專利名稱：半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔及半導(dǎo)體硅片的清洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔及半導(dǎo)體硅片的清洗工藝。
背景技術(shù)：
伴隨集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的體積正變得越來(lái)越小，這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能，所以，硅片清洗工藝也變得越來(lái)越重要。目前業(yè)界廣泛采用的清洗方法是濕法清洗，即采用各種藥液和純水來(lái)清洗硅片。 當(dāng)藥液和硅片接觸時(shí)，在硅片表面存在著一層非常薄的水膜，由于分子間引力的作用，這一層水膜相對(duì)于硅片是靜止不動(dòng)的，也被稱為邊界層。邊界層的存在，嚴(yán)重影響了硅片的清洗效果。對(duì)于那些直徑小于邊界層厚度的顆粒，只能依靠顆粒自身慢慢地?cái)U(kuò)散通過(guò)邊界層，進(jìn)入水流中，然后被水流帶離硅片表面，這些顆粒很難在清洗過(guò)程中被去除。邊界層厚度取決于液體的粘度，液體和硅片表面的相對(duì)速度等。減小邊界層厚度已經(jīng)成為提高清洗效率的一個(gè)重要挑戰(zhàn)。因此，很多技術(shù)，包括單片式清洗、超聲波輔助清洗等等，都被應(yīng)用于硅片清洗工藝。同時(shí)，由于受到越來(lái)越嚴(yán)格的成本控制和環(huán)境保護(hù)方面的壓力，對(duì)于清洗工藝的要求就是盡可能減少水和各種化學(xué)品的消耗，并且減少占地面積。然而，在設(shè)備的運(yùn)作過(guò)程中，當(dāng)外部機(jī)械臂從工藝腔中放置和取出硅片時(shí)，工藝腔是不能工作的，需要等到硅片搬送完之后才能開(kāi)始清洗，大大降低了設(shè)備利用率，而對(duì)于能同時(shí)清洗多枚硅片的工藝腔的設(shè)備利用率更低。因此，在外部機(jī)械臂從工藝腔中放置和取出硅片的同時(shí)，還可以完成其他硅片的清洗工作，是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔及半導(dǎo)體硅片的清洗工藝， 可以在外部機(jī)械臂從工藝腔中放置和取出硅片的同時(shí)，完成其他硅片的清洗工作。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，所述清洗工藝腔內(nèi)部具有可旋轉(zhuǎn)的多面柱體，每個(gè)柱面上設(shè)置有蓋板，所述蓋板上具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)口，每個(gè)柱面上固定有旋轉(zhuǎn)元件，所述旋轉(zhuǎn)元件上設(shè)置有硅片，所述旋轉(zhuǎn)元件能夠旋轉(zhuǎn)至所述蓋板蓋住所述硅片的位置。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，當(dāng)所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)至所述蓋板蓋住所述硅片，并且所述蓋板與所述硅片平行時(shí)，所述蓋板與所述硅片之間具有0. 5毫米至3毫米的距離。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述進(jìn)口為液體進(jìn)口，所述液體進(jìn)口連接有液體管路，通過(guò)所述液體進(jìn)口的清洗液的壓力為5至50磅/平方英寸。 優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述蓋板上還具有一個(gè)或多個(gè)氣體進(jìn)口，所述氣體
4進(jìn)口連接有氣體管路。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述旋轉(zhuǎn)元件上設(shè)置有硅片支架用于固定所述硅片。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述硅片支架的內(nèi)部分布有真空管路。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述柱面的數(shù)量為4個(gè)至12個(gè)。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述蓋板上設(shè)置有超聲波振蕩器，所述超聲波振蕩器的數(shù)量為對(duì)應(yīng)每個(gè)硅片設(shè)置1個(gè)至4個(gè)，每個(gè)超聲波振蕩器的功率為到達(dá)硅片表面0. 5 至5瓦特每平方厘米，工作頻率為0. 2至3兆赫茲。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述蓋板的材質(zhì)為陶瓷，直徑為10至40英寸，厚度為1至20毫米。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述旋轉(zhuǎn)元件為機(jī)械臂。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，所述蓋板的邊緣向下彎曲，形成導(dǎo)流護(hù)罩。優(yōu)選地，在所述清洗工藝腔中，在相鄰的兩個(gè)所述柱面之間設(shè)置有隔板。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，所述清洗工藝包括可旋轉(zhuǎn)的多面柱體的一個(gè)柱面正對(duì)工藝腔門(mén)，將待清洗的硅片放置在與所述柱面固定的旋轉(zhuǎn)元件上；將所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)至與蓋板平行，所述蓋板蓋住所述待清洗的硅片；使清洗液通過(guò)所述蓋板上的進(jìn)口流到所述待清洗的硅片表面進(jìn)行清洗；多面柱體旋轉(zhuǎn)使其他柱面依次正對(duì)工藝腔門(mén)，在所述其他柱面正對(duì)工藝腔門(mén)時(shí)，重復(fù)上述步驟；當(dāng)所述待清洗的硅片清洗完畢，且清洗完畢的硅片所對(duì)應(yīng)的柱面再次正對(duì)所述工藝腔門(mén)時(shí)，所述多面柱體停止旋轉(zhuǎn)，將所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)，使所述清洗完畢的硅片遠(yuǎn)離所述蓋板，取出所述清洗完畢的硅片。優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝中，通過(guò)外部機(jī)械臂將所述待清洗的硅片放置在所述旋轉(zhuǎn)元件上以及取出所述清洗完畢的硅片。優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝中，所述旋轉(zhuǎn)元件上設(shè)置有硅片支架，將所述硅片固定在所述硅片支架上。優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝中，所述蓋板上還具有一個(gè)或多個(gè)氣體進(jìn)口，所述氣體進(jìn)口連接有氣體管路，將氣體通過(guò)氣體進(jìn)口噴到硅片表面，使其快速干燥。優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝中，所述氣體為高純氮?dú)饣虍惐颊羝?。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔內(nèi)具有可旋轉(zhuǎn)的多面柱體，當(dāng)多面柱體的某一柱面旋轉(zhuǎn)到正對(duì)工藝腔門(mén)時(shí)，在與柱面固定的旋轉(zhuǎn)元件上放置硅片， 之后對(duì)硅片進(jìn)行清洗，此時(shí)多面柱體旋轉(zhuǎn)，使下一個(gè)柱面正對(duì)工藝腔門(mén)，通過(guò)工藝腔門(mén)將硅片放置入與該柱面對(duì)應(yīng)的位置，在上一個(gè)柱面對(duì)應(yīng)的硅片進(jìn)行清洗的同時(shí)，不影響在下一個(gè)柱面對(duì)應(yīng)的位置上放置硅片。在柱面再次經(jīng)過(guò)工藝腔門(mén)時(shí)，硅片清洗完畢，可以將清洗完畢的硅片取出，利用本發(fā)明提供的清洗工藝腔，能夠在外部機(jī)械臂從工藝腔中放置和取出硅片的同時(shí)，進(jìn)行其他硅片的清洗工作，大大提高了設(shè)備利用率，節(jié)省了清洗硅片的時(shí)間。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，可旋轉(zhuǎn)的多面柱體對(duì)應(yīng)每個(gè)柱面依次放置硅片，在放置硅片的同時(shí)，不影響其他柱面上放置的對(duì)應(yīng)硅片的清洗；柱面上對(duì)應(yīng)的硅片清洗完畢后，在取出硅片的同時(shí)，也不影響其他柱面對(duì)應(yīng)硅片的清洗，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，大大縮短了對(duì)多片硅片進(jìn)行清洗的時(shí)間。


圖1所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝步驟流程圖；圖3a為本發(fā)明的實(shí)施例提供的旋轉(zhuǎn)元件放下?tīng)顟B(tài)時(shí)的單個(gè)柱面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖北為本發(fā)明的實(shí)施例提供的旋轉(zhuǎn)元件升起狀態(tài)時(shí)的單個(gè)柱面的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔及半導(dǎo)體硅片的清洗工藝作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。請(qǐng)參考圖1，圖1所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔俯視結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，所述工藝腔內(nèi)部具有可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11，每個(gè)柱面上設(shè)置有蓋板12，所述蓋板12上具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)口，每個(gè)柱面上固定有旋轉(zhuǎn)元件13，所述旋轉(zhuǎn)元件13上設(shè)置有硅片14，所述旋轉(zhuǎn)元件13能夠旋轉(zhuǎn)至所述蓋板12 蓋住所述硅片14的位置。進(jìn)一步地，當(dāng)所述旋轉(zhuǎn)元件13旋轉(zhuǎn)至所述蓋板12蓋住所述硅片14，并且所述蓋板 12與所述硅片14平行時(shí)，所述蓋板12與所述硅片14之間具有0. 5毫米至3毫米的距離。 在本實(shí)施例中，硅片14表面與蓋板12之間的間距為2毫米。所述蓋板12與硅片14之間所具有的極小的距離，使在整個(gè)清洗過(guò)程中硅片14表面都被封閉在一個(gè)極小的空間中，有效地防止工藝腔中的懸浮顆粒及水珠再次沾染到硅片14表面，同時(shí)還可以有效減少清洗液消耗。具體地，所述進(jìn)口為液體進(jìn)口，所述液體進(jìn)口連接有液體管路15，通過(guò)所述液體進(jìn)口的清洗液的壓力為5至50磅/平方英寸。在本實(shí)施例中，清洗液的壓力值為50磅/平方英寸。液體管路15提供清洗液，使清洗液通過(guò)所述液體進(jìn)口噴灑到待清洗的硅片14表面， 調(diào)節(jié)通過(guò)液體進(jìn)口的清洗液的壓力，可以使清洗液在硅片14表面形成非常高的速度，從而減小邊界層厚度，提高清洗效果。在本實(shí)施例中，所述每個(gè)蓋板12上還具有一個(gè)或多個(gè)氣體進(jìn)口，所述氣體進(jìn)口連接有氣體管路(圖中未示出)，氣體管路提供高純氮?dú)饣蛘弋惐颊羝?，使其通過(guò)氣體進(jìn)口噴灑到已經(jīng)清洗完畢的硅片14表面，提供的高純氮?dú)饣蛘弋惐颊羝軌驇椭杵?4快速干燥。優(yōu)選地，所述旋轉(zhuǎn)元件13上設(shè)置有硅片支架16用于固定所述硅片14。所述硅片支架16的內(nèi)部分布有真空管路(未圖示)，所述真空管路能提供真空環(huán)境，利用真空產(chǎn)生的吸附力固定硅片支架16上的硅片14，這種固定硅片14的方法既不損傷硅片14，又不占用空間。優(yōu)選地，所述蓋板12上設(shè)置有超聲波振蕩器17，所述超聲波振蕩器17的數(shù)量為對(duì)應(yīng)每個(gè)硅片14設(shè)置一個(gè)至四個(gè)，在本實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)每個(gè)硅片14有一個(gè)超聲波振蕩器17， 每個(gè)超聲波振蕩器17的功率為到達(dá)硅片14表面0. 5至5瓦特每平方厘米，工作頻率為0. 2 至3兆赫茲。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，所述工藝腔內(nèi)不僅僅局限于設(shè)置有超聲波振蕩器17，還可以是其他可以產(chǎn)生超聲波的儀器。進(jìn)一步地，所述蓋板12的邊緣向下彎曲，形成導(dǎo)流護(hù)罩18，避免清洗液濺出蓋板 12的邊緣，能夠更高效率地利用清洗液。在相鄰的兩個(gè)柱面之間設(shè)置有隔板19，以防止清洗液濺射到鄰近的柱面，對(duì)鄰近柱面的硅片造成污染。具體地，所述柱面的數(shù)量為4個(gè)至12個(gè)，在本實(shí)施例中，所述柱面的數(shù)量為6個(gè)， 所述可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11的橫截面為正六邊形，當(dāng)可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11進(jìn)行旋轉(zhuǎn)時(shí)，多個(gè)柱面依次正對(duì)工藝腔門(mén)10，并不斷進(jìn)行循環(huán)正對(duì)，直至所有需要清洗的硅片14清洗干燥完畢。所述蓋板12的材質(zhì)為陶瓷，直徑為10至40英寸，厚度為1至20毫米。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，所述蓋板12的材質(zhì)不僅僅局限為陶瓷，還可以是其他化學(xué)性能穩(wěn)定， 符合一定機(jī)械強(qiáng)度要求的材料。在本實(shí)施例中，所述旋轉(zhuǎn)元件13為機(jī)械臂，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，所述旋轉(zhuǎn)元件13不僅僅可以為機(jī)械臂，還可以是其他能夠旋轉(zhuǎn)的部件。圖2所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝步驟流程圖。參照?qǐng)D2，半導(dǎo)體硅片的清洗工藝步驟包括S11、可旋轉(zhuǎn)的多面柱體的一個(gè)柱面正對(duì)工藝腔門(mén)，將待清洗的硅片放置在與所述柱面固定的旋轉(zhuǎn)元件上；S12、將所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)至與蓋板平行，所述蓋板蓋住所述待清洗的硅片；S13、使清洗液通過(guò)所述蓋板上的進(jìn)口流到所述待清洗的硅片表面進(jìn)行清洗；S14、多面柱體旋轉(zhuǎn)使其他柱面依次正對(duì)工藝腔門(mén)，在所述其他柱面正對(duì)工藝腔門(mén)時(shí)，重復(fù)上述步驟；S15、當(dāng)所述待清洗的硅片清洗完畢，且清洗完畢的硅片所對(duì)應(yīng)的柱面再次正對(duì)所述工藝腔門(mén)時(shí)，所述多面柱體停止旋轉(zhuǎn)，將所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)使所述清洗完畢的硅片遠(yuǎn)離所述蓋板，取出所述清洗完畢的硅片。圖3a為本發(fā)明的實(shí)施例提供的旋轉(zhuǎn)元件放下?tīng)顟B(tài)時(shí)的單個(gè)柱面的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖北為本發(fā)明的實(shí)施例提供的旋轉(zhuǎn)元件升起狀態(tài)時(shí)的單個(gè)柱面的結(jié)構(gòu)示意圖。下面將結(jié)合圖3a和圖北對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。首先，啟動(dòng)可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11，當(dāng)可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11的第一個(gè)柱面正對(duì)工藝腔門(mén)10時(shí)，放下旋轉(zhuǎn)元件13，使旋轉(zhuǎn)元件13與該柱面垂直，利用外部機(jī)械臂將硅片14放置在旋轉(zhuǎn)元件13的硅片支架16上，硅片14放置完畢后，將旋轉(zhuǎn)元件13升起，使旋轉(zhuǎn)元件13 與第一個(gè)柱面平行，此時(shí)第一個(gè)柱面上的蓋板12能夠蓋住硅片14，液體管路15提供清洗液，使清洗液通過(guò)所述液體進(jìn)口噴灑到待清洗的硅片14表面，在清洗硅片14的過(guò)程中，可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11還在繼續(xù)旋轉(zhuǎn)，當(dāng)與第一個(gè)柱面鄰近的第二個(gè)柱面正對(duì)工藝腔門(mén)10時(shí)， 重復(fù)上述關(guān)于第一個(gè)柱面的相應(yīng)工作，如此循環(huán)至第六個(gè)柱面，控制可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11 的旋轉(zhuǎn)速度，使第一個(gè)柱面再次正對(duì)工藝腔門(mén)10時(shí)，正好完成對(duì)第一個(gè)柱面對(duì)應(yīng)的硅片14 的清洗和干燥，此時(shí)，多面柱體11停止旋轉(zhuǎn)，將旋轉(zhuǎn)元件13放下，利用外部機(jī)械臂將完成清洗和干燥的硅片14取出，取出完成清洗和干燥的硅片14后，可以再放入待清洗的硅片14 進(jìn)行清洗，接著取出第二個(gè)柱面對(duì)應(yīng)的清洗和干燥完畢的硅片14，如此循環(huán)下去，直至將需要清洗的所有硅片14都清洗完成。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，柱面再次正對(duì)工藝腔門(mén)10時(shí)，與柱面對(duì)應(yīng)的硅片14也可以未完成清洗和干燥，此時(shí)，多面柱體11停止旋轉(zhuǎn)，等待硅片14清洗和干燥完成后，再將清洗和干燥完畢的硅片14取出。在本實(shí)施例中，利用外部機(jī)械臂將硅片14放置在硅片支架16上以及從硅片支架16上取出的過(guò)程中，可旋轉(zhuǎn)的多面柱體11停止旋轉(zhuǎn)，以保證操作安全。綜上所述，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔內(nèi)具有可旋轉(zhuǎn)的多面柱體，當(dāng)多面柱體的某一柱面旋轉(zhuǎn)到正對(duì)工藝腔門(mén)時(shí)，在與柱面固定的旋轉(zhuǎn)元件上放置硅片，之后對(duì)硅片進(jìn)行清洗，此時(shí)多面柱體旋轉(zhuǎn)，使下一個(gè)柱面正對(duì)工藝腔門(mén)，通過(guò)工藝腔門(mén)將硅片放置入與該柱面對(duì)應(yīng)的位置，在上一個(gè)柱面對(duì)應(yīng)的硅片進(jìn)行清洗的同時(shí)，不影響在下一個(gè)柱面對(duì)應(yīng)的位置上放置硅片。在柱面再次經(jīng)過(guò)工藝腔門(mén)時(shí)，硅片清洗完畢，可以將清洗完畢的硅片取出，利用本發(fā)明提供的清洗工藝腔，能夠在外部機(jī)械臂從工藝腔中放置和取出硅片的同時(shí)，進(jìn)行其他硅片的清洗工作，大大提高了設(shè)備利用率，節(jié)省了清洗硅片的時(shí)間。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述清洗工藝腔內(nèi)部具有可旋轉(zhuǎn)的多面柱體，每個(gè)柱面上設(shè)置有蓋板，所述蓋板上具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)口，每個(gè)柱面上固定有旋轉(zhuǎn)元件，所述旋轉(zhuǎn)元件上設(shè)置有硅片，所述旋轉(zhuǎn)元件能夠旋轉(zhuǎn)至所述蓋板蓋住所述硅片的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，當(dāng)所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)至所述蓋板蓋住所述硅片，并且所述蓋板與所述硅片平行時(shí)，所述蓋板與所述硅片之間具有0.5毫米至3毫米的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述進(jìn)口為液體進(jìn)口，所述液體進(jìn)口連接有液體管路，通過(guò)所述液體進(jìn)口的清洗液的壓力為5至50磅/平方英寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述蓋板上還具有一個(gè)或多個(gè)氣體進(jìn)口，所述氣體進(jìn)口連接有氣體管路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)元件上設(shè)置有硅片支架用于固定所述硅片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述硅片支架的內(nèi)部分布有真空管路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述柱面的數(shù)量為4個(gè)至12個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述蓋板上設(shè)置有超聲波振蕩器，所述超聲波振蕩器的數(shù)量為對(duì)應(yīng)每個(gè)硅片設(shè)置1個(gè)至4個(gè)，每個(gè)超聲波振蕩器的功率為到達(dá)硅片表面0. 5至5瓦特每平方厘米，工作頻率為0. 2至3兆赫茲。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述蓋板的材質(zhì)為陶瓷，直徑為10至40英寸，厚度為1至20毫米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)元件為機(jī)械臂。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，所述蓋板的邊緣向下彎曲，形成導(dǎo)流護(hù)罩。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝腔，其特征在于，在相鄰的兩個(gè)所述柱面之間設(shè)置有隔板。
13.一種利用如權(quán)利要求1的清洗工藝腔的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，其特征在于，包括可旋轉(zhuǎn)的多面柱體的一個(gè)柱面正對(duì)工藝腔門(mén)，將待清洗的硅片放置在與所述柱面固定的旋轉(zhuǎn)元件上；將所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)至與蓋板平行，所述蓋板蓋住所述待清洗的硅片； 使清洗液通過(guò)所述蓋板上的進(jìn)口流到所述待清洗的硅片表面進(jìn)行清洗； 多面柱體旋轉(zhuǎn)使其他柱面依次正對(duì)工藝腔門(mén)，在所述其他柱面正對(duì)工藝腔門(mén)時(shí)，重復(fù)上述步驟；當(dāng)所述待清洗的硅片清洗完畢，且清洗完畢的硅片所對(duì)應(yīng)的柱面再次正對(duì)所述工藝腔門(mén)時(shí)，所述多面柱體停止旋轉(zhuǎn)，將所述旋轉(zhuǎn)元件旋轉(zhuǎn)，使所述清洗完畢的硅片遠(yuǎn)離所述蓋板，取出所述清洗完畢的硅片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，其特征在于，通過(guò)外部機(jī)械臂將所述待清洗的硅片放置在所述旋轉(zhuǎn)元件上以及取出所述清洗完畢的硅片。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)元件上設(shè)置有硅片支架，將所述硅片固定在所述硅片支架上。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，其特征在于，所述蓋板上還具有一個(gè)或多個(gè)氣體進(jìn)口，所述氣體進(jìn)口連接有氣體管路，將氣體通過(guò)氣體進(jìn)口噴到硅片表面，使其快速干燥。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體硅片的清洗工藝，其特征在于，所述氣體為高純氮?dú)饣虍惐颊羝?br> 全文摘要
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體硅片清洗工藝腔，所述工藝腔內(nèi)部具有可旋轉(zhuǎn)的多面柱體，每個(gè)柱面上設(shè)置有蓋板，所述蓋板上具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)口，每個(gè)柱面上固定有旋轉(zhuǎn)元件，所述旋轉(zhuǎn)元件上設(shè)置有硅片，所述旋轉(zhuǎn)元件能夠旋轉(zhuǎn)至所述蓋板蓋住所述硅片的位置。本發(fā)明還提供了所述半導(dǎo)體硅片的清洗工藝。利用本發(fā)明提供的清洗工藝腔，能夠在外部機(jī)械臂從工藝腔中放置和取出硅片的同時(shí)，其他硅片的清洗工作可以正常進(jìn)行，大大提高了設(shè)備利用率，節(jié)省了清洗硅片的時(shí)間。
文檔編號(hào)B08B3/12GK102243988SQ201110186140
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者張晨騁 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司