專利名稱：一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍的制作方法
一種新型的具有 排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍。噴槍內(nèi)壁面與外壁面之間為排氣狹縫，等離子體中的自由基與被清洗物體表面的有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)后，產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物可以及時(shí)通過(guò)排氣口排走，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積。
背景技術(shù)：
微電子工業(yè)中，硅片清洗的好壞對(duì)器件性能有嚴(yán)重的影響，因此清洗工藝在集成電路制造過(guò)程中占十分重要的環(huán)節(jié)。濕法清洗是傳統(tǒng)的清洗方法，但存在許多缺點(diǎn)，例如不能精確控制、清洗不徹底、需對(duì)廢液進(jìn)行處理等，目前的干法清洗方法，使用的是真空系統(tǒng)，這就使得設(shè)備成本高昂，操作繁瑣，并且等離子體對(duì)硅片表面直接進(jìn)行清洗時(shí)，易對(duì)刻蝕線條造成很大的損傷。同樣，一般常壓下的等離子體噴槍沒(méi)有排氣功能，反應(yīng)產(chǎn)物堆積到被清洗物體表面，影響了反應(yīng)速率。本發(fā)明介紹了一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍。噴槍由內(nèi)壁面和外壁面兩層組成，內(nèi)壁面和外壁面之間為排氣狹縫，常壓下，等離子體中的自由基與被清洗物體表面有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物可以及時(shí)通過(guò)排氣口排走，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積，降低了反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)放電的影響。

發(fā)明內(nèi)容一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，包括射頻電極、接地電極、射頻電源以及排氣風(fēng)扇。其特征在于噴槍由內(nèi)壁面和外壁面兩層組成，射頻電極和接地電極在內(nèi)壁面內(nèi)，射頻電極被介質(zhì)阻擋層包裹，常壓下，射頻電極與接地電極的間隙之間發(fā)生放電，產(chǎn)生等離子體，等離子體中的自由基在氣流的攜帶下從噴口噴射出來(lái)，與被清洗物體表面有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物可以及時(shí)通過(guò)排氣口排走，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積以及降低了反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)放電的影響，提高了處理速率，并且環(huán)保。所述的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，其特征在于噴槍內(nèi)壁面和外壁面之間為一圈狹縫，狹縫與噴槍上端的排氣風(fēng)扇相通，反應(yīng)產(chǎn)物通過(guò)風(fēng)扇從排氣管道排出。所述的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，其特征在于接地電極與內(nèi)壁面連接，內(nèi)壁面與外壁面均保持接地。所述的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，其特征在于采用射頻放電產(chǎn)生等離子體，放電工作氣體為氬氧混合氣體，放電產(chǎn)生的自由基束流由噴口噴出。本發(fā)明一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，工作在常壓下，采用射頻電源激發(fā)放電，產(chǎn)生等離子體，等離子體中的自由基與被清洗物體表面有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物可以及時(shí)通過(guò)排氣口排走，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積，降低了反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)放電的影響。本發(fā)明主要用途為清洗硅片表面上的光刻膠和有機(jī)污染物，也可用于其它襯底表面的有機(jī)物清洗。

圖I為本發(fā)明一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍。圖2和圖3為本發(fā)明一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍三維示意圖。請(qǐng)參閱圖1，該具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，包括射頻電極106、接地電極107、射頻電源103、外殼體102、內(nèi)殼體104、供氣源111、流量計(jì)112以及供 氣管路113組成。射頻電極106由介質(zhì)阻擋層105包覆，接地電極107與內(nèi)殼體104連接并保持接地，外殼體保持接地。噴槍排氣孔101與排氣管道連接，排氣孔內(nèi)裝有風(fēng)扇，外殼體102與內(nèi)殼體104之間為排氣狹縫，供氣源111提供氬氣和氧氣，氣體經(jīng)過(guò)流量計(jì)112時(shí)按一定比例形成混合氣體，混合氣體經(jīng)供氣導(dǎo)管113后，均勻進(jìn)入接地電極107和射頻電極106之間的間隙，當(dāng)射頻電極104與射頻電源103接通后，間隙內(nèi)會(huì)產(chǎn)生等離子體110，等離子體中的自由基在氣流攜帶下從噴口噴射出來(lái)，與被清洗表面有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，生成反應(yīng)產(chǎn)物108，反應(yīng)產(chǎn)物在排氣風(fēng)扇的作用下經(jīng)過(guò)外殼體102和內(nèi)殼體104之間的間隙進(jìn)入排氣孔，反應(yīng)產(chǎn)物的及時(shí)排走，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積，降低了反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)放電的影響。請(qǐng)參閱圖2，該具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，被介質(zhì)阻擋層包裹的射頻電極105與內(nèi)殼體104之間通過(guò)絕緣塊201隔離，內(nèi)殼體104與外殼體102之間為排氣狹縫，等離子體中的自由基在氣流的攜帶下從接地電極107與射頻電極105之間噴出后，與被清洗物體表面反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)過(guò)狹縫被及時(shí)吸走。請(qǐng)參閱圖3，該具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，噴槍上端為三個(gè)排氣孔101，排氣孔與排氣狹縫連接，三個(gè)排氣孔內(nèi)分別置有一個(gè)風(fēng)扇301，工作氣體經(jīng)過(guò)進(jìn)氣孔302進(jìn)入噴槍，反應(yīng)產(chǎn)物在排氣風(fēng)扇301的作用下，從排氣口 101排出，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積，并且環(huán)保。上面參考附圖結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，然而，需要說(shuō)明的是，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)上述實(shí)施做出許多改變和修改，這些改變和修改都落在本發(fā)明的權(quán)利要求限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，本發(fā)明是一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，包括射頻電極、接地電極、射頻電源以及排氣風(fēng)扇。其特征在于噴槍由內(nèi)壁面和外壁面兩層組成，射頻電極和接地電極在內(nèi)壁面內(nèi)，射頻電極被介質(zhì)阻擋層包裹，常壓下，射頻電極與接地電極的間隙之間發(fā)生放電，產(chǎn)生等離子體，等離子體中的自由基在氣流的攜帶下從噴口噴射出來(lái)，與被清洗物體表面有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物可以及時(shí)通過(guò)排氣口排走，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積以及降低了反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)放電的影響，提高了處理速率，并且環(huán)保。
2.如權(quán)利I所述的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，其特征在于噴槍內(nèi)壁面和外壁面之間為一圈狹縫，狹縫與噴槍上端的排氣風(fēng)扇相通，反應(yīng)產(chǎn)物通過(guò)風(fēng)扇從排氣管道排出。
3.如權(quán)利I所述的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，其特征在于接地電極與內(nèi)壁面連接，內(nèi)壁面與外壁面均保持接地。
4.如權(quán)利I所述的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，其特征在于采用射頻放電產(chǎn)生等離子體，放電工作氣體為氬氧混合氣體，放電產(chǎn)生的自由基束流由噴口噴出。
全文摘要
一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，本發(fā)明是一種新型的具有排氣功能的常壓等離子體自由基清洗噴槍，包括射頻電極、接地電極、射頻電源以及排氣風(fēng)扇。其特征在于噴槍由內(nèi)壁面和外壁面兩層組成，射頻電極和接地電極在內(nèi)壁面內(nèi)，射頻電極被介質(zhì)阻擋層包裹，常壓下，射頻電極與接地電極的間隙之間發(fā)生放電，產(chǎn)生等離子體，等離子體中的自由基在氣流的攜帶下從噴口噴射出來(lái)，與被清洗物體表面有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物可以及時(shí)通過(guò)排氣口排走，防止了反應(yīng)產(chǎn)物的堆積以及降低了反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)放電的影響，提高了處理速率，并且環(huán)保。
文檔編號(hào)B08B15/04GK102921676SQ20111022826
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者王守國(guó), 賈少霞, 趙玲利 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所