專利名稱：光學(xué)裝置、特別是用于euv光刻的投影曝光設(shè)備、以及具有降低的污染的反射光學(xué)元件的制作方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)按照美國法典第35編第119條(a)款要求2006年9月19日提交的德國專利申請(qǐng)10 2006 044 591.0號(hào)的優(yōu)先權(quán)，于此通過引用并入了其全部內(nèi)容。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及光學(xué)裝置，尤其是用于EUV光刻的投影曝光設(shè)備，其包括圍住內(nèi)部空間的外殼，至少一個(gè)特別是布置在外殼中的反射光學(xué)元件，以及至少一個(gè)用于在外殼的內(nèi)部空間中產(chǎn)生真空的真空產(chǎn)生單元。本發(fā)明還涉及具有基底的反射光學(xué)元件和導(dǎo)電多層系統(tǒng)，所述導(dǎo)電多層系統(tǒng)在側(cè)面的面向基底一個(gè)側(cè)面上包括反射光學(xué)表面。
已知存在多種其中的光學(xué)元件是在外殼的內(nèi)部空間中在真空條件下操作的光學(xué)裝置。在EUV投影曝光設(shè)備中，典型地，使用反射元件作為光學(xué)元件，反射元件特別是反射鏡，因?yàn)樵谟糜谶@些應(yīng)用的約13nm的波長處，已知的光學(xué)材料都不能提供足夠的透射。在該投影照明儀器中，需要在真空下操作反射鏡，因?yàn)槎鄬臃瓷溏R的使用壽命受限于污染粒子或氣體。為達(dá)此效果，已知將光學(xué)元件分組成三個(gè)或更多個(gè)互連的外殼部分，通過隔板來劃分它們，即具有光源和用于聚焦照明輻射的收集器的第一外殼、具有照明系統(tǒng)的第二外殼部分、以及具有投影光學(xué)器件的第三外殼部分，將外殼部分中的壓力選擇為彼此不同，如US 2005/0030504A1中詳細(xì)描述的，于此通過引用并入了其全部內(nèi)容。在此申請(qǐng)的上下文中，術(shù)語“外殼”指EUV投影曝光設(shè)備整體的外殼和該設(shè)備的部分區(qū)域，特別上述外殼部分中的一個(gè)。
該EUV投影曝光設(shè)備或其單獨(dú)的外殼部分是在真空條件下操作的，其中，利用動(dòng)態(tài)氣塞(DGL)用于減少來自光刻膠的釋氣產(chǎn)物，使得可能實(shí)現(xiàn)10-1mbar及以上的氫的分壓，然而，通常實(shí)現(xiàn)約10-3mbar及以下的(總的)壓力。在后一壓力區(qū)，分子運(yùn)動(dòng)是自由的，即污染氣體能夠在整個(gè)系統(tǒng)中傳播。為此原因，可實(shí)現(xiàn)的污染氣體的分壓受限于真空容器中的所有部件，這些部件存在于光學(xué)表面的圍繞物中或更遠(yuǎn)離它們。在本申請(qǐng)的上下文中，污染氣體規(guī)定為易于在光學(xué)表面上形成沉積物的氣體，特別是當(dāng)暴光于EUV輻射時(shí)。在這方面，原子量100amu或以上的不揮發(fā)性碳?xì)浠衔锉划?dāng)作污染物質(zhì)處理，而原子量一般在100amu以下的揮發(fā)性碳?xì)浠衔?，例如甲?CH4)，即使被利用EUV光輻照，也通常保持揮發(fā)性的，并因此不在光學(xué)表面上形成沉積物。
已知所有類型的原子、分子以及化合物都具有到達(dá)光學(xué)表面并粘附于那里的某種可能性。輻射進(jìn)來的EUV光和作為其結(jié)果而產(chǎn)生的光電子(特別是二次電子)一起，這些原子、分子或化合物存在與光學(xué)表面反應(yīng)的某種可能性，這導(dǎo)致了增加的污染、增加的損害以及反射鏡的關(guān)聯(lián)的反射損耗，并且因此導(dǎo)致了光學(xué)器件的整個(gè)透射損耗的增加。此外，作為溫度升高、光輻射或電子輻射的結(jié)果，粘附分子能夠?qū)⒆约号c表面(例如室壁等)分離。此外，污染物也能夠沉積在光學(xué)表面上，因?yàn)楣怆娮?特別是二次電子)在其上產(chǎn)生了過量的電荷，該過量電荷吸引帶電的污染粒子。
還已知，通過使光學(xué)表面與清潔劑接觸來至少部分地去除粘附于光學(xué)表面的污染物質(zhì)。以該方式，通過使用原子氫作為清潔氣體能夠從光學(xué)表面去除碳污染物。然而，由于原子氫不僅與碳高度反應(yīng)，而且與存在于光學(xué)表面的環(huán)境中的其它物質(zhì)高度反應(yīng)(特別是金屬，通過形成金屬氫化物)的事實(shí)，由這些部件通過清潔其自身而釋放的污染物可以粘附于光學(xué)表面。
發(fā)明目的 本發(fā)明的目的是提供引言部分中所述類型的光學(xué)裝置以及引言部分中所述類型的反射光學(xué)元件，其中，降低了污染物的粘附。


發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，此目的的滿足在于光學(xué)裝置包括真空外殼，所述真空外殼布置在所述外殼的所述內(nèi)部空間中，并且圍住至少所述光學(xué)元件的光學(xué)表面，其中，污染降低單元與所述真空外殼關(guān)聯(lián)，相對(duì)于所述內(nèi)部空間中的所述污染物質(zhì)的分壓，所述污染降低單元至少降低在所述光學(xué)表面附近的污染物質(zhì)的分壓，特別是水和/或碳?xì)浠衔锏姆謮骸?br> 在本領(lǐng)域現(xiàn)有狀況下，單獨(dú)的光學(xué)表面不與光學(xué)裝置的所有其它非光學(xué)材料分開，其它非光學(xué)材料例如能夠分別包括在EUV光學(xué)器件中和關(guān)聯(lián)的光刻曝光設(shè)備中。從而，在該裝置中，真空條件不僅受光學(xué)元件本身的限制，而且受真空系統(tǒng)的所有其它部件的限制。此裝置的缺點(diǎn)特別是在于真空環(huán)境中所使用的大多數(shù)材料是不可烘烤的，使得在外殼中可實(shí)現(xiàn)的絕對(duì)真空壓力受到這些材料的釋氣的限制。
本發(fā)明從而提出至少部分將光學(xué)表面與存在于外殼的其余內(nèi)部空間中的非光學(xué)材料遮蔽開，即通過在內(nèi)部空間中設(shè)置至少一個(gè)附加的真空外殼。另一方面，僅提供用于分劃內(nèi)部空間的劃分壁本身不會(huì)使得將釋出污染物質(zhì)的非光學(xué)元件的光學(xué)表面分開成為可能，特別是如果所述光學(xué)元件是不可烘烤的。附加的真空外殼優(yōu)選地放置在光學(xué)元件上或關(guān)聯(lián)的支架上，并且至少圍住光學(xué)表面的區(qū)域，其中，特別是將含有光學(xué)元件的部分體積與外殼的內(nèi)部空間分開。因?yàn)榻?jīng)常在EUV投影曝光設(shè)備中使用可傾斜的光學(xué)元件，所以真空外殼固定成使得在真空外殼和光學(xué)元件的表面之間存在(如果需要)小于5mm的、優(yōu)選地小于3mm、特別優(yōu)選地小于1mm的非常小的間隙，或在該位置中安裝柔性真空部件(例如特別是波紋形的金屬波紋管)，該間隙提供傾斜光學(xué)元件所需的作用。在有利的布局中，這些開口具有關(guān)于面積和長度的專門的形狀，以盡可能降低/抑制污染物從真空外殼的外部到內(nèi)部的擴(kuò)散和/或傳輸。
同時(shí)，污染降低單元在很大程度上防止存在于真空外殼中或進(jìn)入所述真空外殼的任何污染粒子/分子到達(dá)光學(xué)表面。本發(fā)明從而導(dǎo)致了光學(xué)元件的表面附近污染的降低，因?yàn)樵诠鈱W(xué)表面附近產(chǎn)生了具有降低數(shù)量的污染粒子/分子的微型環(huán)境，即超高真空，使得更少粒子/分子能夠沉積在光學(xué)表面上。
為達(dá)此效果，降低表面附近的污染粒子/分子的分壓，并且以此方式，就考慮這些物質(zhì)來說，相對(duì)于存在于外殼的其余內(nèi)部空間中和/或真空外殼的其余內(nèi)部空間中的污染物分壓實(shí)現(xiàn)更好的真空，是足夠的。在此申請(qǐng)的上下文中，術(shù)語光學(xué)表面“附近”涉及距表面小于1cm的距離，優(yōu)選地小于0.5cm的距離，并且特別地，其也涉及表面自身。表面附近污染物的分壓越低，污染升高并且關(guān)聯(lián)的對(duì)光學(xué)表面的損害發(fā)生的可能就越小。
在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，污染降低單元包括凈化單元，用于利用惰性氣體來凈化所述真空外殼的至少部分區(qū)域，所述惰性氣體優(yōu)選地是He、Ne、Ar、Kr、Xe、或H2、N2或其混合物。在此裝置中，優(yōu)選地通過在從10-3mbar至10mbar之間、優(yōu)選地10-2和10-1mbar之間的凈化氣體分壓區(qū)域中帶走污染物而在無分子運(yùn)動(dòng)的區(qū)域外側(cè)執(zhí)行使用惰性氣體的凈化。在此裝置中，利用凈化單元在真空外殼的部分區(qū)域中產(chǎn)生流是可能的，該流使污染粒子/分子遠(yuǎn)離光學(xué)表面?？梢允褂貌⑿械奈锢磉^程來抑制污染物分子從外部進(jìn)入到微型環(huán)境，諸如逆流、擴(kuò)散降低等。在上述壓力區(qū)中操作凈化單元時(shí)，由流帶走例如污染物質(zhì)，其中，在此裝置中，至光學(xué)部件的擴(kuò)散不顯著升高或甚至雖然在整個(gè)壓力中升高了，但在凈化的區(qū)域中確降低了。
另外，凈化氣體的選擇還依賴于其化學(xué)反應(yīng)，例如通過降低光學(xué)表面上污染物分子的粘附。然而，應(yīng)當(dāng)注意，也必需與EUV輻射的傳輸行為(即通過進(jìn)入的氣體分子的EUV光吸收)和其與光學(xué)反射鏡表面的化學(xué)反應(yīng)(特別是在EUV曝光時(shí))相關(guān)地，來適合地調(diào)整凈化氣體的分別的類型和成分以及分壓的選擇。要設(shè)定的凈化流從而是施加的氣體的吸收能力與EUV輻射、其化學(xué)活性以及其與任何可能的污染物的相互作用系數(shù)相關(guān)的函數(shù)。通過使用專門的抽吸單元從真空外殼去除凈化氣體流的污染物是可能的，抽吸單元可以連接至真空泵，或僅作為在真空外殼中的用于去除污染物的開口來實(shí)施，用于產(chǎn)生從真空外殼的內(nèi)側(cè)至外側(cè)的凈化氣體流。
在設(shè)計(jì)凈化氣體流中，許多變量是可能的。能夠通過平行于光學(xué)表面的入口來計(jì)量凈化氣體，例如通過真空單元，并且理想地，能夠在凈化氣體入口相反的側(cè)以也平行于光學(xué)表面的方式將凈化氣體泵浦出。作為凈化單元的結(jié)果，降低污染降低單元的抽吸單元的數(shù)量也是可能的，因?yàn)樵诠鈱W(xué)元件附近，沒有泵浦單元或污染降低的其它選擇也是可能的，并且作為替代，給更遠(yuǎn)的抽吸單元產(chǎn)生氣流，該抽吸單元通過抽吸從真空外殼內(nèi)側(cè)去除污染物質(zhì)。如上述，在真空外殼內(nèi)側(cè)的總壓力(歸因于凈化氣體)大于真空外殼外側(cè)的壓力的情況下，能夠作為真空外殼中的開口來實(shí)施抽吸單元，使得能夠產(chǎn)生從真空外殼的內(nèi)側(cè)到外側(cè)的凈化氣體流。特別是，產(chǎn)生進(jìn)入外殼的內(nèi)部空間的氣流也是可能的，使得真空產(chǎn)生單元通過抽吸從外殼去除污染物質(zhì)。
在優(yōu)選改進(jìn)中，在真空外殼中設(shè)置出口用作抽吸單元，用于產(chǎn)生從真空外殼的內(nèi)側(cè)至內(nèi)部空間的凈化氣體流，出口的布局優(yōu)選地選擇成防止污染物質(zhì)從內(nèi)部空間擴(kuò)散至真空外殼的內(nèi)側(cè)。出口的布局(例如直徑、長度等)，特別是微型環(huán)境中不能回避的作為例如真空外殼的光進(jìn)入和離開的出口，應(yīng)當(dāng)選擇成以獲得最佳污染抑制。該布局，特別是出口的面積和長度應(yīng)當(dāng)選擇成使得盡可能降低污染物從真空外殼的外側(cè)到內(nèi)側(cè)的擴(kuò)散和/或傳輸。這可以如下來實(shí)現(xiàn)例如通過以具有合適長度和直徑的管狀形狀來實(shí)施出口，用作用于降低污染物質(zhì)從真空外殼的外側(cè)到內(nèi)側(cè)的擴(kuò)散的閥。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)流體動(dòng)力學(xué)定律，構(gòu)造出口的其它方式也是可能的，這些方式容許降低污染物質(zhì)從真空外殼的外側(cè)至其內(nèi)側(cè)的擴(kuò)散。
在高度優(yōu)選的實(shí)施例中，光學(xué)布置還包括清潔頭，用于引導(dǎo)清潔氣體的射流至所述光學(xué)表面，以從所述光學(xué)表面去除污染物質(zhì)。通過使光學(xué)表面與清潔氣體接觸，能夠以化學(xué)反應(yīng)去除粘附至光學(xué)表面的污染物質(zhì)，化學(xué)反應(yīng)將不揮發(fā)性污染物轉(zhuǎn)換成氣態(tài)物種。以此方式，通過使用原子氫作為清潔氣體，能夠從光學(xué)表面去除碳污染物，形成作為氣態(tài)物種的例如甲烷(CH4)，其能夠被從光學(xué)表面帶走。應(yīng)當(dāng)理解，通過化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的氣態(tài)物種通常不增加光學(xué)表面附近污染物質(zhì)的分壓，因?yàn)檫@些氣體不具有粘附于光學(xué)表面的趨勢(shì)。
因?yàn)橹T如原子氫的清潔氣體不僅與碳是高度反應(yīng)的，而且與諸如Sn、Zn、Mn、Na、P、S的其它材料也是高度反應(yīng)的，這些材料可以存在于光學(xué)表面的環(huán)境中，所以通過這些材料與原子氫的化學(xué)反應(yīng)，能夠形成揮發(fā)性的Sn-、Zn-、Mn-、Na-、P-、S-化合物。這些揮發(fā)性化合物一般具有粘附于光學(xué)表面的高的可能性，特別是當(dāng)釕或其它金屬蓋用作反射光學(xué)元件的多層系統(tǒng)的蓋層時(shí)。因此，清潔頭應(yīng)當(dāng)布置成盡可能靠近光學(xué)表面，并且清潔氣體的分布應(yīng)當(dāng)主要限于反射表面(優(yōu)選地在表面處一致)，使得能夠降低清潔氣體與環(huán)境的反應(yīng)。因此，在真空外殼內(nèi)側(cè)設(shè)置清潔射流的封裝是有利的。
在優(yōu)選的改進(jìn)中，清潔頭包括激活單元，用于通過至少部分地激活凈化氣體流來產(chǎn)生所述清潔氣體射流，凈化氣體優(yōu)選地是分子氫。在此情況下，清潔頭還能夠用作用于凈化氣體的入口，即由清潔頭提供的氣體射流包括清潔氣體與未激活的(惰性的)凈化氣體的混合物。通過使用提供清潔氣體和凈化氣體的氣體射流，能夠產(chǎn)生朝向抽吸單元以將可能的污染物運(yùn)輸走的專門的流。在原子氫清潔的情況下，凈化氣體也可以是分子氫，當(dāng)使用高達(dá)2000(標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘)或更高的流量時(shí)，可以以相對(duì)低的裂化效率來將其裂化以形成原子氫。激活單元優(yōu)選地包括被加熱的燈絲，用于裂化分子氫(典型地在高達(dá)2400℃的溫度)。
在進(jìn)一步有選的實(shí)施例中，真空外殼至少在其內(nèi)側(cè)的一部分區(qū)域中包括具有低原子氫復(fù)合率的材料，優(yōu)選地玻璃，特別是石英玻璃。以此方式，能夠降低在真空外殼的壁處原子氫到分子氫的復(fù)合。此外，能夠使用玻璃，特別是石英玻璃來封裝在真空外殼內(nèi)側(cè)上的部件，這些部件容易受到釋氣污染物質(zhì)的影響。
在高度優(yōu)選的實(shí)施例中，在真空外殼的內(nèi)側(cè)僅設(shè)置不產(chǎn)生由所述清潔氣體引起的釋氣產(chǎn)物的材料，如例如在使用原子氫的情況下，金屬氫化物。在多數(shù)情況下，真空外殼內(nèi)側(cè)的材料作為光學(xué)表面上的氧化物存在。在幾乎所有情況下，原子氫能夠減少這些氧化物。裸露的材料現(xiàn)在可以蒸發(fā)，或其可以與原子氫形成氫化物。由氫化物和裸露材料(典型地金屬材料)的蒸氣壓來確定任一路徑的可能性。因?yàn)闅湟鸬尼寶猱a(chǎn)物典型地在光學(xué)表面上產(chǎn)生不可逆轉(zhuǎn)的污染物，所示在真空外殼內(nèi)側(cè)應(yīng)當(dāng)完全回避具有低蒸氣壓的諸如Sn、Zn、Mn、Na、P、S等的材料的存在。
特別是，釋出污染物質(zhì)的、用于操作光學(xué)裝置所需的諸如布線、焊接材料等的基本所有部件布置在真空外殼外側(cè)。如果這些部件仍然要求在真空外殼內(nèi)側(cè)，則使用釋氣率優(yōu)選地非常低的材料來封裝它們。這是有利的，因?yàn)殡m然原理上封裝外殼內(nèi)側(cè)的多數(shù)部件是可能的，但是與僅封裝真空外殼內(nèi)側(cè)的一些該部件相比，只有利用相當(dāng)多的附加花費(fèi)，這才是可能的。特別優(yōu)選地，除了光學(xué)表面和真空外殼的內(nèi)表面外，在真空外殼內(nèi)側(cè)不存在其它部件。
在進(jìn)一步高度優(yōu)選的實(shí)施例中，用于測(cè)量光學(xué)表面的污染狀況的測(cè)量單元布置在真空外殼內(nèi)側(cè)?？梢匀缬缮暾?qǐng)人于2007年8月11日提交的德國專利申請(qǐng)DE 10 2007 037942.2中描述的那樣來設(shè)計(jì)測(cè)量單元，于此通過引用并入了其全部內(nèi)容。特別是，可以通過合適的特別是諸如石英玻璃的透明材料來封裝可以是釋氣污染物質(zhì)的測(cè)量單元(光源和傳感器元件)的部件。以此方式，能夠?qū)⑽廴疚镔|(zhì)的分壓保持在低的水平，并且能夠測(cè)量污染狀況，特別是污染層的厚度。如在以上引用的申請(qǐng)中詳細(xì)描述的，使用LED(或UV源)作為用于測(cè)量單元的光源是高度優(yōu)選的。應(yīng)當(dāng)理解，也可以使用其它測(cè)量技術(shù)(包括非光學(xué)技術(shù))來測(cè)量光學(xué)表面的污染狀況。
在進(jìn)一步優(yōu)選地的實(shí)施例中，所述真空外殼和所述光學(xué)元件耐高達(dá)100℃或更高的烘烤溫度，優(yōu)選地150℃或更高的烘烤溫度。在此情況下，能夠烘烤真空外殼的壁(例如由不銹鋼構(gòu)成)以降低這些壁上的任何種類的污染物(特別是水)，因?yàn)榕c真空外殼一起被加熱的光學(xué)元件能夠經(jīng)受被加熱到烘烤溫度，而其光學(xué)特性不會(huì)退化。特別是，在過去，反射光學(xué)元件的多層系統(tǒng)能夠經(jīng)受的最大溫度是約60℃，因?yàn)樵诖藴囟纫陨希瑑?nèi)層擴(kuò)散導(dǎo)致了多層系統(tǒng)的光學(xué)特性退化，從而限制了對(duì)該閥的最大烘烤溫度。具有用作擴(kuò)散障礙物的間隔層的多層系統(tǒng)(顯示出耐高達(dá)200℃或更高的溫度)的最近的發(fā)展容許在進(jìn)行曝光過程之前烘烤真空外殼。此外，烘烤光學(xué)表面的環(huán)境的可能受到位于光學(xué)表面附近的并且現(xiàn)在能夠布置在真空外殼的外側(cè)的溫度敏感的材料的限制，從而也容許對(duì)這些模塊的材料選擇上的有限的約束。優(yōu)選地，光學(xué)布置還包括至少一個(gè)加熱單元，用于將至少一個(gè)真空外殼加熱至烘烤溫度。應(yīng)當(dāng)理解，沒有不能經(jīng)受烘烤溫度的材料可以布置在真空外殼內(nèi)側(cè)，即所有溫度敏感的裝備都布置在真空外殼外側(cè)。
在優(yōu)選實(shí)施例中，污染降低單元設(shè)計(jì)為在所述光學(xué)表面處產(chǎn)生小于10-7mbar的水分壓和/或小于10-9mbar、優(yōu)選地小于10-13的碳?xì)浠衔?、?yōu)選地不揮發(fā)性碳?xì)浠衔锏姆謮?。作為根?jù)本發(fā)明的裝置的結(jié)果，光學(xué)表面上水的分壓能夠降低到10-7mbar以下，例如0.8×10-7mbar、0.5×10-7mbar、1×10-8mbar及以下，而在現(xiàn)有技術(shù)中，光學(xué)表面上水的分壓為10-7mbar或以上。同樣，(不揮發(fā)性)碳?xì)浠衔锏姆謮耗軌蜻M(jìn)一步從先前的最小值例如10-9mbar降低至0.8×10-9mbar、0.5×10-9mbar、1×10-10mbar及以下，理想地降低至小于10-13mbar。
在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，污染降低單元設(shè)計(jì)為產(chǎn)生小于10-9mbar、優(yōu)選地小于10-11mbar、特別優(yōu)選地小于10-13mbar的所述污染物質(zhì)的分壓。作為本發(fā)明的結(jié)果，在反射鏡附近，不僅降低碳?xì)浠衔锘蛩姆謮褐?0-13mbar以下的總分壓是可能的，而且降低所有污染物質(zhì)的分壓至10-13mbar以下的總分壓是可能的，所有污染物質(zhì)特別是還包括揮發(fā)性和不揮發(fā)性碳?xì)浠衔铩鈶B(tài)金屬化合物和含有硫、磷、或硅的有機(jī)化合物，特別是硅化合物、硅氧烷、酞酸酯、具有羰基功能的碳?xì)浠衔?例如甲基丙烯酸甲酯、丙酮等)、二氧化硫、氨水、有機(jī)磷酸酯、脂肪族烴、芳烴、氟化烴、金屬混合物等。通過降低光學(xué)表面附近污染材料的分壓，大大降低了污染物在光學(xué)表面上的沉積，其中，在真空外殼的更遠(yuǎn)的區(qū)域或在其余的內(nèi)部空間中，污染物質(zhì)的(總的)分壓更高，特別是大于約10-7mbar，所述污染物質(zhì)的分壓由真空產(chǎn)生單元產(chǎn)生。應(yīng)當(dāng)理解，通常地，真空外殼外側(cè)的污染物質(zhì)的分壓越低，則靠近光學(xué)表面的微型環(huán)境中的污染物質(zhì)的分壓越低。通常，與內(nèi)部空間中的污染物質(zhì)的分壓相比，至少在光學(xué)表面附近的污染物質(zhì)的分壓，特別是不揮發(fā)性碳?xì)浠衔锏姆謮航档土?0或更高的因子，優(yōu)選地100或更高、更優(yōu)選地1000或更高、特別是10000或更高的因子。典型地，內(nèi)部空間中的不揮發(fā)性碳?xì)浠衔锏姆謮捍笥?0-9mbar。
在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，污染降低單元包括至少一個(gè)抽吸單元，用于通過抽吸從所述真空外殼去除污染物質(zhì)，所述抽吸單元優(yōu)選地設(shè)置在所述光學(xué)表面附近，并且優(yōu)選地固定于所述真空外殼上。在此裝置中，抽吸單元典型地包括真空泵，其沿優(yōu)選的泵浦方向通過抽吸來去除殘留于真空外殼中的任何污染粒子/分子，此過程的結(jié)果是在光學(xué)表面上產(chǎn)生了降低的污染物負(fù)載。結(jié)果，能夠在反射鏡元件的光學(xué)表面附近實(shí)現(xiàn)較低的分壓(例如碳?xì)浠衔锏姆謮?。替代地，特別是當(dāng)使用凈化氣體時(shí)，抽吸單元可以作為真空外殼中的專門的開口來實(shí)施，該開口用作用于凈化氣體的氣體出口，與真空外殼外側(cè)的壓力相比，真空外殼的內(nèi)部空間具有更大的壓力，從而容許凈化氣體從真空外殼流到外殼的內(nèi)部空間中。
在此實(shí)施例的優(yōu)選的改進(jìn)中，抽吸單元設(shè)計(jì)成使得在所述真空容器中產(chǎn)生基本平行于所述光學(xué)表面的壓力梯度。在此裝置中，壓力梯度典型地從光學(xué)表面延伸正好直到抽吸單元，即壓力梯度基本徑向地向外指引。在此裝置中，典型地在距光學(xué)表面約1至2cm的距離處產(chǎn)生壓力梯度。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，真空外殼連接至另外的真空外殼或連接至所述外殼的其余內(nèi)部空間。通過設(shè)置數(shù)個(gè)真空外殼一起的基本氣密的連接，能夠?qū)⒍鄠€(gè)光學(xué)元件與外殼的其余內(nèi)部空間遮蔽開，其中，彼此聯(lián)接的兩個(gè)真空容器能夠例如以氣密方式將兩個(gè)光學(xué)元件之間的空間與外殼的其余內(nèi)部空間遮蔽開。術(shù)語“基本氣密的連接”指在給定條件下(可傾斜反射鏡等)構(gòu)造為盡可能緊密的連接。作為替代，僅將選擇的光學(xué)元件與外殼的其余內(nèi)部空間遮蔽開也是可能的。如果這些元件上的污染導(dǎo)致對(duì)整個(gè)光學(xué)裝置特別不利的結(jié)果(例如在EUV投影曝光設(shè)備的情況下，為EUV光源附近的反射鏡的情況，因?yàn)檫@些反射鏡經(jīng)受到特別高的光強(qiáng)，或者在光敏層(抗蝕劑)附近的反射鏡的情況，因?yàn)楹笳哳l繁地釋出污染物質(zhì))，則這是有利的。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述光學(xué)元件的所述光學(xué)表面布置于在所述外殼中延伸的束路徑中，所述束路徑延伸穿過所述真空外殼中的開口。其結(jié)果是至少部分地將束路徑與外殼的其余內(nèi)部空間遮蔽開。特別是借助于一個(gè)或多個(gè)真空外殼，實(shí)現(xiàn)將光學(xué)裝置的束路徑與光學(xué)系統(tǒng)的其余部件完全分開是可能的(參照下面)。在此裝置中，將真空容器連接至外殼的其余內(nèi)部空間的開口優(yōu)選地以如下方式布置在束路徑中開口制作的盡可能小，即優(yōu)選地在焦點(diǎn)附近。
在進(jìn)一步的優(yōu)選的實(shí)施例中，所述真空外殼以類似護(hù)套的方式圍住所述束路徑，作為所述裝置的結(jié)果是，能夠在直到另一光學(xué)元件的實(shí)質(zhì)距離上實(shí)現(xiàn)束路徑的遮蔽。例如通過圓柱形狀的真空外殼來實(shí)現(xiàn)以類似護(hù)套方式圍住束路徑。
在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，借助于一個(gè)或彼此以氣密方式連接的多個(gè)真空外殼將在所述外殼中延伸的整個(gè)束路徑與所述外殼的其余內(nèi)部空間基本完全分開。其結(jié)果是，在理想情況下，實(shí)現(xiàn)了光學(xué)表面與光學(xué)裝置的其余部件的完全氣密的分開。因?yàn)樵贓UV系統(tǒng)中，某些反射鏡固定成可滑動(dòng)的或可傾斜的，可能不能完全實(shí)現(xiàn)該分開，因?yàn)?，通常，真空外殼不能與反射鏡一起移動(dòng)。術(shù)語“基本完全”表示，考慮到實(shí)際的限制，提供盡可能充分的分開。然而，通過借助于柔性真空部件(例如波紋形的波紋管)來連接真空外殼上的傾斜反射鏡，能夠?qū)崿F(xiàn)完全的分開。在具有光學(xué)表面的束路徑與外殼的其余內(nèi)部空間的該完全分開中，能夠選擇比已知系統(tǒng)中的壓力更高的壓力；在理想情況下，其余內(nèi)部空間中的壓力甚至能夠等于大氣壓。在此情況下，僅在含有束路徑的分開的區(qū)域中產(chǎn)生真空。
在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，所述真空外殼圍住至少兩個(gè)光學(xué)元件的光學(xué)表面，兩個(gè)光學(xué)元件優(yōu)選地相繼地布置在束路徑中。這是有利的，特別是當(dāng)當(dāng)光學(xué)元件布置在較短距離處或基本彼此平行，以致由于設(shè)計(jì)原因，當(dāng)與給每個(gè)單獨(dú)的光學(xué)元件提供真空容器相比時(shí)此變量是優(yōu)選的的時(shí)候。
在光學(xué)裝置的進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，所述污染降低單元包括冷卻單元，所述冷卻單元將所述真空外殼冷卻至小于290K、優(yōu)選地小于80K、特別優(yōu)選地小于20K的溫度。為了將真空外殼冷卻至這些溫度，能夠使用水、液氮、或液氦形式的制冷劑。以此方式，在真空外殼的內(nèi)側(cè)上產(chǎn)生所謂的低溫面板，該低溫面板將污染粒子結(jié)合到真空外殼的表面。以此方式，真空外殼用作污染降低單元，其在內(nèi)側(cè)上優(yōu)選地包括至少一個(gè)具有表面區(qū)域被擴(kuò)大(例如通過表面粗化)的部分區(qū)域。
作為替代或附加，所述真空外殼能夠用作污染降低單元，并且至少在其內(nèi)側(cè)上的一個(gè)部分區(qū)域中能夠包括氣體結(jié)合材料，特別是鈦、鉭、鈮、鋯、釷、鋇、鎂、鋁、釕、鐿或銫。除通過向外冷凝(參照上面)來結(jié)合污染粒子外，也能夠在真空外殼的內(nèi)側(cè)上吸附所述粒子，其中，在此情況下，真空外殼內(nèi)側(cè)上的抬高的表面也是有利的。能夠通過真空外殼本身或通過施加包括合適的表面拋光的附加元件，或通過使用上述材料來涂覆內(nèi)側(cè)來形成內(nèi)側(cè)上的部分區(qū)域。
所設(shè)置的至少一個(gè)部件布置在內(nèi)部空間中，所述部件釋出污染粒子/分子，在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，所述污染降低單元包括抽吸單元，所述抽吸單元通過抽吸從所述外殼的所述內(nèi)部空間去除由所述部件釋出的物質(zhì)。在此布置中，部件能夠布置在形成部分體積的真空外殼內(nèi)，或其能夠布置在外殼的其余內(nèi)部空間中。另外的抽吸單元優(yōu)選地布置在釋出污染氣體的那些部件上，污染氣體特別是水或碳?xì)浠衔铮貏e是大量的。作為通過抽吸去除的結(jié)果，在適合于用于EUV系統(tǒng)的外殼中的EUV的材料和器件的選擇中，導(dǎo)致較少的花費(fèi)是可能的。例如，部件能夠是傳感器或另外相關(guān)設(shè)計(jì)的器件，例如，支架、反射鏡模塊、電子部件、致動(dòng)器、光纜捆束、粘附點(diǎn)、潤滑點(diǎn)或類似物。典型地，抽吸單元或抽吸單元的抽吸開口直接布置在釋氣部件前面并至少部分地圍住所述部件，作為通過抽吸來去除的替代，也能夠以氣密方式將釋氣部件與外殼的其余內(nèi)部空間或真空外殼分開，例如通過封裝。
在特別優(yōu)選的改進(jìn)中，部件布置在光學(xué)元件的基底上或支撐器件上。在此情況下，通過抽吸來去除或封裝是特別有利的，因?yàn)椴考贾迷诠鈱W(xué)表面附近并且因此能夠特別容易污染所述光學(xué)表面。在此裝置中，釋氣部件能夠布置在光學(xué)元件的基底上并且通常然后也由光學(xué)元件的真空外殼圍??；作為替代，釋氣部件也能夠安置在光學(xué)元件的支撐器件上，并且從而典型地在光學(xué)裝置的其余內(nèi)部空間中。
本發(fā)明也實(shí)施于光學(xué)裝置中，特別是實(shí)施于用于EUV光刻的投影曝光設(shè)備中，包括圍住內(nèi)部空間的外殼；至少一個(gè)具有光學(xué)表面的布置在所述外殼中的光學(xué)元件，特別是反射光學(xué)元件；至少一個(gè)用于在所述外殼的所述內(nèi)部空間中產(chǎn)生真空的真空產(chǎn)生單元；以及至少一個(gè)布置在所述內(nèi)部空間中的部件，所述部件釋出污染物質(zhì)。抽吸單元與部件關(guān)聯(lián)，所述抽吸單元通過抽吸從外殼的內(nèi)部空間去除從部件釋出的粒子。抽吸單元不同于真空產(chǎn)生單元，因?yàn)槠淙菰S通過抽吸來進(jìn)行目標(biāo)去除，即抽吸單元或其抽吸開口布置在內(nèi)部空間中，即通常鄰近釋氣部件。
經(jīng)由通過抽吸來從內(nèi)部空間去除釋出的粒子/分子，降低光學(xué)元件表面上污染物質(zhì)的分壓也是可能的。在此裝置中，通過抽吸來進(jìn)行的去除也能夠僅發(fā)生在產(chǎn)生最大的污染物質(zhì)排放的那些部件上或特別不利地布置的，即特別鄰近光學(xué)表面的那些部件上；或者，作為替代，通過抽吸來進(jìn)行去除能夠發(fā)生在外殼中的所有非光學(xué)部件或材料和器件上。以此方式，在理想情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)與如下情況相同的結(jié)果借助于具有關(guān)聯(lián)的污染降低單元的真空外殼將一個(gè)光學(xué)元件或數(shù)個(gè)光學(xué)元件與外殼的其余內(nèi)部空間遮蔽開的情況。借助于通過抽吸來進(jìn)行去除，在外殼的內(nèi)部空間中，在該空間中布置光學(xué)表面，借助于真空產(chǎn)生單元，光學(xué)表面上污染粒子的分壓，特別是水和/或碳?xì)浠衔锏姆謮耗軌虍a(chǎn)生為小于10-9mbar、優(yōu)選地小于10-11mbar、特別優(yōu)選地小于10-13mbar。
在優(yōu)選實(shí)施例中，釋氣部件布置在反射光學(xué)元件的基底上或支撐器件上。如上述，通過該部件上的抽吸來進(jìn)行去除是特別有利的，因?yàn)樽鳛樗鼈兾挥诠鈱W(xué)表面附近的結(jié)果，所述部件與特別高的污染可能性關(guān)聯(lián)。
在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，光學(xué)裝置包括凈化單元，用于利用惰性氣體來凈化所述外殼的所述內(nèi)部空間的至少部分區(qū)域，所述惰性氣體優(yōu)選地是He、Ne、Ar、Kr、Xe、或H2、N2或其混合物，其中，所述凈化單元設(shè)計(jì)為產(chǎn)生10-3mbar和10mbar之間、優(yōu)選地10-2mbar和10-1mbar之間的凈化氣體分壓。凈化單元能夠用于將釋出的物質(zhì)提供到抽吸單元或真空產(chǎn)生單元，因?yàn)楫a(chǎn)生了定向惰性氣體流。在此裝置中，抽吸單元能夠連接至真空產(chǎn)生單元的真空泵；通過在外殼的內(nèi)部中設(shè)置抽吸開口，例如漏斗形狀的開口，其基本不同于后者，該抽吸開口使得通過抽吸來進(jìn)行定向去除成為可能。
在上述光學(xué)裝置的優(yōu)選實(shí)施例中，設(shè)置殘留氣體分析器，用于確定所述污染物質(zhì)的分壓。殘留氣體分析器用于確定內(nèi)部空間中污染物質(zhì)的分壓。在此申請(qǐng)的上下文中，術(shù)語“殘留氣體分析器”指質(zhì)譜儀(例如Quadrupol譜儀)，其用于測(cè)量真空條件下實(shí)驗(yàn)體積中(在當(dāng)前情況下，外殼的內(nèi)部空間中)氣體粒子的質(zhì)量或質(zhì)譜的分壓分布。該質(zhì)譜儀基本上包括離化待研究的氣體混合物的部分的離子源、用于根據(jù)多種不同的氣體離子的質(zhì)-荷比而將它們分開的分析器系統(tǒng)、以及用于測(cè)量與要探測(cè)的質(zhì)-荷比相關(guān)的離子或離子流的離子探測(cè)系統(tǒng)。借助于殘留氣體分析器，檢查污染物質(zhì)的分壓，特別是水和碳?xì)浠衔锏姆謮海欠裨谥付ǚ秶鷥?nèi)是可能的，指定范圍即對(duì)于典型的EUV投影曝光設(shè)備p(H2O)＝10-7mbar和p(CxHy)＝10-9mbar或更低的情況。
在此實(shí)施例的優(yōu)選改進(jìn)中，在所述外殼上設(shè)置校準(zhǔn)泄漏部，用于以指定的泄漏速率將將惰性氣體引入到所述外殼的所述內(nèi)部空間中。在常規(guī)殘留氣體分析器中，已經(jīng)注意到，在光學(xué)裝置操作期間，敏感度逐漸降低，或者所述分析器以不正確的燈絲參數(shù)操作，使得不清楚污染物質(zhì)的分壓是否已經(jīng)在指定的范圍或仍然在其外。借助于校準(zhǔn)泄漏部，能夠相關(guān)地校準(zhǔn)殘留氣體分析器，并且以此方式，能夠監(jiān)控其功能，因?yàn)槿Q于選擇的泄漏速率和供應(yīng)氣體的瓶子大小，校準(zhǔn)泄漏部的輸出速率能夠數(shù)年保持穩(wěn)定。將校準(zhǔn)泄漏部的泄漏速率選擇得足夠小，使得其不對(duì)真空起決定性影響。所使用的惰性氣體能夠例如是氪或氙，其包括大于45的質(zhì)-荷比，或者是不同惰性氣體的混合物。特別是，單離化的氙(Xe+)具有在約100質(zhì)量單位附近的質(zhì)-荷比并且從而在關(guān)鍵的碳?xì)浠衔锏膮^(qū)域中。
利用上述具有校準(zhǔn)泄漏部的殘留氣體分析器，一種用于在接通過程(即，在外殼的內(nèi)部空間中產(chǎn)生真空時(shí)并且仍在接通EUV光源用于照明操作之前)中執(zhí)行的方法是可能的，在該方法中，內(nèi)部空間中氣體的分析或者連續(xù)地發(fā)生或者以一定時(shí)間間隔發(fā)生，時(shí)間間隔是例如每10分鐘。在此裝置中，針對(duì)于校準(zhǔn)泄漏部的惰性氣體分壓來分配污染物分壓，并且僅當(dāng)污染物分壓在期望的規(guī)格中時(shí)(即在臨界閾值以下)才激活照明源。與此相對(duì)照，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，僅知道在泵浦開始后等待確定的時(shí)間段(約10h)，以確保污染物質(zhì)的分壓在閾值以下。利用上述方法，EUV照明儀器能夠更早地開始照明操作，例如在幾小時(shí)后已經(jīng)開始。
在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，設(shè)置用于確定污染物質(zhì)的分壓的光學(xué)諧振器。在測(cè)量裝置中，光學(xué)諧振器也指環(huán)蕩腔，在此專利說明書中，所述測(cè)量裝置用于確定分壓。與殘留氣體分析器相比，此測(cè)量裝置提供的優(yōu)點(diǎn)是不會(huì)通過燈絲產(chǎn)生濺射殘品。
在此實(shí)施例的有利的改進(jìn)中，光學(xué)諧振器布置在光學(xué)元件的表面上，并且優(yōu)選地圍住所述表面。與利用殘留氣體分析器的測(cè)量相對(duì)照，利用光學(xué)諧振器，能夠“內(nèi)置”地(即在光學(xué)表面附近)進(jìn)行分壓測(cè)量。從而能夠直接在光學(xué)表面上測(cè)量污染物質(zhì)的上述降低的分壓，即10-13mbar及以下的高真空壓力范圍。
在另一有利的實(shí)施例中，光學(xué)裝置包括激光源和分析器件，所述激光源用于向所述光學(xué)諧振器提供激光脈沖，所述分析器件布置在所述光學(xué)諧振器的下游、用于測(cè)量所述激光脈沖隨時(shí)間的強(qiáng)度。如果需要，激光源和分析器件能夠是自主的單元，即不必強(qiáng)制將它們集成到光學(xué)裝置中。在所謂的腔環(huán)蕩吸收光譜儀中，激光脈沖輸入到光學(xué)諧振器中，并且借助于分析器件，測(cè)量脈沖的光子壽命隨時(shí)間的強(qiáng)度梯度。分析衰減曲線提供關(guān)于包含于EUV真空中的待研究的污染物質(zhì)的吸收并且從而關(guān)于其分壓的濃度(concentration)的信息。所使用的激光器優(yōu)選地是可變頻率激光器，因?yàn)槿Q于輸入波長，能夠執(zhí)行多種氣體的選擇性研究。特別是在一個(gè)波長，能夠?qū)λM(jìn)行研究，而在另一個(gè)波長，能夠?qū)ｉT對(duì)碳?xì)浠衔镞M(jìn)行研究。
本發(fā)明還實(shí)施在引言中提到的類型的反射光學(xué)元件中，導(dǎo)電層布置在基底和多層系統(tǒng)之間，并且是電可接觸的，用于將光電流引走、用于接地或用于施加指定的電壓。通過形成光電子，特別是二次電子，在利用EUV光進(jìn)行輻照期間，在元件的光學(xué)表面上產(chǎn)生電荷，該電荷不能經(jīng)由基底引走，因?yàn)榛资请娊^緣的或與多層系統(tǒng)相比是相當(dāng)不導(dǎo)電的。
雖然因?yàn)楹笳呤侵苯与娊佑|的從而能夠?qū)㈦姾蓮墓鈱W(xué)表面引走，然而，這能夠影響光學(xué)表面的表面形狀、表面粗糙度等。通過在基底和多層系統(tǒng)之間施加附加的導(dǎo)電層，能夠在此層上進(jìn)行接觸，其結(jié)果是防止了對(duì)光學(xué)表面的任何影響。通過施加指定的電壓或通過將導(dǎo)電層接地，能夠經(jīng)由此層將電荷從光學(xué)表面引走，并且以此方式，能夠防止光學(xué)元件的表面的靜態(tài)放電。另外或作為替代，接觸也能夠用于測(cè)量通過形成二次電子而在利用EUV光輻照期間引起的光電流。光電流提供光學(xué)表面的污染或退化程度的指示。
在優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電層包括金屬或多層系統(tǒng)，所述金屬特別是金、鎳、釕、銠、鈀、鉬、銥、鋨、錸、銀、氧化鋅、或相關(guān)合金，多層系統(tǒng)特別是包括交替的Mo/Si或Mo/SiNi層。能夠以簡單的方式將由這些材料制成的導(dǎo)電層施加到基底上。使用多層系統(tǒng)作為導(dǎo)電層是有利的，因?yàn)樵砩希軌蚴褂孟嗤耐扛布夹g(shù)，特別是并且同時(shí)，該技術(shù)也用于EUV反射層的應(yīng)用中。
在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，導(dǎo)電層包括小于50nm、優(yōu)選地小于1nm的厚度。導(dǎo)電層越薄，則需要越少的材料并且粗糙度提高的風(fēng)險(xiǎn)越低。
在另一優(yōu)選的實(shí)施例中，具有所述導(dǎo)電層的所述基底在所述多層系統(tǒng)的邊緣區(qū)域中突出，并且在所述邊緣區(qū)域中，設(shè)置至少一個(gè)接觸部用于將線連接至所述導(dǎo)電層。通常，光學(xué)表面小于反射鏡基底的表面，使得在反射鏡基底突出處的該部分中，設(shè)置合適的接觸部是可能的，合適的接觸部例如是焊點(diǎn)或粘附點(diǎn)或連接部，例如夾鉗。
本發(fā)明還實(shí)施在引言部分中提到的類型的反射光學(xué)元件中，其包括布置在所述基底上、鄰近所述光學(xué)表面的材料，所述材料吸附污染物質(zhì)。在污染物質(zhì)(氣體)的特定分壓中，存在在光學(xué)元件的表面處的占據(jù)的確定的可能性。作為污染原子和分子在表面上非定向隨機(jī)運(yùn)動(dòng)的結(jié)果，取決于表面溫度、環(huán)境壓力、流動(dòng)條件等，所述原子和分子能夠最終到達(dá)吸附材料。
在優(yōu)選實(shí)施例中，吸附材料圍住所述光學(xué)表面，特別是以環(huán)形方式圍住所述光學(xué)表面，光學(xué)表面即曝光操作中光撞擊上的表面。在此裝置中，吸附材料的形狀與光學(xué)表面匹配，即例如在環(huán)形光學(xué)表面的情況下其是環(huán)形的。如果由高吸附材料制成的環(huán)放置在該表面周圍，則污染物質(zhì)“粘結(jié)”到此環(huán)并不再反應(yīng)，使得光學(xué)表面保持原樣。
在另一特別有利的實(shí)施例中，吸附材料是釕。已知利用包括銠、鈀、鉬、銥、鋨、錸、銀、氧化鋅、或它們的合金或相關(guān)的合金，特別優(yōu)選地是釕，的覆蓋層來蓋住用于EUV光刻的多層系統(tǒng)，因?yàn)檫@些材料具有強(qiáng)的催化特性。在典型的EUV環(huán)境中輻照這些表面時(shí)，此特性變得特別明顯，該環(huán)境由水和碳?xì)浠衔锓謮嚎刂?，并且其中，作為EUV輻照的結(jié)果，幾乎總能在催化覆蓋層上觀察到碳的增加，即光學(xué)表面被碳污染了，其中，隨著輻照曝光時(shí)間長度的增加，污染增加。實(shí)驗(yàn)已經(jīng)顯示，與由碳污染的釕表面相比(并且其中在測(cè)量誤差范圍內(nèi)，實(shí)際上不能發(fā)現(xiàn)Sn和Zn原子)，由Sn和Zn原子造成的污染物具有沉積于純釕上的大的親和力。通過圍繞光學(xué)表面放置釕環(huán)，在輻照期間，該光學(xué)表面不暴露于任何EUV輻射并且從而不會(huì)由碳污染，與由碳污染的光學(xué)表面相比，粘附到吸附環(huán)的Sn和Zn污染顯著增加。
在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，所述光學(xué)元件包括在所述光學(xué)表面和所述吸附材料之間產(chǎn)生溫度梯度的單元，例如用于表面的加熱器件。作為加熱的結(jié)果，降低了占據(jù)在表面上的污染物質(zhì)；所述物質(zhì)更快地移動(dòng)，并且歸因于溫度差異，它們朝向吸附材料移動(dòng)，因?yàn)樗鑫讲牧系臏囟缺裙鈱W(xué)表面的低。在此裝置中，光學(xué)表面的溫度能夠例如升高到約60℃。通過合適地選擇多層系統(tǒng)中的擴(kuò)散阻擋物，在光學(xué)表面的區(qū)域中在高達(dá)300℃的溫度來實(shí)施也是可能的。
發(fā)明還實(shí)施在光學(xué)裝置中，特別是上述類型的光學(xué)裝置，包括至少一個(gè)上述光學(xué)元件。在此裝置中，相同的光學(xué)元件能夠不僅包括布置在基底和多層系統(tǒng)之間的導(dǎo)電層，而且能夠包括與光學(xué)表面相鄰布置的吸附材料。
在光學(xué)裝置的實(shí)施例中，優(yōu)選地經(jīng)由線將所述導(dǎo)電層連接至體電位和/或電流或電壓測(cè)量器件，其中，電流或電壓測(cè)量器件用于測(cè)量光電流。
在優(yōu)選的改進(jìn)中，將線適配為以超過1kHz的頻率測(cè)量光電流。通過合適地屏蔽電纜以及通過調(diào)諧其頻率響應(yīng)來進(jìn)行該適配。通常地，電纜用于從真空系統(tǒng)的外殼引導(dǎo)光電流并用于將其饋入布置在真空系統(tǒng)外側(cè)的測(cè)量系統(tǒng)。歸因于EUV投影照明儀器在1kHz以上(高達(dá)10kHz)頻率的脈沖操作，需要光電流的脈沖分辨的測(cè)量，這需要對(duì)應(yīng)的適配線。
本發(fā)明的另外的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)提供在本發(fā)明的以下范例實(shí)施例的描述中，根據(jù)附圖中的圖(它們示出在本發(fā)明的上下文中重要的細(xì)節(jié))，并且根據(jù)權(quán)利要求。單獨(dú)的特性能夠自身單獨(dú)地實(shí)施，或以本發(fā)明的變形以任何期望的組合來實(shí)施數(shù)個(gè)它們。



圖解視圖中示出了范例實(shí)施例并且以下說明書中對(duì)其進(jìn)行了解釋。示出了下情況 圖1是根據(jù)本發(fā)明的EUV投影曝光設(shè)備的第一實(shí)施例的圖解視圖，該EUV投影曝光設(shè)備包括在部分區(qū)域中以圓柱方式圍住束路徑的真空外殼； 圖2是具有完全遮蔽設(shè)備的束路徑的多個(gè)真空外殼的EUV投影曝光設(shè)備的第二實(shí)施例的類似圖解視圖； 圖3是EUV投影曝光設(shè)備的類似圖解視圖，其中，釋出污染粒子的部件與抽吸器件關(guān)聯(lián)； 圖4是具有兩個(gè)釋出污染的粒子的部件的圖1的截面，該兩個(gè)部件布置在光學(xué)元件上，與抽吸器件關(guān)聯(lián)； 圖5a、b是光學(xué)表面由吸附材料圍住的光學(xué)元件的頂視圖(a)和側(cè)視圖(b)； 圖6是用于利用光學(xué)諧振器借助于吸收光譜來測(cè)量高真空中的壓力的測(cè)量裝置； 圖7a、b是利用根據(jù)圖6的測(cè)量裝置測(cè)得的激光脈沖隨時(shí)間的衰減特性的強(qiáng)度曲線； 圖8是包括具有可接觸的導(dǎo)電層的反射光學(xué)元件的光學(xué)裝置； 圖9是以三維描繪的具有三個(gè)反射光學(xué)元件和清潔頭的真空外殼的圖解視圖；以及 圖10是具有被圍住的束路徑的EUV投影曝光設(shè)備的基本部分的圖解視圖。

具體實(shí)施例方式 圖1示出了用于EUV光刻的投影曝光設(shè)備的圖解視圖，該投影曝光設(shè)備包括與真空產(chǎn)生單元3關(guān)聯(lián)的外殼2。根據(jù)布置在所述外殼2中的部件的光學(xué)功能，外殼2被劃分成三個(gè)外殼部分(圖1中未示出)，即首先為具有光產(chǎn)生單元4的第一外殼部分，光產(chǎn)生單元4例如包括等離子光源和用于聚焦照明輻射的EUV收集器反射鏡。
在隨后的第二外殼部分中，照明系統(tǒng)布置成沿著的束路徑包括具有場(chǎng)光柵元件的反射鏡5和具有瞳孔光柵元件的反射鏡6。三個(gè)反射鏡的組布置在下游并用作遠(yuǎn)攝鏡頭7，其包括第一和第二反射鏡8、9，它們?cè)谡肷湎虏僮?，并且還包括具有負(fù)折射焦度的第三反射鏡10，光以掠入射撞擊到第三反射鏡10上。照明系統(tǒng)在物平面11上產(chǎn)生盡可能均勻的圖像場(chǎng)，在物平面11中布置有具有要被以減小的尺寸成像的結(jié)構(gòu)(未示出)的分劃板12。
通過布置在下游的投影系統(tǒng)將布置在物平面11中的分劃板12上的結(jié)構(gòu)成像在像平面13上，投影系統(tǒng)布置在第三外殼部分中，在像平面13中布置有具有光敏層(未示出)的晶片。對(duì)于減小尺寸的成像，投影系統(tǒng)3包括作為反射光學(xué)元件的六個(gè)另外的反射鏡14.1至14.6。
在外殼2中，真空產(chǎn)生單元3產(chǎn)生的真空具有約10-7mbar的水的分壓和約10-9mbar的碳?xì)浠衔锏姆謮?。然而，?duì)于有效防止水和碳?xì)浠衔镆约傲硗獾奈廴疚镔|(zhì)沉積在反射鏡4至10或14.1至14.6以及分劃板12的表面上，此真空是不夠的。污染物質(zhì)由數(shù)個(gè)部件產(chǎn)生，這些部件將所述污染物質(zhì)釋氣到外殼2的內(nèi)部空間15中。通過圖1中的范例的方式示出了布置在外殼2的壁的部分區(qū)域上的這種部件16。不能完全阻止在外殼2中布置這樣的釋氣部件，因?yàn)橛糜贓UV投影曝光設(shè)備中的許多材料是不可烘烤的。
除受部件16等的釋氣的限制外，外殼2中可達(dá)到的真空從而受到污染物質(zhì)的釋氣的向下的限制。雖然如果提供極高性能的泵，提高真空是可能的，然而，為了避免招致附加的花費(fèi)，以及為了減少技術(shù)努力，僅在光產(chǎn)生單元4的收集器反射鏡的光學(xué)表面17的附近產(chǎn)生高真空是顯著地更加有利的，為簡化原因，光學(xué)表面17示出為平面表面。
能夠?qū)崿F(xiàn)這是因?yàn)?，首先借助于真空外?8將光學(xué)表面17從內(nèi)部體積15遮蔽或與其隔離。在此布置中，真空導(dǎo)管18以類似護(hù)套的方式圍住從光學(xué)表面17發(fā)出的束路徑19，所述真空導(dǎo)管18由適合于真空條件的材料制成，該材料例如為具有低的釋氣率的不銹鋼。借助于真空導(dǎo)管18，從外殼2的內(nèi)部空間15分出了一個(gè)部分體積，其僅通過真空導(dǎo)管18中的開口20與其余內(nèi)部空間15連通。例如，用于真空隔離和/或用于過濾向內(nèi)輻射的EUV光的薄膜濾光器能夠布置在開口20中。在此裝置中，將真空導(dǎo)管18選擇成具有足夠的長度，使得開口20布置在束路徑19的區(qū)域中，在該區(qū)域中，束路徑19的直徑特別小。結(jié)果，束路徑19能夠引導(dǎo)穿過開口20，而沒有大量的污染粒子能夠進(jìn)入由真空導(dǎo)管18形成的部分體積。
在真空導(dǎo)管18的圓柱壁上，設(shè)置由圖1中的兩個(gè)箭頭指示的抽吸單元21作為污染降低單元，其通過泵浦作用將污染粒子從由真空外殼18界定的部分體積中移到外殼2的其余內(nèi)部空間15中。應(yīng)當(dāng)理解，抽吸單元21也能夠用于將污染粒子從內(nèi)部空間15完全去除，并且，為達(dá)此效果，如果需要，將抽吸單元21連接至真空產(chǎn)生單元3。在任一種情況下，抽吸單元21布置在真空外殼18上在光學(xué)表面17附近，即在與后者約1至3cm的距離處，并且用于產(chǎn)生與光學(xué)表面17基本成平行關(guān)系的壓力梯度，使得在至抽吸單元21的徑向方向上移動(dòng)從圓柱真空外殼18的中心開始的污染粒子。
作為以上的結(jié)果，在光學(xué)表面17的附近，即在距光學(xué)表面17的距離小于約1cm處，優(yōu)選地小于0.5cm處，引起高真空，例如在水的情況下，其分壓小于約10-7mbar，并且在碳?xì)浠衔锏那闆r下，其分壓在約10-9mbar以下。因此基本上能夠防止這些物質(zhì)對(duì)光學(xué)表面17的污染。如果需要，還能夠進(jìn)一步減小污染物質(zhì)的分壓，例如減小至小于10-13mbar。
除抽吸單元21外，圖1還設(shè)置冷卻單元22，其以冷卻水、液氮或液氦至少在圖1中所示的部分區(qū)域中將真空外殼18冷卻至小于290K、80K或20K的溫度，結(jié)果，附加粒子冷凝在真空外殼18的內(nèi)側(cè)23上。為了增大表面，真空外殼18的內(nèi)側(cè)23能夠涂有合適的材料或其能夠設(shè)置有粗糙的表面結(jié)構(gòu)。
此外，設(shè)置用于利用惰性氣體(優(yōu)選地為He、Ne、Ar、Kr、Xe或H2、N2或其混合物)進(jìn)行凈化的凈化單元24作為污染降低單元，在自由分子運(yùn)動(dòng)的區(qū)域外，該單元在自由分子運(yùn)動(dòng)的區(qū)域外在10-3mbar至10mbar的分壓范圍中帶走污染物。惰性氣體凈化產(chǎn)生從光學(xué)表面17離開、朝向開口20的流，穿過開口20將由惰性氣體運(yùn)輸?shù)奈廴玖Ｗ訌耐ㄟ^抽吸去除這些粒子的地方移動(dòng)到外殼2的內(nèi)部空間15中。此外，通過使用在真空導(dǎo)管18的圓柱壁上的抽吸單元21(由兩個(gè)箭頭指示)進(jìn)行抽吸去除，將污染物質(zhì)或氣體粒子移動(dòng)到由真空外殼18界定的部分體積外部的區(qū)域中，即移動(dòng)到外殼2的其余內(nèi)部空間15中或理想地移動(dòng)到外殼2外部的區(qū)域中。
此外，為了提高外殼2的內(nèi)部空間15中的真空，設(shè)置另外的抽吸單元25a用于通過抽吸從外殼2的內(nèi)部空間15去除由另外的部件16a釋出的污染粒子。在此裝置中，另外的抽吸單元25a連接到另外的真空泵3a，但是作為替代，其也可以連接至真空泵3。當(dāng)然，布置在真空外殼18上的抽吸單元21也可以連接至真空泵(未示出)。
另外的部件16a釋出大量的污染物質(zhì)并且由另外的抽吸單元25a遮蔽，使得污染粒子不能進(jìn)入外殼2的內(nèi)部空間15。通過另外的部件16a上的抽吸來進(jìn)行去除是明智的，因?yàn)榕c部件16的情況相比，有更大量的污染物質(zhì)釋放出，部件16的情況因此不必將部件16與外殼2的內(nèi)部空間15強(qiáng)制地分開。作為通過抽吸來去除的替代，也能夠通過封裝來將另外的部件16a與外殼2的內(nèi)部空間15分開。
當(dāng)然，該污染部件也能夠布置在反射鏡4至10和14.1至14.6上，如圖4中相對(duì)于照明系統(tǒng)的第一反射鏡5的關(guān)系。除布置在束路徑19中的光學(xué)表面26外，兩個(gè)另外的部件16b、16c布置在反射鏡5上，該另外的部件16b、16c釋放另外的污染物質(zhì)，該另外的污染物質(zhì)由關(guān)聯(lián)的另外的抽吸單元25b、25c收集。當(dāng)然，以此方式，通過抽吸進(jìn)行去除也能夠發(fā)生在位于反射鏡的支撐器件上的部件上，或者如果需要，在反射鏡支撐器件自身上。通過合適的封裝或通過抽吸進(jìn)行去除，不僅光學(xué)表面17自身，而且整個(gè)光學(xué)元件4能夠集成在真空外殼18中，并且能夠由所述真空外殼18圍住。
雖然圖1中僅在光產(chǎn)生單元4的收集器反射鏡的光學(xué)表面17上，即僅在單個(gè)光學(xué)元件上，產(chǎn)生具有特別好真空條件的小型環(huán)境，但是在圖2中，在所有反射鏡4至10、14.1至14.6上以及在投影照明儀器1的分劃板12上產(chǎn)生該環(huán)境，即將投影照明儀器的整個(gè)束路徑19與外殼2的其余內(nèi)部空間15分開，并且借助于合適的抽吸單元21分別在反射鏡5至10、14.1至14.6的每個(gè)光學(xué)表面和分劃板12上產(chǎn)生高真空，通過在圖1的上下文中更詳細(xì)地描述的箭頭，該抽吸單元由圖1的上下文中更詳細(xì)地描述的箭頭所指示。為此目的，在外殼2中設(shè)置多個(gè)真空外殼18.1至18.10，在該真空外殼18.1至18.10中，除了在束路徑19中的第一和最后一個(gè)外，在每種情況下，至少布置兩個(gè)光學(xué)元件。以下，為簡單起見，術(shù)語“光學(xué)元件”指反射鏡5至10、14.1至14.6和分劃板12。
在每種情況下，將相繼地布置在束路徑19中的兩個(gè)真空外殼18.1至18.10互連，例如，給彼此安裝凸緣，使得束路徑19能夠穿過共用的開口。通常，在每種情況下，反射鏡中的兩個(gè)5、6和它們的光學(xué)表面17.1、17.2布置在真空外殼的相對(duì)的壁上，如例如第二真空外殼18.2的情況。在將數(shù)個(gè)光學(xué)元件彼此直接相鄰地布置的區(qū)中，例如在分劃板12的附近，能夠?qū)蓚€(gè)以上的光學(xué)元件布置在共用的真空外殼中。
可選地，所有真空外殼18.1至18.10能夠包括圖1中所示的制冷器件22和/或在內(nèi)側(cè)23的至少部分區(qū)域中它們能夠包括氣體結(jié)合材料，特別是鈦、鉭、鈮、鋯、釷、鋇、鎂、鋁、釕、鐿或銫。以此方式，能夠借助于冷凝或吸附來實(shí)現(xiàn)真空外殼18.1至18.10中污染粒子的數(shù)量上的附加的降低。
在具有光產(chǎn)生單元4的第一真空外殼18.1中，布置凈化單元24，如圖1中所示，其產(chǎn)生將污染物質(zhì)帶入相鄰真空外殼18.2中的惰性氣體流，從該真空外殼18.2，它們由抽吸單元21移動(dòng)到內(nèi)部空間15中。在此情況下，無需在第一真空外殼18.1的內(nèi)部體積中設(shè)置抽吸單元，因?yàn)樗龅谝徽婵胀鈿?8.1通過柔性真空元件連接至光產(chǎn)生單元4，以便氣密地密封，從而在足夠的程度上使污染凈化單元24的物質(zhì)遠(yuǎn)離光學(xué)表面17。
作為將束路徑19與外殼2的其余內(nèi)部空間15基本完全封裝開的結(jié)果，在那些情況下，選擇較為不利的真空條件(其是通常情況)是可能的，即真空產(chǎn)生單元3能夠在降低的泵浦輸出下操作，能夠使用更強(qiáng)的釋氣部件，并且一般地說，該部件的釋氣需要較少的關(guān)注。在最有利的情況下，不再需要將真空產(chǎn)生單元3用于在外殼2的內(nèi)部空間中產(chǎn)生真空，而是，其能夠僅僅用作針對(duì)抽吸單元21的泵。在此情況下，在外殼2的其余內(nèi)部空間15中，大氣壓力占優(yōu)勢(shì)。
在圖1和圖2中分別所示的情況(在該情況下，一個(gè)光學(xué)元件或所有光學(xué)元件在提高的真空條件下操作)之間，任何其它梯度是當(dāng)然可能的，其中，例如光學(xué)元件以及分別地它們的光學(xué)表面的兩個(gè)、三個(gè)等布置在高真空中。在所有這些情況下，如果能夠測(cè)量內(nèi)部空間15中或光學(xué)表面17、17.1、17.2上的污染物質(zhì)的分壓，則是有利的。
為測(cè)量外殼2的內(nèi)部空間15中的污染物質(zhì)的分壓的目的，設(shè)置殘留氣體分析器27，借助于該分析器能夠確定分壓的質(zhì)譜。為了校準(zhǔn)殘留氣體分析器27，具有作為惰性氣體的氙氣的氣體容器29經(jīng)由校準(zhǔn)泄漏部28與外殼2的內(nèi)部空間15連通。校準(zhǔn)泄漏部28確保有恒定的惰性氣體流入物進(jìn)入內(nèi)部空間15中。能夠校準(zhǔn)殘留氣體分析器27，并且能夠針對(duì)校準(zhǔn)泄漏部28的泄漏率來監(jiān)控其功能。以此方式，特別是在開通過程中，即在借助于真空產(chǎn)生單元3在外殼2中產(chǎn)生真空時(shí)，監(jiān)控是否已經(jīng)達(dá)到了污染物質(zhì)的期望的分壓以及投影曝光設(shè)備1是否能夠開始曝光操作是可能的。
除殘留氣體分析器27外，在外殼2中布置光學(xué)諧振器48，分析器27測(cè)量內(nèi)部空間15中的污染物質(zhì)的分壓，光學(xué)諧振器48用于測(cè)量直接在光學(xué)元件6的光學(xué)表面17.2上的分壓。圖6中示出了整個(gè)關(guān)聯(lián)的測(cè)量結(jié)構(gòu)；其包括脈沖頻率可變激光器形式的激光源46、輸入光學(xué)器件47、光學(xué)諧振器48(衰蕩腔)以及評(píng)估單元49，評(píng)估單元49包括探測(cè)器和與計(jì)算機(jī)連接的示波器。僅強(qiáng)制地布置輸入光學(xué)器件47的部分和對(duì)應(yīng)的部分，用于去耦投影曝光設(shè)備1中的激光，其中耦合和去耦優(yōu)選地經(jīng)由光纖光學(xué)器件發(fā)生。
為測(cè)量分壓，首先，激光源46設(shè)定為波長對(duì)應(yīng)于要探測(cè)的氣體中的躍遷，該氣體對(duì)光學(xué)表面具有污染效果。隨后，產(chǎn)生經(jīng)由輸入光學(xué)器件47進(jìn)入光學(xué)諧振器48的激光脈沖。如圖7中所示，激光脈沖對(duì)時(shí)間的強(qiáng)度梯度提供關(guān)于光學(xué)諧振器48的體積中的激光脈沖的吸收程度的信息。圖7a示出了在光學(xué)諧振器48中不存在吸收氣體時(shí)的光子強(qiáng)度的衰減曲線50a，而圖7b示出了具有該吸收物質(zhì)時(shí)的衰減曲線50b。圖示清楚地示出了在后一種情況下，光學(xué)諧振器中的光子的壽命降低了。根據(jù)作為吸收的結(jié)果而導(dǎo)致的半壽命值的降低，獲得關(guān)于光學(xué)諧振器48中的物質(zhì)的濃度的信息，并從而獲得關(guān)于其分壓的信息是可能的，該物質(zhì)已在特別的情況下被激發(fā)。上述測(cè)量方法使得可能獲得右至小于10-13mbar的區(qū)域的高精度分壓測(cè)量，使得能夠直接在光學(xué)表面上確定碳?xì)浠衔锏纳踔练浅５偷姆謮骸?br> 圖3示出了用于在高真空下操作所有光學(xué)元件的替代選擇。通過范例，圖3示出了三個(gè)部件16a至16c，它們釋出污染物質(zhì)。這些部件中的兩個(gè)與抽吸單元25a、25b關(guān)聯(lián)，它們使釋出的污染粒子遠(yuǎn)離外殼2的內(nèi)部空間15。凈化氣體單元24與第三部件16c關(guān)聯(lián)，該凈化氣體單元24產(chǎn)生凈化氣體流。從第三部件16c釋出的污染粒子由所述流帶走并移動(dòng)到真空產(chǎn)生單元3附近，借助與真空產(chǎn)生單元3，這些污染粒子被從外殼2中去除。如果在外殼2中設(shè)置所有部件16a至16c的封裝，或至少給具有特別強(qiáng)的釋出污染物質(zhì)的趨勢(shì)的那些部件設(shè)置封裝，則真空產(chǎn)生單元3能夠在外殼的內(nèi)部空間15中產(chǎn)生真空，其中，污染物質(zhì)的(總)分壓也在10-9mbar以下。當(dāng)然，作為這的結(jié)果，污染物在光學(xué)表面的沉積也大大降低了。
圖9示出了用于降低用于圖1的三個(gè)反射元件5、6、8的外殼18.11的微型環(huán)境中的污染物質(zhì)的量的另一范例，該三個(gè)反射元件的光學(xué)表面17.3至17.5基本平行布置。圖9的真空外殼18.11能夠固定于圖1的真空外殼18，開口20容許束路徑19到達(dá)第一反射光學(xué)元件5的光學(xué)表面17.3。與圖1至4的布置相比，通過將由凈化氣體單元(未示出)提供的分子氫流過由激活單元61加熱到約2400℃的溫度的燈絲61a，該分子氫的部分被在清潔頭60中激活以形成原子氫。清潔頭60布置在真空外殼18.11內(nèi)側(cè)的第三反射光學(xué)元件17.5的光學(xué)表面17.5附近，并且設(shè)計(jì)為產(chǎn)生至光學(xué)表面17.5的清潔氣體的射流62。清潔氣體的射流62包括用于從光學(xué)表面17.5去除污染物質(zhì)的原子氫，污染物質(zhì)特別是碳。射流62的殘留物包括在燈絲61a處沒有裂化的分子氫，并且該分子氫能夠用作凈化氣體來產(chǎn)生將原子氫清潔的反應(yīng)產(chǎn)物和另外的污染物質(zhì)一起通過用作抽吸單元21的出口從真空外殼18.11去除的流，該反應(yīng)產(chǎn)物特別是甲烷，抽吸單元21布置在第一和第二反射元件5、6之間。出口21設(shè)計(jì)為管子，其長度和直徑是經(jīng)選擇的，以防止污染物質(zhì)從內(nèi)部空間15(圖1中所示)擴(kuò)散到真空外殼18.11內(nèi)側(cè)。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，存在設(shè)計(jì)出口21，用于降低污染粒子/分子擴(kuò)散到真空外殼18.11中的速率的其它可能。
應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于每個(gè)光學(xué)表面17.3至17.5，可以在真空外殼18.11內(nèi)側(cè)設(shè)置單獨(dú)的清潔頭。當(dāng)不需要清潔時(shí)，可以斷開燈絲61a，從而容許清潔頭60用作用于作為凈化氣體的分子氫的入口。應(yīng)當(dāng)理解，除分子氫外，其它凈化氣體，特別是上述的凈化氣體，也可以由被加熱的燈絲61激活。還有，為了提高原子氫清潔的清潔速率，在真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)23上設(shè)置石英玻璃涂層。已知類似玻璃的物質(zhì)(特別是石英玻璃)具有低的原子氫復(fù)合速率，使得撞擊到真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)23上的原子氫具有低的復(fù)合可能性，以便沒有分子氫形成在真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)23上，從而提高了與光學(xué)表面17.5上存在的污染物的反應(yīng)速率。
另外，包括作為光源63的LED的測(cè)量單元和光學(xué)傳感器64布置在真空外殼18.11內(nèi)側(cè)，用于確定第二光學(xué)元件17.4的光學(xué)表面17.4的污染狀況。LED 63發(fā)射波長在可見光譜中的光，該光被從光學(xué)表面17.4反射到測(cè)量反射的光的強(qiáng)度的傳感器元件64，用于以在以上引用的德國專利申請(qǐng)DE10 2007 037942.2中詳細(xì)描述的方式來確定污染狀況，特別是確定光學(xué)表面17.4上的污染物層(未示出)的厚度。因?yàn)楣鈱W(xué)傳感器64和光源63可以釋出污染物質(zhì)，所以由真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)23上的石英玻璃涂層將它們封裝。因?yàn)闆]有其它釋氣部件布置在真空外殼18.11內(nèi)側(cè)，真空外殼18.11內(nèi)側(cè)的污染物質(zhì)的量能夠保持非常低。
在真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)23上提供石英玻璃涂層具有的附加優(yōu)點(diǎn)是，能夠防止氫引起的釋氣，即能夠防止歸因于與原子氫反應(yīng)而從真空外殼18.11內(nèi)側(cè)的材料釋出污染物質(zhì)，因?yàn)槭⒉Ａ?duì)原子氫基本是惰性的。不產(chǎn)生揮發(fā)性的清潔引起的釋氣產(chǎn)物的其它材料也適合用于此目的，其它材料特別是不含Sn、Zn、Mn、Na、P、S的鋼。
為了在曝光開始前(即在EUV投影曝光設(shè)備1的停機(jī)期間)從真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)23去除污染物質(zhì)，設(shè)置加熱單元65，用于均勻加熱真空外殼18.11至150℃的烘烤溫度。以此方式，污染物質(zhì)，特別是水，能夠從真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)23解吸附并且經(jīng)由抽吸單元21運(yùn)輸?shù)酵饷?。為使烘烤成為可能，不能?jīng)受烘烤溫度的材料沒有布置在真空外殼18.11的內(nèi)側(cè)。特別是，反射光學(xué)元件5、6、9設(shè)置有多層系統(tǒng)(未示出)，在該多層系統(tǒng)的頂部布置有光學(xué)表面17.3至17.5，多層系統(tǒng)耐高達(dá)200℃的溫度，而光學(xué)性能不會(huì)退化。
圖10示出了另外的EUV投影曝光設(shè)備1’的基本部分，如美國專利申請(qǐng)2005/0275821 A1中所述，于此通過引用并入了其全部內(nèi)容。EUV投影曝光設(shè)備1’包括投影光學(xué)系統(tǒng)107，其用于將布置在分劃板臺(tái)106上的分劃板106A上的結(jié)構(gòu)減小地成像到布置在晶片臺(tái)108上的晶片108A的光敏抗蝕劑上。投影光學(xué)系統(tǒng)107的外殼107A包括具有低溫面板124A的第一低溫致冷器124和具有低溫面板123A的第二低溫制冷器123，低溫面板124A布置在靠近布置分劃板106A的空間的開口處，低溫面板123A在布置晶片108A的空間附近。投影系統(tǒng)107內(nèi)側(cè)的EUV輻射的束路徑108B通過第一低溫面板124A并由五個(gè)反射光學(xué)元件A至E反射，然后通過第二低溫面板123A并撞擊到晶片108A上。
第一和第二低溫面板124A、123A之間的束路徑由彼此以氣密方式連接的多個(gè)真空外殼109整體封裝。從而，保護(hù)了反射光學(xué)元件A至E免受釋出污染物質(zhì)到投影系統(tǒng)107的外殼107A的內(nèi)部空間中的部件(未示出)的影響。為降低真空外殼109內(nèi)側(cè)的污染物的分壓的目的，設(shè)置凈化單元111，用于產(chǎn)生到用作用于束路徑108B的入口和出口的真空外殼109的兩個(gè)開口的凈化氣體流，兩個(gè)開口位于第一和第二低溫面板124A、123A附近?？梢匀玑槍?duì)圖9所述的那樣設(shè)計(jì)這些開口(未示出)，即這些開口可以具有防止污染物質(zhì)擴(kuò)散到真空外殼內(nèi)側(cè)的形狀。
類似地，對(duì)于投影系統(tǒng)107，照明系統(tǒng)的多個(gè)真空外殼110布置在分劃板106A和具有束整形單元(未示出)的EUV光源(未示出)之間，以保護(hù)四個(gè)另外的反射光學(xué)元件的表面免受EUV投影曝光設(shè)備1’的外殼(未示出)內(nèi)側(cè)的污染粒子的影響，圖10中示出了該四個(gè)反射光學(xué)元件中的一個(gè)(105A)。
在圖10中所示的范例中，該兩個(gè)多個(gè)真空外殼109、110分別封裝投影系統(tǒng)107的反射光學(xué)元件(反射鏡)和照明系統(tǒng)的反射光學(xué)元件(反射鏡)之間的束路徑。沒有受到真空外殼保護(hù)的唯一的反射表面是分劃板106A的表面，因?yàn)橥ǔ?，?dāng)需要對(duì)不同的結(jié)構(gòu)成像時(shí)，設(shè)置加載鎖(load lock)用于改變分劃板106A，使得可以在EUV投影曝光設(shè)備1’外面執(zhí)行分劃板的清潔。
在圖1至圖4和圖9以及圖10所示的裝置中，在最有利的情況下，在反射鏡的緊鄰圍繞物中，污染物(例如碳?xì)浠衔锘蛩?的分壓能夠降低到小于10-13mbar，特別是在凈化的微型環(huán)境的情況下。此外，適合于用于外殼2中的EUV的材料和裝備的選擇包括降低花費(fèi)。應(yīng)當(dāng)理解，上述方法不限于EUV投影曝光設(shè)備，而是能夠有利地與包括變化數(shù)量和形狀的光學(xué)元件的任何光學(xué)裝置一起使用，特別是在包括反射光學(xué)元件的光學(xué)器件的情況下，例如EUV光學(xué)器件。
除由在投影曝光設(shè)備1上的測(cè)量所提供的污染物減少外，還能夠在光學(xué)元件自身上進(jìn)行污染物減少測(cè)量，下面將對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)解釋。圖5示出了用于圖1至圖3所示的投影曝光設(shè)備的光學(xué)元件40。所述光學(xué)元件40包括基底41和具有光學(xué)表面44的多層系統(tǒng)42，光學(xué)表面44暴露于污染物質(zhì)。為了最大可能地防止所述污染物質(zhì)沉積在光學(xué)表面44上，在光學(xué)表面44的周圍或在多層系統(tǒng)42的周圍布置釕的環(huán)43，其提供好的吸附，特別是金屬和金屬化合物的吸附，例如錫和鋅的化合物，以及作為污染物質(zhì)的碳?xì)浠衔铩?br> 存在于光學(xué)表面44上的污染物質(zhì)執(zhí)行無方向性的熱運(yùn)動(dòng)。一旦它們到達(dá)光學(xué)表面44的邊緣，它們附著于吸附材料，其結(jié)果是能夠減少光學(xué)表面的污染物。為了強(qiáng)化此效果，有利地加熱光學(xué)表面44，為此目的，將加熱器45嵌于圖5中所示的光學(xué)元件40的基底41中。借助于此加熱器45，引起了光學(xué)表面44的溫度的升高，該溫度升高觸發(fā)污染物質(zhì)的分子或原子的增加的運(yùn)動(dòng)，使得所述物質(zhì)更快地運(yùn)動(dòng)并在更短的時(shí)間周期中到達(dá)光學(xué)表面44的邊緣。與吸附材料43相比，通過提高光學(xué)表面44的溫度，產(chǎn)生了溫度梯度并且因此附加地產(chǎn)生了朝向吸附材料的對(duì)流流動(dòng)。作為替代或附加地，能夠借助于制冷單元來降低吸附材料的溫度。
圖8示出了用于EUV光刻的另外的反射光學(xué)元件30，該元件30包括低電導(dǎo)率的基底31和導(dǎo)電多層系統(tǒng)33，導(dǎo)電多層系統(tǒng)33在反向于基底31的側(cè)上的包括反射光學(xué)表面34。
借助于EUV光學(xué)器件中的照明輻射，通常地在光學(xué)表面上產(chǎn)生光電子，特別是二次電子，這能夠?qū)е路烹姴⑶乙虼藢?dǎo)致帶電的或可極化的粒子的沉積。為此原因，在光學(xué)元件30中，設(shè)置布置在基底31和多層系統(tǒng)33之間的、用于將光電流引導(dǎo)開、用于接地、或用于施加指定的電壓的導(dǎo)電層32，使得其是電可接觸的。為此目的，具有層32的基底31在多層系統(tǒng)33的邊緣區(qū)域中突出，在該邊緣區(qū)域中，施加作為用于將層32連接至線36的接觸部的焊點(diǎn)或粘接點(diǎn)35。在當(dāng)前情況下，導(dǎo)電層32包括鎳并且厚度約為20nm。作為替代，層32也能夠包括具有足夠厚度的金或其它合適材料，特別是多層系統(tǒng)。通過施加指定的電壓或體電位(mass potential)，能夠?qū)㈦姾蓮墓鈱W(xué)表面34引走，而無需直接接觸光學(xué)表面。
在圖8中，線36連接至電流或電壓測(cè)量器件37，該器件用于測(cè)量光電流，借助于光電流，能夠作出關(guān)于光學(xué)表面34的污染程度的結(jié)論。為了測(cè)量光電流，線36包括合適的屏蔽，使得能夠以超過1kHz的頻率執(zhí)行光電流測(cè)量，該頻率對(duì)應(yīng)于EUV投影照明儀器的脈沖頻率。在此裝置中，線36將傳感器電流引出抽空的外殼，其中正常地布置光學(xué)元件30。
通過施加附加的導(dǎo)電和可接觸層32，無需直接接觸光學(xué)表面34，使得能夠避免其光學(xué)特性的變形或退化。當(dāng)然，層32也能夠以不同于上述方式的方式接觸，例如以嵌入于基底31中的電接觸。
也能夠在單個(gè)光學(xué)元件上組合地執(zhí)行在圖5和圖8中在光學(xué)元件40或30上執(zhí)行的測(cè)量。上述光學(xué)元件40和30能夠有利地用于針對(duì)微光刻的投影曝光設(shè)備中，如例如圖1至圖3中所示，或用于其它EUV光學(xué)器件中。
權(quán)利要求
1、一種光學(xué)裝置，特別是一種用于EUV光刻的投影曝光設(shè)備(1，1’)，包括
圍住內(nèi)部空間(15)的外殼(2)；
至少一個(gè)布置在所述外殼(2)中的光學(xué)元件(4至10，12，14.1至14.6)，特別是反射光學(xué)元件；以及
至少一個(gè)用于在所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)中產(chǎn)生真空的真空產(chǎn)生單元(3)，
其特征在于
至少一個(gè)真空外殼(18，18.1至18.11，109)，布置在所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)中，并且至少圍住所述光學(xué)元件(4至10，12，14.1至14.5)的光學(xué)表面(17，17.1至17.5)，其中，污染降低單元與所述真空外殼(18，18.1至18.11，109)關(guān)聯(lián)，相對(duì)于所述內(nèi)部空間(15)中的所述污染物質(zhì)的分壓，所述污染降低單元至少降低在所述光學(xué)表面(17，17.1至17.5)附近的污染物質(zhì)的分壓，特別是水和/或碳?xì)浠衔锏姆謮骸?br> 2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)裝置，其中，所述污染降低單元包括凈化單元(24，111)，用于利用惰性氣體來凈化所述真空外殼(18，18.1，18.11，109)的至少部分區(qū)域，所述惰性氣體優(yōu)選地是He、Ne、Ar、Kr、Xe、或H2、N2或其混合物。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)裝置，其中，所述凈化單元(24)設(shè)計(jì)為產(chǎn)生10-3mbar和10mbar之間、優(yōu)選地10-2和10-1mbar之間的凈化氣體壓力。
4、根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光學(xué)裝置，其中，在所述真空外殼(18.11)中設(shè)置出口作為抽吸單元(21)，用于產(chǎn)生從所述真空外殼(18.11)的內(nèi)側(cè)至所述內(nèi)部空間(15)的凈化氣體流，所述出口的布局優(yōu)選地選擇為防止污染物質(zhì)從所述內(nèi)部空間(15)擴(kuò)散至所述真空外殼(18.11)的內(nèi)側(cè)。
5、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，還包括至少一個(gè)清潔頭(60)，用于將清潔氣體的射流(62)引導(dǎo)至所述光學(xué)表面(17.5)，以從所述光學(xué)表面(17.5)去除污染物質(zhì)。
6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)裝置，其中，所述清潔頭(60)包括激活單元(61)，所述激活單元(61)用于通過至少部分地激活凈化氣體流來產(chǎn)生所述清潔氣體的射流，凈化氣體優(yōu)選地是分子氫。
7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)裝置，其中，所述激活單元(61)包括被加熱的燈(61a)。
8、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述真空外殼(18.11)至少在其內(nèi)側(cè)的一部分區(qū)域中包括具有低原子氫復(fù)合速率的材料，優(yōu)選地玻璃，特別是石英玻璃。
9、根據(jù)權(quán)利要求5至8的任一項(xiàng)所述的光學(xué)裝置，其中，所述真空外殼(18.11)的內(nèi)側(cè)僅設(shè)置不產(chǎn)生由所述清潔氣體引起的釋氣產(chǎn)物的材料。
10、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，用于測(cè)量所述光學(xué)表面(17.4)的污染狀況的測(cè)量單元(63，64)布置在所述真空外殼內(nèi)側(cè)。
11、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述真空外殼(18.11)和所述光學(xué)元件(17.3至17.5)耐受高達(dá)100℃或更高的烘烤溫度，優(yōu)選地150℃或更高的烘烤溫度。
12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)裝置，還包括至少一個(gè)加熱單元(65)，用于將所述至少一個(gè)真空外殼(18.11)加熱至所述烘烤溫度。
13、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述污染降低單元設(shè)計(jì)為在所述光學(xué)表面(17，17.1至17.5)處產(chǎn)生小于10-7mbar的水的分壓和/或小于10-9mbar、優(yōu)選地小于10-13的碳?xì)浠衔锏姆謮骸?yōu)選地不揮發(fā)性碳?xì)浠衔锏姆謮骸?br> 14、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述污染降低單元設(shè)計(jì)為產(chǎn)生小于10-9mbar、優(yōu)選地小于10-11mbar、特別優(yōu)選地小于10-13mbar的所述污染物的分壓。
15、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述污染降低單元包括至少一個(gè)抽吸單元(21)，用于通過抽吸來從所述真空外殼(18，18.1至18.11，109)去除污染物質(zhì)，所述抽吸單元(21)優(yōu)選地設(shè)置在所述光學(xué)表面(17，17.1至17.5)附近，并且優(yōu)選地固定于所述真空外殼(18，18.1至18.11，109)上。
16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)裝置，其中，所述抽吸單元(21)設(shè)計(jì)成使得在所述真空外殼(18)中產(chǎn)生基本平行于所述光學(xué)表面(17)的壓力梯度。
17、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述真空外殼(18.1；18)連接至另外的真空外殼(18.2)或連接至所述外殼(2)的其余內(nèi)部空間(15)。
18、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述光學(xué)元件(4)的所述光學(xué)表面(17)布置于在所述外殼(2)中延伸的束路徑(19)中，其中，所述束路徑(19)延伸穿過所述真空外殼(18)中的開口(20)。
19、根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)裝置，其中，所述真空外殼(18，18.1至18.11，109)以類似護(hù)套的方式圍住所述束路徑(19)。
20、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，在所述外殼(2)中延伸的整個(gè)束路徑(19)借助于一個(gè)或以氣密方式彼此連接的多個(gè)真空外殼(18.1至18.11)與所述外殼(2)的其余內(nèi)部空間(15)基本完全分開。
21、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述真空外殼(18.2)至少圍住兩個(gè)光學(xué)元件(5，6)的所述光學(xué)表面(17.1，17.2)。
22、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述污染降低單元包括冷卻單元(22)，所述冷卻單元(22)將所述真空外殼(18)冷卻至小于290K、優(yōu)選地小于80K、特別優(yōu)選地小于20K的溫度。
23、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，所述真空外殼(18.2)用作污染降低單元，并且至少在其內(nèi)側(cè)(23)上的一個(gè)部分區(qū)域中包括氣體結(jié)合材料，特別是鈦、鉭、鈮、鋯、釷、鋇、鎂、鋁、釕、鐿或銫。
24、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，至少一個(gè)部件(16a)布置在所述內(nèi)部空間(15)中，所述部件(16a)釋出污染粒子/分子，并且其中，所述污染降低單元包括抽吸單元(25a)，所述抽吸單元(25a)通過抽吸來從所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)去除由所述部件(16a)釋出的粒子。
25、根據(jù)權(quán)利要求24所述的光學(xué)裝置，其特征在于，所述部件(16b，16c)固定于所述光學(xué)元件(5)的基底上或支撐器件上。
26、一種光學(xué)裝置，特別是一種用于EUV光刻的投影曝光設(shè)備(1)，包括
圍住內(nèi)部空間(15)的外殼(2)；
至少一個(gè)布置在所述外殼(2)中的光學(xué)元件(4至10，12，14.1至14.6)，特別是反射光學(xué)元件；
至少一個(gè)用于在所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)中產(chǎn)生真空的真空產(chǎn)生單元(3)；以及
至少一個(gè)布置在所述內(nèi)部空間(15)中的部件(16a至16c)，所述部件(16a至16c)釋出污染物質(zhì)，
其特征在于
至少一個(gè)與所述部件(16a至16c)關(guān)聯(lián)的抽吸單元(25a至25c)，所述抽吸單元(25a至25c)通過抽吸來從所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)去除由所述部件(16a至16c)釋出的物質(zhì)。
27、根據(jù)權(quán)利要求26所述的光學(xué)裝置，其中，所述抽吸單元(25a至25c)的抽吸開口直接布置在釋氣部件(16a至16c)的前面。
28、根據(jù)權(quán)利要求26或27所述的光學(xué)裝置，其中，所述釋氣部件(16a至16c)布置在所述反射光學(xué)元件的基底(5)上或支撐器件上。
29、根據(jù)權(quán)利要求26至28的任一項(xiàng)所述的光學(xué)裝置，還包括凈化單元(24)，用于利用惰性氣體來凈化所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)的至少部分區(qū)域，所述惰性氣體優(yōu)選地是He、Ne、Ar、Kr、Xe、或H2、N2或其混合物。
30、根據(jù)權(quán)利要求29所述的光學(xué)裝置，其中，所述凈化單元(24)設(shè)計(jì)為產(chǎn)生10-3mbar和10mbar之間、優(yōu)選地10-2和10-1mbar之間的惰性氣體壓力。
31、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，設(shè)置殘留氣體分析器(27)，用于確定所述污染物質(zhì)的分壓。
32、根據(jù)權(quán)利要求31所述的光學(xué)裝置，其中，在所述外殼(2)上設(shè)置校準(zhǔn)泄漏部(28)，用于以指定的泄漏速率將惰性氣體引入到所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)中。
33、根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的光學(xué)裝置，其中，設(shè)置用于確定所述污染物質(zhì)的所述分壓的光學(xué)諧振器(47)。
34、根據(jù)權(quán)利要求33所述的光學(xué)裝置，其中，所述光學(xué)諧振器(47)布置在所述光學(xué)元件(6)的表面(17.2)上。
35、根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的光學(xué)裝置，包括激光源(45)和分析器件(48)，所述激光源(45)用于向所述光學(xué)諧振器(47)提供激光脈沖，所述分析器件(48)布置在所述光學(xué)諧振器(47)的下游、用于測(cè)量所述激光脈沖的強(qiáng)度。
36、一種反射光學(xué)元件(30)，特別是用于EUV光刻的反射光學(xué)元件(30)，包括
基底(31)，以及
導(dǎo)電多層系統(tǒng)(33)，所述導(dǎo)電多層系統(tǒng)(33)在與所述基底(31)相反的側(cè)上包括反射光學(xué)表面(34)，
其特征在于
導(dǎo)電層(32)，布置在所述基底(31)和多層系統(tǒng)(33)之間，并且是電可接觸的，用于將光電流引走、用于接地或用于施加指定的電壓。
37、根據(jù)權(quán)利要求36所述的反射光學(xué)元件，其中，所述導(dǎo)電層(32)包括金屬或另外的多層系統(tǒng)，所述金屬特別是金、鎳、釕、銠、鈀、鉬、銥、鋨、錸、銀、氧化鋅、這些材料的合金。
38、根據(jù)權(quán)利要求36或37所述的反射光學(xué)元件，其中，所述導(dǎo)電層(32)包括小于50nm、優(yōu)選地小于1nm的厚度。
39、根據(jù)權(quán)利要求36至38的任一項(xiàng)所述的反射光學(xué)元件，其中，具有所述導(dǎo)電層(32)的所述基底(31)在所述多層系統(tǒng)(33)的邊緣區(qū)域中突出，并且在所述邊緣區(qū)域中，設(shè)置至少一個(gè)接觸部(35)用于將線(36)連接至所述導(dǎo)電層(32)。
40、一種反射光學(xué)元件(40)，特別是用于EUV光刻的反射光學(xué)元件(40)，包括
基底(41)，以及
導(dǎo)電多層系統(tǒng)(42)，所述導(dǎo)電多層系統(tǒng)(42)在與所述基底(41)相反的側(cè)上包括反射光學(xué)表面(44)，
其特征在于
布置在所述基底(41)上、鄰近所述光學(xué)表面(44)的材料(43)，所述材料(43)吸附污染物質(zhì)。
41、根據(jù)權(quán)利要求40所述的反射光學(xué)元件，其中，吸附材料(43)圍住所述光學(xué)表面(44)，特別是以環(huán)形方式圍住所述光學(xué)表面(44)。
42、根據(jù)權(quán)利要求40或41的任一項(xiàng)所述的反射光學(xué)元件，其中，所述吸附材料(43)是催化材料，優(yōu)選地是銠、鈀、鉬、銥、鋨、錸、銀、氧化鋅、或它們的合金，特別是釕。
43、根據(jù)權(quán)利要求40至42的任一項(xiàng)所述的反射光學(xué)元件，其特征在于用于在所述光學(xué)表面(44)和所述吸附材料(43)之間產(chǎn)生溫度梯度的單元(45)。
44、一種光學(xué)裝置，特別是根據(jù)權(quán)利要求1至35的任一項(xiàng)所述的光學(xué)裝置，包括至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求36至39和/或40至43的任一項(xiàng)所述的反射光學(xué)元件(30，40)。
45、根據(jù)權(quán)利要求44所述的光學(xué)裝置，其中，優(yōu)選地經(jīng)由線(36)將所述導(dǎo)電層(32)連接至體電位和/或電流或電壓測(cè)量器件(37)。
46、根據(jù)權(quán)利要求45所述的光學(xué)裝置，其中，將所述線(36)適配為以超過1kHz的頻率測(cè)量光電流。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光學(xué)裝置，特別是一種用于EUV光刻的投影曝光設(shè)備(1)，包括圍住內(nèi)部空間(15)的外殼(2)；至少一個(gè)布置在所述外殼(2)中的光學(xué)元件(4至10，12，14.1至14.6)，特別是反射光學(xué)元件；至少一個(gè)用于在所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)中產(chǎn)生真空的真空產(chǎn)生單元(3)；以及至少一個(gè)真空外殼(18，18.1至18.10)，布置在所述外殼(2)的所述內(nèi)部空間(15)中，并且至少圍住所述光學(xué)元件(4至10，12，14.1至14.5)的光學(xué)表面(17，17.1，17.2)，其中，污染降低單元與所述真空外殼(18.1至18.10)關(guān)聯(lián)，相對(duì)于所述內(nèi)部空間(15)中的所述污染物質(zhì)的分壓，所述污染降低單元降低至少在所述光學(xué)表面(17，17.1，17.2)附近處污染物質(zhì)的分壓，特別是水和/或碳?xì)浠衔锏姆謮骸?br> 文檔編號(hào)G03F7/20GK101495921SQ200780027669
公開日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2007年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月19日
發(fā)明者D·H·埃姆, S·米勒倫德, T·施泰因, J·H·J·莫爾斯, B·T·沃爾斯施里金, D·克勞斯, R·維爾斯路易斯, M·G·H·邁耶因克 申請(qǐng)人:卡爾·蔡司半導(dǎo)體技術(shù)股份公司, Asml荷蘭有限公司