一種納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑及其使用方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑及其使用方法，去污劑的成分包括：烷基糖苷表面活性劑0.5～2重量份，納米無機材料添加劑0.1～2重量份、螯合劑1～5重量份、緩蝕劑1～5重量份、增溶劑1～5重量份、穩(wěn)泡劑0.1～1重量份、水71～94.4重量份，此外，還包括陰離子表面活性劑0.2～1重量份，分散劑0.1～0.5重量份，無機鹽電解質1～5重量份、防腐劑0.1～0.5重量份，增稠劑0.5～2重量份，將所述重量份的各成分混合后高速攪拌得到泡沫去污劑。本發(fā)明采用對環(huán)境友好的烷基糖苷為起泡劑，同時添加吸附能力和絮凝能力較強的納米無機材料，制備工藝簡單，對放射性核素去污效果好，對固體表面無腐蝕，光照下易降解，二次污染少，可完成消泡，且消泡方便。
【專利說明】一種納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑及 其使用方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種放射性核素去污劑，特別是一種由納米無機材料和烷基糖苷表面 活性劑復合得到的放射性核素去污劑。

【背景技術】
[0002] 核設施去污技術主要有化學去污、機械去污、電化學去污和生物去污四大類?；瘜W 去污廢液量大，損傷物體表面，耗時長，機械去污要求污染工件的表面能被觸及到，易產(chǎn)生 氣載塵埃，電化學去污效果比化學去污法好，但對材料的腐蝕較大，生物去污速度較慢。
[0003] 泡沫去污方法二次廢物產(chǎn)量少，對盲孔、隙縫以及一般難以清洗的地方都可以清 洗得非常干凈，對材料的腐蝕小。但是，現(xiàn)有的泡沫去污劑去污效率偏低，去污后的泡沫難 以消泡，對后續(xù)溶液中核素的處理，如蒸發(fā)、過濾等存在一定的影響。此外，可采用酸溶液對 泡沫進行消泡，但酸溶液對設備有一定的腐蝕作用，并且去污后廢液難處理，廢液中放射性 核素難以分離與富集。
[0004] 烷基糖苷是新一代溫和表面活性劑，它具有表面活性高、去污力強、泡沫細膩豐 富、無濁點且稀釋無凝膠出現(xiàn)、刺激性小、易生物降解、配伍性佳等優(yōu)點，在放射性核素泡沫 去污劑領域有潛在的應用價值。
[0005] 納米無機材料具有穩(wěn)定性好、比表面積和表面能大、再生性強、無毒無污染、價廉 易得等優(yōu)點，并且納米無機材料內部具有網(wǎng)絡結構的微孔通道，作為吸附劑在較短時間內 可達到吸附平衡，對放射性核素具有良好的分離與富集作用，易于廢液的處理，同時部分納 米材料具有光催化降解表面活性劑的作用，泡沫去污劑可在光照下降解消泡，在放射性核 素的分離與富集方面具有廣泛的應用前景。
[0006] 因此，基于烷基糖苷和無機納米材料的優(yōu)異性能，能夠制備一種放射性核素泡沫 去污劑。


【發(fā)明內容】

[0007] 本發(fā)明的目的旨在克服現(xiàn)有技術中的不足，提供一種納米無機材料和烷基糖苷表 面活性劑復合的放射性核素泡沫去污劑的制備方法及應用，實現(xiàn)以烷基糖苷表面活性劑替 代化石原料制備環(huán)境友好的表面活性劑的目的，并利用納米無機材料對放射性核素具有的 良好分離與富集效果，解決現(xiàn)有泡沫去污劑在去污后泡沫難以消除、廢液難以處理的問題。
[0008] 本發(fā)明提供的技術方案為：
[0009] -種納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，所述去污劑的成分包 括：
[0010] 烷基糖苷表面活性劑〇. 5?2重量份，納米無機材料添加劑0. 1?2重量份、螯合 劑1?5重量份、緩蝕劑1?5重量份、增溶劑1?5重量份、穩(wěn)泡劑0. 1?1重量份、水 71?94. 4重量份。
[0011] 優(yōu)選的是，所述烷基糖苷為烷基碳原子數(shù)為8、烷基碳原子數(shù)為10、烷基碳原子 數(shù)為12的烷基糖苷中的一種；其中，所述烷基碳原子數(shù)為8的烷基糖苷的臨界膠束濃度 CMC為0. 6g/L，表面張力為39. OmN/m，親水疏水平衡值HLB為13. 8 ;所述烷基碳原子數(shù)為 10的烷基糖苷的臨界膠束濃度CMC為0. 4g/L，表面張力為30. 7mN/m，親水疏水平衡值HLB 為14. 4 ;所述烷基碳原子數(shù)為12的烷基糖苷的臨界膠束濃度CMC為0. 06g/L，表面張力為 28mN/m，親水疏水平衡值HLB為13. 4。
[0012] 優(yōu)選的是，所述納米無機材料添加劑為納米TiO2、ZnO、Fe2O3、Fe 3O4、SiO2、納米膨潤 土中的一種或兩種的組合。
[0013] 優(yōu)選的是，所述螯合劑為三聚磷酸鈉、檸檬酸鈉、乙二胺四乙酸二鈉中的一種。
[0014] 優(yōu)選的是，所述緩蝕劑為碳酸鈉、硅酸鈉、三乙醇胺、石油磺酸鈉中的一種。
[0015] 優(yōu)選的是，所述增溶劑為尿素、聚乙二醇、對甲苯磺酸鈉中的一種。
[0016] 優(yōu)選的是，所述穩(wěn)泡劑為羧甲基纖維素鈉、椰油二乙醇酰胺、海藻酸鈉中的一種。
[0017] 優(yōu)選的是，所述去污劑的成分還包括：
[0018] 陰離子表面活性劑0. 2?1重量份，所述陰離子表面活性劑為α -烯烴磺酸鈉、月旨 肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉中的一種；
[0019] 分散劑0. 1?0. 5重量份，所述分散劑為聚羧酸鈉、六偏磷酸鈉、聚丙烯酸鈉中的 一種；
[0020] 無機鹽電解質1?5重量份，所述無機鹽電解質為NaCUNH4Cl、Na2SO4中的一種。
[0021] 防腐劑0. 1?0.5重量份，所述防腐劑為苯酚、甲醛、尼泊金酯中的一種。
[0022] 增稠劑0. 5?2重量份，所述增稠劑為魔芋葡甘聚糖。
[0023] 優(yōu)選的是，所述增稠劑魔芋葡甘聚糖在使用時須進行純化處理，其純化方法為：將 10?30重量份粗魔芋葡甘聚糖加入到80?120重量份體積比為1 :1的乙醚和無水乙醇的 混合液中，水浴加熱至40?70°C，回流10?20min，將混合液過濾，然后將濾渣加入800? 1200重量份水中，加入lmol/L的鹽酸，調節(jié)pH至4. 5?5,然后加熱到85?90°C，攪拌反 應I. 5h，將反應液過濾，得到的濾渣用無水乙醇洗滌3次，然后用丙酮脫水，在60?80°C下 干燥得到純魔芋葡甘聚糖。
[0024] 優(yōu)選的是，所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑的使用方法 為：取所述重量份的各成分混合后高速攪拌得到泡沫去污劑，然后將所述將泡沫去污劑噴 施于被放射性核素污染的表面，將污染表面覆蓋，靜置1?l〇min，然后用鼓風或抽吸裝置 將泡沫去污劑除去，收集于廢液桶中，將廢液桶中的泡沫去污劑置于光照條件下2h?5h， 使泡沫消失。
[0025] 本發(fā)明具有下列特點和有益效果：
[0026] (1)本發(fā)明中采用的烷基糖苷是由可再生資源天然脂肪醇和葡萄糖合成的，是一 種性能較全面的新型非離子表面活性劑，具有高表面活性、良好的生態(tài)安全性和相溶性，是 國際公認的首選"綠色"功能性表面活性劑，烷基糖苷可生物降解，且其降解迅速徹底，避免 了去污后表面活性劑帶來的二次污染問題，對環(huán)境友好，實現(xiàn)了可再生生物質資源替代化 石原料制備環(huán)境友好的表面活性劑的目的。
[0027] (2)本發(fā)明中制備的放射性核素去污劑中添加了納米無機材料，納米無機材料具 有穩(wěn)定性好、再生性強、無毒無污染、價廉易得等優(yōu)點，在放射性核素去污劑中，納米無機材 料通過表面活性劑的分散作用，能夠形成穩(wěn)定的流體，利用其強的吸附能力和絮凝能力， 能將放射性核素吸附，有效的去除廢液中的放射性核素，提高去污劑的去污率，富集在廢液 中的放射性核素可通過過濾去除，使廢液更容易處理，并且部分納米材料（如：Ti0 2、ZnO、 Fe203、Fe3O4等）具有光催化降解表面活性劑的作用，泡沫去污劑在光照2h?5h即可完成 消泡，同時，消泡以后再次攪拌廢液再無泡沫產(chǎn)生，在放射性核素去污領域具有較大的實用 價值和廣闊的應用前景；
[0028] (3)本發(fā)明中以泡沫形式去除固體表面的放射性污染物，相對于傳統(tǒng)的去污大大 的減少了廢液量，廢液量僅為酸洗的10%，去污劑制備方法簡單，去污劑的使用通過噴涂、 擦拭或浸泡于污染的表面，操作簡單，并且去污時間快，僅Ι-lOmin，去污劑滲透力強，可去 除不易接觸的死角的污垢。去污后放射性核素吸附于納米無機材料上，可對放射性核素進 行回收再利用，該發(fā)明工藝簡單，成本低廉，核素污染物去除率達80%以上。

【專利附圖】

【附圖說明】：
[0029] 圖1為本發(fā)明所述的放射性核素去污劑中添加不同濃度的納米TiO2對鈾U( VI ) 污染表面的去污效果圖。

【具體實施方式】：
[0030] 下面結合實施例及附圖對本發(fā)明做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照 說明書文字能夠據(jù)以實施。
[0031] 一種納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，所述去污劑的成分包 括：
[0032] 烷基糖苷表面活性劑0. 5?2重量份，納米無機材料添加劑0. 1?2重量份、螯合 劑1?5重量份、緩蝕劑1?5重量份、增溶劑1?5重量份、穩(wěn)泡劑0. 1?1重量份、水 71?94. 4重量份。
[0033] 值得注意的是：
[0034] 本發(fā)明中采用的烷基糖苷為烷基碳原子數(shù)為8、烷基碳原子數(shù)為10、烷基碳原子 數(shù)為12的烷基糖苷，這是由于這幾種烷基糖苷與納米無機材料及其他助劑復配得到的泡 沫去污劑的性能優(yōu)異，產(chǎn)生的泡沫細膩豐富，厚實而穩(wěn)定，有利于被放射性核素污染的表面 的去污。
[0035] 本發(fā)明中優(yōu)選的納米無機材料添加劑為納米TiO2、ZnO、Fe2O 3、Fe304、SiO2、納米膨 潤土中的一種或兩種的組合。納米無機材料能夠通過表面活性劑的分散作用形成穩(wěn)定的 流體，利用其強的吸附能力和絮凝能力，能將放射性核素吸附，有效的去除廢液中的放射性 核素，提高去污劑的去污率，富集在廢液中的放射性核素可通過過濾去除，使廢液更容易處 理，特別是部分納米材料（如：Ti0 2、Zn0、Fe203、Fe304等）具有光催化降解表面活性劑的作 用，泡沫去污后收集在廢液桶中，將泡沫置于光照條件下2h?5h，可完全將表面活性劑降 解消泡。
[0036] 本發(fā)明中優(yōu)選的螯合劑為三聚磷酸鈉、檸檬酸鈉、乙二胺四乙酸二鈉中的一種。采 用此類螯合劑能夠顯著提高表面活性劑的清洗去污能力。
[0037] 本發(fā)明優(yōu)選的緩蝕劑為碳酸鈉、硅酸鈉、三乙醇胺、石油磺酸鈉中的一種。緩蝕劑 在物體表面，特別是對一些敏感儀器和精密儀器的表面進行去污處理的表面，可形成保護 層，防止其被腐蝕。
[0038] 本發(fā)明優(yōu)選的增溶劑為尿素、聚乙二醇、對甲苯磺酸鈉中的一種。增溶劑可增加去 污劑各個成分的溶解性，這將有利于泡沫的形成，并且可以改善去污劑的透明性。
[0039] 本發(fā)明優(yōu)選的穩(wěn)泡劑為羧甲基纖維素鈉、椰油二乙醇酰胺、海藻酸鈉中的一種。采 用穩(wěn)泡劑將提高去污劑泡沫的穩(wěn)定性，延長泡沫破滅半衰期，進而提高去污劑的去污率。
[0040] 本發(fā)明優(yōu)選的去污劑的成分還包括：
[0041] 陰離子表面活性劑〇. 2?1重量份，所述陰離子表面活性劑為α -烯烴磺酸鈉、月旨 肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉中的一種，陰離子表面活性劑與烷基糖苷表面 活性劑復配能顯著提高表面活性劑的表面活性；
[0042] 分散劑〇. 1?〇. 5重量份，所述分散劑為聚羧酸鈉、六偏磷酸鈉、聚丙烯酸鈉中的 一種，分散劑可以防止納米無機材料的沉降和凝聚；
[0043] 無機鹽電解質1?5重量份，所述無機鹽電解質為NaCl、NH4C1、Na 2SO4中的一種， 添加無機鹽電解質能促進表面活性劑形成膠束，使臨界膠束濃度減小，從而提高表面活性 劑的表面活性；
[0044] 防腐劑0. 1?0. 5重量份，所述防腐劑為苯酚、甲醛、尼泊金酯中的一種，防腐劑能 抑制細菌增長，防止去污劑腐敗變質；
[0045] 增稠劑0. 5?2重量份，所述增稠劑為魔芋葡甘聚糖，增稠劑可以使去污劑穩(wěn)定不 分層，增加泡沫穩(wěn)定性，從而增加去污效果，其中，所用的魔芋葡甘聚糖需經(jīng)過純化處理，經(jīng) 過純化處理后，其增稠性更佳，并且避免了其他雜質混入去污劑，以免影響去污的效果，其 優(yōu)選的純化方法為：將30重量份粗魔芋葡甘聚糖加入到120重量份體積比為1 :1的乙醚和 無水乙醇的混合液中，水浴加熱至60°C，回流20min，將混合液過濾，然后將濾渣加入1200 重量份水中，加入lmol/L的鹽酸，調節(jié)pH至5,然后加熱到85°C，攪拌反應I. 5h，將反應液 過濾，得到的濾渣用無水乙醇洗滌3次，然后用丙酮脫水，在80°C下干燥得到純魔芋葡甘聚 糖。
[0046] 本發(fā)明所述的放射性核素泡沫去污劑的使用方法為：取所述重量份的各成分混 合后高速攪拌得到泡沫去污劑，然后將所述將泡沫去污劑噴涂、擦拭浸泡于被放射性核素 污染的表面，將污染表面覆蓋，被污染的表面可以是渡漆金屬、玻璃或陶瓷表面，靜置1? lOmin，然后用鼓風或抽吸裝置將泡沫去污劑除去，收集于廢液桶中，將廢液桶中的泡沫去 污劑置于光照條件下2h?5h，使泡沫消失，然后將廢液過濾除去放射性核素。
[0047] 圖1為本發(fā)明所述的放射性核素去污劑中添加不同濃度的納米TiO2對鈾U( VI) 污染表面的去污效果圖，從圖中可知隨著納米TiO2加入量的增大，去污率逐漸增大。
[0048] 實施例1 :
[0049] 取0. 5重量份烷基碳原子數(shù)為10的烷基糖苷、0. 5重量份納米Ti02、5重量份檸檬 酸鈉、1重量份碳酸鈉、5重量份尿素、0. 2重量份羧甲基纖維素鈉、0. 2重量份十二烷基苯磺 酸鈉、0. 1重量份聚羧酸鈉、1重量份NaCl、0. 1重量份苯酚、0. 5重量份純化過的魔芋葡甘聚 糖、85. 9重量份水混合均勻得到泡沫去污劑溶液。
[0050] 將所得到的溶液在3000r/min下攪拌得到穩(wěn)定的泡沫，將泡沫噴涂于被污染渡漆 表面，靜置5min，用鼓風吹氣裝置將泡沫吹入廢液桶中待后續(xù)處理。
[0051] 將廢液桶中的泡沫置于光照條件下2h，泡沫消失，廢液在3000r/min下攪拌無泡 沫產(chǎn)生，將廢液過濾除去放射性核素。
[0052] 實施例2 :
[0053] 取1重量份烷基碳原子數(shù)為10的烷基糖苷、0. 5重量份納米Fe203、5重量份檸檬 酸鈉、1重量份碳酸鈉、5重量份尿素、0. 3重量份羧甲基纖維素鈉、0. 2重量份十二烷基苯磺 酸鈉、0. 4重量份聚羧酸鈉、1重量份NaCl、0. 1重量份苯酚、0. 5重量份純化過的魔芋葡甘聚 糖、85重量份水混合均勻得到泡沫去污劑溶液。
[0054] 將所得到的溶液在3000r/min下攪拌得到穩(wěn)定的泡沫，將泡沫噴涂于被污染渡漆 表面，靜置8min，用鼓風吹氣裝置將泡沫吹入廢液桶中待后續(xù)處理。
[0055] 將廢液桶中的泡沫置于光照條件下3h，泡沫消失，廢液在3000r/min下攪拌無泡 沫產(chǎn)生，將廢液過濾除去放射性核素。
[0056] 實施例3 :
[0057] 取1. 5重量份烷基碳原子數(shù)為10的烷基糖苷、1重量份納米Zn0、5重量份乙二胺 四乙酸二鈉、3重量份碳酸鈉、5重量份尿素、0. 4重量份羧甲基纖維素鈉、0. 2重量份十二烷 基苯磺酸鈉、0. 1重量份聚羧酸鈉、1重量份NH4C1、0. 1重量份尼泊金酯、0. 5重量份純化過 的魔芋葡甘聚糖、84. 2重量份水混合均勻得到泡沫去污劑溶液。
[0058] 將所得到的溶液在3000r/min下攪拌得到穩(wěn)定的泡沫，將泡沫噴涂于被污染渡漆 表面，靜置5min，用鼓風吹氣裝置將泡沫吹入廢液桶中待后續(xù)處理。
[0059] 將廢液桶中的泡沫置于光照條件下5h，泡沫消失，廢液在3000r/min下攪拌無泡 沫產(chǎn)生，將廢液過濾除去放射性核素。
[0060] 實施例4 :
[0061] 取2重量份烷基碳原子數(shù)為8的烷基糖苷、0. 5重量份納米Ti02、5重量份乙二胺 四乙酸二鈉、5重量份三乙醇胺、5重量份對甲苯磺酸鈉、0. 1重量份海藻酸鈉、0. 2重量份 α -烯烴磺酸鈉、0. 1重量份聚丙烯酸鈉、1重量份NH4C1、0. 1重量份尼泊金酯、0. 5重量份 純化過的魔芋葡甘聚糖、83. 5重量份水混合均勻得到泡沫去污劑溶液。
[0062] 將所得到的溶液在3000r/min下攪拌得到穩(wěn)定的泡沫，將泡沫噴涂于被污染渡漆 玻璃表面，靜置l〇min，用鼓風吹氣裝置將泡沫吹入廢液桶中待后續(xù)處理。
[0063] 將廢液桶中的泡沫置于光照條件下5h，泡沫消失，廢液在3000r/min下攪拌無泡 沫產(chǎn)生，將廢液過濾除去放射性核素。
[0064] 實施例5 :
[0065] 取1. 5重量份烷基碳原子數(shù)為10的烷基糖苷、1重量份納米Fe3CV3重量份三聚磷 酸鈉、5重量份石油磺酸鈉、2重量份對甲苯磺酸鈉、0. 1重量份海藻酸鈉、0. 2重量份α -烯 經(jīng)磺酸鈉、〇. 1重量份聚丙烯酸鈉、2重量份NH4C1、0. 1重量份苯酚、0. 5重量份純化過的魔 芋葡甘聚糖、84. 5重量份水混合均勻得到泡沫去污劑溶液。
[0066] 將所得到的溶液在3000r/min下攪拌得到穩(wěn)定的泡沫，將泡沫噴涂于被污染渡漆 表面，靜置5min，用鼓風吹氣裝置將泡沫吹入廢液桶中待后續(xù)處理。
[0067] 將廢液桶中的泡沫置于光照條件下2h，泡沫消失，廢液在3000r/min下攪拌無泡 沫產(chǎn)生，將廢液過濾除去放射性核素。
[0068] 實施例6 :
[0069] 取2重量份烷基碳原子數(shù)為10的烷基糖苷、0. 5重量份納米Ti02、0. 5重量份納米 膨潤土、5重量份三聚磷酸鈉、2重量份石油磺酸鈉、5重量份對甲苯磺酸鈉、0. 1重量份椰油 二乙醇酰胺、0. 2重量份α -烯經(jīng)磺酸鈉、〇. 2重量份聚丙烯酸鈉、1重量份NaCl、0. 1重量份 苯酚、0. 5重量份純化過的魔芋葡甘聚糖、82. 9重量份水混合均勻得到泡沫去污劑溶液。
[0070] 將所得到的溶液在3000r/min下攪拌得到穩(wěn)定的泡沫，將泡沫噴涂于被污染渡漆 表面，靜置5min，用鼓風吹氣裝置將泡沫吹入廢液桶中待后續(xù)處理。
[0071] 將廢液桶中的泡沫置于光照條件下3h，泡沫消失，廢液在3000r/min下攪拌無泡 沫產(chǎn)生，將廢液過濾除去放射性核素。
[0072] 實施例7 :
[0073] 取0. 5重量份烷基碳原子數(shù)為12的烷基糖苷、0. 5重量份納米Ζη0、0. 5重量份納 米膨潤土、5重量份檸檬酸鈉、5重量份石油磺酸鈉、2重量份尿素、0. 2重量份羧甲基纖維素 鈉、0. 2重量份α -烯經(jīng)磺酸鈉、〇. 2重量份聚丙烯酸鈉、1重量份NaCl、0. 1重量份尼泊金 酯、0. 5重量份純化過的魔芋葡甘聚糖、82. 9重量份水混合均勻得到泡沫去污劑溶液。
[0074] 將所得到的溶液在3000r/min下攪拌得到穩(wěn)定的泡沫，將泡沫噴涂于被污染陶瓷 表面，靜置5min，用鼓風吹氣裝置將泡沫吹入廢液桶中待后續(xù)處理。
[0075] 將廢液桶中的泡沫置于光照條件下2h，泡沫消失，廢液在3000r/min下攪拌無泡 沫產(chǎn)生，將廢液過濾除去放射性核素。
[0076] 以上實施例1?7是本發(fā)明提供的在采用不同原料以及不同試劑在不同比例下所 制備去污劑的方法，接下來通過實施例8?12和對比例13制得的去污劑進行含有鈾U(VI) 污染物的渡漆金屬板去污試驗的具體研究：
[0077] 實施例8?12 :
[0078] 下表為實施例8?12添加納米TiO2和水的量，

【權利要求】
1. 一種納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征在于，所述去污劑 的成分包括： 烷基糖苷表面活性劑0. 5?2重量份，納米無機材料添加劑0. 1?2重量份、螯合劑 1?5重量份、緩蝕劑1?5重量份、增溶劑1?5重量份、穩(wěn)泡劑0. 1?1重量份、水71? 94. 4重量份。
2. 根據(jù)權利要求1所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述烷基糖苷為烷基碳原子數(shù)為8、烷基碳原子數(shù)為10、烷基碳原子數(shù)為12的烷基糖 苷中的一種；其中，所述烷基碳原子數(shù)為8的烷基糖苷的臨界膠束濃度CMC為0. 6g/L，表面 張力為39. OmN/m，親水疏水平衡值HLB為13. 8 ;所述烷基碳原子數(shù)為10的烷基糖苷的臨界 膠束濃度CMC為0. 4g/L，表面張力為30. 7mN/m，親水疏水平衡值HLB為14. 4 ;所述烷基碳 原子數(shù)為12的烷基糖苷的臨界膠束濃度CMC為0. 06g/L，表面張力為28mN/m，親水疏水平 衡值HLB為13. 4。
3. 根據(jù)權利要求1所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述納米無機材料添加劑為納米Ti02、Zn0、Fe203、Fe 304、Si02、納米膨潤土中的一種或 兩種的組合。
4. 根據(jù)權利要求1所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述螯合劑為三聚磷酸鈉、檸檬酸鈉、乙二胺四乙酸二鈉中的一種。
5. 根據(jù)權利要求1所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述緩蝕劑為碳酸鈉、硅酸鈉、三乙醇胺、石油磺酸鈉中的一種。
6. 根據(jù)權利要求1所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述增溶劑為尿素、聚乙二醇、對甲苯磺酸鈉中的一種。
7. 根據(jù)權利要求1所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述穩(wěn)泡劑為羧甲基纖維素鈉、椰油二乙醇酰胺、海藻酸鈉中的一種。
8. 根據(jù)權利要求1所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述去污劑的成分還包括： 陰離子表面活性劑〇. 2?1重量份，所述陰離子表面活性劑為a -烯烴磺酸鈉、脂肪醇 聚氧乙烯醚硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉中的一種； 分散劑0. 1?0. 5重量份，所述分散劑為聚羧酸鈉、六偏磷酸鈉、聚丙烯酸鈉中的一 種； 無機鹽電解質1?5重量份，所述無機鹽電解質為NaCl、NH4Cl、Na2S04中的一種。 防腐劑0. 1?0. 5重量份，所述防腐劑為苯酚、甲醛、尼泊金酯中的一種。 增稠劑〇. 5?2重量份，所述增稠劑為魔芋葡甘聚糖。
9. 根據(jù)權利要求8所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素去污劑，其特征 在于，所述增稠劑魔芋葡甘聚糖在使用時須進行純化處理，其純化方法為：將10?30重量 份粗魔芋葡甘聚糖加入到80?120重量份體積比為1 :1的乙醚和無水乙醇的混合液中，水 浴加熱至40?70°C，回流10?20min，將混合液過濾，然后將濾渣加入800?1200重量份 水中，加入lmol/L的鹽酸，調節(jié)pH至4. 5?5,然后加熱到85?90°C，攪拌反應1. 5h，將反 應液過濾，得到的濾渣用無水乙醇洗滌3次，然后用丙酮脫水，在60?80°C下干燥得到純魔 芋葡甘聚糖。
10.根據(jù)權利要求1?9任一項所述的納米無機材料與烷基糖苷復合的放射性核素 去污劑的使用方法，其特征在于，取所述重量份的各成分混合后高速攪拌得到泡沫去污劑， 然后將所述將泡沫去污劑噴施于被放射性核素污染的表面，將污染表面覆蓋，靜置1? lOmin，然后用鼓風或抽吸裝置將泡沫去污劑除去，收集于廢液桶中，將廢液桶中的泡沫去 污劑置于光照條件下2h?5h，使泡沫消失。
【文檔編號】C11D1/66GK104403811SQ201410729326
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月3日 優(yōu)先權日:2014年12月3日
【發(fā)明者】林曉艷, 周星保, 朱高龍, 羅學剛 申請人:西南科技大學