專利名稱：半導(dǎo)體清潔裝置及半導(dǎo)體清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體清潔裝置及半導(dǎo)體清潔方法，特備涉及用于從半導(dǎo)體裝置除去異物的半導(dǎo)體清潔裝置及半導(dǎo)體清潔方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造中，對作為半導(dǎo)體裝置的集合體的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行多個工序。在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，在各種工序中有時帶入異物，導(dǎo)致在半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生故障。在該情況下，半導(dǎo)體裝置的成品率變差。因此，期待從半導(dǎo)體裝置除去異物。例如在日本特開平11-87457號公報及日本特開2011-99156號公報中，提出了能夠在半導(dǎo)體裝置的制造工序中除去異物的裝置。在上述日本特開平11-87457號公報中記載的裝置中，具有靜電吸附搬送臂和異物除去用的板狀構(gòu)件。靜電吸附搬送臂的與晶片背面接觸的部分的異物通過轉(zhuǎn)印到板狀構(gòu)件而被除去。此外，在上述日本特開2011-99156號公報中記載的裝置中，具有設(shè)置有靜電卡盤的搬送臂。對靜電卡盤的電極施加與附著在搬送臂的異物的電荷的極性相同極性的電壓，對搬送臂噴吹氮?dú)猓纱顺ギ愇?。可是，在上述日本特開平11-87457號公報中記載的裝置中，由于靜電吸附搬送臂的與晶片背面接觸的部分的異物被轉(zhuǎn)印到板狀構(gòu)件，所以不能除去附著在半導(dǎo)體晶片的側(cè)面的異物。此外，在上述日本特開2011-99156號公報中記載的裝置中，由于通過靜電卡盤吸附半導(dǎo)體晶片的背面，所以難以除去附著在半導(dǎo)體晶片的側(cè)面的異物。進(jìn)而由于噴吹氣體來除去異物，所以存在被噴吹的氣體吹散的異物不被除去而再次附著的情況。另一方面，在通過切割等使半導(dǎo)體晶片小片化而制作的各個半導(dǎo)體裝置中，在制造工序后的電特性的評價等的試驗(yàn)工序中，異物的存在也是問題。例如，當(dāng)異物附著在有用于電連接的焊盤的半導(dǎo)體裝置的表面時，有時成為短路及放電的原因。而且，由于這些原因，在半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生故障。此外，在半導(dǎo)體裝置的縱方向、也就是面外方向流過電流的縱型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，不僅是表面?zhèn)?，背面?zhèn)纫沧鳛殡姌O使用，因此當(dāng)異物附著在背面時，半導(dǎo)體裝置與外部電極的緊貼型變差。半導(dǎo)體裝置與外部電極的緊貼型變差，會對接觸電阻造成影響，進(jìn)而影響電特性。此外，由于異物的存在，導(dǎo)致在異物與半導(dǎo)體裝置的接觸部及接觸部附近產(chǎn)生裂隙等的缺陷，由此也存在半導(dǎo)體裝置部分破損的情況。再有，關(guān)于各個半導(dǎo)體裝置的異物，已知有在從半導(dǎo)體晶片向半導(dǎo)體裝置的小片化時從半導(dǎo)體裝置的側(cè)面產(chǎn)生許多半導(dǎo)體晶片材料的碎片、碎屑等，它們變?yōu)楫愇锔街诎雽?dǎo)體裝置的側(cè)面及側(cè)面附近，在此狀態(tài)下被帶入以后的試驗(yàn)工序中。而且，這些異物有時移動到半導(dǎo)體裝置的表面及背面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種半導(dǎo)體清潔裝置及半導(dǎo)體清潔方法，能夠除去附著在半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的異物，并且能夠防止被除去的異物再次附著。本發(fā)明的半導(dǎo)體清潔裝置，用于從半導(dǎo)體裝置除去異物，其中，具備:外部電極，以與半導(dǎo)體裝置的側(cè)面相向的方式配置；基臺，以能夠設(shè)置半導(dǎo)體裝置的方式設(shè)置，并且在設(shè)置有半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)下在半導(dǎo)體裝置的側(cè)面和外部電極之間的位置，具有在半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的下方設(shè)置的開口部；框部，具有絕緣性，并且以與外部電極相接并與半導(dǎo)體裝置的側(cè)面相向的方式配置在基臺上；以及吸氣單元，與基臺的開口部連接，能夠從開口部吸入異物。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體清潔裝置，由于以與半導(dǎo)體裝置的側(cè)面相向的方式配置外部電極，所以外部電極能夠?qū)⒏街诎雽?dǎo)體裝置的側(cè)面的異物從側(cè)面除去。而且，由于吸氣單元能夠從設(shè)置在半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的下方的開口部吸入異物，所以能夠防止從半導(dǎo)體裝置的側(cè)面除去的異物再次附著。本發(fā)明的上述以及其它的目的、特征、方面以及優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)與附圖關(guān)聯(lián)地理解的與本發(fā)明相關(guān)的接下來的詳細(xì)說明，就能夠更清楚了。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體清潔裝置的概略平面圖。圖2是擴(kuò)大表示圖1的Pl部的概略平面圖。圖3是沿著圖2的II1-1II線的概略剖面圖。圖4是沿著圖3的IV-1V線的概略剖面圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例I的概略剖面圖。圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例2的概略剖面圖。圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例3的概略平面圖，是與圖2的P2部對應(yīng)的部分的圖。圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例4的概略平面圖，是與圖2的P3部對應(yīng)的部分的圖。圖9是沿著圖8的IX-1X線的概略剖面圖。圖10是本發(fā)明的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例5的概略剖面圖。圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體清潔裝置的概略剖面圖。圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例的概略剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面，基于附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。(實(shí)施方式I)
首先，針對本發(fā)明的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體清潔裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。參照圖f圖4，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置用于從半導(dǎo)體裝置I除去異物2。在圖廣3中在半導(dǎo)體清潔裝置設(shè)置有半導(dǎo)體裝置I。在圖1中，為了容易觀看而僅圖示由I個半導(dǎo)體裝置I。在圖f 2中，為了方便說明未圖示有吸氣單元。在圖2中，圖示有設(shè)置I個半導(dǎo)體裝置IF的部分。在圖4中，為了容易觀看未圖示有吸氣單元。半導(dǎo)體裝置I例如是由從硅晶片進(jìn)行切割而制作的硅基板構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片。異物2是存在于半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的硅碎片及硅碎屑。半導(dǎo)體清潔裝置主要具有:外部電極11、基臺12、框部13、吸氣單元14?；_12及框部13構(gòu)成半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10。半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10是主要在測定半導(dǎo)體裝置I的電特性時使用的試驗(yàn)夾具。再有，半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10也能夠在半導(dǎo)體裝置I的搬送中使用。也就是說，半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10也能夠在清潔后的半導(dǎo)體裝置I向用于電特性測定的裝置的搬送中使用。此外，半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10具有:第I定位單元3和第2定位單元4。通過第I定位單元3及第2定位單元4，相對于進(jìn)行異物除去的清潔裝置及測定電特性的試驗(yàn)裝置，決定設(shè)置在半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10的半導(dǎo)體裝置I的位置。第I定位單元3以設(shè)置在基臺12的I個角部的斜邊部構(gòu)成。通過第I定位單元3能夠判斷半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10的上下左右方向。第2定位單元4以在基臺12的一邊、和與一邊相向的另一邊設(shè)置的多個孔構(gòu)成。通過第2定位單元4的多個孔與設(shè)置在吸氣單元14的凸部嵌合，從而進(jìn)行半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10的定位。外部電極11以與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia相向的方式配置。半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia是與相向于基臺12的半導(dǎo)體裝置I的底面交叉的面。附著在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的異物2通過摩擦及接觸而帶電。外部電極11構(gòu)成為通過對帶電有正負(fù)的任一方極性的異物2進(jìn)行靜電吸附，從而能夠?qū)⑵鋸陌雽?dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia分離除去。外部電極11可以配置在框部13的內(nèi)部。在該情況下，外部電極11被框部13覆蓋。雖然沒有圖示電布線，但當(dāng)對外部電極11施加例如正電壓時，框部13的表面?zhèn)茸優(yōu)樨?fù)，吸附正帶電的異物2。相反當(dāng)對外部電極11施加負(fù)電壓時，框部13的表面?zhèn)茸優(yōu)檎?，吸附?fù)帶電的異物2?；_12以能夠設(shè)置半導(dǎo)體裝置I的方式設(shè)置?；_12在設(shè)置有半導(dǎo)體裝置I的狀態(tài)下在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia和外部電極11之間的位置，具有在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的下方設(shè)置的開口部12a。開口部12a以貫通基臺12的表面背面的方式而設(shè)置?；_12可以具有導(dǎo)電性。由此，能夠?qū)⒒_12作為電極使用來對縱型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置I進(jìn)行評價?；_12例如以金屬形成，作為具體例可以用板狀的鋁來形成。再有，在僅在表面設(shè)置有電極焊盤的橫型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置I的評價中，不需要基臺12具有導(dǎo)電性。基臺12可以設(shè)置成能夠設(shè)置多個半導(dǎo)體裝置I。在本實(shí)施方式中，作為一個例子，基臺12構(gòu)成為能夠設(shè)置16個半導(dǎo)體裝置I。基臺12可以具有槽部12b。槽部12b在設(shè)置有半導(dǎo)體裝置I的面中以連接于開口部12a的方式設(shè)置在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的下方?；_12具有在設(shè)置有半導(dǎo)體裝置I的面中被槽部12b包圍的設(shè)置部12c。設(shè)置部12c的面積比半導(dǎo)體裝置I的面積小。設(shè)置部12c為了不對半導(dǎo)體裝置I的設(shè)置面造成傷害，優(yōu)選以沒有毛刺及突起的方式經(jīng)過洗凈及研磨工序來確保平坦的面。槽部12b具有以朝向開口部12b而高度變低的方式形成的傾斜結(jié)構(gòu)。該傾斜結(jié)構(gòu)通過凹狀的傾斜面12d而構(gòu)成。再有，第I定位單元3、第2定位單元4、開口部12a、槽部12b可以分別通過對基臺12進(jìn)行機(jī)械加工來制作?？虿?3具有絕緣性?？虿?3以不與相鄰設(shè)置的半導(dǎo)體裝置I相互導(dǎo)通的方式而設(shè)置。此外，框部13以抑制相鄰設(shè)置的其他半導(dǎo)體裝置I的放電的方式而設(shè)置?？虿?3例如以PPS (聚苯硫醚)樹脂等的絕緣性材料形成?？虿?3以與外部電極11相接并與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia相向的方式配置在基臺12上?？虿?3構(gòu)成為凸?fàn)??？虿?3可以具有朝向半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia突出的突起部13a。突起部13a通過與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia接觸,從而防止側(cè)面Ia與框部13面接觸?？虿?3可以以包圍半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的方式設(shè)置?？虿?3可以以個別地包圍多個半導(dǎo)體裝置的每一個的方式設(shè)置成格子狀。在本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10構(gòu)成為能夠設(shè)置16個半導(dǎo)體裝置1，但并不局限于此，也可以根據(jù)試驗(yàn)裝置的大小及半導(dǎo)體裝置的大小來增減設(shè)置的半導(dǎo)體裝置I的數(shù)量。吸氣單元14連接于基臺12的開口部12a，設(shè)置成能夠從開口部12a吸入異物2。吸氣單元14可以具有旋轉(zhuǎn)風(fēng)扇。吸氣單元14可以具有:主體部14a、吸氣管14b、除異物過濾器14c、吸氣部14d、排氣口 He。在主體部14a中形成有吸氣管14b，吸氣管14b連接于開口部12a。吸氣管14b經(jīng)由除異物過濾器14c連接于吸氣部14d。在吸氣部14d形成有排氣口 He。吸氣部14d例如可以是旋轉(zhuǎn)風(fēng)扇。吸氣單元14構(gòu)成為通過吸氣部14d經(jīng)由吸氣管14b從開口部12a吸入空氣，從而從開口部12a吸入異物2。從開口部12a吸入的異物2以除異物過濾器14c而被除去。從排氣口 14e排出吸入的空氣(air)。吸附在框部13的異物2經(jīng)由開口部12a從半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10的背面排出。通過從背面排出異物2，從而在設(shè)置部12c設(shè)置有半導(dǎo)體裝置I的狀態(tài)下也防止異物2的再次附著。因此，不用增加移動半導(dǎo)體裝置I的工序就能有效率地除去異物2。接著，對使用本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的半導(dǎo)體清潔方法進(jìn)行說明。首先，在半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10的基臺12設(shè)置半導(dǎo)體裝置I。更具體地，以半導(dǎo)體裝置I的設(shè)置面與基臺12的設(shè)置部12c相接的方式設(shè)置半導(dǎo)體裝置I。這時，在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia及側(cè)面Ia附近附著的異物2的一部分落下到設(shè)置在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的下方的開口部12a或槽部12b。也就是說，通過在設(shè)置時產(chǎn)生的振動及沖擊等，在側(cè)面Ia及側(cè)面Ia附近附著的異物2落下到設(shè)置在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的下方的開口部12a或槽部 12b。接著，在設(shè)置有半導(dǎo)體裝置I的狀態(tài)下對外部電極11例如施加正的電壓。通過外部電極11的靜電吸附，由于摩擦及接觸等而正帶電的異物2被吸附到覆蓋外部電極11的框部13。再有，對外部電極11施加正負(fù)的任一種電壓即可，也可以施加負(fù)的電壓。接著，通過吸氣單元14以從開口部12a吸入附著在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的異物2的方式開始吸氣。在開始了吸氣的狀態(tài)下對外部電極11施加相反電壓(負(fù)電壓)。這時，正帶電的異物2通過吸氣單元14被從開口部12a吸出，并且通過外部電極11的靜電吸附，由于摩擦及接觸而負(fù)帶電的異物2被吸附到覆蓋外部電極11的框部13。接著，在繼續(xù)吸氣的狀態(tài)下對外部電極11進(jìn)一步施加相反電壓(正電壓)。這時，負(fù)帶電的異物2通過吸氣單元14從開口部12a被吸入。由此，從半導(dǎo)體裝置I除去異物2。之后，當(dāng)吸氣單元14的吸氣結(jié)束時，結(jié)束異物2的除去。接著，針對本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例進(jìn)行說明。參照圖5，如本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例I那樣，吸氣單元14也可以具有真空排氣裝置。真空排氣單元例如是真空泵。在本變形例I中，通過基臺12及框部13而被隔開并被包圍的、設(shè)置半導(dǎo)體裝置I的空間SP是被蓋部20覆蓋的封閉區(qū)域。通過對該空間SP進(jìn)行真空排氣，從而從開口部12a吸入異物2。參照圖6，如本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例2那樣，蓋部20也可以具有與空間SP連通的多個貫通孔21。在本變形例2中，通過以蓋部20覆蓋框部13上，從而限制吸氣時的空氣流，有效地除去異物2。更具體地，例如在相對于開口部12a在圖中Z方向不相向的位置(不重疊的位置)設(shè)置有貫通孔21。以沿著傾斜面12d的方式限制空氣流，有效地將落下到槽部12b的異物2排出。因此有效地從開口部12a除去異物2。參照圖7，如本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例3那樣，突起部13a的與半導(dǎo)體裝置I的相向面也可以形成為圓弧狀的曲面。由此，在本變形例3中，能夠緩和突起部13a與半導(dǎo)體裝置I的接觸時的沖擊。參照圖8及圖9，如本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例5那樣，突起部13a的頂端也可以形成為針狀。突起部13a具有剖面形狀為銳角的突起。也可以形成有多個突起部13a。通過頂端形成為針狀的突起部(針狀突起部)13a，從而與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的距離縮小。此外，電荷集中在剖面是銳角的頂端部，由此吸附帶電的異物2的力增加。此外，外部電極11也可以具有多個外部電極構(gòu)件I la、I Ib。外部電極構(gòu)件I la、I Ib以能夠施加互不相同的正負(fù)的電壓的方式而設(shè)置。由于多個外部電極構(gòu)件IlaUlb與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia相向，所以通過在相鄰的外部電極構(gòu)件IlaUlb彼此施加不同的符號的電壓，從而能夠以I次電壓施加工序吸附帶電為正負(fù)兩符號的異物2。此外，如圖9所示，框部13也可以以沿著槽部12的傾斜結(jié)構(gòu)而高度變化的方式而形成。通過框部13的高度沿著槽部12b的傾斜結(jié)構(gòu)的傾斜面12d而變化，從而以沿著突起部13a的方式限制空氣流，有效地將落下到槽部12b的異物2排出。此外，從開口部12a離開的針狀突起部13a相對于圖中Z軸方向傾斜設(shè)置也可。由此，能夠以沿著突起部13a的方式有效地限制空氣流。再有，針對剖面是銳角的突起部13a構(gòu)成為在圖中Z軸方向連續(xù)的情況進(jìn)行了說明，但并不局限于此，多個個別的突起部13a也可以構(gòu)成為在圖中Z軸方向連續(xù)。參照圖10，如本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例5那樣，外部電極11也可以配置在基臺12的內(nèi)部。在該情況下，由于外部電極11配置在基臺12的內(nèi)部，所以外部電極11的設(shè)置容易。接著，針對本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于以與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia相向的方式配置外部電極11，所以外部電極11能夠?qū)⒏街诎雽?dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的異物2從側(cè)面Ia除去。而且，由于吸氣單元14能夠從設(shè)置在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的下方的開口部12a吸入異物2，所以能夠防止從半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia除去的異物2再次附著。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于基臺12具有導(dǎo)電性，所以由此能夠評價將基臺12作為電極使用的縱型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置I。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于框部具有朝向半導(dǎo)體裝置的側(cè)面突出的突起部，所以通過突起部13a與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia接觸，從而能夠防止側(cè)面Ia與框部13面接觸。在面接觸的情況下，由于異物2被半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia和框部13的面夾持，所以難以從半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia分離異物2。因此難以除去異物2。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置中，由于能夠防止側(cè)面Ia與框部13面接觸，所以能夠容易地除去異物2。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于突起部13a的頂端形成為針狀，所以電荷集中在頂端，由此能夠增加吸附帶電的異物2的力。因此，能夠更有效地除去異物2。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于框部13以包圍半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的方式而設(shè)置，所以能夠可靠地使相鄰設(shè)置的半導(dǎo)體裝置I相互不導(dǎo)通，此外能夠抑制相鄰設(shè)置的其他的半導(dǎo)體裝置I的放電。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于基臺12以能夠設(shè)置多個半導(dǎo)體裝置I的方式設(shè)置，框部13以個別地包圍多個半導(dǎo)體裝置I的每一個的方式設(shè)置成格子狀，所以能夠I次清潔多個半導(dǎo)體裝置I。因此能夠使半導(dǎo)體裝置I的清潔高效率化。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于外部電極11配置在框部13的內(nèi)部，所以能夠使半導(dǎo)體清潔裝置小型化。此外，通過使外部電極11與半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia接近，從而能夠使吸附異物2的力增加。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于外部電極11配置在基臺12的內(nèi)部，外部電極11的設(shè)置容易，所以能夠容易地制造半導(dǎo)體清潔裝置。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于外部電極構(gòu)件IlaUlb設(shè)置成能夠施加互不相同的正負(fù)的電壓，所以即使帶電的異物2的符號不同，也能夠以I次電壓施加工序?qū)щ娪姓?fù)的兩符號的異物2進(jìn)行吸附。在外部電極11為I個的情況下，為了施加正負(fù)的電壓，需要2次電壓施加工序。相對于此，根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，通過多個外部電極構(gòu)件IlaUlb能夠以I次電壓施加工序施加正負(fù)的電壓，所以與外部電極11為I個的情況相比僅是其一半，所以能夠?qū)崿F(xiàn)工序的簡略化。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于基臺12具有以與開口部12a連結(jié)的方式設(shè)置在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的下方的槽部12b，所以能夠?qū)陌雽?dǎo)體裝置I的側(cè)面la、其附近產(chǎn)生的異物2收容在槽部12b內(nèi)。由此，能夠抑制對電特性造成影響的異物2移動到設(shè)置部12c及半導(dǎo)體裝置I的表面背面。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于設(shè)置部12c的面積比半導(dǎo)體裝置I的面積小，所以能夠抑制異物2附著在設(shè)置部12c。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于槽部12b具有以朝向開口部12a而高度變低的方式形成的傾斜結(jié)構(gòu)，所以能夠容易地將異物2拉入開口部12a。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于框部13形成為沿著槽部12b的傾斜結(jié)構(gòu)而高度變化，所以以沿著突起部13a的方式限制空氣流，能夠有效地將落下到槽部12b的異物2排出。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于具有以覆蓋由基臺12及框部13包圍的空間SP的方式設(shè)置的蓋部20，所以能夠有效地從開口部12a吸入異物2。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于蓋部20具有與空間SP連通的多個貫通孔21，所以吸氣時的空氣流被限制，能夠有效地除去異物2。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于吸氣單元14包含旋轉(zhuǎn)風(fēng)扇，所以能夠使用旋轉(zhuǎn)風(fēng)扇吸入異物2。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于吸氣單元14包含真空排氣裝置，所以能夠使用真空排氣裝置吸入異物2。(實(shí)施方式2)
本發(fā)明的實(shí)施方式2與實(shí)施方式I相比主要不同之處在于具備除電單元。參照圖11，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置具有用于對附著在半導(dǎo)體裝置I的異物2進(jìn)行除電的除電單元。除電單元可以具有離子發(fā)生器23。離子發(fā)生器(ionizer)23設(shè)置在蓋部20的上表面。離子發(fā)生器23構(gòu)成為通過設(shè)置在蓋部20的貫通孔21對框部13附近供給負(fù)和正的離子，由此能夠?qū)щ姷漠愇?進(jìn)行除電。被除電了的異物2容易從框部13分離，因此如果預(yù)先開始吸氣的話，分離的異物2容易被吸入開口部12a。再有，離子發(fā)生器23有直流式和交流式，交流式能夠交替地生成正的離子和負(fù)的離子，直流式能夠從專用的電極生成決定的符號的離子。如果使用直流式的離子發(fā)生器23，如圖11所示那樣使外部電極11與貫通孔21位置對應(yīng)，供給與吸附的異物2的符號對應(yīng)的決定的符號的離子的話，能夠更有效地進(jìn)行除電。由此縮短除電時間。接著，對使用本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的半導(dǎo)體清潔方法進(jìn)行說明。首先，在半導(dǎo)體試驗(yàn)夾具10的基臺12設(shè)置半導(dǎo)體裝置I。這時，在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia及側(cè)面Ia附近附著的異物2的一部分落下到設(shè)置在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的下方的開口部12a或槽部12b。接著，在設(shè)置有半導(dǎo)體裝置I的狀態(tài)下對多個外部電極11分別施加正負(fù)的電壓。通過多個外部電極11的靜電吸附，由于摩擦及接觸等而正負(fù)帶電的異物2分別被吸附到覆蓋外部電極11的框部13。接著，通過吸氣單元14以從開口部12a吸入附著在半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面Ia的異物2的方式開始吸氣。而且，開動離子發(fā)生器23，供給離子。由此，被除電了的異物2從框部13分離。從框部13分離的異物2通過吸氣單元14從開口部12a被吸入。由此，從半導(dǎo)體裝置I除去異物2。之后，當(dāng)吸氣單元14的吸氣結(jié)束時，結(jié)束異物2的除去。再有，在上面針對作為除電單元使用離子發(fā)生器23的情況進(jìn)行了說明，但并不局限于此，作為除電單元，也可以設(shè)置加濕單元或加熱單元，進(jìn)而也可以設(shè)置多個除電單元。由此能夠進(jìn)一步提聞除電的效果。參照圖12，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置的變形例中，作為除電單元設(shè)置有加濕單元24及加熱單元25。加濕單元24例如是加濕器。加熱單元25例如是加熱器。再有，本實(shí)施方式的除此之外的結(jié)構(gòu)及清潔方法與上述的實(shí)施方式I相同，所以對同一要素賦予同一符號，不重復(fù)其說明。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于具有用于對附著在半導(dǎo)體裝置I的異物2進(jìn)行除電的除電單元，所以即使帶電的異物2的電荷的符號不同，通過進(jìn)行除電也能夠容易地從開口部12a除去異物2。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于除電單元包含離子發(fā)生器23，所以使用離子發(fā)生器23能夠?qū)Ξ愇?進(jìn)行除電。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于除電單元包含加濕單元24，所以使用加濕單元24能夠?qū)Ξ愇?進(jìn)行除電。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體清潔裝置，由于除電單元包含加熱單元25，所以使用加熱單元25能夠?qū)Ξ愇?進(jìn)行除電。
上述各實(shí)施方式能夠適宜地組合。雖然詳細(xì)地說明了本發(fā)明，但這僅是例示，并不是限定，很明顯，可以理解發(fā)明的范圍是通過附加的請求的范圍而解釋的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體清潔裝置，用于從半導(dǎo)體裝置除去異物，其中，具備: 外部電極，以與所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面相向的方式配置； 基臺，以能夠設(shè)置所述半導(dǎo)體裝置的方式設(shè)置，并且在設(shè)置有所述半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)下在所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面和所述外部電極之間的位置，具有在所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的下方設(shè)置的開口部； 框部，具有絕緣性，并且以與所述外部電極相接并與所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面相向的方式配置在所述基臺上；以及 吸氣單元，與所述基臺的所述開口部連接，能夠從所述開口部吸入所述異物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述基臺具有導(dǎo)電性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述框部包含朝向所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面突出的突起部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的 半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述突起部的頂端形成為針狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述框部以包圍所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的方式設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中， 所述基臺設(shè)置成能夠設(shè)置包含所述半導(dǎo)體裝置的多個半導(dǎo)體裝置， 所述框部以個別地包圍所述多個半導(dǎo)體裝置的每一個的方式設(shè)置成格子狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述外部電極配置在所述框部的內(nèi)部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述外部電極配置在所述基臺的內(nèi)部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中， 所述外部電極包含多個外部電極構(gòu)件， 所述外部電極構(gòu)件以能夠施加互不相同的正負(fù)的電壓的方式而設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述基臺包含:槽部，以在設(shè)置有所述半導(dǎo)體裝置的面中與所述開口部連結(jié)的方式設(shè)置在所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的下方。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中， 所述基臺包含:設(shè)置部，在設(shè)置有所述半導(dǎo)體裝置的面中被所述槽部包圍， 所述設(shè)置部的面積比所述半導(dǎo)體裝置的面積小。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述槽部具有以朝向所述開口部而高度變低的方式形成的傾斜結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述框部以沿著所述槽部的所述傾斜結(jié)構(gòu)而高度變化的方式形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，還具備:蓋部，以覆蓋由所述基臺及所述框部而包圍的空間的方式而設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述蓋部具有與所述空間連通的多個貫通孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述吸氣單元包含旋轉(zhuǎn)風(fēng)扇。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述吸氣單元包含真空排氣裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，還具備:除電單元，用于對附著在所述半導(dǎo)體裝置的所述異物進(jìn)行除電。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述除電單元包含離子發(fā)生器。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述除電單元包含加濕單元。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體清潔裝置，其中，所述除電單元包含加熱單元。
22.—種半導(dǎo)體清潔方法，其中，具備: 在權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體清潔裝置設(shè)置所述半導(dǎo)體裝置的工序；以及通過在設(shè)置有所述半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)下所述吸氣單元對附著在所述半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的異物進(jìn)行吸入，從而從所述半導(dǎo)體`裝置除去所述異物的工序。
全文摘要
半導(dǎo)體清潔裝置具備外部電極(11)，以與半導(dǎo)體裝置(1)的側(cè)面(1a)相向的方式配置；基臺(12)，以能夠設(shè)置半導(dǎo)體裝置(1)的方式設(shè)置，并且在設(shè)置有半導(dǎo)體裝置(1)的狀態(tài)下在半導(dǎo)體裝置(1)的側(cè)面(1a)和外部電極(11)之間的位置，具有在半導(dǎo)體裝置(1)的側(cè)面(1a)的下方設(shè)置的開口部(12a)；框部(13)，具有絕緣性，并且以與外部電極(11)相接并與半導(dǎo)體裝置(1)的側(cè)面(1a)相向的方式配置在基臺(12)上；以及吸氣單元(14)，與基臺(12)的開口部(12a)連接，能夠從開口部(12a)吸入異物(2)。由此，能夠獲得可除去附著在半導(dǎo)體裝置的側(cè)面的異物，并且能夠防止被除去的異物再次附著的半導(dǎo)體清潔裝置及半導(dǎo)體清潔方法。
文檔編號B08B6/00GK103157625SQ20121048579
公開日2013年6月19日 申請日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者岡田章, 野口貴也, 秋山肇 申請人:三菱電機(jī)株式會社