IIO。則評價為"不充分"。結(jié)果如表2所不。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>如表1和表2所示,比較例1表示熱處理的情況,比較例2表示未處理的情況,由于這些比較例1和比較例2中沒有碳膜,因此摩擦系數(shù)高,并且立即被錫潤濕。另一方面,使用乙炔(C2H2)進行了碳膜形成的情況下,如實施例111所示,在65070(TC的范圍下發(fā)生熱分解,形成良好的碳膜。作為一例,實施例2的試樣的表面狀態(tài)如圖11和圖12所示。圖11是肉眼觀察玻璃上帶有碳膜的狀態(tài)的照片,從光澤判斷玻璃表面上形成了均勻厚度的平滑的膜。圖12是用電子顯微鏡觀察圖11的碳膜的照片,表面上均勻且無間隙地分布有直徑約10nm的碳微粒(白色部分),判斷該膜非常致密,難以劃傷。由此可知,在實施例2的試樣上形成了致密且均質(zhì)的碳膜。另外,進行丙烷(CA)、苯(C6H6)等乙炔(C2H2)以外的碳膜形成時,如實施例12和實施例13所示,在約IOO(TC的溫度下發(fā)生熱分解,形成良好的碳膜。另外,形成了碳膜的實施例113中,摩擦系數(shù)低,對錫潤濕的抑制也良好。(實驗2)在玻璃制造設(shè)備的金屬熔池出口部,設(shè)置圖25所示的碳膜形成裝置進行真機試驗。如圖2圖5所示,在旋轉(zhuǎn)的提升輥的下側(cè)設(shè)置氣體供給噴嘴,向輥表面噴吹原料氣體,比較原料氣體噴出時和不噴出時玻璃帶的滑動劃痕的產(chǎn)生頻率。導(dǎo)入氣體使用與氮氣混合并將乙炔濃度調(diào)節(jié)為20%的混合氣體(導(dǎo)入氣體),對直徑300mm、長度4m的提升輥而言,導(dǎo)入氣體的供給量設(shè)定為0.6m3/小時。另外,氣氛溫度(金屬熔池出口部內(nèi)的溫度)設(shè)定為70(TC,氣氛氣體為氫氣與氮氣的混合氣體。結(jié)果,噴出的導(dǎo)入氣體使提升輥的輥面形成碳膜而變黑,與成膜前相比,玻璃帶的滑動劃痕的發(fā)生頻率降低至約50%。雖然有由于玻璃帶上附著的碳膜碎片而產(chǎn)生缺陷的擔(dān)心,但是,實際上在暴露于大氣氣氛時碳膜碎片燃燒消失,不會成為缺陷。如上所述,通過在輸送輥的表面形成碳膜,能夠防止熔融金屬或其氧化物在輸送輥上的附著,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,碳膜還作為潤滑劑起作用,因此,即使在輸送輥與玻璃帶之間產(chǎn)生速度差而使玻璃帶在輸送輥的輥面上摩擦的情況下,也不必擔(dān)心會在玻璃帶產(chǎn)生缺陷。另外,通過連續(xù)或間歇地將導(dǎo)入氣體噴出到輸送輥的周圍來加強因磨損而減少的碳膜,能夠制造長期無污垢或缺陷的玻璃帶。另外,通過在熔融金屬浴槽的浴槽壁上端部及其附近形成碳膜,使熔融金屬或其氧化物難以附著在浴槽壁上端部及其附近,從而使熔融金屬或其氧化物不會從浴壁上端部及其附近附著到玻璃帶的下面。12因此,能夠防止熔融金屬或其氧化物再附著到輸送輥上,從而能夠制造無污垢或缺陷的玻璃帶。參考特定的實施方式對本發(fā)明進行了詳細說明,但是,對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是,在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進行各種變更或修正。本申請基于2007年7月23日提出的日本專利申請2007-190708,該申請的內(nèi)容作為參考并入本說明書中。權(quán)利要求一種浮法玻璃制造方法,包括以下步驟向容納有熔融金屬的熔融金屬浴槽的水平浴面連續(xù)地供給熔融玻璃而形成玻璃帶,將所述玻璃帶從所述浴面提起,并通過多個輸送輥輸送到緩冷爐,該方法的特征在于,在所述輸送輥的表面形成有碳膜的狀態(tài)下,形成、提起和輸送所述玻璃帶。2.如權(quán)利要求1所述的浮法玻璃制造方法,其特征在于,在所述熔融金屬浴槽的浴槽壁上端部和所述浴槽壁上端部附近的表面上形成有碳膜,所述浴槽壁上端部位于所述玻璃帶從所述浴面提起而離開所述浴面的部分的下游。3.如權(quán)利要求1或2所述的浮法玻璃制造方法,其特征在于,所述碳膜通過使含碳氣體熱分解而形成。4.如權(quán)利要求3所述的浮法玻璃制造方法,其特征在于,所述含碳氣體為乙炔。5.—種浮法玻璃制造設(shè)備,具有用于容納熔融金屬、并且熔融玻璃被連續(xù)地供給到所述熔融金屬的水平浴面而形成玻璃帶的熔融金屬浴槽,用于使所述玻璃緩冷的緩冷爐,禾口用于將所述玻璃帶從所述熔融金屬浴槽輸送到所述緩冷爐的輸送輥,其特征在于,在所述輸送輥的表面形成有碳膜。6.如權(quán)利要求5所述的浮法玻璃制造設(shè)備,其特征在于,在所述熔融金屬浴槽的浴槽壁上端部和所述浴槽壁上端部附近的表面上形成有碳膜,所述浴槽壁上端部位于所述玻璃帶離開所述浴面的部分的下游。7.如權(quán)利要求5或6所述的浮法玻璃制造設(shè)備,其特征在于,具有用于供給含碳氣體,并且使所述含碳氣體熱分解而形成所述碳膜的碳膜形成裝置。8.如權(quán)利要求7所述的浮法玻璃制造設(shè)備,其特征在于,碳膜形成裝置由沿所述輸送輥的縱向與所述輸送輥表面相對配置的至少一個氣體供給噴嘴、將所述含碳氣體供給到所述氣體供給噴嘴的氣體供給裝置和將所述含碳氣體從所述氣體供給裝置導(dǎo)入所述氣體供給噴嘴的氣體導(dǎo)入部構(gòu)成。9.如權(quán)利要求7或8所述的浮法玻璃制造設(shè)備,其特征在于,所述含碳氣體為乙炔。全文摘要本發(fā)明提供能夠防止污垢或缺陷產(chǎn)生的浮法玻璃制造方法及浮法玻璃制造設(shè)備。本發(fā)明涉及一種浮法玻璃制造方法,包括以下步驟向容納有熔融金屬的熔融金屬浴槽的水平浴面連續(xù)地供給熔融玻璃而形成玻璃帶,將所述玻璃帶從所述浴面提起,并通過多個輸送輥輸送到緩冷爐,該方法的特征在于,在所述輸送輥的表面形成有碳膜的狀態(tài)下,形成、提起和輸送所述玻璃帶。文檔編號C03B18/16GK101754937SQ20088010013公開日2010年6月23日申請日期2008年7月15日優(yōu)先權(quán)日2007年7月23日發(fā)明者谷井史朗申請人:旭硝子株式會社
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