專利名稱：一種可提高切割成品率的切割道的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶圓切割工藝，尤其涉及一種可提高切割成品率的切割道。 ,狄A
在半導體制造領(lǐng)域，當在晶圓上制成晶粒(die)后，還需要通過切割工藝 將晶圓切割為單個的晶粒，之后將該些晶粒封裝形成可直接使用的芯片。如圖1 所示，切割道10 (Scribe line)將晶圓1區(qū)隔為多個晶粒11,在進行切割工 藝時沿著切割道10將晶圓l切割成單個的晶粒ll。切割道10的寬度通常為80 微米，為盡可能的利用晶圓上的空間，通常會在切割道10上設(shè)置用于進行晶圓 驗收測試(wafer acceptance testing;簡稱WAT)的測試模塊100 (test key)。
參見圖2,該測試模塊100具有多個金屬墊100a和多條連接在金屬墊100a 上的金屬導線100b,金屬墊100a與晶粒11上的金屬互聯(lián)層同時形成。
參見圖3,其為現(xiàn)有技術(shù)中的金屬墊100a的剖視圖，如圖所示，現(xiàn)有技術(shù)
的金屬墊100a具有第 一層金屬Ml 、第 一層金屬插塞層VI 、第二層金屬層M2.....
頂層金屬插塞層TV、頂層金屬TM,其所包括的每層金屬上下對齊，且其均為邊 長等于70微米的正方形。在現(xiàn)有技術(shù)中，圖2中所示的金屬導線lOOb在與金 屬墊100a互連時，從金屬墊100a的外側(cè)與金屬墊100a實現(xiàn)連接，由于金屬墊 100a與切割道10的中心重合，于是金屬導線100b通常分布在距離晶粒5微米 的范圍內(nèi)，當完成WAT測試并沿切割道10將晶圓l切成單個的晶粒ll時，由 于金屬導線100b距離晶粒11的距離非常近，此時金屬導線lOOb產(chǎn)生的金屬碎 屑易損傷晶粒ll，嚴重時會造成晶粒ll的報廢，如此會大大降低切割工藝的成
品率o
因此，如何提供一種可提高切割成品率的切割道以避免金屬導線距離晶粒 太近而在切割時形成可損傷晶粒的金屬碎屑，已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可提高切割成品率的切割道，通過所述切割道 可避免金屬導線與晶粒間的距離過近而使金屬導線在切割時形成易損傷晶粒的 金屬碎屑，從而可大大提高晶圓切割的成品率。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的 一種可提高切割成品率的切割道，其設(shè)置在 晶圓上且將晶圓區(qū)隔為多個晶粒，該切割道上i殳置有多個測試模塊，該測試模 塊具有多個金屬墊以及多條連接在金屬墊上的金屬導線，該金屬墊底部具有一 沿切割道方向貫通并用于設(shè)置金屬導線的容置凹槽，該容置凹槽終止于該金屬 墊的頂層金屬上，該金屬導線經(jīng)過該容置凹槽穿過或連接在該金屬墊上。 在上述的可提高切割成品率的切割道中，該金屬墊由多層金屬組成。 在上述的可提高切割成品率的切割道中，該金屬墊排布在切割道的中心區(qū)域。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，該容置凹槽位于金屬墊底部的中
心區(qū)域。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，該容置凹槽的寬度占該金屬墊總 寬度的10%至80%。
與現(xiàn)有技術(shù)中連接在金屬墊的金屬導線從金屬墊外側(cè)連接至金屬墊，從而 造成切割晶圓時金屬導線所產(chǎn)生金屬碎屑易損傷晶粒相比，本發(fā)明的可提高切 割成品率的切割道在金屬墊的底部設(shè)置一沿切割道方向且貫通的容置凹槽，金 屬導線途徑該容置凹槽穿過或連接在金屬墊上，從而避免了在將晶圓切割成單 個晶粒時距離晶粒過近的金屬導線產(chǎn)生的高能量金屬碎屑損傷晶粒，如此可大 大提高晶圓切割時的成品率，同時也有效增大了切割道上的布線空間。


本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道由以下的實施例及附圖給出。 圖1為具有切割道和晶粒的晶圓的主視圖； 圖2為測試模塊的組成結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中金屬墊的剖視圖4為本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道上金屬墊的剖視圖。
具體實施例方式
以下將對本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道作進一步的詳細描述。
參見圖1,本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道10設(shè)置在晶圓1上，且將 晶圓1區(qū)隔為多個晶粒11，所述切割道10上設(shè)置有多個測試模塊100。在本實 施例中，切割道10的寬度為80微米。
參見圖2,所述測試模塊100具有多個金屬墊100a以及多條連接在金屬墊 100a上的金屬導線100b，其中，所述金屬導線100b可用于進行互連或用于測試。
參見圖4，本發(fā)明中的金屬墊100a具有第一層金屬Ml、第一層金屬插塞層
VI、第二層金屬層M2.....頂層金屬插塞層TV、頂層金屬TM,本發(fā)明的金屬
墊100a底部具有一沿切割道10方向貫通并用于設(shè)置金屬導線100b的容置凹槽 Gl,所述容置凹槽Gl終止于所述金屬墊100a的頂層金屬TM上，所述容置凹槽 Gl的寬度占金屬墊100a總寬度的10 /。至80%。在本實施例中，所述金屬墊100a 的每一金屬層均為邊長等于70微米的正方形，所述容置凹槽G1的寬度為15微 米。如此金屬導線100b可通過一個或多個容置凹槽Gl連接至金屬墊100a。在 進行切割工藝時，與晶粒11最近的區(qū)域中沒有金屬導線100b，如此可避免由金 屬導線lOOb在切割時所產(chǎn)生的金屬碎屑損傷晶粒ll。
綜上所述，本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道在金屬墊的中設(shè)置一沿切 割道方向且貫通的容置凹槽，金屬導線途徑所述容置凹槽將測試單元與金屬墊 連接，從而避免了在將晶圓切割成單個晶粒時距離晶粒過近的金屬導線產(chǎn)生的 高能量金屬碎屑損傷晶粒，如此可大大提高晶圓切割時的成品率，同時也有效 增大了切割道上的布線空間。
權(quán)利要求
1、一種可提高切割成品率的切割道，其設(shè)置在晶圓上且將晶圓區(qū)隔為多個晶粒，該切割道上設(shè)置有多個測試模塊，該測試模塊具有多個金屬墊以及多條連接在金屬墊上的金屬導線，其特征在于，該金屬墊底部具有一沿切割道方向貫通并用于設(shè)置金屬導線的容置凹槽，該容置凹槽終止于該金屬墊的頂層金屬上，該金屬導線經(jīng)過該容置凹槽穿過或連接在金屬墊上。
2、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該金屬 墊由多層金屬組成。
3、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該金屬 墊排布在切割道的中心區(qū)域。
4、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該容置 凹槽位于金屬墊底部的中心區(qū)域。
5、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該容置 凹槽的寬度占該金屬墊總寬度的10%至80%。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可提高切割成品率的切割道，其設(shè)置在晶圓上且將晶圓區(qū)隔為多個晶粒，該切割道上設(shè)置有多個測試模塊，該測試模塊具有多個金屬墊以及多條連接在金屬墊上的金屬導線?，F(xiàn)有技術(shù)中金屬導線排布在金屬墊外側(cè)且接近晶粒易在切割時產(chǎn)生損傷晶粒的金屬碎屑。本發(fā)明的金屬墊中具有一沿切割道方向貫通并用于設(shè)置金屬導線的容置凹槽，該容置凹槽終止于該金屬墊的頂層金屬上，該金屬導線經(jīng)過該容置凹槽穿過或連接在該金屬墊上。采用本發(fā)明可避免金屬導線距離晶粒太近而在切割時產(chǎn)生可損傷晶粒的金屬碎屑，如此將大大提高切割工藝的成品率，同時也有效增大了切割道上的布線空間。
文檔編號B28D5/04GK101554756SQ20081003589
公開日2009年10月14日 申請日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月10日
發(fā)明者永 趙, 陸黎明, 黃偉霞 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司