專利名稱：一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微波電真空工藝和電真空材料工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝。
背景技術(shù)：
電真空陶瓷包括氧化物陶瓷、硅酸鹽陶瓷、氮化物陶瓷等。氧化物陶瓷中又包括氧化鋁(Al2O3)瓷、氧化鈹(BeO)瓷、氧化鎂(MgO)瓷、氧化鋯(ZrO2)瓷等。氧化物瓷的主要成分為單一氧化物結(jié)晶，結(jié)晶相純度高，含玻璃相少。原材料純度高，燒結(jié)溫度也高，因此瓷的電、熱及機(jī)械性能都較好。氧化鈹陶瓷是以氧化鈹粉為原料，加入微量MgO、Al2O3等添加物燒結(jié)而成，燒結(jié)溫度達(dá)1800°C 1850°C。氧化鈹陶瓷的機(jī)械強(qiáng)度略低于Al2O3瓷，但足以滿足電真空器件的要求，其膨脹系數(shù)、介電強(qiáng)度、介電損耗都與Al2O3瓷接近。氧化鈹瓷最大的特點(diǎn)是具有與金屬可以比擬的導(dǎo)熱能力，它的導(dǎo)熱系數(shù)與純鋁接近，是Al2O3 95瓷的10倍?？梢?jiàn)氧化鈹是一種低損耗、高導(dǎo)熱的絕緣材料，是制造大功率輸能窗、大功率行波管收集極絕緣導(dǎo)熱瓷和螺旋線夾持桿等的理想材料。但是氧化鈹?shù)姆蹓m有劇毒，吸入人體后會(huì)一起上呼吸道病變和鈹肺，有傷口的皮膚接觸后，會(huì)引起皮膚潰瘍，因此生產(chǎn)和加工氧化鈹?shù)墓S，必須采取嚴(yán)格的防護(hù)措施。但是，直接購(gòu)買已經(jīng)制作好的氧化鈹瓷一般接觸并不會(huì)引起中毒。各電真空廠家都或多或少的會(huì)購(gòu)買使用氧化鈹瓷，因此必須制定嚴(yán)格的氧化鈹陶瓷的相關(guān)工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中氧化鈹附有的有毒粉塵對(duì)人體造成傷害的問(wèn)題。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為 一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝，其特征在于依次包括以下步驟
(1)配制氧化鈹陶瓷去油溶液首先用量筒量取去離子水，并將量取的去離子水倒入燒杯中，然后將燒杯放到電爐上；其次在托盤天平上稱取草酸鈉、酒石酸鈉、OP乳化劑，再將稱取的草酸鈉、酒石酸鈉、OP乳化劑分別倒入所述燒杯中的去離子水中并不斷攪拌使其溶解，得到去油溶液；
(2)通過(guò)電爐將燒杯中的去油溶液加熱到60-65°C，再將待清洗的氧化鈹陶瓷放入燒杯的去油溶液中，然后將放入有氧化鈹陶瓷的燒杯放入超聲波清洗槽中；
(3)接通超聲波清洗槽的發(fā)生器電源，對(duì)放在燒杯去油溶液中的氧化鈹陶瓷進(jìn)行超聲波處理，超聲波處理時(shí)間不少于15min，超聲波振動(dòng)頻率不超過(guò)20kHz ；
(4)將步驟(3)超聲波處理后的燒杯中的液體倒出，用裝有濾紙的漏斗對(duì)燒杯倒出的液體進(jìn)行過(guò)濾，將濾出的殘?jiān)镔|(zhì)裝入回收容器內(nèi)；
(5)用35-40°C溫度下流動(dòng)的熱水清洗完成步驟(4)后燒杯中的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為10-15min ；再用流動(dòng)的冷水清洗熱水清洗后的燒杯中的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為 10-15min ；
(6)用去離子水清洗完成步驟(5)后的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為10-15min，清洗用的去離子水的電阻率應(yīng)不小于5ΜΩ ；同時(shí)在去離子水清洗時(shí)對(duì)氧化鈹陶瓷進(jìn)行超聲波處理，超聲波振動(dòng)頻率不超過(guò)20kHz，超聲波處理持續(xù)時(shí)間15min。 (7)將完成步驟(6)后裝在燒杯中的氧化鈹陶瓷取出，用干燥壓縮空氣吹干；
(8)將完成步驟(7)吹干后的氧化鈹陶瓷放入烘箱中烘烤，烘烤溫度為50°C，烘烤時(shí)間為 IOmin ；
(9)取出完成步驟(8)后烘箱中清潔好的氧化鈹陶瓷。所述的一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝，其特征在于所述步驟(1)中，去油溶液各組分的重量配比為
草酸鈉 3， 酒石酸鈉 2， OP乳化劑 1. 5， 去離子水 1000。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，成本較低，可以有效地洗去氧化鈹附有的有毒粉塵， 降低了氧化鈹對(duì)人體造成的傷害，使氧化鈹可以廣泛地應(yīng)用在微波電真空領(lǐng)域，大大改善了微波電真空領(lǐng)域的工作環(huán)境。


圖1為本發(fā)明工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式如圖1所示。一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝，其特征在于依次包括以下步驟
(1)配制氧化鈹陶瓷去油溶液首先用量筒量取1000毫升去離子水，并將量取的去離子水倒入燒杯中，然后將燒杯放到電爐上；其次在托盤天平上稱取草酸鈉3克、酒石酸鈉2 克、OP乳化劑1. 5克，再將稱取的草酸鈉、酒石酸鈉、OP乳化劑分別倒入燒杯中的去離子水中并不斷攪拌使其溶解，得到去油溶液；
(2)通過(guò)電爐將燒杯中的去油溶液加熱到63°C，再將待清洗的氧化鈹陶瓷放入燒杯的去油溶液中，然后將放入有氧化鈹陶瓷的燒杯放入超聲波清洗槽中；
(3)接通超聲波清洗槽的發(fā)生器電源，對(duì)放在燒杯去油溶液中的氧化鈹陶瓷進(jìn)行超聲波處理，超聲波處理時(shí)間25min，超聲波振動(dòng)頻率15kHz ；
(4)將步驟(3)超聲波處理后的燒杯中的液體倒出，用裝有濾紙的漏斗對(duì)燒杯倒出的液體進(jìn)行過(guò)濾，將濾出的殘?jiān)镔|(zhì)裝入回收容器內(nèi)；
(5)用37°C溫度下流動(dòng)的熱水清洗完成步驟(4)后燒杯中的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為 13min ；再用流動(dòng)的冷水清洗熱水清洗后的燒杯中的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為13min ；
(6)用去離子水清洗完成步驟(5)后的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為13min，清洗用的去離子水的電阻率為7ΜΩ ；同時(shí)在去離子水清洗時(shí)對(duì)氧化鈹陶瓷進(jìn)行超聲波處理，超聲波振動(dòng)頻率15kHz，超聲波處理持續(xù)時(shí)間15min。
(7)將完成步驟(6)后裝在燒杯中的氧化鈹陶瓷取出，用干燥壓縮空氣吹干； (8)將完成步驟(7)吹干后的氧化鈹陶瓷放入烘箱中烘烤，烘烤溫度為50°C，烘烤時(shí)間為 IOmin ；
(9)取出完成步驟(8)后烘箱中清潔好的氧化鈹陶瓷。本發(fā)明工藝中的注意事項(xiàng)
1、工作前必須穿上工作服，戴好防護(hù)手套，眼鏡和口罩。2、禁止在沒(méi)有排風(fēng)的條件下工作。3、如果酸洗液不小心濺到皮膚上，應(yīng)立即用棉布擦掉，并用大量自來(lái)水沖洗。
權(quán)利要求
1.一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝，其特征在于依次包括以下步驟(1)配制氧化鈹陶瓷去油溶液首先用量筒量取去離子水，并將量取的去離子水倒入燒杯中，然后將燒杯放到電爐上；其次在托盤天平上稱取草酸鈉、酒石酸鈉、OP乳化劑，再將稱取的草酸鈉、酒石酸鈉、OP乳化劑分別倒入所述燒杯中的去離子水中并不斷攪拌使其溶解，得到去油溶液；(2)通過(guò)電爐將燒杯中的去油溶液加熱到60-65°C，再將待清洗的氧化鈹陶瓷放入燒杯的去油溶液中，然后將放入有氧化鈹陶瓷的燒杯放入超聲波清洗槽中；(3)接通超聲波清洗槽的發(fā)生器電源，對(duì)放在燒杯去油溶液中的氧化鈹陶瓷進(jìn)行超聲波處理，超聲波處理時(shí)間不少于15min，超聲波振動(dòng)頻率不超過(guò)20kHz ；(4)將步驟(3)超聲波處理后的燒杯中的液體倒出，用裝有濾紙的漏斗對(duì)燒杯倒出的液體進(jìn)行過(guò)濾，將濾出的殘?jiān)镔|(zhì)裝入回收容器內(nèi)；(5)用35-40°C溫度下流動(dòng)的熱水清洗完成步驟(4)后燒杯中的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為10-15min ；再用流動(dòng)的冷水清洗熱水清洗后的燒杯中的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為 10-15min ；(6)用去離子水清洗完成步驟(5)后的氧化鈹陶瓷，清洗時(shí)間為10-15min，清洗用的去離子水的電阻率應(yīng)不小于5ΜΩ ；同時(shí)在去離子水清洗時(shí)對(duì)氧化鈹陶瓷進(jìn)行超聲波處理，超聲波振動(dòng)頻率不超過(guò)20kHz，超聲波處理持續(xù)時(shí)間15min。(7)將完成步驟(6)后裝在燒杯中的氧化鈹陶瓷取出，用干燥壓縮空氣吹干；(8)將完成步驟(7)吹干后的氧化鈹陶瓷放入烘箱中烘烤，烘烤溫度為50°C，烘烤時(shí)間為 IOmin ；(9)取出完成步驟(8)后烘箱中清潔好的氧化鈹陶瓷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝，其特征在于所述步驟(1)中， 去油溶液各組分的重量配比為草酸鈉 3，酒石酸鈉2，OP乳化劑 1. 5，去離子水 1000。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化鈹陶瓷的清洗工藝，工藝流程如下配置去油溶液→超聲波去油→過(guò)濾溶液并處理廢料→流水清洗→超生波清洗→干燥處理→取出氧化鈹陶瓷。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，成本較低，可以有效地洗去氧化鈹附有的有毒粉塵，降低了氧化鈹對(duì)人體造成的傷害。
文檔編號(hào)B08B3/04GK102166575SQ20101059732
公開(kāi)日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者吳華夏, 張麗, 江祝苗, 王瑩, 陳明龍 申請(qǐng)人:安徽華東光電技術(shù)研究所