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磁頭超聲波清洗方法

文檔序號(hào):1391467閱讀:597來源:國知局
專利名稱:磁頭超聲波清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)硬盤磁頭技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種對T/F磁頭進(jìn)行超聲波清洗的T/F磁頭超聲波清洗方法。
計(jì)算機(jī)硬盤磁頭技術(shù)的發(fā)展,T/F磁頭已基本取代MIG磁頭,T/F磁頭的基本結(jié)構(gòu)與MIG磁頭的基本結(jié)構(gòu)相似,但用NiFe磁軛取代了單晶鐵氧體鐵芯,用刻蝕的環(huán)形薄膜線圈取代了合成式磁頭磁線線圈,T/F磁頭超聲波清洗與MIG磁頭超聲波清洗有較大不同。它更敏感,更易受到損傷?!毒?xì)清洗》(PrecisionCleadning)97年第4期論及T/F磁頭的彈性臂舌片(FlexureTongue)在超聲波清洗時(shí)較易斷裂,同時(shí)T/F磁頭的Slider與磁線采用超聲波焊接,超聲波清洗HAS時(shí)焊點(diǎn)處容易產(chǎn)生焊線離起和斷開的問題。由于焊點(diǎn)處涂有一層保護(hù)膠,即使在高倍(1000倍)顯微鏡下都不能目檢出此類缺陷,用萬用表測試顯示開路現(xiàn)象(習(xí)慣上,此類缺陷稱為萬用表廢品)。這是MIG磁頭不曾有而T/F磁頭超聲波清洗必須解決的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種T/F磁頭超聲波清洗方法,這種T/F磁頭超聲波清洗方法可以克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),大大降低由于磁頭超聲波清洗帶來的掉頭及舌片斷裂、目檢斷線率、萬用表廢品率及總廢品率,從而提高產(chǎn)品合格率。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,構(gòu)造一種T/F磁頭超聲波清洗方法,包括以下步驟在裝有清洗劑的清洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波清洗的步驟;在裝有DI循環(huán)水的預(yù)漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波預(yù)漂洗的步驟;在裝有DI循環(huán)水的最終漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波最終漂洗的步驟;以熱風(fēng)將T/F磁頭烘干的步驟,以及將T/F磁頭置于真空烘干缸內(nèi)將其烘干的步驟。
本發(fā)明的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述在裝有清洗劑的清洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波清洗的步驟中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為40KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為3分鐘。
本發(fā)明的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述以熱風(fēng)將T/F磁頭烘干的步驟中,缸內(nèi)溫度為攝氏80±5度,烘干時(shí)間為10分鐘。
本發(fā)明的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述將T/F磁頭置于真空烘干缸內(nèi)將其烘干的步驟中,所用溫度為攝氏80±5度,烘干時(shí)間為4分鐘。
本發(fā)明的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述裝有DI循環(huán)水的預(yù)漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波預(yù)漂洗的步驟中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為68KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為3分鐘。
本發(fā)明的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述裝有DI循環(huán)水的最終漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波最終漂洗的步驟中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為68KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為3分鐘。
實(shí)施本發(fā)明的T/F磁頭超聲波清洗方法,比起國外相關(guān)公司和廠家所采用的技術(shù),清洗效果大大改善,可以有效降低由于磁頭超聲波清洗帶來的掉頭及亂片斷裂、目檢斷線率、萬用表廢品率及總廢品率,從而提高了產(chǎn)品合格率。
結(jié)合附圖和實(shí)施例,進(jìn)一步說明本發(fā)明的特點(diǎn),附圖中

圖1是本發(fā)明的T/F磁頭超聲波清洗方法的流程說明圖。
在圖1中,按照本發(fā)明提供的T/F磁頭超聲波清洗方法包括以下步驟1)在裝有清洗劑的清洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波清洗的步驟;其中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為40KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為4分鐘。
2)在裝有DI循環(huán)水(無洗滌劑)的預(yù)漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波預(yù)漂洗的步驟;其中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為68KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為3分鐘。
3)在裝有DI循環(huán)水(無洗滌劑)的最終漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波最終漂洗的步驟;其中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為68KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為5分鐘。
4)以熱風(fēng)將T/F磁頭烘干的步驟,其中,缸內(nèi)溫度為攝氏80±5度,烘干時(shí)間為10分鐘。
5)將T/F磁頭置于真空烘干缸內(nèi)將其烘干的步驟,其中,所用溫度為攝氏80±5度,烘干時(shí)間為4分鐘。
將以本發(fā)明方法對T/F磁頭超聲清洗與MIC磁頭超聲清洗所產(chǎn)生的效果比較如下
其中,臟污是指Slider和HGA排線位臟,在凈化間用棉簽可較易清洗干凈。
從上可見,利用本發(fā)明提供的超聲清洗方法處理T/F磁頭的效果是顯著的。由于較大限度地減少了廢品的產(chǎn)生,清洗質(zhì)量滿足用戶要求。
權(quán)利要求
1.一種T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于包括以下步驟在裝有清洗劑的清洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波清洗的步驟;在裝有DI循環(huán)水的預(yù)漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波預(yù)漂洗的步驟;在裝有DI循環(huán)水的最終漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波最終漂洗的步驟;以熱風(fēng)將T/F磁頭烘干的步驟,以及將T/F磁頭置于真空烘干缸內(nèi)將其烘干的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述在裝有清洗劑的清洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波清洗的步驟中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為40KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為3-5分鐘,最好4分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述裝有DI循環(huán)水的預(yù)漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波預(yù)漂洗的步驟中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為68KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為2-4分鐘,最好3分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述裝有DI循環(huán)水的最終漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波最終漂洗的步驟中,所用超聲波強(qiáng)度為200W而頻率為68KHz,溫度為攝氏50±5度,清洗時(shí)間為2-4分鐘,最好3分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述以熱風(fēng)將T/F磁頭烘干的步驟中,缸內(nèi)溫度為攝氏80±5度,烘干時(shí)間為8-12分鐘,最好10分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T/F磁頭超聲波清洗方法,其特征在于,在所述將T/F磁頭置于真空烘干缸內(nèi)將其烘干的步驟中,所用溫度為攝氏80±5度,烘干時(shí)間為3-5分鐘,最好4分鐘。
全文摘要
一種T/F磁頭超聲波清洗方法包括以下步驟:在裝有清洗劑的清洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波清洗;在裝有DI循環(huán)水的預(yù)漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波預(yù)漂洗;在裝有DI循環(huán)水的最終漂洗缸內(nèi)對T/F磁頭進(jìn)行超聲波最終漂洗;以熱風(fēng)將T/F磁頭烘干,以及將T/F磁頭置于真空烘干缸內(nèi)將其烘干的步驟。這種T/F磁頭超聲波清洗方法,清洗效果大大改善,有效地降低了由于磁頭超聲清洗帶來的掉頭及亂片斷裂、目檢斷線率、萬用表廢品率及總廢品率,從而提高了產(chǎn)品合格率。
文檔編號(hào)B08B3/12GK1210329SQ97114248
公開日1999年3月10日 申請日期1997年9月4日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月4日
發(fā)明者楊光勇, 劉少明, 史初浪, 朱曉云 申請人:深圳開發(fā)科技股份有限公司
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