一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，其包括一氧化鈹基板，氧化鈹基板背面無電路非金屬化，氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第四膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線、第三接地導(dǎo)線、第四接地導(dǎo)線、第五接地導(dǎo)線、第六接地導(dǎo)線、第七接地導(dǎo)線和第八接地導(dǎo)線，輸入電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第四膜狀電阻和輸出電極依次串聯(lián)，第一膜狀電阻的輸入端連接有第一焙銀，第四膜狀電阻的輸出端連接有第二焙銀。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，體積小，衰減平坦度好阻值精度和衰減精度高，重復(fù)性好，性能穩(wěn)定可靠，安裝方便，無鉛環(huán)保，能夠滿足目前3G和4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求。
【專利說明】
一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及一種氧化鈹陶瓷基板衰減片，特別涉及一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB的衰減片。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB的衰減片是同軸固定衰減器芯片的一種，廣泛應(yīng)用在微波通訊、雷達(dá)等設(shè)備中。衰減器是一個功率消耗和電路匹配元件，要求對兩端電路的影響越小越好。目前市場上針對大功率的衰減片其衰減精度少數(shù)能達(dá)到4GHz，要做到6GHz等更高頻率非常困難。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型為了解決上述問題，從而提供一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB的衰減片。
[0004]為達(dá)到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案如下:
[0005]—種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，所述氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第四膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線、第三接地導(dǎo)線、第四接地導(dǎo)線、第五接地導(dǎo)線、第六接地導(dǎo)線、第七接地導(dǎo)線和第八接地導(dǎo)線，輸入電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第四膜狀電阻和輸出電極依次串聯(lián)，第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第一膜狀電阻兩端，第三接地導(dǎo)線和第四接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第二膜狀電阻的兩端，第五接地導(dǎo)線和第六接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第三膜狀電阻兩端，第七接地導(dǎo)線和第八接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第四膜狀電阻兩端，所述第一膜狀電阻的輸入端連接有第一焙銀，所述第四膜狀電阻的輸出端連接有第二焙銀。
[0006]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和第四膜狀電阻分別通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，所述第一膜狀電阻的輸入端和第四膜狀電阻的輸出端分別與接地端的阻抗為50±1 Ω。
[0007]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述氧化鈹基板體積為61*25.4*1.2mm。
[0008]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和第四膜狀電阻分別通過厚膜工藝制成，所述氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片的特性阻抗為50Ω、頻率為4GHz、功率容量為100W。
[0009]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和第四膜狀電阻對稱設(shè)置在氧化鈹基板的中心位置。
[0010]本實用新型的有益效果是:
[0011]本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，體積小，衰減平坦度好阻值精度和衰減精度高，重復(fù)性好，性能穩(wěn)定可靠，安裝方便，無鉛環(huán)保，能夠滿足目前3G和4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求。
[0012]本實用新型可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0015]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實用新型。
[0016]參見圖1，本實用新型提供的氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，其包括一氧化鈹基板 100 O
[0017]氧化鈹基板100的體積具體為61*25.4*1.2mm，其背面無電路非金屬化，在其正面設(shè)有輸入電極200、輸出電極300、第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430、第四膜狀電阻440、第一接地導(dǎo)線510、第二接地導(dǎo)線520、第三接地導(dǎo)線530、第四接地導(dǎo)線540、第五接地導(dǎo)線550、第六接地導(dǎo)線560、第七接地導(dǎo)線570和第八接地導(dǎo)線580。
[0018]輸入電極200與第一膜狀電阻410的輸入端連接，第一膜狀電阻410的輸出端與第二膜狀電阻420的輸入端連接，第二膜狀電阻420的輸出端與第三膜狀電阻430的輸入端連接，第三膜狀電阻430的輸出端與第四膜狀電阻440的輸入端連接，第四膜狀電阻440的輸出端與輸出電極300連接。
[0019]這樣輸入電極200、第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430、第四膜狀電阻440和輸出電極300可形成一卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，當(dāng)信號通過第一膜狀電阻400輸入端進(jìn)入到厚膜電路衰減片后，可通過第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430和第四膜狀電阻440對功率進(jìn)行逐級吸收，最后通過第四膜狀電阻440輸出端輸出實際所需要的信號。
[0020]第一膜狀電阻410的輸入端具體連接有第一焙銀600，第四膜狀電阻440的輸出端具體連接有第二焙銀700。
[0021]另外，輸入電極200、第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430、第四膜狀電阻440和輸出電極300整體為對稱狀。
[0022]在第一膜狀電阻410的兩端連接有相對稱的第一接地導(dǎo)線510和第二接地導(dǎo)線520，第一膜狀電阻410通過第一接地導(dǎo)線510和第二接地導(dǎo)線520接地導(dǎo)通。
[0023]在第二膜狀電阻420的兩端連接有相對稱的第三接地導(dǎo)線530和第四接地導(dǎo)線540，第二膜狀電阻420通過第三接地導(dǎo)線530和第四接地導(dǎo)線540接地導(dǎo)通。
[0024]第三膜狀電阻430的兩端連接有相對稱的第五接地導(dǎo)線550和第六接地導(dǎo)線560，第三膜狀電阻430通過第五接地導(dǎo)線550和第六接地導(dǎo)線560接地導(dǎo)通。
[0025]第四膜狀電阻440的兩端連接有相對稱的第七接地導(dǎo)線570和第八接地導(dǎo)線580，第四膜狀電阻440通過第七接地導(dǎo)線570和第八接地導(dǎo)線580接地導(dǎo)通。
[0026]第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430和第四膜狀電阻440具體通過厚膜工藝制成，第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430和第四膜狀電阻440分別通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，第一膜狀電阻410的輸入端和第四膜狀電阻440的輸出端分別與接地端的阻抗為50± I Ω，這樣使得厚膜電路衰減片的特性阻抗為50 Ω、頻率為4GHz、功率容量為100W。
[0027]第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430和第四膜狀電阻440具體分別對稱設(shè)置在氧化鈹基板100的中心位置，并且輸入電極200、第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430、第四膜狀電阻440和輸出電極300形成的卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)也為對稱結(jié)構(gòu)，這樣使得厚膜電路衰減片的衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，這樣使得厚膜電路衰減片的衰減平坦度好，阻值精度和衰減精度高，重復(fù)性好。
[0028]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項】
1.一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，其特征在于，所述氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第四膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線、第三接地導(dǎo)線、第四接地導(dǎo)線、第五接地導(dǎo)線、第六接地導(dǎo)線、第七接地導(dǎo)線和第八接地導(dǎo)線，輸入電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第四膜狀電阻和輸出電極依次串聯(lián)，第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第一膜狀電阻兩端，第三接地導(dǎo)線和第四接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第二膜狀電阻的兩端，第五接地導(dǎo)線和第六接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第三膜狀電阻兩端，第七接地導(dǎo)線和第八接地導(dǎo)線對稱設(shè)置在第四膜狀電阻兩端，所述第一膜狀電阻的輸入端連接有第一焙銀，所述第四膜狀電阻的輸出端連接有第二焙銀。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，其特征在于，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和第四膜狀電阻分別通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，所述第一膜狀電阻的輸入端和第四膜狀電阻的輸出端分別與接地端的阻抗為50±1 Ω。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，其特征在于，所述氧化鈹基板體積為61*25.4*1.2mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，其特征在于，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和第四膜狀電阻分別通過厚膜工藝制成，所述氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片的特性阻抗為50 Ω、頻率為4GHz、功率容量為100W。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鈹陶瓷基板80瓦20dB衰減片，其特征在于，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和第四膜狀電阻對稱設(shè)置在氧化鈹基板的中心位置。
【文檔編號】H01P1/22GK205564937SQ201521083951
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2015年12月22日
【發(fā)明人】周敏, 戴林華, 周蕾
【申請人】上海華湘計算機(jī)通訊工程有限公司