專利名稱：壓電陶瓷材料以及使用該材料的整體式壓電轉(zhuǎn)換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電陶瓷材料，具體而言，本發(fā)明涉及主要含鈦酸鉛的壓電陶瓷材料。
通訊設(shè)備中使用的濾波器以及壓電轉(zhuǎn)換器如CPU鐘和傳感器中，通常使用壓電陶瓷。這類壓電陶瓷主要包含如PbTiO3或PbTiO3-PbZrO3的組分。
這些陶瓷中，主要包含鈦鋯酸鉛的壓電陶瓷具有低至300℃的居里溫度，雖然這些陶瓷具有高的機電偶合系數(shù)。因此，這種陶瓷不能在高于這樣低的居里溫度下使用。另外，這種陶瓷由于具有高達約1000的介電常數(shù)，不適合應(yīng)用于在高頻區(qū)使用的壓電轉(zhuǎn)換器。
因此，用于特別是用于高頻區(qū)的壓電轉(zhuǎn)換器的壓電陶瓷，包含鈦酸鉛作為主組分和添加劑如Bi2O3、Cr2O3、MnO2和ZnO作為輔助組分，這種鈦酸鉛材料為壓電陶提供瓷高的居里溫度和小的介電常數(shù)。
另外，日本專利申請公開(kokai)No.56-2689公開了一種壓電陶瓷組合物，主要由(1-x)PbTiO3-xPb(Me1/2Mn1/2)O3(MeTa,Nb)代表的二元組分氧化物體系構(gòu)成，其中1.0-2.0％(原子)的Pb被Sr取代，并加入至少一種選自WO3、NiO或Fe2O3的輔助組分，其加入量為0.05-2.0％(重量)。該組合物成功地達到降低燒結(jié)溫度，抑制晶粒生長，改善溫度特性和時間推移特性，改善了機械質(zhì)量因素這些目的。
然而，當焙燒含W作為輔助組分的PbTiO3時，一種含W化合物或含W氧化物會在制得的燒結(jié)PbTiO3中分離。因為這種分離的W化合物或W氧化物占有顯著體積，從燒結(jié)PbTiO3形成的小體積碎片包括上述分離物會顯示電特性的差異。而且，燒結(jié)產(chǎn)品的機械強度下降，會增加由于裂紋和碎裂引起的碎片部分的故障。
鑒于前面所述，本發(fā)明一個目的是提供一種能抑制含W的燒結(jié)PbTiO3中W化合物或W氧化物的分離的壓電陶瓷材料。本發(fā)明的另一個目的是提供使用該陶瓷材料的壓電轉(zhuǎn)換器。
為達到上述目的進行了本發(fā)明的工作。
因此，本發(fā)明提供一種壓電陶瓷材料，它包含鈦酸鉛作為主組分；含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分；含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分。
具有這種組成的陶瓷材料提供的壓電陶瓷具有高居里溫度和小的介電常數(shù)，并能抑制陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。換句話說，在鈦酸鉛中加入Mn和W，能成功地降低燒結(jié)溫度和抑制Pb的蒸發(fā)，從而減小壓電特性的變化，獲得高的機械質(zhì)量因素(Qmt)，同時可保持鈦酸鉛的特性即高的居里溫度和小的介電常數(shù)。本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)含Si氧化物或化合物可抑制含W化合物或含W氧化物的分離。因此，在鈦酸鉛中加入二氧化硅能成功地抑制壓電陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離，制得性能可靠和一致的壓電陶瓷。
本發(fā)明還提供了一種壓電陶瓷材料，它包含鈦酸鉛作為主要組分；含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分；含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分，其中鈦酸鉛中15％(摩爾)或更少(不包括0％(摩爾))的Pb被至少一種選自鑭、釹或鈰的元素取代。
具有這種組成的陶瓷材料提供的壓電陶瓷具有高的居里溫度和小的介電常數(shù)降低燒結(jié)溫度；并能抑制Pb的蒸發(fā)，從而減小壓電特性的變化，獲得高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。這種陶瓷材料還可以抑制在制成的陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。另外，與沒有取代的同樣陶瓷材料制成的壓電陶瓷相比，壓電陶瓷的溫度特性有了提高。
以主組分為基準的重量百分數(shù)計，含Mn氧化物或含Mn化合物的加入量宜為0.1-5.0％(重量)(按折算為MnO計)，含W氧化物或含W化合物的加入量宜為0.1-5.0％(重量)(按折算為WO3計)。
按照上面的組成，可較大程度地降低燒結(jié)溫度和提高機械質(zhì)量因素。
以上面的主組分和輔助組分總量計，含Si氧化物或含Si化合物的加入量宜為2.0％(重量)或更少(不包括0％(重量))。
按照上面的組成，可有效抑制含W氧化物或含W化合物的分離，不會影響其它特性，并能降低燒結(jié)溫度。
本發(fā)明還提供了一種壓電陶瓷材料，它包括含PbTiO3和Pb(MnyW(1-y))O3的主組分與添加的SiO2或PbSiO3。
具有這樣組成的陶瓷材料提供的壓電陶瓷，具有高的居里溫度和小的介電常數(shù)，并能抑制制成的陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。
本發(fā)明又提供了一種壓電陶瓷材料，它包括含(Pb(1-3x/2)Mx)和Pb(MnyW(1-y))O3的主組分與添加的SiO2或PbSiO3，(M代表至少一個選自La、Nd或Ce的元素；0＜x≤0.1；0＜y＜1)。
具有這樣組成的陶瓷材料提供的壓電陶瓷具有高的居里溫度和小的介電常數(shù)；能降低燒結(jié)溫度并能抑制Pb的蒸發(fā)，從而減小壓電特性的差異，獲得高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。這種陶瓷材料還可以抑制在制成的陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。另外，與沒有取代的同樣陶瓷材料制成的壓電陶瓷相比，壓電陶瓷的溫度特性有了提高。
上面的壓電陶瓷材料中，主組分宜包括“a”摩爾(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3和“1-a”摩爾的Pb(MnyW(1-y))O3，(0.9≤a≤0.99；1/2≤y≤2/3)。
按照上面的模式，可較大程度地降低燒結(jié)溫度和提高機械質(zhì)量因素。
上面的壓電陶瓷材料宜包含100％(重量)的上述主組分和2.0％(重量)或更少(不包括0％(重量))的添加SiO2或PbSiO3，按折算為SiO2計。
按照上面的模式，可有效抑制含W氧化物或含W化合物的分離，不會影響其它特性，并能降低燒結(jié)溫度。
本發(fā)明還提供了整體式壓電轉(zhuǎn)換器，它包括一塊由上面列舉的壓電陶瓷材料形成的片、一個振動電極和一個外電極，其中的振動電極放置在壓電陶瓷片上形成疊加體，外電極則電連接到疊加體內(nèi)的振動電極上。
這種整體式壓電轉(zhuǎn)換器具有優(yōu)良的耐熱性，適合在高頻區(qū)使用。
結(jié)合附圖，根據(jù)下面對一些優(yōu)選實施方案的詳細描述，可以更好地理解本發(fā)明的其它目的、特征以及許多優(yōu)點。


圖1是本發(fā)明壓電陶瓷變換器一個例子的透視圖。
本發(fā)明的壓電陶瓷材料包含鈦酸鉛作為主組分；含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分；含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分。
本發(fā)明中，鈦酸鉛不限于ABO3(A∶B=1∶1)型鈦酸鹽，還包括略不同于化學計量的鈦酸鉛。Pb可以被另一種元素部分取代。較好的取代元素的例子La、Nd和Ce。與沒有取代的同樣陶瓷材料制成的壓電陶瓷相比，Pb被取代的陶瓷材料制成的壓電陶瓷提高了溫度特性。因為La、Nd和Ce是三價元素，Pb的被取代量為加入的元素摩爾總量的2/3。
加入上述含Mn氧化物或化合物，可提高制成的壓電陶瓷的機械質(zhì)量因素(Qmt)，對所加的Mn化合物沒有特別的限制，只要含有Mn。含Mn氧化物或含Mn化合物的加入量宜為上述鈦酸鉛的0.1-5.0％(重量)(折算為MnO計)。
加入上述含W氧化物或化合物，可降低壓電陶瓷材料的燒結(jié)溫度，對所加的W化合物沒有特別的限制，只要含有W。含W氧化物或含W化合物的加入量宜為上述鈦酸鉛的0.1-5.0％(重量)(折算為WO3計)。
式Pb(MnyW(1-y))O3中定義的y摩爾比值范圍宜為1/29≤y≤2/3。
加入上述含Si氧化物或含Si化合物，可抑制制成的壓電陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離，降低壓電陶瓷材料的燒結(jié)溫度。含Si氧化物或含Si化合物的例子包括SiO2和PbSiO3。含Si氧化物或含Si化合物的加入量，宜為上述鈦酸鉛、含Mn氧化物或含Mn化合物和含W氧化物或含W化合物總量的2.0％(重量)或更少(不包括0％(重量))(折算為WO3計)，0.05-1.0％(重量)更好?？梢栽诨旌显匣蛟诨旌险澈蟿┡c煅燒產(chǎn)品時加入含Si氧化物或含Si化合物。
對整體式壓電轉(zhuǎn)換器的形狀沒有特別的限制，只要轉(zhuǎn)換器包括由本發(fā)明壓電陶瓷材料成形的片，振動電極放置在壓電陶瓷片上形成疊加體，外電極電連接到振動電極上。例如，圖1所示的是捕獲能量的壓電轉(zhuǎn)換器1。壓電轉(zhuǎn)換器1包括一塊壓電陶瓷片2、在壓電陶瓷片2一個主表面上形成的一個振動電極3、與振動電極3電連接的一個外電極(未示出)。這些部件中，振動電極3包括位于壓電陶瓷片中心部分的振動部分3a和電連接該振動部分3a和外電極的引線部分3b。可將許多個這樣形成的單元重疊起來，形成疊加體4。在振動電極的外露表面上形成外電極，這樣就構(gòu)成了壓電轉(zhuǎn)換器1。下面用一些實施例詳細描述本發(fā)明的壓電陶瓷材料。
實施例實施例1稱取用作原料的PbO、TiO2、MnO和WO3，制得組成為PbTiO3+p％(重量)MnO+q％(重量)WO3的混合物。用球磨機，使用穩(wěn)定化氧化鋯的研磨球濕混各批混合物16小時，混合物脫水，并于850℃煅燒2小時。將經(jīng)煅燒的粉末產(chǎn)物與聚乙烯醇粘合劑和預(yù)定量的SiO2或PbSiO3混合，形成粘合劑混合物，在1噸/厘米2壓力下進行壓制，形成一塊圓片。壓制成形的圓片在1000-1250℃燒結(jié)2小時，形成燒結(jié)的圓片。在圓片的兩個主表面上汽相淀積銀電極。已有此電極的圓片浸在60℃-150℃絕緣油中，施加2.0-8.0kV/mm直流電壓進行極化處理，制得實施例1的樣品。以同樣的方式制得比較例樣品，不同之處是使用PbTiO3-PbZrO3代替PbTiO3。
測量上面制得的樣品和比較樣品的燒結(jié)產(chǎn)品密度、W的分離、比介電常數(shù)、居里溫度和壓電特性。
壓電特性包括對于在圓片樣品厚度方向上產(chǎn)生的垂直振動的機電偶合系數(shù)(kt)和機械質(zhì)量因素(Qmt)。用阻抗測定儀測量這些性能。在-20℃至80℃范圍測定諧振頻率，獲得諧振頻率溫度系數(shù)(/℃)(Fr-TC)。結(jié)果列于表1。所有情況下，加入的PbSiO3量折算為SiO2。表1中，標有※的樣品在本發(fā)明范圍之外，標有*的樣品在權(quán)利要求3和/或4的范圍之外。
表1
由表1可知，在含MnO、WO3和SiO2或PbSiO3的PbTiO3壓電陶瓷材料中，未觀察到W的分離。另外，這些陶瓷顯示小的介電常數(shù)，高r居里溫度、高r機電偶合系數(shù)(kt)和高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。
實施例2重復(fù)實施例1的步驟，不同之處是稱取PbO、TiO2、La2O3、Nd2O3、Ce2O3、MnO和WO3用作原料并混合，混合物的組成是Pb1-3x/2(La,Nd,Ce)x)TiO3+p％(重量)MnO+q％(重量)WO3，如前制成樣品。
與實施例1相同的方式，測量制得的燒結(jié)樣品的密度、W的分離、比介電常數(shù)、居里溫度和壓電特性。結(jié)果列于表2。
表2
由表2可知，在含MnO、WO3和SiO2或PbSiO3的PbTiO3壓電陶瓷材料中，未觀察到W的分離。另外，這些陶瓷顯示小的介電常數(shù)，高的居里溫度、高機電偶合系數(shù)(kt)和高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。其中，Pb被至少一種選自La、Nd或Ce的元素取代15％(摩爾)或更少的鈦酸鉛壓電陶瓷，與沒有取代的鈦酸鉛壓電陶瓷相比，具有優(yōu)良的溫度特性。
現(xiàn)根據(jù)實施例1和2的結(jié)果，說明各組分量限于上述組分范圍的原因。
表2中，樣品2-14、2-15和2-16含有總量為11％(摩爾)的La、Nd和Ce，即Pb的被取代量超過了15％(摩爾)，顯示不利的低居里溫度。因此，Pb的被取代量限于15％(摩爾)或更少。
本發(fā)明的一個較好實施方案中，含Mn氧化物或含Mn化合物以主組分的0.1-5.0％(重量)(按折算為MnO計)量加入。原因是，加入小于0.1％(重量)的MnO時(實施例1-9的情況)，機械質(zhì)量因素(Qmt)很小而不利，達不到Mn改善Qmt的效果，而樣品1-15證實，加入大于5％(重量)的MnO顯示較小的絕緣強度，僅能通過一種特定方法進行極化，而且極化處理不充分。
本發(fā)明的一個較好實施方案中，含W氧化物或含W化合物以主組分的0.1-5.0％(重量)(按折算為WO3計)量加入。加入小于0.1％(重量)的WO3時(實施例1-17的情況)，未能充分降低燒結(jié)溫度，這樣的陶瓷材料必須在1150℃或更高溫度，較好是1250℃或更高溫度下燒結(jié)，而樣品1-23證實，WO3含量大于5％(重量)時導(dǎo)致低的居里溫度。
本發(fā)明的一個較好實施方案中，含Si氧化物或含Si化合物以上述主組分和輔助組分的總量的2.0％(重量)或更少(按折算為SiO2計)量加入。加入大于2.0％(重量)的SiO2時(實施例1-7的情況)，機電偶合系數(shù)降低。
實施例3重復(fù)實施例1的步驟，不同之處是稱取PbO、TiO2、MnO和WO3用作原料并混合，混合物的組成是aPbTiO3+p％(重量)MnO+(1-a)Pb(MnyW(1-y))O3，如前制成樣品。
與實施例1相同的方式，評價制得的燒結(jié)樣品的密度、W的分離、比介電常數(shù)、居里溫度和壓電特性。結(jié)果列于表3。表3中，標有※的樣品在本發(fā)明權(quán)利要求7和/或8的范圍之外。
表3 標有※的樣品在本發(fā)明范圍之外標有*的樣品在權(quán)利要求7和/或8的范圍之外由表3可知，在含SiO2或PbSiO3的PbTiO3-Pb(Mn,W)O3二元壓電陶瓷中，未觀察到W的分離。另外，這些陶瓷顯示小的比介電常數(shù)，高的居里溫度、高的機電偶合系數(shù)(kt)和高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。
實施例4重復(fù)實施例1的步驟，不同之處是稱取PbO、TiO2、MnO和WO3用作原料并混合，混合物的組成是apb1-3x/2(La,Nd,Ce)x)TiO3+(1-a)Pb(MnyW(1-y))O3％(重量)MnO+(1-a)Pb(MnyW(1-y))O3，如前制成樣品。
與實施例1相同的方式，測量制得的燒結(jié)樣品的密度、W的分離、比介電常數(shù)、居里溫度和壓電特性。結(jié)果列于表4。表4中，標有※的樣品在本發(fā)明權(quán)利要求6的范圍之外。
表4 標有※的樣品在權(quán)利要求6范圍之外由表4可知，在含SiO2或PbSiO3的Pb(La,Nd,Ce)TiO3-Pb(Mn,W)O3二元壓電陶瓷中，未觀察到W的分離。另外，這些陶瓷顯示小的比介電常數(shù)，高的居里溫度、高機電偶合系數(shù)(kt)和高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。其中的Pb被至少一種選自La、Nd或Ce的元素部分取代的鈦酸鉛壓電陶瓷，與沒有取代的鈦酸鉛壓電陶瓷相比，具有優(yōu)良的溫度特性。
現(xiàn)根據(jù)實施例3和4的結(jié)果，說明各組分量限于上述模式的原因。
表4中，樣品4-11、4-12和4-13，以1摩爾Pb為基準，La,Nd和Ce中至少一種以多于0.1摩爾取代，顯示低的居里溫度。因此，以1摩爾Pb為基準，La,Nd和Ce的至少一種的取代量(以x表示)，限于以下范圍，0＜x≤0.1。
本發(fā)明的一個較好實施方案中，“a”的范圍限于0.9≤a≤0.99范圍，其中a代表PbTiO3或(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3的量，“1-a”代表Pb(MnyW(1-y))O3的量。樣品3-1，其a小于0.9，顯示低的絕緣強度和居里溫度，僅能通過一種特定的方法極化，因此，極化處理不充分。相反，當a大于0.99時，難以在較低溫度下燒結(jié)，這樣的陶瓷材料必須在1150℃或更高溫度，較好在1250℃或更高溫度下燒結(jié)。
本發(fā)明的一個較好實施方案中，“y”的范圍限于1/2≤y≤2/3，其中“y”代表Mn量，“1-y”代表W量。當y超出上述范圍時(如樣品3-6和3-9)，難以在較低溫度下燒結(jié)，這樣的陶瓷材料必須在1150℃或更高溫度，較好在1250℃或更高溫度下燒結(jié)。
本發(fā)明的一個較好實施方案中，以上面的主組分為100％(重量)基準，按折算為SiO2計，SiO2或PbSiO3的加入量為2.0％(重量)或更少。原因是，樣品3-16的情況，當加入多于2.0％(重量)的SiO2時，機電偶合系數(shù)降低。
如本文所述，本發(fā)明的壓電陶瓷材料包含鈦酸鉛作為主組分含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分；含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分。具有這樣組成的陶瓷材料提供的壓電陶瓷，具有高的居里溫度和小的介電常數(shù)，可以抑制制成陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。
本發(fā)明還提供了壓電陶瓷材料，它包含鈦酸鉛作為主組分；含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分；含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分，其中，鈦酸鉛中的15％(摩爾)或更少(不包括0％(摩爾))的Pb被至少一種選自鑭、釹或鈰的元素取代。這種陶瓷材料提供的壓電陶瓷具有高的居里溫度和小的介電常數(shù)；可降低燒結(jié)溫度；可抑制Pb的蒸發(fā)，從而減小壓電特性的差異，達到高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。這種陶瓷材料還抑制了制成的陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。另外，與沒有取代的同樣陶瓷材料制成的壓電陶瓷相比，提高壓電陶瓷的溫度特性。
本發(fā)明的壓電陶瓷材料中，在上面的主組分中，含Mn氧化物或含Mn化合物加入量宜為0.1-5.0％(重量)(折算為MnO計)，含W氧化物或化合物的加入量宜為0.1-5.0％(重量)(折算為WO3計)。因此，降低了燒結(jié)溫度，并顯著提高了機械質(zhì)量因素。
本發(fā)明的壓電陶瓷材料中，以上面的主組分和輔助組分的總量為100％(重量)計，含Si氧化物或含W化合物的加入量宜為2.0％(重量)或更少(不包括0％(重量))。因此，能有效抑制含W氧化物或含W化合物的分離，同時不會影響其它特性，并能降低燒結(jié)溫度。
本發(fā)明還提供了一種壓電陶瓷材料，它包括含PbTiO3和Pb(MnyW(1-y))O3的主組分和SiO2或PbSiO3的添加組分。結(jié)果，這種陶瓷材料制成的壓電陶瓷具有高的居里溫度和小的介電常數(shù)，并能抑制在制成陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。
本發(fā)明還提供了另一種壓電陶瓷材料，它包括含Pb(1-3x/2)Mx)和Pb(MnyW(1-y))O3的主組分和添加的SiO2或PbSiO3，(M代表至少一個選自La、Nd或Ce的元素；0＜x≤0.1；0＜y＜1)。具有這樣組成的陶瓷材料提供的壓電陶瓷具有高的居里溫度和小的介電常數(shù)；降低燒結(jié)溫度；并能抑制Pb蒸發(fā)，從而減小壓電特性的差異，獲得高的機械質(zhì)量因素(Qmt)。這種陶瓷材料還可以抑制在制成的陶瓷中含W氧化物或含W化合物的分離。另外，與沒有取代的同樣陶瓷材料制成的壓電陶瓷相比，提高了壓電陶瓷的溫度特性。
本發(fā)明的壓電陶瓷材料中，用“a”代表(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3的摩爾量，“1-a”代表Pb(MnyW(1-y))O3的摩爾量，它們之間存在以下關(guān)系0.9≤a≤0.99；1/2≤y≤2/3。結(jié)果，降低了燒結(jié)溫度，顯著提高了機械質(zhì)量因素。
本發(fā)明的壓電陶瓷材料宜包含100％(重量)的上述主組分和2.0％(重量)或更少(不包括0％(重量))添加的SiO2或PbSiO3(按折算為SiO2計)。結(jié)果，能有效抑制含W氧化物或含W化合物的分離，同時不會影響其它特性，并能降低燒結(jié)溫度。
本發(fā)明還提供了整體式壓電轉(zhuǎn)換器，它是一個疊加體，包括由本發(fā)明的壓電陶瓷材料制成的片形壓電陶瓷、位于壓電陶瓷兩個主表面上的振動電極、各自與一個振動電極連接并延伸到壓電陶瓷的一個側(cè)面上的引線電極；在包含引導(dǎo)電極的側(cè)面上提供的外電極。本發(fā)明整體式的壓電轉(zhuǎn)換器具有優(yōu)良的耐熱性，適合在高頻區(qū)使用。
權(quán)利要求
1．一種壓電陶瓷材料，所述材料包含鈦酸鉛作為主組分；含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分。
2．一種壓電陶瓷材料，所述材料包含鈦酸鉛作為主要組分含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分；含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分，其中，鈦酸鉛的15％(摩爾)或更少(不包括0％(摩爾))的Pb被至少一種選自鑭、釹或鈰的元素取代。
3．如權(quán)利要求1或2所述的壓電陶瓷材料，其特征還在于，以主組分為基準的重量百分數(shù)計，所述含Mn氧化物或含Mn化合物的加入量為0.1-5.0％重量，按折算為MnO計，含W氧化物或含W化合物的加入量為0.1-5.0％重量，按折算為WO3計。
4．如權(quán)利要求1或2所述的壓電陶瓷材料，其特征還在于，以所述主組分和輔助組分總量為基準，含Si氧化物或含Si化合物的加入量為2.0％重量或更少，但不包括0％重量，按折算成SiO2計。
5．一種壓電陶瓷材料，所述材料中有含PbTiO3和Pb(MnyW(1-y))O3的主組分和添加的SiO2或PbSiO3。
6．一種壓電陶瓷材料，所述材料中有含(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3和Pb(MnyW(1-y))O3主組分和添加的SiO2或PbSiO3，其中的M代表選自La、Nd或Ce中的至少一種元素0<x≤0.1；0<y<1。
7．如權(quán)利要求5或6所述的壓電陶瓷材料，所述材料中的主組分包括“a”摩爾(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3和“(1-a)”摩爾Pb(MnyW(1-y))O3，其中，O.9≤a≤O.99；1/2≤y≤2/3。
8．如權(quán)利要求5-7中任一權(quán)利要求所述的壓電陶瓷材料，所述材料包含100％重量的主組分和2.0％重量或更少，但不包括0％重量的SiO2或PbSiO3，按折算為SiO2計。
9．一種整體式壓電轉(zhuǎn)換器，它包含由權(quán)利要求1-7中任一權(quán)利要求所述的壓電陶瓷材料制成的片形壓電陶瓷、在壓電陶瓷上的振動電極、電連接到振動電極上的外電極所構(gòu)成的疊加體。
全文摘要
一種含W的燒結(jié)壓電陶瓷材料以及使用該材料的壓電轉(zhuǎn)換器,W化合物或W氧化物在這種材料中的分離受到抑制。該陶瓷材料含有鈦酸鉛作為主組分;含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作為輔助組分;含Si氧化物或含Si化合物作為添加組分?；蛘?該壓電陶瓷材料包括含PbTiO
文檔編號C04B35/46GK1288238SQ00128839
公開日2001年3月21日 申請日期2000年9月7日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月7日
發(fā)明者林宏一, 中道晃洋, 安藤陽 申請人:株式會社村田制作所