專利名稱：一種電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，具體地說是一種電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
泡沫陶瓷具有良好的通透性能、吸附能力和大的比表面積，反應(yīng)氣體通過涂覆催化劑的泡沫陶瓷孔道，將大大提高轉(zhuǎn)化效率和反應(yīng)速度，目前常用的催化劑多孔載體主要是氧化鋁、氧化硅和堇青石等。由于這些氧化物陶瓷是絕緣體，難以直接通電實現(xiàn)主動加熱，只能在被動加熱中達到催化劑的反應(yīng)溫度后實現(xiàn)催化作用。因而，它們在需要快速達到最佳反應(yīng)溫度的領(lǐng)域應(yīng)用受到了限制。
泡沫碳化硅陶瓷具有高比表面積、與氣體良好的交換效率特點，并具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、化學(xué)穩(wěn)定性、半導(dǎo)體特性、極強的耐氧化、沖刷、耐酸堿腐蝕和電性能可調(diào)等特性，特別是通過調(diào)節(jié)它的電阻率可以實現(xiàn)主動加熱，達到充分發(fā)揮催化劑的催化效率的目的。作為催化劑載體已經(jīng)應(yīng)用到氣體催化凈化領(lǐng)域。
碳化硅具有半導(dǎo)體特性，純的碳化硅電阻率很大，一般在1014mΩ以上；通過攙雜可以使其電阻率下降到10-1mΩ以下，電阻率的變化范圍與摻雜的種類和數(shù)量有關(guān)。碳化硅具有負溫度系數(shù)的特點，即溫度升高，電阻率下降。通過改變泡沫碳化硅陶瓷鈦等金屬的摻雜量，可以改善其導(dǎo)電性能，實現(xiàn)電導(dǎo)率可控，為實現(xiàn)泡沫碳化硅陶瓷的主動加熱、提高擔載的催化劑的催化效率奠定基礎(chǔ)。
目前的碳化硅泡沫陶瓷有以下四種方法制備粉末燒結(jié)法、固相反應(yīng)燒結(jié)法、含硅樹脂熱解法和氣相沉積法。
粉末燒結(jié)法又分為兩種不同的過程。其一是將含有一定量燒結(jié)助劑的碳化硅粉與連接劑(如硅酸乙脂水解液、硅溶膠等)調(diào)成合適濃度的料漿后，浸掛在聚氨脂泡沫上，固化干燥后，經(jīng)脫出連接劑和聚氨脂泡沫后，燒結(jié)便得到泡沫狀的碳化硅陶瓷；另一種方法是將含燒結(jié)助劑的碳化硅粉與株狀發(fā)泡劑均勻混合后，用模壓或澆注方法成型。通過熔化或氣化脫出發(fā)泡劑，然后進行高溫?zé)Y(jié)以獲得泡沫狀碳化硅陶瓷。
固相反應(yīng)燒結(jié)法是將株狀發(fā)泡劑與硅粉和碳粉均勻混合成型。通過熔化或氣化脫出發(fā)泡劑，經(jīng)過高溫反應(yīng)燒結(jié)后即獲得泡沫狀碳化硅陶瓷。
含硅樹脂熱解法是將有機硅前驅(qū)體制成高分子凝膠，脫出凝膠中的有機溶劑后得到泡沫狀的含硅樹脂，經(jīng)充分予氧化后進行熱解即得到泡沫狀碳化硅陶瓷。
氣相沉積法是利用化學(xué)氣相沉積的方法將碳化硅沉積到網(wǎng)狀碳纖維編織體上而獲得泡沫狀碳化硅陶瓷。
上述四種方法均有各自的不足。前三種方法由于沒有熱壓過程，初始密度不高，制備的泡沫狀碳化硅陶瓷不致密，因而強度低，并且固相反應(yīng)燒結(jié)法和含硅樹脂熱解法孔隙體積和尺寸難以控制；而氣相沉積法面臨制作成本高，速度慢等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料及其制備方法，用該方法制備的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷具有電阻率可控、強度高、孔隙體積和尺寸易于控制、制作成本較低的特點。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，按重量百分數(shù)計，其成份由80％～96％的碳化硅、10％～2％金屬相和10％～2％的硅組成。
所述碳化硅泡沫陶瓷以多邊型封閉環(huán)為基本單元，各基本單元相互連接形成三維連通網(wǎng)絡(luò)；構(gòu)成多邊形封閉環(huán)單元的陶瓷筋的相對致密度≥99％，平均晶粒尺寸在1.5μm-15μm。電阻率的變化范圍為5Ω.cm-0.01Ω.cm。；所述金屬相為鈦、鎳、鐵、鎢、鉬、釩、鋁、銅或鋅。
所述電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷的制備是將碳化硅粉、金屬粉與高產(chǎn)碳率高的高分子混合制成料漿。選擇合適孔徑的聚氨脂泡沫塑料，并剪裁成所需要的形狀和尺寸，而后將其浸入料漿中，取出后，用擠壓、風(fēng)吹、離心等方式除去多余的料漿，半固化。在高壓容器內(nèi)高溫、高壓固化，以提高泡沫陶瓷骨架予制體的初始密度。將固化后的泡沫體在真空或惰性氣體保護爐中進行聚氨脂脫除和樹脂熱解，得到與原始泡沫聚氨脂形狀一樣的由碳化硅、金屬粉與熱解碳組成的泡沫狀碳骨架。
碳骨架中的碳與氣相或液相硅反應(yīng)生成碳化硅，并與泡沫骨架中的原始碳化硅顆粒結(jié)合起來，同時，金屬粉通過擴散的方式進入碳化硅晶界間隙中，增加電子載流子和離子載流子的濃度；固熔的金屬粉與碳、硅反應(yīng)生成導(dǎo)電相。從而得到導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷。
摻雜的泡沫碳化硅陶瓷呈現(xiàn)出的負溫度系數(shù)特征，這是由泡沫碳化硅陶瓷的本身的半導(dǎo)體特性所決定，過量的導(dǎo)電相摻雜將會使泡沫碳化硅陶瓷表現(xiàn)出正溫度系數(shù)特征；金屬粉的加入量明顯影響碳化硅泡沫陶瓷電阻率的變化。
具體操作過程如下以碳化硅粉、高分子材料和金屬粉為基本原料，以泡沫塑料為模板，(1)料漿配制將溶質(zhì)碳化硅粉、高分子材料、金屬粉及固化劑與溶劑乙醇按重量4～5∶5～6的比例混合，經(jīng)機械攪拌后球磨，過濾，得料漿，料漿溶液中溶質(zhì)總量為總量的5～60％；碳化硅粉平均粒度為1.5-15μm；碳化硅粉、高分子材料、金屬粉與固化劑之間重量百分比例為70～20wt％∶20～50wt％∶1～10wt％∶1～20wt％；(2)浸掛將聚胺脂泡沫剪裁成所需形狀和尺寸，均勻地浸入料漿中、拿出后擠去多余料漿、采用氣吹或離心的方式除去多余料漿，加熱半固化，重復(fù)多次，達到所需要的體積份數(shù)，得到碳化硅泡沫陶瓷前驅(qū)體；40～100℃溫度下半固化，時間1-2分鐘；(3)熱壓致密化將碳化硅泡沫陶瓷骨架前驅(qū)體放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣或氬氣高溫、高壓固化，得到致密的碳化硅泡沫陶瓷碳骨架；壓力為5-22MPa、溫度在100-300℃，升溫速度1-5℃，保溫10分鐘-2小時；(4)熱解將致密的碳化硅泡沫陶瓷碳骨架在氬氣或氮氣的保護氣氛或真空條件下進行熱解，生成泡沫陶瓷碳骨架；其中升溫速率每分鐘1～10℃，升溫至800～1400℃，保溫0.5～2小時；(5)滲硅將熱解后的致密的碳化硅泡沫碳骨架進行反應(yīng)燒結(jié)，加入碳骨架重量2-5倍的硅粉，放在碳骨架表面上，利用液相或氣相反應(yīng)，硅源提供的硅與熱解產(chǎn)生的碳反應(yīng)生成β-SiC。β-SiC分布在原基體中的α-SiC晶界之間，與α-SiC結(jié)合，使碳化硅泡沫陶瓷骨架筋致密化，反應(yīng)燒結(jié)在保護氣氛或真空條件下進行，升溫速率為每分鐘5～15℃，溫度為1500～2200℃，保溫0.5～5小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料。
所述高分子材料可以選自環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和糠醛樹脂之一種或幾種；在所述高分子材料中還可以混入均粒度為1.5μm-15μm的碳化硅，40-60％體積為佳；摻雜的金屬粉選自鈦、鎳、鐵、鎢、鉬、釩、鋁、銅或鋅等金屬粉；平均粒度為2μm-20μm，加入量為2-10％。
所述乙醇體積濃度為≥95％，硅粉純度為≥95％。
所述固化劑為對甲苯磺酸、五洛脫品、草酸或檸檬酸等；含量較好為樹脂量的1-40％，以2-8％為佳；所述熱解時的升溫速率最好為2-4℃/min。
本發(fā)明具有如下有益效果1、碳化硅泡沫陶瓷的電阻率可控本發(fā)明采用在制備碳化硅泡沫陶瓷的原始料漿中摻雜金屬粉的方式來控制碳化硅泡沫陶瓷的電阻率。在反應(yīng)燒結(jié)過程中，金屬粉通過擴散的方式進入碳化硅晶界間隙中，增加電子載流子和離子載流子的濃度；固熔的金屬粉與碳、硅反應(yīng)生成導(dǎo)電相，這兩種方式均可以改變碳化硅泡沫陶瓷的電阻率。電阻率的變化范圍為5Ω.cm-0.01Ω.cm。
2、致密、強度高。
本發(fā)明采用熱壓固化泡沫陶瓷骨架前驅(qū)體的方法，以提高其初始密度；并采用滲硅反應(yīng)形成碳化硅泡沫陶瓷。所制備的碳化硅泡沫陶瓷筋具有接近100％的相對密度和均勻細密的顯微組織(見附圖1、2、3)。這是除氣相沉積方法以外其它方法所不能達到的，但成本卻遠低于氣相沉積方法，同時筋的粗細既體積分數(shù)更容易控制。因而，該方法能以低的制備成本獲得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料。
3、不需要模具即可實現(xiàn)近終形成型，降低制備加工成本。這一點主要由兩方面原因決定第一，作為泡沫陶瓷的原始模板，聚氨脂泡沫塑料極易加工成任意形狀；第二，通過向碳骨架中滲硅反應(yīng)形成反應(yīng)燒結(jié)碳化硅幾乎是一個無變形率的過程。
4、泡沫陶瓷孔徑、空隙率易于控制。聚氨脂泡沫塑料作為獲得最終泡沫陶瓷的原始模板，首先利用高產(chǎn)碳率的樹脂的熱解反應(yīng)制得含一定比例碳化硅的泡沫碳骨架，而后在其上通過進行液態(tài)或氣態(tài)滲硅反應(yīng)得到幾何結(jié)構(gòu)與原始泡沫樹脂相似的碳化硅泡沫陶瓷。
總之本發(fā)明提出了一種新的、廉價的、制備電阻率可控的致密的碳化硅泡沫陶瓷方法。在該方法中，金屬粉摻雜、熱壓固化、高分子熱解與反應(yīng)燒結(jié)被有機的結(jié)合在一起，使制備出的碳化硅泡沫陶瓷具有電阻率可調(diào)、孔隙尺寸和孔隙密度易控、陶瓷筋密度高(可達100％)、筋表面狀態(tài)可隨意設(shè)計、泡沫體強度高等特點。這些特點，使導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷得到更廣泛的應(yīng)用。下面通過實施例詳述本發(fā)明。


圖1為攙雜鈦粉的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷的宏觀形貌圖；圖2為攙雜鈦粉后鈦轉(zhuǎn)變成TiSi2導(dǎo)電相的泡沫碳化硅陶瓷骨架的XRD圖譜；圖3為攙雜鈦粉的泡沫碳化硅陶瓷筋(斷口)內(nèi)部的顯微組織(形貌)圖。
具體實施例方式
實施例1將重量比分別為55％∶35％∶5％∶5％的平均粒度2μm碳化硅粉、氨酚醛樹脂、平均粒度5μm鈦粉、對甲苯磺酸共溶于無水乙醇中，制成料漿(溶質(zhì)含量為30％)，將孔徑1mm的聚胺脂泡沫切割成要求尺寸后均勻地浸入所述料漿中，浸泡1分鐘，拿出后擠去多余料漿，風(fēng)干后50℃半固化10分鐘，放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣使氣壓達到12MPa，升溫至250℃，保溫1小時固化。在氬氣保護下熱解，生成碳骨架；其中升溫速率每分鐘2℃，升溫至800℃，保溫0.5小時。將含鈦碳骨架進行真空滲硅(加入碳骨架重量3倍的硅粉，放在碳骨架表面上)，反應(yīng)溫度1500℃，升溫速率為10℃/分鐘，保溫1小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，室溫電阻率為0.0312Ω.cm、筋致密度為99％，碳化硅晶粒粒度為.2～8μm。
實施例2將重量比分別為37％∶55％∶5％∶3％的平均粒度2μm碳化硅粉、環(huán)氧樹脂(牌號為EP0141-310)、平均粒度3.5μm鈦粉、對甲苯磺酸共溶于無水乙醇中，制成料漿(溶質(zhì)含量為40％)，將孔徑2mm的聚胺脂泡沫切割成要求尺寸后均勻地浸入所述料漿中，浸泡1分鐘，拿出后擠去多余料漿，風(fēng)干后50℃半固化10分鐘，放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣使氣壓達到10MPa，升溫至200℃，保溫1小時固化。在氬氣保護下熱解，生成碳骨架；其中升溫速率每分鐘2℃，升溫至900℃，保溫0.5小時。將碳骨架進行真空滲硅(加入碳骨架重量2倍的硅粉，放在碳骨架表面上)，反應(yīng)溫度1600℃，升溫速率為10℃/分鐘，保溫1小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，室溫電阻率為0.0853Ω.cm、筋致密度為99％，碳化硅晶粒粒度為2～8μm。
實施例3將重量比各為50％的熱固性酚醛樹脂和糠醛樹脂共溶于無水乙醇中，制成料漿溶液，再將重量比分別為94％∶6％的平均粒度為5μm的碳化硅粉和平均粒度3.5μm的鈦粉均勻加入上述溶液中，形成樹脂/碳化硅粉體積比為1/9的料漿(溶質(zhì)含量為20％)。將孔徑2mm的聚胺脂泡沫切割成要求尺寸后均勻地浸入所述料漿中，拿出后擠去多余料漿，浸泡1分鐘，風(fēng)干后50℃半固化10分鐘，放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣使氣壓達到11MPa，升溫至230℃，保溫1小時固化。在氬氣保護下熱解，生成碳骨架；其中升溫速率每分鐘2℃，升溫至1200℃，保溫0.5小時。熱解后，進行真空滲硅(加入碳骨架重量5倍的硅粉，放在碳骨架表面上)，反應(yīng)溫度1850℃，升溫速率為15℃/分鐘，保溫1小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，室溫電阻率為0.0624Ω.cm、筋致密度為99％，碳化硅晶粒粒度為5～10μm。
實施例4將重量比分別為58％∶35％∶2％∶5％的平均粒度1.5μm碳化硅粉、硼酚醛樹脂、平均粒度3.5μm的鈦粉、五洛脫品共溶于無水乙醇中，制成料漿(溶質(zhì)含量為30％)，將孔徑2mm的聚胺脂泡沫切割成要求尺寸后均勻地浸入所述料漿中，浸泡1分鐘，拿出后擠去多余料漿，風(fēng)干后50℃半固化20分鐘，放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣使氣壓達到18MPa，升溫至260℃，保溫1小時固化。在氬氣保護下熱解，生成碳骨架；其中升溫速率每分鐘2℃，升溫至1400℃，保溫0.5小時。熱解后，進行真空滲硅(加入碳骨架重量3倍的硅粉，放在碳骨架表面上)，反應(yīng)溫度2000℃，升溫速率為10℃/分鐘，保溫1小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，室溫電阻率為0.0436Ω.cm筋致密度為100％，碳化硅晶粒粒度為1.5～8μm。
實施例5將重量比分別為30％和65％的熱固性酚醛樹脂和糠醛樹脂與5％五洛脫品共溶于無水乙醇中，制成料漿溶液，再將重量比分別為92％∶8％的平均粒度為5μm的碳化硅粉和平均粒度5μm的鈦粉均勻加入上述溶液中，形成樹脂/碳化硅粉體積比為6/4的料漿(溶質(zhì)含量為50％)。將孔徑2mm的聚胺脂泡沫切割成要求尺寸后均勻地浸入所述料漿中，浸泡1分鐘，拿出后擠去多余料漿，風(fēng)干后50℃半固化30分鐘，放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣使氣壓達到15MPa，升溫至240℃，保溫1小時固化。在氬氣保護下熱解，生成碳骨架；其中升溫速率每分鐘2℃，升溫至1000℃，保溫0.5小時。熱解后，進行真空滲硅(加入碳骨架重量4倍的硅粉，放在碳骨架表面上)，反應(yīng)溫度1950℃，升溫速率為15℃/分鐘，保溫1小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，室溫電阻率為0.0124Ω.cm、筋致密度為99％，碳化硅晶粒粒度為5～15μm。
實施例6將重量比分別為40％和55％的熱固性酚醛樹脂和糠醛樹脂與5％檸檬酸共溶于無水乙醇中，制成料漿溶液，再將重量比分別為93％∶7％的平均粒度為10μm的碳化硅粉和平均粒度為8μm的鈦粉均勻加入上述溶液中，形成樹脂/碳化硅粉體積比為5/5的料漿(溶質(zhì)含量為45％)。將孔徑3mm的聚胺脂泡沫切割成要求尺寸后均勻地浸入所述料漿中，浸泡1分鐘，拿出后擠去多余料漿，風(fēng)干后50℃半固化10分鐘，放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣使氣壓達到20MPa，升溫至280℃，保溫1小時固化。在氬氣保護下熱解，生成碳骨架；其中升溫速率每分鐘2℃，升溫至900℃，保溫0.5小時。熱解后，進行真空滲硅，加入碳骨架重量5倍的硅粉，放在碳骨架表面上，反應(yīng)溫度1650 ℃，升溫速率為15℃/分鐘，保溫1小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，室溫電阻率為0.0251Ω.cm、筋致密度為100％，碳化硅晶粒粒度為1.5～8μm。
實施例7與實施例1的不同之處在于金屬粉選用5μm鎳粉。
實施例8與實施例2的不同之處在于金屬粉選用10μm鐵粉。
實施例9與實施例3的不同之處在于金屬粉選用8μm鉬粉。
實施例10與實施例4的不同之處在于金屬粉選用15μm鋁粉。
實施例11與實施例5的不同之處在于金屬粉選用3.5μm鎢粉。
實施例12與實施例6的不同之處在于金屬粉選用20μm釩粉。
實施例13與實施例1的不同之處在于金屬粉選用5μm銅粉。
實施例14與實施例3的不同之處在于金屬粉選用1.5μm鋅粉。
權(quán)利要求
1.一種電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，其特征在于按重量百分數(shù)計，其成份由80％～96％的碳化硅、10％～2％金屬相和10％～2％的硅組成。
2.按照權(quán)利要求1所述電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，其特征在于所述碳化硅泡沫陶瓷以多邊型封閉環(huán)為基本單元，各基本單元相互連接形成三維連通網(wǎng)絡(luò)；構(gòu)成多邊形封閉環(huán)單元的陶瓷筋的相對致密度≥99％，平均晶粒尺寸在1.5μm-15μm。
3.按照權(quán)利要求1所述導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料，其特征在于所述金屬相為鈦、鎳、鐵、鎢、鉬、釩、鋁、銅或鋅。
4.一種權(quán)利要求1所述電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷的制備方法，其特征在于以碳化硅粉、高分子材料和金屬粉為基本原料，以泡沫塑料為模板，具體操作過程如下(1)料漿配制將溶質(zhì)碳化硅粉、高分子材料、金屬粉及固化劑與溶劑乙醇按重量4～5∶5～6的比例混合，經(jīng)機械攪拌后球磨，過濾，得料漿，料漿溶液中溶質(zhì)總量為總量的5～60％；碳化硅粉平均粒度為1.5-15μm；碳化硅粉、高分子材料、金屬粉與固化劑之間重量百分比例為70～20wt％∶20～50wt％∶1～10wt％∶1～20wt％；(2)浸掛將聚胺脂泡沫剪裁成所需形狀和尺寸，均勻地浸入料漿中、拿出后擠去多余料漿、采用氣吹或離心的方式除去多余料漿，加熱半固化，重復(fù)多次，達到所需要的體積份數(shù)，得到碳化硅泡沫陶瓷前驅(qū)體；40～100℃溫度下半固化，時間1-2分鐘；(3)熱壓致密化將碳化硅泡沫陶瓷骨架前驅(qū)體放入高壓容器內(nèi)，充入氮氣或氬氣高溫、高壓固化，得到致密的碳化硅泡沫陶瓷碳骨架；壓力為5-22MPa、溫度在100-300℃，升溫速度1-5℃，保溫10分鐘-2小時；(4)熱解將致密的碳化硅泡沫陶瓷碳骨架在氬氣或氮氣的保護氣氛或真空條件下進行熱解，生成泡沫陶瓷碳骨架；其中升溫速率每分鐘1～10℃，升溫至800～1400℃，保溫0.5～2小時；(5)滲硅將熱解后的致密的碳化硅泡沫碳骨架反應(yīng)燒結(jié)，加入碳骨架重量2-5倍的硅粉，放在碳骨架表面上，反應(yīng)燒結(jié)在保護氣氛或真空條件下進行，升溫速率為每分鐘5～15℃，溫度為1500～2200℃，保溫0.5～2小時，得導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料。
5.按照權(quán)利要求4所述導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述高分子材料選自環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和糠醛樹脂之一種或幾種；摻雜的金屬粉選自鈦、鎳、鐵、鎢、鉬、釩、鋁、銅或鋅。
6.按照權(quán)利要求4所述導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述乙醇體積濃度為≥95％，硅粉純度為≥95％。
7.按照權(quán)利要求4所述導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述固化劑為對甲苯磺酸、五洛脫品、草酸或檸檬酸。
8.按照權(quán)利要求4所述導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述熱解時的升溫速率為每分鐘1～4℃。
全文摘要
本發(fā)明涉及導(dǎo)電泡沫陶瓷的制備技術(shù)，具體地說是電阻率可控的導(dǎo)電碳化硅泡沫陶瓷材料及其制備方法，其中所述碳化硅泡沫陶瓷以多邊型封閉環(huán)為基本單元，各基本單元相互連接形成三維連通網(wǎng)絡(luò)；構(gòu)成多邊形封閉環(huán)單元的陶瓷筋的相對致密度≥99％；按重量分數(shù)計，其成份由80％～96％的碳化硅、10％～2％金屬相和10％～2％的硅組成；電阻率的變化范圍為5Ω.cm－0.01Ω.cm。
文檔編號C04B38/08GK1962544SQ200510047688
公開日2007年5月16日 申請日期2005年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月11日
發(fā)明者張勁松, 曹小明, 田沖, 楊振明, 劉強 申請人:中國科學(xué)院金屬研究所