一種集成電路芯片清洗液及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種集成電路芯片清洗液及其制備方法，清洗液包括以下組分：壬基酚聚氧乙基醚，檸檬酸，二甘醇，甲醇，二氯甲烷，三氟三氯乙烷，烷基醇酰胺，EDTA，三乙醇胺，氨基磺酸，乙醇。制備方法為將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真空加熱條件下攪拌混合得到混合物一，再將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中，在真空條件下加熱共沸得到混合物二，最后將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，得到集成電路芯片清洗液。本發(fā)明提供的清洗液漂洗性能優(yōu)良，泡沫小，不影響電路芯片，粘度低，可以廣泛應(yīng)用于集成電路芯片的清洗。
【專利說明】一種集成電路芯片清洗液及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于清洗劑【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種集成電路芯片清洗液及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 集成電路（integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝， 把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾 小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié) 構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和 高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母"1C"表示。
[0003] 集成電路芯片在長期的使用過程中會(huì)產(chǎn)生一定的污垢，傳統(tǒng)的清除方法是通過毛 刷進(jìn)行清掃，而采用清洗液清洗的方式并不常用，因?yàn)榍逑匆呵逑春笸ǔ?huì)有一定的殘留， 對(duì)于電路芯片的正常工作會(huì)產(chǎn)生一定的影響。
[0004] 隨著世界范圍內(nèi)工業(yè)設(shè)備的全面電子化、控制自動(dòng)化的發(fā)展，全電子設(shè)備儀器的 生產(chǎn)和使用高速增長。集成電路的快速增長使從前的設(shè)備在線維護(hù)專業(yè)從小范圍成為全行 業(yè)、跨地區(qū)的大范圍維護(hù)問題，而其有效維護(hù)也成為了專業(yè)維護(hù)人員面臨的更加重要的問 題，對(duì)操作更安全、洗凈效果更理想的需求迫使研究人員不斷研究更好的清洗劑替代品。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種集成電路芯片清洗液及其制備 方法提高漂洗性能，縮短漂洗時(shí)間，同時(shí)對(duì)電路芯片無影響。
[0006] -種集成電路芯片清洗液，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基醚1-5份，檸檬酸 0. 8_3份，二甘醇10-20份，甲醇5_10份，二氯甲燒10-20份，二氟二氯乙燒8_15份，燒基醇 酰胺2-8份，EDTA 1-4份，二乙醇胺1-5份，氨基磺酸1-4份，乙醇10-20份。
[0007] 作為進(jìn)一步改進(jìn)，所述的集成電路芯片清洗液，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基 醚2-4份，檸檬酸2-2. 5份，二甘醇14-18份，甲醇7-9份，二氯甲烷16-19份，三氟三氯乙烷 10-13份，烷基醇酰胺4-7份，EDTA 2-4份，三乙醇胺2-4份，氨基磺酸1-3份，乙醇15-18 份。
[0008] 以上所述的集成電路芯片清洗液，所述乙醇可以為95%乙醇。
[0009] 以上所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，包括以下步驟：
[0010] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真 空度為〇. 01-0. 〇5MPa條件下，加熱至50-60°C，攪拌20-30分鐘，得到混合物一；
[0011] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空條件下加熱共沸20-30分鐘，得到混合物二；
[0012] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，得 到集成電路芯片清洗液。
[0013] 所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，步驟一中攪拌的速度可以為100-120轉(zhuǎn) /分鐘。
[0014] 所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，步驟二中真空條件的真空度可以為 0.01-0. 03MPa〇
[0015] 所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，步驟三中攪拌混合均勻的條件可以為攪 拌速度80-100轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時(shí)間為20-40分鐘。
[0016] 本發(fā)明提供的集成電路芯片清洗液凈洗力達(dá)到了 108%以上，泡沫性能在8mm以 下，粘度達(dá)到了 0. 45_2 ? ^以下，漂洗性能優(yōu)良，無可見凈洗劑殘留物，泡沫小，不影響電 路芯片，粘度低，便于清洗，同時(shí)可以短時(shí)間對(duì)電路芯片進(jìn)行很好的清洗，可以廣泛應(yīng)用于 集成電路芯片的清洗。

【具體實(shí)施方式】
[0017] 實(shí)施例1
[0018] 一種集成電路芯片清洗液，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基醚1份，檸檬酸0. 8 份，二甘醇10份，甲醇5份，二氯甲烷10份，三氟三氯乙烷8份，烷基醇酰胺2份，EDTA 1 份，三乙醇胺1份，氨基磺酸1份，95%乙醇10份。
[0019] 以上所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，包括以下步驟：
[0020] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真 空度為0. OIMPa條件下，加熱至50°C，攪拌20分鐘，攪拌速度為100轉(zhuǎn)/分鐘，得到混合物
[0021] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. OIMPa的條件下加熱共沸20分鐘，得到混合物二；
[0022] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度80轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時(shí)間為20分鐘，得到集成電路芯片清洗液。
[0023] 實(shí)施例2
[0024] -種集成電路芯片清洗液，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基醚2份，檸檬酸2份， 二甘醇14份，甲醇7份，二氯甲烷16份，三氟三氯乙烷10份，烷基醇酰胺4份，EDTA 2份， 三乙醇胺2份，氨基磺酸1份，95%乙醇15份。
[0025] 以上所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，包括以下步驟：
[0026] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真 空度為0. 02MPa條件下，加熱至53°C，攪拌25分鐘，攪拌速度為108轉(zhuǎn)/分鐘，得到混合物
[0027] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇2MPa的條件下加熱共沸22分鐘，得到混合物二；
[0028] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度85轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時(shí)間為26分鐘，得到集成電路芯片清洗液。
[0029] 實(shí)施例3
[0030] 一種集成電路芯片清洗液，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基醚3份，檸檬酸2. 3 份，二甘醇16份，甲醇8份，二氯甲烷17份，三氟三氯乙烷12份，烷基醇酰胺5份，EDTA 3 份，三乙醇胺3份，氨基磺酸2份，95%乙醇16份。
[0031] 以上所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，包括以下步驟：
[0032] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真 空度為0. 03MPa條件下，加熱至56°C，攪拌28分鐘，攪拌速度為110轉(zhuǎn)/分鐘，得到混合物
[0033] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇2MPa的條件下加熱共沸25分鐘，得到混合物二；
[0034] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度90轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時(shí)間為35分鐘，得到集成電路芯片清洗液。
[0035] 實(shí)施例4
[0036] -種集成電路芯片清洗液，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基醚4份，檸檬酸2. 5 份，二甘醇18份，甲醇9份，二氯甲烷19份，三氟三氯乙烷13份，烷基醇酰胺7份，EDTA 4 份，三乙醇胺4份，氨基磺酸3份，95%乙醇18份。
[0037] 以上所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，包括以下步驟：
[0038] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真 空度為〇. 〇4MPa條件下，加熱至58°C，攪拌27分鐘，攪拌速度為115轉(zhuǎn)/分鐘，得到混合物
[0039] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇2MPa的條件下加熱共沸30分鐘，得到混合物二；
[0040] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度95轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時(shí)間為36分鐘，得到集成電路芯片清洗液。
[0041] 實(shí)施例5
[0042] 一種集成電路芯片清洗液，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基醚5份，檸檬酸3份， 二甘醇20份，甲醇10份，二氯甲烷20份，三氟三氯乙烷15份，烷基醇酰胺8份，EDTA 4份， 三乙醇胺5份，氨基磺酸4份，95%乙醇20份。
[0043] 以上所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，包括以下步驟：
[0044] 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真 空度為0. 05MPa條件下，加熱至60°C，攪拌30分鐘，攪拌速度為120轉(zhuǎn)/分鐘，得到混合物
[0045] 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中， 在真空度為〇. 〇3MPa的條件下加熱共沸30分鐘，得到混合物二；
[0046] 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，其 中攪拌速度100轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時(shí)間為40分鐘，得到集成電路芯片清洗 液。
[0047] 對(duì)以上實(shí)施例制備得到的集成電路芯片清洗液進(jìn)行性能測試，結(jié)果如下：
[0048]

【權(quán)利要求】
1. 一種集成電路芯片清洗液，其特征在于，以重量份計(jì)包括：壬基酚聚氧乙基醚1-5 份，檸檬酸〇. 8-3份，二甘醇10-20份，甲醇5-10份，二氯甲烷10-20份，三氟三氯乙烷8-15 份，烷基醇酰胺2-8份，EDTA 1-4份，三乙醇胺1-5份，氨基磺酸1-4份，乙醇10-20份。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片清洗液，其特征在于，以重量份計(jì)包括：壬基酚 聚氧乙基醚2-4份，檸檬酸2-2. 5份，二甘醇14-18份，甲醇7-9份，二氯甲烷16-19份，三 氟三氯乙烷10-13份，烷基醇酰胺4-7份，EDTA 2-4份，三乙醇胺2-4份，氨基磺酸1-3份， 乙醇15-18份。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路芯片清洗液，其特征在于，所述乙醇為95%乙 醇。
4. 權(quán)利要求1或2所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，其特征在于，包括以下步 驟： 步驟一，將壬基酚聚氧乙基醚、檸檬酸、二甘醇、甲醇和EDTA加入反應(yīng)釜中，在真空度 為0. 01-0. 05MPa條件下，加熱至50-60°C，攪拌20-30分鐘，得到混合物一； 步驟二，將二氯甲烷、三氟三氯乙烷、烷基醇酰胺和三乙醇胺加入到密閉容器中，在真 空條件下加熱共沸20-30分鐘，得到混合物二； 步驟三，將混合物一與混合物二相混合，加入氨基磺酸和乙醇，攪拌混合均勻，得到集 成電路芯片清洗液。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，其特征在于，步驟一中攪 拌的速度為100-120轉(zhuǎn)/分鐘。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，其特征在于，步驟二中真 空條件的真空度為0. 01-0. 〇3MPa。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路芯片清洗液的制備方法，其特征在于，步驟三中攪 拌混合均勻的條件為攪拌速度80-100轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為室溫，攪拌時(shí)間為20-40分鐘。
【文檔編號(hào)】C11D10/02GK104450332SQ201410674199
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月21日
【發(fā)明者】熊開勝, 張海防, 謝建庭 申請(qǐng)人:蘇州東辰林達(dá)檢測技術(shù)有限公司