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用于清潔晶片表面的吹氣裝置制造方法

文檔序號:1439780閱讀:167來源:國知局
用于清潔晶片表面的吹氣裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供用于清潔晶片表面的吹氣裝置,包括:本體、隔腔槽、風口板、進氣管、密封條。本體有腔體和開口;隔腔槽將腔體隔成第一腔、第二腔和第三腔;風口板和本體的頂壁之間限定有適于對準晶片表面出風出氣口;進氣管連接至本體的一端并和第一腔連通;密封條設(shè)置于本體的底壁和風口板之間;隔腔槽的第一隔板具有貫通第一腔和第二腔的第一排進氣孔,第二隔板具有貫通第二腔和第三腔的第二排進氣孔,第一排進氣孔中靠近進氣管的多個近端進氣孔孔徑最大、遠離進氣管的多個遠端進氣孔孔徑最小。該裝置吹出的氣體氣壓和流速均勻,能保證晶片有比較均勻的潔凈度。
【專利說明】用于清潔晶片表面的吹氣裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體行業(yè)中的晶片清潔技術(shù),更具體地涉及一種用于清潔晶片表面的吹氣裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體行業(yè)中,測試晶片的鍍層時,通常對周圍環(huán)境有一定的要求,如溫度、潔凈度等,其中,晶片表面潔凈度是一個非常重要的指標。要達到這一指標人們想了好多方法,然而這些方法不是設(shè)備體積太龐大,就是清潔效果不理想。眾所周知,測試設(shè)備一般其測試空間是非常有限的,如果清潔設(shè)備的體積太大則無法安裝。另外,清潔設(shè)備的清潔效果往往受到其吹出氣體的流動參數(shù)如流速、流量和壓強等的影響,如果吹出的氣體不均勻而出現(xiàn)湍流則很難保證晶片表面的清潔度。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是提供一種用于清潔晶片表面的吹氣裝置,其吹出的氣體在氣壓和流速均勻不會出現(xiàn)湍流,從而使得晶片表面被高潔凈度的氣體保護著,進而保證晶片有比較均勻的潔凈度。
[0004]為此,根據(jù)本實用新型的一個方面,提供一種用于清潔晶片表面的吹氣裝置,該裝置包括:
[0005]本體,其具有底壁、頂壁、兩端壁、一側(cè)壁、另一側(cè)開口以及由這些壁所限定并與該另一側(cè)開口連通的腔體;
[0006]隔腔槽,其呈U型并位于腔體內(nèi),隔腔槽包括支撐于底壁上的底板、平行于上述一側(cè)壁的第一隔板和第二隔板,第一隔板和第二隔板將腔體由上述一側(cè)壁到上述另一側(cè)開口依次分隔成第一腔、第二腔和第三腔;
[0007]風口板,其在上述另一側(cè)開口處固定至底壁上,風口板和頂壁之間限定有出氣口,出氣口適于對準晶片表面出風;
[0008]進氣管,進氣管在本體的一端連接于其上并和第一腔連通;
[0009]密封條,其設(shè)置于底壁和風口板之間,
[0010]其中,第一隔板具有沿其縱長方向布置并貫通第一腔和第二腔的第一排進氣孔,第二隔板具有沿其縱長方向布置并貫通第二腔和第三腔的第二排進氣孔,第一排進氣孔中靠近進氣管的多個近端進氣孔的孔徑最大、遠離進氣管的多個遠端進氣孔的孔徑最小。
[0011]在本實用新型的該方面,由于經(jīng)進氣管送至第一腔的氣流在靠近進氣管處流速較高、氣壓較低,而在遠離進氣管處流速較低、氣壓較高,因此第一隔板上的第一排進氣孔的孔徑設(shè)計正好使得進入第二腔的氣流流速和氣壓趨于一致,即氣流得到了第一次調(diào)節(jié),然后再依次經(jīng)過第二腔、第三腔的再次混合和均勻,使得最終經(jīng)由風口板吹出的氣流形成均勻的層流,從而保證了晶片表面的清潔效果。
[0012]優(yōu)選地,第一排進氣孔還包括位于近端進氣孔和遠端進氣孔之間的多個次近端進氣孔和多個次遠端進氣孔,其中,近端進氣孔、次近端進氣孔、次遠端進氣孔和遠端進氣孔的孔徑由大到小排列。
[0013]通過將第一排進氣孔分為幾個孔徑等級的按孔徑大小順序布置進氣孔,既優(yōu)化了氣流調(diào)節(jié)效果,又便于孔的加工成形。
[0014]優(yōu)選地,第一排進氣孔和第二排進氣孔在第二腔的高度方向上錯開。通過這種設(shè)計,使得氣流在第二腔中可得到進一步混合,使各部分氣流氣壓和流速趨于一致,進一步避免湍流的出現(xiàn)。
[0015]優(yōu)選地,第一排進氣孔位于第一隔板的上部,第二排進氣孔位于第二隔板的下部。
[0016]優(yōu)選地,第二排進氣孔與出氣口在第三腔的高度方向上錯開。通過這種設(shè)計,使得氣流在第三腔中再一次得到進一步混合,使氣流的氣壓和流速更加一致。
[0017]優(yōu)選地,出氣口為縱長扁平狹縫。這樣可以保證吹出的氣流比較穩(wěn)定,氣流在氣壓、流速上都是均勻的。
[0018]優(yōu)選地,吹氣裝置還包括兩個端連接板。
[0019]通過參考下面所描述的實施方式,本實用新型的這些方面和其他方面將會得到清晰地闡述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]本實用新型的結(jié)構(gòu)和操作方式以及進一步的目的和優(yōu)點將通過下面結(jié)合附圖的描述得到更好地理解,其中,相同的參考標記標識相同的元件:
[0021]圖1是根據(jù)本實用新型的優(yōu)選實施方式的用于清潔晶片表面的吹氣裝置的示意性立體圖;
[0022]圖2是圖1中用于清潔晶片表面的吹氣裝置的分解圖;
[0023]圖3是圖1中用于清潔晶片表面的吹氣裝置的主視圖;
[0024]圖4是沿圖3中AA線的剖視圖;
[0025]圖5是圖2中隔腔槽的后視圖,其示出了隔腔槽的第一隔板上的第一排進氣孔?!揪唧w實施方式】
[0026]根據(jù)要求,這里將披露本實用新型的【具體實施方式】。然而,應(yīng)當理解的是,這里所披露的實施方式僅僅是本實用新型的典型例子而已,其可體現(xiàn)為各種形式。因此,這里披露的具體細節(jié)不被認為是限制性的,而僅僅是作為權(quán)利要求的基礎(chǔ)以及作為用于教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員以實際中任何恰當?shù)姆绞讲煌貞?yīng)用本實用新型的代表性的基礎(chǔ),包括采用這里所披露的各種特征并結(jié)合這里可能沒有明確披露的特征。
[0027]應(yīng)當注意到,在本文中,用于解釋所揭露實施方式的各個部分的結(jié)構(gòu)和動作的方向表示,諸如上、下、左、右等等,并不是絕對的,而是相對的。當所揭露實施方式的各個部分位于圖中所示位置時,這些表示是合適的。如果所揭露實施方式的位置或參照系改變,這些表示也要根據(jù)所揭露實施方式的位置或參照系的改變而發(fā)生改變。
[0028]根據(jù)本實用新型的優(yōu)選實施方式的用于清潔晶片表面的吹氣裝置100如圖1至圖3所示。該吹氣裝置100包括:本體1、隔腔槽2、風口板3、進氣管4、密封條5以及兩個端連接板6。其中,端連接板6適于將整個吹氣裝置100安裝到例如測試設(shè)備或其他支撐臺上。[0029]如圖4所示并結(jié)合圖2,本體I具有底壁10、頂壁12、兩端壁14、一側(cè)(后側(cè))壁16、另一側(cè)(前側(cè))開口 17以及由這些壁所限定并與上述另一側(cè)開口 17連通的腔體18。隔腔槽2呈大致U型并位于腔體18內(nèi)。該隔腔槽2包括支撐于本體I的底壁10上的底板20、平行于一側(cè)壁16的第一隔板22和第二隔板24。第一隔板和第二隔板將腔體18由一側(cè)壁16到另一側(cè)開口 17依次分隔成第一腔180、第二腔182和第三腔184。風口板3在另一側(cè)開口 17處固定至底壁10上。在風口板3和頂壁12之間限定有出氣口 30,該出氣口30適于對準晶片(圖未示)表面出風。進氣管4在本體I的一端處連接于其上并和第一腔180連通。密封條5設(shè)置于底壁10和風口板3之間起密封作用。應(yīng)當理解的是,密封條5可以用其他已知的措施替代,只要能實現(xiàn)風口板3和本體I連接處的密封即可。
[0030]再如圖4所示并結(jié)合圖2,第一隔板22具有沿其縱長方向布置并貫通第一腔180和第二腔182的第一排進氣孔220 ;第二隔板24具有沿其縱長方向布置并貫通第二腔182和第三腔184的第二排進氣孔240。如圖4清晰所示,第一排進氣孔220和第二排進氣孔240在第二腔182的高度方向上錯開。在本實施方式中,第一排進氣孔220位于第一隔板22的上部,第二排進氣孔240位于第二隔板24的下部。第二排進氣孔240與出氣口 30在第三腔184的高度方向上錯開。如圖4所示并參見圖1,出氣口 30為縱長扁平狹縫,在本實施方式中,其寬度可以例如是0-2_。
[0031 ] 在圖5中,D為進氣的氣流方向,因此,第一隔板22在圖5中的左端靠近進氣管4,右端遠離進氣管4。如圖5所示,并結(jié)合圖2和圖4,第一排進氣孔220中靠近進氣管的多個近端進氣孔221的孔徑最大、遠離進氣管的多個遠端進氣孔225的孔徑最小。第一排進氣孔220還包括位于近端進氣孔221和遠端進氣孔225之間的多個次近端進氣孔222和多個次遠端進氣孔224。其中,近端進氣孔221、次近端進氣孔222、次遠端進氣孔224和遠端進氣孔225的孔徑由大到小排列。
[0032]在本實施方式中,經(jīng)由進氣管4進入第一腔180中的氣流經(jīng)過了三次穩(wěn)壓,最后使經(jīng)由出氣口 30吹出的氣流在氣壓、流速上都是均勻的。三次穩(wěn)壓是通過吹氣裝置100內(nèi)部的三個腔和腔與腔中間的進氣孔來完成的。由于經(jīng)由出氣口 30出來的氣體在氣壓、流速是均勻的,吹出的氣體的流態(tài)是層流的,而不是渦流,從而使測試區(qū)域即晶片表面保持著高潔凈度的氣體,從而大大提高了潔凈度。本實施方式中,吹氣裝置成本低廉,結(jié)構(gòu)緊湊,安裝調(diào)試方便。
[0033]盡管上述實施方式中說明的都是吹氣裝置100對準晶片表面,但應(yīng)當理解,吹氣裝置100可以用來對準任何需要通過氣體保持清潔的被測表面。另外,需要說明的是,進氣管4在本體I上的安裝位置可以是對應(yīng)第一腔的本體I的任何位置,盡管在上述實施方式中是安裝在本體的端壁14上。
[0034]本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上,然而可以理解,在本實用新型的創(chuàng)作思想下,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對上述結(jié)構(gòu)和形狀作各種變化和改進,包括這里單獨披露或要求保護的技術(shù)特征的組合,明顯地包括這些特征的其它組合。這些變形和/或組合均落入本實用新型所涉及的【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi),并落入本實用新型權(quán)利要求的保護范圍。需要注意的是,按照慣例,權(quán)利要求中使用單個元件意在包括一個或多個這樣的元件。此外,不應(yīng)該將權(quán)利要求書中的任何參考標記構(gòu)造為限制本實用新型的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于清潔晶片表面的吹氣裝置(100),其特征在于,包括: 本體(I),其具有底壁(10)、頂壁(12)、兩端壁(14)、一側(cè)壁(16)、另一側(cè)開口(17)以及由這些壁所限定并與所述另一側(cè)開口連通的腔體(18); 隔腔槽(2),其呈U型并位于所述腔體內(nèi),所述隔腔槽包括支撐于所述底壁上的底板(20)、平行于所述一側(cè)壁的第一隔板(22)和第二隔板(24),所述第一隔板和第二隔板將所述腔體由所述一側(cè)壁到所述另一側(cè)開口依次分隔成第一腔(180)、第二腔(182)和第三腔(184); 風口板(3),其在所述另一側(cè)開口處固定至所述底壁上,所述風口板和所述頂壁之間限定有出氣口(30),所述出氣口(30)適于對準所述晶片表面出風; 進氣管(4),所述進氣管在所述本體的一端連接于其上并和所述第一腔連通; 密封條(5),其設(shè)置于所述底壁和所述風口板之間, 其中,所述第一隔板具有沿其縱長方向布置并貫通所述第一腔和第二腔的第一排進氣孔(220),所述第二隔板具有沿其縱長方向布置并貫通所述第二腔和第三腔的第二排進氣孔(240),所述第一排進氣孔中靠近所述進氣管的多個近端進氣孔(221)的孔徑最大、遠離所述進氣管的多個遠端進氣孔(225)的孔徑最小。
2.如權(quán)利要求1所述的用于清潔晶片表面的吹氣裝置(100),其特征在于,所述第一排進氣孔(220)還包括位于所述近端進氣孔(221)和所述遠端進氣孔(225)之間的多個次近端進氣孔(222)和多個次遠端進氣孔(224),其中,所述近端進氣孔、所述次近端進氣孔、所述次遠端進氣孔和所述遠端進氣孔的孔徑由大到小排列。
3.如權(quán)利要求1或2所述的用于清潔晶片表面的吹氣裝置(100),其特征在于,所述第一排進氣孔(220)和所述第二排進氣孔(240)在所述第二腔(182)的高度方向上錯開。
4.如權(quán)利要求3所述的用于清潔晶片表面的吹氣裝置(100),其特征在于,所述第一排進氣孔(220)位于所述第一隔板(22)的上部,所述第二排進氣孔(240)位于所述第二隔板(24)的下部。
5.如權(quán)利要求3所述的用于清潔晶片表面的吹氣裝置(100),其特征在于,所述第二排進氣孔(240)與所述出氣口(30)在所述第三腔(184)的高度方向上錯開。
6.如權(quán)利要求1所述的用于清潔晶片表面的吹氣裝置(100),其特征在于,所述出氣口(30)為縱長扁平狹縫。
7.如權(quán)利要求1所述的用于清潔晶片表面的吹氣裝置(100),其特征在于,所述吹氣裝置還包括兩個端連接板(6)。
【文檔編號】B08B5/00GK203508487SQ201320491273
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年8月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月12日
【發(fā)明者】陳寶龍 申請人:睿勵科學儀器(上海)有限公司
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