單晶硅片清洗裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了單晶硅片清洗裝置，包括：一進(jìn)料槽，一與進(jìn)料槽順次連接的第一藥槽和第二藥槽，以及一與第二藥槽連接的自來(lái)水溢流槽，還包括一純水供水系統(tǒng)，所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽，一第二純水槽以及一第三純水槽，所述第一純水槽，第二純水槽以及第三純水槽相互連通，將通過(guò)第三純水槽、第二純水槽至第一純水槽的純水通過(guò)一溢流管通入純水溢流槽，所述進(jìn)料槽和自來(lái)水溢流槽均連接一自來(lái)水供水管。將硅片清洗工藝的改進(jìn)優(yōu)化與設(shè)備改造相結(jié)合，使我們現(xiàn)有的槽體較少，可以清洗（要求高，槽體多）單晶硅片，達(dá)到硅片表面質(zhì)量干凈，純水消耗降低，生產(chǎn)成本降低，而最終實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效益提高的目的。
【專利說(shuō)明】單晶硅片清洗裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及硅生產(chǎn)領(lǐng)域，具體涉及單晶硅片清洗裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體硅作為太陽(yáng)能電池的主要原料，在推動(dòng)世界光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中起到了舉足輕重的作用。在太陽(yáng)能電池的制造中，晶體硅占整個(gè)電池制造成本的68.5%，其中硅片(切片后)占12.3%。因此提高晶體硅在各道加工工序中的成品率是降低太陽(yáng)能電池成本的一個(gè)關(guān)鍵步驟。
[0003]在硅片加工過(guò)程中，所有與硅片接觸的外部媒介都可能是硅片污染物的來(lái)源。由此可知，硅片表面的污染物來(lái)源主要有:加工器械帶來(lái)的污染，加工液的污染、環(huán)境污染、操作人員帶來(lái)的污染以及加工過(guò)程中硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的污染等。
[0004]隨著太陽(yáng)能工業(yè)的發(fā)展，對(duì)硅片表面潔凈度的要求也越來(lái)越高，這在一定程度上促進(jìn)了硅片清洗技術(shù)的發(fā)展，也促進(jìn)了人們對(duì)硅片清洗工藝的研究。
[0005]當(dāng)前，濕法化學(xué)清洗技術(shù)在硅片表面清洗中仍處于主導(dǎo)地位。但在今后，由于化學(xué)試劑的存放以及環(huán)境問(wèn)題，濕法化學(xué)清洗技術(shù)的使用會(huì)逐漸減少。據(jù)測(cè)算，目前某些工廠用于超純水的費(fèi)用將接近百萬(wàn)元。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供單晶硅片清洗裝置，將硅片清洗工藝的改進(jìn)優(yōu)化與設(shè)備改造相結(jié)合，使我們現(xiàn)有的槽體較少，可以清洗(要求高，槽體多)單晶硅片，達(dá)到硅片表面質(zhì)量干凈，純水消耗降低，生產(chǎn)成本降低，而最終實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效益提高的目的。
[0007]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0008]單晶硅片清洗裝置，包括:
[0009]一進(jìn)料槽，
[0010]一與進(jìn)料槽順次連接的第一藥槽和第二藥槽，
[0011]以及一與第二藥槽連接的自來(lái)水溢流槽，
[0012]還包括一純水供水系統(tǒng),所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽,一第二純水槽以及一第三純水槽，所述第一純水槽，第二純水槽以及第三純水槽相互連通，將通過(guò)第三純水槽、第二純水槽至第一純水槽的純水通過(guò)一溢流管通入純水溢流槽，
[0013]所述進(jìn)料槽和自來(lái)水溢流槽均連接一自來(lái)水供水管，所述第一藥槽，第二藥槽，純水溢流槽，第二純水槽以及第三純水槽均連接一純水管。
[0014]在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述進(jìn)料槽由一空氣鼓泡槽和一超聲槽構(gòu)成。
[0015]在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第二純水槽的進(jìn)水管上安裝一進(jìn)水控制閥。
[0016]在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第三純水槽一側(cè)還設(shè)置一烘干箱。[0017]通過(guò)上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0018]增加溢流槽，節(jié)省了純水的使用。通過(guò)后續(xù)的統(tǒng)計(jì)也證明了純水的使用量大大的減少。通過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證改造后設(shè)備的性能大大的提高，使得硅片的清洗質(zhì)量幾乎很少存在問(wèn)題，同時(shí)也減少了公司純水的用量，且對(duì)清洗設(shè)備也不再用更換，節(jié)省了許多資金。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0022]參照?qǐng)D1，單晶硅片清洗裝置，包括:一進(jìn)料槽，一與進(jìn)料槽順次連接的第一藥槽1#和第二藥槽2#，以及一與第二藥槽2#連接的自來(lái)水溢流槽3#,
[0023]還包括一純水供水系統(tǒng),所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽5#,—第二純水槽6#以及一第三純水槽7#，所述第一純水槽5#，第二純水槽6#以及第三純水槽7#相互連通，將通過(guò)第三純水槽7#、第二純水槽6#至第一純水槽5#的純水通過(guò)一溢流管通入純水溢流槽4#，其中溢流管上安裝一水箱，
[0024]所述進(jìn)料槽和自來(lái)水溢流槽4#均連接一自來(lái)水供水管，所述第一藥槽1#，第二藥槽2#’純水溢流槽4#，第二純水槽6#以及第三純水槽7#均連接一純水管。
[0025]所述進(jìn)料槽由一空氣鼓泡槽和一超聲槽構(gòu)成。所述第二純水槽6#的進(jìn)水管上安裝一進(jìn)水控制閥。所述第三純水槽7# 一側(cè)還設(shè)置一烘干箱。
[0026]將清洗裝置的進(jìn)料槽由單工位改成雙工位，其中前一個(gè)工位增加了鼓泡功能，后一個(gè)工位增加了超聲功能，這樣做可以使太陽(yáng)能硅片進(jìn)入清洗機(jī)時(shí)先得到一個(gè)初步超聲鼓泡清洗使表面大顆粒物脫落同時(shí)也減小后面槽的清洗壓力。
[0027]將藥槽移至1#、2#槽，這樣做可增加后續(xù)漂洗槽的數(shù)量，從而解決漂洗不凈的問(wèn)題。后續(xù)通過(guò)實(shí)驗(yàn)也證明通過(guò)這種方法使硅片的清洗質(zhì)量得到了極大的改善。
[0028]將3#槽改為自來(lái)水溢流槽，不再使用純水。將7#槽經(jīng)6#槽流至5#槽的純水不直接排放，而是溢流至水箱再通入4#槽，4#槽利用水箱的純水進(jìn)行溢流。這樣就使溢流槽的數(shù)量增多，也節(jié)省了純水的使用。通過(guò)后續(xù)的生產(chǎn)也證明了純水的使用量大大的減少。
[0029]表I為改造前后硅片清洗質(zhì)量對(duì)比
[0030]表I
【權(quán)利要求】
1.單晶硅片清洗裝置，其特征在于，包括： 一進(jìn)料槽， 一與進(jìn)料槽順次連接的第一藥槽和第二藥槽， 以及一與第二藥槽連接的自來(lái)水溢流槽， 還包括一純水供水系統(tǒng)，所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽，一第二純水槽以及一第三純水槽，所述第一純水槽，第二純水槽以及第三純水槽相互連通，將通過(guò)第三純水槽、第二純水槽至第一純水槽的純水通過(guò)一溢流管通入純水溢流槽， 所述進(jìn)料槽和自來(lái)水溢流槽均連接一自來(lái)水供水管，所述第一藥槽，第二藥槽，純水溢流槽，第二純水槽以及第三純水槽均連接一純水管。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶硅片清洗裝置，其特征在于：所述進(jìn)料槽由一空氣鼓泡槽和一超聲槽構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶硅片清洗裝置，其特征在于：所述第二純水槽的進(jìn)水管上安裝一進(jìn)水控制閥。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶硅片清洗裝置，其特征在于：所述第三純水槽一側(cè)還設(shè)置一烘干箱。
【文檔編號(hào)】B08B7/04GK203508507SQ201320588616
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】牛龍, 王文, 童林劍, 張斌, 胡亞?wèn)|, 董典謨, 樊帥 申請(qǐng)人:陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司