方形烤盤和具有其的煎烤裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種方形烤盤和具有其的煎烤裝置，所述方形烤盤的內(nèi)表面上具有多個(gè)凸出部，所述多個(gè)凸出部之間限定出蒸汽通道。根據(jù)本實(shí)用新型的方形烤盤，通過設(shè)置蒸汽通道，高溫蒸汽可以在蒸汽通道內(nèi)流動(dòng)，從而加快了煎烤速度，縮短了煎烤時(shí)間，提高了食物的煎烤成熟均勻度。
【專利說明】方形烤盤和具有其的煎烤裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及煎烤機(jī)設(shè)備領(lǐng)域，尤其是涉及一種方形烤盤和具有其的煎烤裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]相關(guān)技術(shù)中指出，具有方形烤盤的煎烤機(jī)在煎烤的過程中，烤盤的溫度場常常分布不均，致使位于烤盤不同位置處的食物產(chǎn)生成熟度不一致的問題，例如，烤盤中心的位置溫度偏高，烤盤邊緣的位置溫度偏低，使得位于烤盤中心處的食物的熟透程度與位于烤盤邊緣處的食物的熟透程度不一致，致使烤盤邊緣位置處的食物常出現(xiàn)成熟較慢、成熟不均勻、或者不熟的問題，從而延長了煎烤時(shí)間，而且，食物的上表面也常常出現(xiàn)不熟或者成熟不均勻的現(xiàn)象，尤其是在烙制薄餅的過程中，薄餅的上表面容易發(fā)白，不易上色，煎烤效果不好。另外，在煎烤的過程中，常常出現(xiàn)水分損失較大的問題，導(dǎo)致煎烤出的食物發(fā)干、口感偏硬。綜上所述，相關(guān)技術(shù)中的煎烤機(jī)存在食物受熱不均、煎烤時(shí)間較長、煎烤效果不好等冋題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型在于提出一種方形烤盤，所述方形烤盤可以縮短煎烤時(shí)間、提高食物成熟度的均勻性。
[0004]本實(shí)用新型還提出一種具有上述方形烤盤的煎烤裝置。
[0005]根據(jù)本實(shí)用新型第一方面的方形烤盤，所述方形烤盤的內(nèi)表面上具有多個(gè)凸出部，所述多個(gè)凸出部之間限定出蒸汽通道。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的方形烤盤，通過設(shè)置蒸汽通道，高溫蒸汽可以在蒸汽通道內(nèi)流動(dòng)，從而加快了煎烤速度，縮短了煎烤時(shí)間，提高了食物的煎烤成熟均勻度。
[0007]具體地，所述多個(gè)凸出部呈多排多列排列。
[0008]具體地，所述多個(gè)凸出部呈環(huán)形陣列排列。
[0009]具體地，所述凸出部形成為棱柱或圓柱形狀。
[0010]具體地，所述凸出部形成為球形。
[0011]具體地，所述凸出部之間的距離Dl滿足:2mm彡Dl彡5mm。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型第二方面的煎烤裝置，包括:下烤盤；上烤盤，所述上烤盤可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接至所述下烤盤，且所述上烤盤與所述下烤盤之間限定出煎烤腔室，其中所述上烤盤和所述下烤盤的至少一個(gè)為根據(jù)本實(shí)用新型上述第一方面的方形烤盤。
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的煎烤裝置，通過設(shè)置上述第一方面的方形烤盤，從而提高了煎烤裝置的整體性能。
[0014]具體地，所述上烤盤和所述下烤盤在閉合狀態(tài)時(shí)所述煎烤腔室的高度為10-15mm。
[0015]具體地，所述上烤盤的內(nèi)表面垂直地延伸出環(huán)形的鎖水圈，所述上烤盤和所述下烤盤在閉合狀態(tài)時(shí)所述鎖水圈的下端與所述下烤盤的內(nèi)表面之間的距離小于等于7_。
[0016]具體地，所述上烤盤的寬度SI和長度S2滿足:0.6 ( S1/S2 ( 0.8。
[0017]本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的煎烤裝置的打開狀態(tài)示意圖；
[0019]圖2是圖1中所示的煎烤裝置的關(guān)閉狀態(tài)示意圖；
[0020]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的下烤盤的示意圖；
[0021]圖4是沿圖3中A-A線的剖面圖；
[0022]圖5是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的下烤盤的示意圖；
[0023]圖6是圖5圈示的C部放大圖；
[0024]圖7是沿圖5中D-D線的剖面圖；
[0025]圖8是圖7圈示的E部放大圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]100:煎烤裝置；101:煎烤腔室；
[0028]1:上烤盤；11:上煎烤壁面；12:上內(nèi)側(cè)壁；13:鎖水圈；
[0029]2:下烤盤；21:下煎烤壁面；
[0030]22:下內(nèi)側(cè)壁；221:第一下內(nèi)側(cè)壁；222:第二下內(nèi)側(cè)壁；
[0031]223:第三下內(nèi)側(cè)壁；224:第四下內(nèi)側(cè)壁；
[0032]23:下固定槽；25:蒸汽通道；26:凸出部；
[0033]3:發(fā)熱管；31:用于固定第一管段的下固定槽的中心線；
[0034]32:用于固定第二管段的下固定槽的中心線；
[0035]33:用于固定第三管段的下固定槽的中心線；
[0036]34:用于固定第四管段的下固定槽的中心線；
[0037]4:鉸鏈結(jié)構(gòu)；
[0038]200:食物。

【具體實(shí)施方式】
[0039]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
[0040]下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本實(shí)用新型的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實(shí)用新型。此外，本實(shí)用新型可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本實(shí)用新型提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。
[0041]下面參考圖1-圖8描述根據(jù)本實(shí)用新型第一方面實(shí)施例的方形烤盤。
[0042]其中，方形烤盤適用于煎烤裝置100，如圖1所示，煎烤裝置100，包括:下烤盤2、上烤盤I以及發(fā)熱管3。具體地，上烤盤I可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接至下烤盤2，且上烤盤I與下烤盤2之間限定出煎烤腔室101。其中，上烤盤I和下烤盤2中的至少一個(gè)為方形烤盤，也就是說，上烤盤I可以為上文和下文所述的方形烤盤，下烤盤2也可以為上文和下文所述的方形烤盤，下面僅以上烤盤I和下烤盤2同時(shí)為上文和下文所述的方形烤盤為例進(jìn)行說明。另夕卜，需要說明的是，在本文的描述中，術(shù)語“方形”指的是長方形和正方形的總稱。
[0043]如圖1和圖2所示，上烤盤I在打開煎烤腔室101的打開位置和關(guān)閉煎烤腔室101的關(guān)閉位置之間繞旋轉(zhuǎn)軸線可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)在下烤盤2的上面，例如，上烤盤I的一端可通過鉸鏈結(jié)構(gòu)4與下烤盤2的一端構(gòu)成可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接，其中，上烤盤I與下烤盤2彼此相對的兩個(gè)表面之間，也就是說，上烤盤I與下烤盤2彼此鄰近的兩個(gè)面之間限定出煎烤腔室101，當(dāng)上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)，上烤盤I與下烤盤2共同限定出封閉的煎烤腔室101，當(dāng)上烤盤I位于打開位置時(shí)，煎烤腔室101敞開。
[0044]使用時(shí)，將下烤盤2放置在安裝平面(例如水平桌面)上，當(dāng)上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)，如圖2所示，上烤盤I與下烤盤2之間的夾角優(yōu)選為0°，此時(shí)上烤盤I蓋合在下烤盤2的上面，以與下烤盤2共同限定出封閉的煎烤腔室101 ;當(dāng)上烤盤I位于打開位置時(shí)，如圖1所示，上烤盤I與下烤盤2之間的夾角可以為鈍角，例如上烤盤I和下烤盤2之間的夾角可以為100°，從而可以使煎烤腔室101敞開。另外，需要說明的是，在上烤盤I位于打開位置時(shí)，上烤盤I與下烤盤2之間的夾角也可為其它角度，具體角度可以根據(jù)實(shí)際情況來靈活設(shè)定。
[0045]這樣，煎烤裝置100在使用的過程中，當(dāng)需要煎烤食物200時(shí)，首先將上烤盤I樞轉(zhuǎn)至打開位置，使得煎烤腔室101敞開，以將食物200放入煎烤腔室101內(nèi)，然后可以將上烤盤I樞轉(zhuǎn)至關(guān)閉位置，使得煎烤腔室101封閉，以開始煎烤食物200，待食物200煎烤完成后，可以再將上烤盤I樞轉(zhuǎn)至打開位置，將煎烤完成的食物200取出。當(dāng)然，本實(shí)用新型不限于此，在煎烤的過程中，也可以不將上烤盤I樞轉(zhuǎn)至關(guān)閉位置，也就是說，可以在煎烤腔室101敞開的情況下、僅利用下烤盤2對食物200進(jìn)行煎烤。
[0046]在本實(shí)用新型的一個(gè)示例中，下烤盤2的上端面上可以形成有向下凹入的下煎烤壁面21，下煎烤壁面21用于對食物200的底部進(jìn)行煎烤，上烤盤I的下端面上可以形成有向下凸出的上煎烤壁面11，上煎烤壁面11用于對食物200的頂部進(jìn)行煎烤，當(dāng)上烤盤I位于閉合位置時(shí)，上煎烤壁面11可以平行地設(shè)在下煎烤壁面21的上方，當(dāng)上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)，封閉的煎烤腔室101限定在上煎烤壁面11與下煎烤壁面21之間。這里，需要說明的是，上烤盤I的下端面指的是上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)的下端面，也就是說，上烤盤I的與下烤盤2相鄰近的一側(cè)端面。
[0047]如圖2所示，上烤盤I和下烤盤2在閉合狀態(tài)時(shí)煎烤腔室101的高度H為10mm-15mm。也就是說，當(dāng)上烤盤I位于閉合位置時(shí)，上煎烤壁面11與下煎烤壁面21之間的距離最大可以為15mm，上煎烤壁面11與下煎烤壁面21之間的距離最小可以為10mm。換言之，在生產(chǎn)煎烤裝置100時(shí)，當(dāng)上煎烤壁面11與下煎烤壁面21之間的垂直距離處處相等時(shí)，例如上煎烤壁面11和下煎烤壁面21均為平面，且上煎烤壁面11與下煎烤壁面21平行設(shè)置時(shí)，需確保上煎烤壁面11與下煎烤壁面21之間的距離為1mm到15mm其中任意的一個(gè)值；當(dāng)上煎烤壁面11與下煎烤壁面21之間的垂直距離不處處相等時(shí)，例如上煎烤壁面11和下煎烤壁面21其中至少一個(gè)不形成為平面，或者上煎烤壁面11與下煎烤壁面21不平行設(shè)置時(shí)，需確保上煎烤壁面11與下煎烤壁面21之間處處的垂直距離都小于等于15mm、大于等于10_。
[0048]由此，通過將煎烤腔室101的高度限定在10mm-15mm之間，從而在煎烤的過程中，可以確保食物200的上表面均勻地熟透，使得食物200的上色效果好，具有良好的煎烤效果，尤其是當(dāng)采用方形烤盤煎烤較薄的食物200、例如烙制薄餅的過程中，薄餅的上表面也可以接觸到上煎烤壁面11，從而保證薄餅的上表面也可以均勻地熟透，且薄餅的上表面的上色效果好。另外，通過將煎烤腔室101的高度限定在10mm-15mm之間，從而使得方形烤盤處處的溫度場都可以均勻地分布，避免了方形烤盤中間溫度高、邊緣溫度低的問題，進(jìn)而使得放置在靠近方形烤盤邊緣附近的食物200仍然可以良好地受熱，與位于方形烤盤中心處的食物200可以同步受熱、同步成熟，保證食物200具有良好的煎烤效果，例如具有良好的成熟和上色效果。
[0049]參照圖1和圖2，發(fā)熱管3設(shè)在上烤盤I和下烤盤2的至少一個(gè)內(nèi)且盤繞設(shè)置。也就是說，上烤盤I內(nèi)可以設(shè)有一個(gè)盤繞設(shè)置的發(fā)熱管3，下烤盤2內(nèi)也可以設(shè)有一個(gè)盤繞設(shè)置的發(fā)熱管3，上烤盤I內(nèi)和下烤盤2內(nèi)還可以同時(shí)分別設(shè)有一個(gè)盤繞設(shè)置的發(fā)熱管3。這里，需要說明的是，發(fā)熱管3設(shè)在上烤盤I內(nèi)可以理解為發(fā)熱管3設(shè)在上煎烤壁面11的上側(cè)，發(fā)熱管3設(shè)在下烤盤2內(nèi)可以理解為發(fā)熱管3設(shè)在下煎烤壁面21的下側(cè)。另外，盤繞設(shè)置指的是，發(fā)熱管3在相應(yīng)的烤盤上曲回延伸、蜿蜒盤繞，從而可以增加烤盤的受熱面積，提高烤盤受熱的均勻度。這里，需要說明的是，上煎烤壁面11的上側(cè)指的是上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)上煎烤壁面11的上側(cè)。
[0050]參照圖5，上烤盤I的內(nèi)表面上、即上煎烤壁面11上可以形成有彎曲的蒸汽通道25、下烤盤2的內(nèi)表面上、即下煎烤壁面21上也可以形成有彎曲的蒸汽通道25、上烤盤I和下烤盤2的內(nèi)表面上、即上煎烤壁面11和下煎烤壁面21上還可以同時(shí)形成有彎曲的蒸汽通道25。由此，可以將煎烤腔室101內(nèi)蒸汽有效地限定在蒸汽通道25內(nèi)，且沿著蒸汽通道25流動(dòng)，從而可以把熱量從高溫區(qū)帶入低溫區(qū)，例如可以將煎烤腔室101中心處的熱量帶入煎烤腔室101的邊緣處，從而加快了食物200的煎烤速度，縮短了煎烤時(shí)間，提高了食物200的受熱均勻性，也就是說，位于烤盤任意位置處的食物200可以大體同時(shí)成熟，從而改善了食物200的煎烤效果。
[0051]由于上烤盤I內(nèi)的蒸汽通道25的形狀可以與下烤盤2內(nèi)的蒸汽通道25的形狀相同，且上烤盤I內(nèi)的蒸汽通道25的分布位置可以與下烤盤2內(nèi)的蒸汽通道25的分布位置上下對應(yīng)，從而下面僅以下烤盤2內(nèi)的蒸汽通道25的形狀和分布位置為例進(jìn)行說明，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀了下面的技術(shù)方案后，顯然可以理解上烤盤I內(nèi)的蒸汽通道25的形狀和分布位置。
[0052]具體地，下烤盤2的內(nèi)表面上具有多個(gè)凸出部26，多個(gè)凸出部26之間限定出蒸汽通道25。如圖5所示，凸出部26可以從下煎烤壁面21豎直向上凸出，每相鄰的兩個(gè)凸出部26之間限定出蒸汽通道25的其中一段，多組相鄰的凸出部26共同限定出一個(gè)完整的蒸汽通道25。由此，通過設(shè)置蒸汽通道25，高溫蒸汽可以在蒸汽通道25內(nèi)流動(dòng)，從而加快了煎烤速度，縮短了煎烤時(shí)間，提高了食物200的煎烤成熟均勻度。
[0053]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的方形烤盤，通過設(shè)置蒸汽通道25，高溫蒸汽可以在蒸汽通道25內(nèi)流動(dòng)，從而加快了煎烤速度，縮短了煎烤時(shí)間，提高了食物的煎烤成熟均勻度。
[0054]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，上烤盤I和下烤盤2均為大體矩形烤盤。如圖3所示，下烤盤2大體形成為矩形，也就是說，下煎烤壁面21形成為大體矩形，如圖1和圖2所示，上烤盤I和下烤盤2的形狀、尺寸可以分別大體相同，從而上烤盤I可以大體形成為矩形，也就是說，上煎烤壁面11形成為大體矩形。優(yōu)選地，上烤盤2的寬度SI和長度S2滿足:0.6 < S1/S2 ( 0.8，下烤盤 2 的寬度 Sll 和長度 S22 滿足:0.6 ( S11/S22 ( 0.8，
[0055]優(yōu)選地，參照圖1和圖2，在上烤盤I和下烤盤2內(nèi)均設(shè)置有發(fā)熱管3，且上烤盤I內(nèi)的發(fā)熱管3和下烤盤2內(nèi)的發(fā)熱管3位置對應(yīng)，也就是說，當(dāng)上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)，上烤盤I內(nèi)的發(fā)熱管3和下烤盤2內(nèi)的發(fā)熱管3在下烤盤2內(nèi)的投影可以完全重合，從而可以進(jìn)一步提高食物200的煎烤效果。當(dāng)然，本實(shí)用新型不限于此，上烤盤I內(nèi)的發(fā)熱管3和下烤盤2內(nèi)的發(fā)熱管3的設(shè)置位置還可以不對應(yīng)，例如，當(dāng)上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)，上烤盤I內(nèi)的發(fā)熱管3和下烤盤2內(nèi)的發(fā)熱管3在下烤盤2內(nèi)的投影可以交錯(cuò)布置。
[0056]由于上烤盤I內(nèi)的發(fā)熱管3的設(shè)置方法和設(shè)置位置均可以與下烤盤2內(nèi)的發(fā)熱管3的設(shè)置方法和設(shè)置位置相同，從而下面僅以下烤盤2內(nèi)的發(fā)熱管3的設(shè)置方法和設(shè)置位置為例進(jìn)行說明，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀了下面的技術(shù)方案后，顯然可以理解上烤盤I內(nèi)的發(fā)熱管3的設(shè)置方法和設(shè)置位置。
[0057]如圖4和圖3所示，下烤盤2具有四個(gè)下內(nèi)側(cè)壁22，分別為第一下內(nèi)側(cè)壁221、第二下內(nèi)側(cè)壁222、第三下內(nèi)側(cè)壁223和第四下內(nèi)側(cè)壁224，其中每個(gè)下內(nèi)側(cè)壁22分別自上向下向內(nèi)傾斜延伸，且每個(gè)下內(nèi)側(cè)壁22的下端，即每個(gè)下內(nèi)側(cè)壁22的與下煎烤壁面21相連的一端形成為倒圓弧端，也就是說，每個(gè)下內(nèi)側(cè)壁22的下端的橫截面構(gòu)造為圓弧形，且沿下煎烤壁面21的相應(yīng)邊長的長度方向延伸。其中，“內(nèi)”可以理解為朝向下煎烤壁面21中心的方向，其相反方向被定義為“外”，即遠(yuǎn)離下煎烤壁面21中心的方向。
[0058]可選地，發(fā)熱管3在其所在的下烤盤2內(nèi)盤繞成外輪廓為大體矩形的形狀，也就是說，發(fā)熱管3的最外圈環(huán)繞成類似矩形的形狀，如圖3所示，發(fā)熱管3的最外圈包括第一管段、第二管段、第三管段和第四管段，第一管段、第二管段、第三管段和第四管段順次首尾相連以環(huán)繞成大體矩形，如圖3所示，第四管段的中間可以斷開且與其他管段相連，其中，所有管段可以一體成型。
[0059]如圖1所示，發(fā)熱管3的橫截面可以形成為圓形，且下烤盤2的底面可以形成有向上凹入的下固定槽23，下固定槽23可以形成為與發(fā)熱管3延伸形狀相同，且橫截面相適配的半圓形槽道，從而發(fā)熱管3的中心線可以理解為下固定槽23的中心線。
[0060]如圖3所示，第一管段可以與第一下內(nèi)側(cè)壁221平行且鄰近，第一管段的中心線與第一下內(nèi)側(cè)壁221的內(nèi)端之間的距離為LI，也就是說用于固定第一管段的下固定槽23的中心線31和與第一下內(nèi)側(cè)壁221相連的下煎烤壁面21的邊緣之間的距離為LI。
[0061]如圖3所示，第二管段可以與第二下內(nèi)側(cè)壁222平行且鄰近，第二管段的中心線與第二下內(nèi)側(cè)壁222的內(nèi)端之間的距離為L2，也就是說用于固定第二管段的下固定槽23的中心線32和與第二下內(nèi)側(cè)壁222相連的下煎烤壁面21的邊緣之間的距離為L2。
[0062]如圖3所示，第三管段可以與第三下內(nèi)側(cè)壁223平行且鄰近，第三管段的中心線與第三下內(nèi)側(cè)壁223的內(nèi)端之間的距離為L3，也就是說用于固定第三管段的下固定槽23的中心線33和與第三下內(nèi)側(cè)壁223相連的下煎烤壁面21的邊緣之間的距離為L3。
[0063]如圖3所示，第四管段可以與第四下內(nèi)側(cè)壁224平行且鄰近，第四管段的中心線與第四下內(nèi)側(cè)壁224的內(nèi)端之間的距離為L4，也就是說用于固定第四管段的下固定槽23的中心線34和與第四下內(nèi)側(cè)壁224相連的下煎烤壁面21的邊緣之間的距離為L4。
[0064]可選地，發(fā)熱管3的中心線與其所在的下烤盤2的相對兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁之間的距離相等。也就是說，第一管段的中心線與第一下內(nèi)側(cè)壁221的內(nèi)端之間的距離L1、可以等于第二管段的中心線與第二下內(nèi)側(cè)壁222的內(nèi)端之間的距離L2，即LI = L2，第三管段的中心線與第三下內(nèi)側(cè)壁223的內(nèi)端之間的距離L3、可以等于第四管段的中心線與第四下內(nèi)側(cè)壁224的內(nèi)端之間的距離L4，即L3 = L4。從而可以進(jìn)一步提高下烤盤2的受熱均勻性，進(jìn)而提高食物200的受熱、成熟、上色均勻度。
[0065]當(dāng)然，本實(shí)用新型不限于此，發(fā)熱管3的中心線與其所在的下烤盤2的四個(gè)內(nèi)側(cè)壁之間的距離均相等。也就是說，第一管段的中心線與第一下內(nèi)側(cè)壁221的內(nèi)端之間的距離L1、第二管段的中心線與第二下內(nèi)側(cè)壁222的內(nèi)端之間的距離L2、第三管段的中心線與第三下內(nèi)側(cè)壁223的內(nèi)端之間的距離L3，以及第四管段的中心線與第四下內(nèi)側(cè)壁224的內(nèi)端之間的距離L4全部相等，即LI = L2 = L3 = L4，從而可以進(jìn)一步提高下烤盤2的受熱均勻性，進(jìn)而提高食物200的受熱、成熟、上色均勻度。
[0066]參照圖1和圖2，上烤盤I具有四個(gè)上內(nèi)側(cè)壁12，其中每個(gè)上內(nèi)側(cè)壁12分別自上向下朝向上煎烤壁面11中心的方向傾斜延伸，發(fā)熱管3在其所在的上烤盤I內(nèi)盤上也繞成外輪廓為大體矩形的形狀，優(yōu)選地，發(fā)熱管3的中心線與其所在的上烤盤I的四個(gè)內(nèi)側(cè)壁之間的距尚均相等。從而可以進(jìn)一步提尚上烤盤I的受熱均勾性，進(jìn)而提尚食物200的受熱、成熟、上色均勻度。
[0067]具體地，上烤盤I的內(nèi)表面垂直地延伸出環(huán)形的鎖水圈13，上烤盤I和下烤盤2在閉合狀態(tài)時(shí)鎖水圈13的下端與下烤盤2的內(nèi)表面之間的距離小于等于7_。如圖2所示，鎖水圈13形成為矩形環(huán)狀，且環(huán)繞上煎烤壁面11外緣一周，當(dāng)上烤盤I位于關(guān)閉位置時(shí)，鎖水圈13從上內(nèi)側(cè)壁12的上端豎直向下延伸，且鎖水圈13的下端與下煎烤壁面21之間的垂直距離h小于等于7_，也就是說，鎖水圈13的下端很接近下煎烤壁面21，這樣，煎烤腔室101內(nèi)的水分可以有效地被鎖水圈13鎖住，煎烤腔室101內(nèi)的食物200不會太干、口感較好，從而提高了食物200的煎烤效果，縮短了食物200的煎烤時(shí)間。
[0068]這里，需要說明的是，鎖水圈13的形狀和設(shè)置位置還可以根據(jù)實(shí)際要求設(shè)置，以更好地滿足實(shí)際要求，例如鎖水圈13還可以直接從上煎烤壁面11向下延伸，且鎖水圈13還可以自上向下朝向遠(yuǎn)離煎烤腔室101中心的方向傾斜延伸。
[0069]優(yōu)選地，多個(gè)凸出部26呈多排多列排列。例如在圖5的示例中，多個(gè)凸出部26可以分別在左右方向上彼此間隔開地設(shè)置，且在前后方向上也彼此間隔開地設(shè)置，從而多個(gè)凸出部26可以多排多列地排列。當(dāng)然，本實(shí)用新型不限于此，多個(gè)凸出部26還可以呈環(huán)形陣列排列(圖未示出)，也就是說，多個(gè)凸出部26可以在周向上間隔開布置以構(gòu)造為一圈凸出部26，多圈凸出部26可以在徑向上間隔開排布，從而多個(gè)凸出部26可以呈環(huán)形陣列排列。
[0070]其中，當(dāng)多個(gè)凸出部26呈多排多列排列時(shí)，多個(gè)凸出部26可以由一個(gè)凸出部26多排多列地陣列得到，其中，凸出部26之間的距離Dl滿足:2mm彡Dl彡5mm，也就是說，位于同一列上相鄰的兩個(gè)凸出部26在前后方向上的最小距離Dll滿足，2mm ( Dll ( 5mm，位于同一排上相鄰的兩個(gè)凸出部26在左右方向上的最小距離D12滿足，2mm ( D12 ( 5mm，從而可以保證每段蒸汽通道25在前后方向上的最小寬度在2mm到5mm之間，且每段蒸汽通道25在左右方向上的最小寬度在2mm到5mm之間。由此，可以縮短食物200的煎烤時(shí)間，提高食物200的煎烤效果。
[0071]其中，多個(gè)凸出部26的形狀可以相同或者不同，每個(gè)凸出部26的橫截面均可以形成為圓形、多邊形、或者不規(guī)則形狀等，例如凸出部26可以形成為棱柱形、圓柱形或者球形等。
[0072]根據(jù)本實(shí)用新型第二方面實(shí)施例的煎烤裝置100，包括根據(jù)本實(shí)用新型上述第一方面實(shí)施例的方形烤盤。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的煎烤裝置100的具體構(gòu)成以及操作等已在上文中詳細(xì)描述，這里不再贅述。
[0073]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的煎烤裝置100，通過設(shè)置上述第一方面實(shí)施例的方形烤盤，從而提高了煎烤裝置100的整體性能。
[0074]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
[0075]此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。
[0076]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接，還可以是通信；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。
[0077]在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0078]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0079]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本實(shí)用新型的原理和宗旨的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種方形烤盤，其特征在于，所述方形烤盤的內(nèi)表面上具有多個(gè)凸出部，所述多個(gè)凸出部之間限定出蒸汽通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方形烤盤，其特征在于，所述多個(gè)凸出部呈多排多列排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方形烤盤，其特征在于，所述多個(gè)凸出部呈環(huán)形陣列排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方形烤盤，其特征在于，所述凸出部形成為棱柱或圓柱形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方形烤盤，其特征在于，所述凸出部形成為球形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方形烤盤，其特征在于，所述凸出部之間的距離Dl 滿足:2mm < Dl < 5mm。
7.一種煎烤裝置，其特征在于，包括: 下烤盤； 上烤盤，所述上烤盤可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接至所述下烤盤，且所述上烤盤與所述下烤盤之間限定出煎烤腔室，其中所述上烤盤和所述下烤盤的至少一個(gè)為根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方形烤盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的煎烤裝置，其特征在于，所述上烤盤和所述下烤盤在閉合狀態(tài)時(shí)所述煎烤腔室的高度為10-15mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的煎烤裝置，其特征在于，所述上烤盤的內(nèi)表面垂直地延伸出環(huán)形的鎖水圈，所述上烤盤和所述下烤盤在閉合狀態(tài)時(shí)所述鎖水圈的下端與所述下烤盤的內(nèi)表面之間的距離小于等于7mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的煎烤裝置，其特征在于，所述上烤盤的寬度SI和長度S2滿足:0.6 彡 S1/S2 ( 0.8。
【文檔編號】A47J37/06GK204232970SQ201420645744
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】邢鳳雷, 王志剛, 杜明輝, 尹志楠, 萬程 申請人:佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司, 美的集團(tuán)股份有限公司