專(zhuān)利名稱(chēng)：一種用于降低曝光時(shí)離焦幾率的晶背清潔裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于降低曝光時(shí)離焦幾率的晶背清潔
直O(jiān)
背景技術(shù)：
目前，在晶片制造過(guò)程中，晶片在光阻機(jī)完成光阻涂覆的程序后，被傳送交換單元 傳送至曝光機(jī)進(jìn)行曝光。若曝光時(shí)晶片的晶背上有微粒，就會(huì)發(fā)生離焦的現(xiàn)象。因此，需要 一種能在曝光前去除晶背上的微粒的裝置。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷和不足，本發(fā)明的目的是提出一種晶背清潔裝置，能 在曝光前去除晶背上的微粒，從而降低曝光時(shí)離焦幾率。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出了一種用于降低曝光時(shí)離焦幾率的晶背清潔裝 置，包括安裝在傳送交換單元的傳感器，所述傳送交換單元將晶片從光阻機(jī)傳送至曝光 機(jī)；與所述傳感器相連的氣閥；與所述氣閥相連的具有出氣管的氣管，所述氣管位于所述傳送交換單元上，且與 晶片傳送方向平行設(shè)置，以使所述傳感器監(jiān)測(cè)到晶片位于傳送交換單元上發(fā)出指示打開(kāi)所 述氣閥時(shí)，所述氣管連接的出氣管?chē)姵鰵饬鞔档羲鼍木П成系奈⒘?。作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述出氣管與所述氣管傾斜連接，以使所述出氣管?chē)?出的氣流與晶片傳送方向成小于90度的夾角，并且所述氣流的方向與所述晶片傳送方向 相反。作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述出氣管與所述氣管成30度角傾斜連接，以使所述 出氣孔產(chǎn)生的氣流與晶片傳送方向的夾角為30度。作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述傳感器安裝在所述傳送交換單元的起始邊沿。作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述裝置還具有外殼，所述連接有出氣管的氣管位于 外殼內(nèi)，所述出氣管的出氣孔與外部連通。本發(fā)明通過(guò)在傳送交換單元上設(shè)置晶背清洗裝置，在曝光前將晶背上的微粒清除 掉，因此降低了曝光時(shí)的離焦幾率，提高了產(chǎn)品合格率。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。對(duì)于所屬技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員而言，從對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明中，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將顯 而易見(jiàn)。


圖1為晶背清潔裝置的帶有外殼的氣管的立體圖2為晶背清潔裝置的帶有外殼的氣管的沿A-A的剖面圖；圖3為晶背清潔裝置的帶有外殼的氣管的俯視圖；圖4為晶背清潔裝置的帶有外殼的氣管的沿B-B的剖面圖；圖5為晶背清潔裝置的帶有外殼的氣管與出氣管的剖面圖；圖6為本發(fā)明出氣管?chē)姵龅臍饬髋c晶片傳送方向的關(guān)系的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出的晶背清潔裝置包括安裝在傳送交換單元(EIS，Extension Interface Stage)的傳感器，所述傳送交 換單元將晶片從光阻機(jī)傳送至曝光機(jī)；與所述傳感器相連的氣閥；與所述氣閥相連的具有出氣管的氣管，所述氣管位于所述傳送交換單元上，且與 晶片傳送方向平行設(shè)置；氣閥與氣管的連接可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的任意方法，在此不詳 述；所述傳感器監(jiān)測(cè)到晶片位于傳送交換單元上時(shí)，即發(fā)出指示打開(kāi)所述氣閥，氣體 從進(jìn)氣孔(圖2中所示)進(jìn)入所述氣管，所述氣管連接的出氣管?chē)姵鰵饬鳎c氣體產(chǎn)生 交互運(yùn)動(dòng)，吹掉晶背上的微粒。所述微粒經(jīng)過(guò)機(jī)臺(tái)內(nèi)部的下行氣流(down flow)帶走。如圖1、圖2、圖3、圖4所示，所述裝置還可以具有外殼，所述連接有出氣管的氣管 位于外殼內(nèi)，所述出氣管的出氣孔與外部連通。所述外殼上具有螺絲孔，這樣，通過(guò)對(duì)外殼 進(jìn)行操作，便于氣管的安裝和拆除。如圖5所示，所述出氣管1與所述氣管2是傾斜連接，以使所述出氣管?chē)姵龅臍饬?與晶片傳送方向成小于90度的夾角，并且所述氣流的方向與所述晶片傳送方向相反(如圖 6所示)ο最佳的是，所述出氣管與所述氣管成30度角傾斜連接，以使所述出氣孔產(chǎn)生的氣 流與晶片傳送方向的夾角為30度。在上述實(shí)施例中，傳感器最好安裝在所述傳送交換單元的起始邊沿，這樣，一旦晶 片被放置在傳送交換單元被傳送時(shí)，傳感器就能檢測(cè)到晶片的存在，從而即時(shí)地打開(kāi)氣閥， 使出氣管?chē)姵鰵饬鳌ｋm然，本發(fā)明已通過(guò)以上實(shí)施例及其附圖而清楚說(shuō)明，然而在不背離本發(fā)明精神 及其實(shí)質(zhì)的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的變化和修 正，但這些相應(yīng)的變化和修正都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于降低曝光時(shí)離焦幾率的晶背清潔裝置，其特征在于，包括安裝在傳送交換單元的傳感器，所述傳送交換單元將晶片從光阻機(jī)傳送至曝光機(jī)；與所述傳感器相連的氣閥；與所述氣閥相連的具有出氣管的氣管，所述氣管位于所述傳送交換單元上，且與晶片 傳送方向平行設(shè)置，以使所述傳感器監(jiān)測(cè)到晶片位于傳送交換單元上發(fā)出指示打開(kāi)所述氣 閥時(shí)，所述氣管連接的出氣管?chē)姵鰵饬鞔档羲鼍木П成系奈⒘！?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶背清潔裝置，其特征在于，所述出氣管與所述氣管傾斜連 接，以使所述出氣管?chē)姵龅臍饬髋c晶片傳送方向成小于90度的夾角，并且所述氣流的方向 與所述晶片傳送方向相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶背清潔裝置，其特征在于，所述出氣管與所述氣管成30度 角傾斜連接，以使所述出氣孔產(chǎn)生的氣流與晶片傳送方向的夾角為30度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶背清潔裝置，其特征在于，所述傳感器安裝在所述傳送交 換單元的起始邊沿。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的晶背清潔裝置，其特征在于，所述裝置還具有 外殼，所述連接有出氣管的氣管位于外殼內(nèi)，所述出氣管的出氣孔與外部連通。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于降低曝光時(shí)離焦幾率的晶背清潔裝置，包括安裝在傳送交換單元的傳感器，所述傳送交換單元將晶片從光阻機(jī)傳送至曝光機(jī)；與所述傳感器相連的氣閥；與所述氣閥相連的具有出氣管的氣管，所述氣管位于所述傳送交換單元上，且與晶片傳送方向平行設(shè)置，以使所述傳感器監(jiān)測(cè)到晶片位于傳送交換單元上時(shí)發(fā)出指示打開(kāi)所述氣閥時(shí)，所述氣管連接的出氣管?chē)姵鰵饬鞔档羲鼍木П成系奈⒘?。本發(fā)明在曝光前通過(guò)氣體將晶背上的微粒吹掉，降低了曝光時(shí)的離焦幾率，提高了產(chǎn)品合格率。
文檔編號(hào)B08B5/02GK102129954SQ20101000283
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月18日
發(fā)明者儲(chǔ)著飛, 劉剛, 劉濤, 程光中 申請(qǐng)人:和艦科技(蘇州)有限公司