專利名稱：高速射流噴頭的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及集成電路晶片清潔裝置技術領域，具體涉及一種高速射流噴頭。
背景技術：
隨著集成電路特征尺寸進入到深亞微米階段，制造集成電路晶片工藝中的清洗工 藝要求也越來越高。我國的清洗行業(yè)多年來一直處于采用化學清洗和手工清洗方式的狀 態(tài)。無論是化學清洗還是人工清洗都存在著清洗成本高、效率低、污染環(huán)境等問題，遠遠不 能滿足現(xiàn)代社會日益增長的工業(yè)及民用清洗要求。目前，已有應用高速射流于集成電路晶片制造工藝中的清洗工藝，但這種射流是 通過一個噴嘴來實現(xiàn)的。該噴嘴射出的射流直徑較大，包含了大量的非垂直入射流，導致清 潔晶片效率低下，并且造成；大量清潔液體的浪費，加大清潔成本。

實用新型內容(一 )要解決的技術問題本實用新型要解決的技術問題是在制作半導體集成電路器件過程中，如何達到高 效率的清洗晶片的要求，并且實現(xiàn)降低成本的目的。( 二 )技術方案為了解決上述問題，本實用新型提供一種高速射流噴頭，包括所述噴頭具有若干 個圓孔，所述圓孔包括若干個微孔，所述微孔貫通至噴頭的底部。進一步地，所述圓孔的直徑為5_15mm。進一步地，所述微孔為漏斗型，所述微孔輸出端的直徑為微米級，所述微孔輸出端 的直徑大于所述漏斗柱體的直徑。進一步地，所述微孔的長度是其輸出端直徑的5-10倍。進一步地，所述若干個微孔間的間距為0. 5mm。進一步地，還包括所述噴頭的上表面空間留有空腔。進一步地，還包括與噴頭固定連接的可移動模塊。進一步地，所述噴頭為石英、紅寶石或高分子材料制作。(三)有益效果本實用新型的優(yōu)點和有益效果在于本實用新型高速射流噴頭具有若干個貫通的 微孔，清潔液體通過多個微孔形成對晶片表面垂直入射的高速射流，最大程度的限制流體 的非垂直射出，提高對晶片上殘留物的腐蝕清洗效率，降低清潔成本。

圖1是本實用新型實施例高速射流噴頭的剖面結構示意圖圖2是本實用新型實施例高速射流噴頭的結構示意圖；圖3是本實用新型實施例高速射流噴頭微孔結構示意圖。[0020]圖中1、圓孔；2、微孔；3、可移動模塊；4、側口。
具體實施方式

以下結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下 實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。如圖1-3所示，為本實用新型實施例高速射流噴頭結構示意圖，該噴頭具有若干 個圓孔1，該圓孔1包括若干個微孔2，微孔2貫通至該噴頭的底部。該噴頭由抗酸堿腐蝕的 石英、紅寶石或高分子材料制作，該噴頭的形狀可以為三角形、長方形、圓形、菱形或其他幾 何形狀。采用激光溶爆鉆孔的方式在噴頭上形成若干個圓孔，該圓孔的直徑范圍為5-15mm。 優(yōu)選為10mm。每個圓孔中具有若干個微孔2，微孔2都經(jīng)過退火處理消除內部應力。微孔 2貫通至該噴頭的底部，具有導入介質的入口和導出介質的出口。該微孔2為漏斗型，微孔 2的入口直徑比出口的直徑大，其輸出端的直徑為微米級，微孔輸出端的直徑大于漏斗柱體 的直徑。微孔2的長度是其輸出端直徑的5-10倍。若干個微孔2間的間距為0.5mm。該微孔的漏斗柱體部分為射流加速段，當清潔介質流體流經(jīng)微孔時，在射流加速 段產(chǎn)生高速射流射向晶片表面，最大限度的減少射流的發(fā)散，使更多的清潔介質流體垂直 的作用在晶片上。該噴頭的上部邊緣留有空腔，用于存放清潔介質。該噴頭還包括側面的側口 4，通 過該側口 4可以將清潔直接導入到噴頭的空腔中。本實用新型中的清潔介質為水或化學藥 液。該清潔介質所承受的壓力為5^kg/cm2。在該壓強下，清潔介質通過微孔時，可形成對 晶片表面垂直入射的高速射流。高速射流產(chǎn)生垂直的入射力和沿特征尺寸的側壁的超薄的 邊界層，加速了被清洗和腐蝕的有機污染物通過邊界層的擴散。從微孔2射出的高速射流 的流速可達幾百米每秒，流速的控制通過改變空腔的清潔介質的壓力來實現(xiàn)。流速的改變 可根據(jù)晶片特征尺寸的大小、等離子腐蝕后有機污染物的多少和腐蝕清洗的要求決定的。該噴頭還包括可移動模塊3，該噴頭與可移動模板3固定連接，通過該可移動模板 3，噴頭可以在旋轉的晶片襯底上表面的一定高度沿徑向運動。本實用新型高速射流噴頭還可以配置兆聲波換能器，利用兆聲波物理傳輸原理來 進一步提高腐蝕清洗的效率。本實用新型實施例中所指的晶片包括但不限于為集成電路晶片、光盤、硬盤、 LED (Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)顯示屏、TFTLCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)或其他半導體領域晶片。本實用新型高速射流噴頭具有若干個貫通的微孔，清潔液體通過多個微孔形成對 晶片表面垂直入射的高速射流，最大程度的限制了流體的非垂直射出，提高了對晶片上殘 留物的腐蝕清洗效率。以上實施方式僅用于說明本實用新型，而并非對本實用新型的限制，有關技術領 域的普通技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和 變型，因此所有等同的技術方案也屬于本實用新型的范疇，本實用新型的專利保護范圍應 由權利要求限定。
權利要求1.一種高速射流噴頭，其特征在于，包括所述噴頭具有若干個圓孔，所述圓孔包括若 干個微孔，所述微孔貫通至噴頭的底部。
2.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述圓孔的直徑為5-15mm。
3.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述微孔為漏斗型，所述微孔輸出 端的直徑為微米級，所述微孔輸出端的直徑大于所述漏斗柱體的直徑。
4.如權利要求3所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述微孔的長度是其輸出端直徑 的5-10倍。
5.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述若干個微孔間的間距為 0. 5mmο
6.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，還包括所述噴頭的上表面空間留有空腔。
7.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，還包括與噴頭固定連接的可移動 模塊。
8.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述噴頭由石英、紅寶石或高分子 材料制作。
9.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述噴頭的側面上具有導入清潔 介質的側口。
專利摘要本實用新型涉及集成電路晶片清潔工藝技術領域，具體公開了一種高速射流噴頭。該噴頭具有若干個圓孔，圓孔包括若干個微孔，微孔貫通至噴頭的底部。本實用新型高速射流噴頭具有若干個貫通的微孔，清潔液體通過多個微孔形成對晶片表面垂直入射的高速射流，最大程度的限制流體的非垂直射出，提高對晶片上殘留物的腐蝕清洗效率，降低清潔成本。
文檔編號B08B3/02GK201862478SQ201020638718
公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權日2010年11月29日
發(fā)明者劉福生, 吳儀, 王銳廷, 韓麗娜 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司