專利名稱：：用于cpm后清除配方的新抗氧化劑的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明一般涉及含有抗氧化劑的組合物，該組合物用于從其上帶有殘留物和/或污染物的微電子裝置上清除殘留物和/或污染物。
背景技術(shù)：
：微電子裝置晶片被用于形成集成電路。微電子裝置晶片包括襯底如硅，在其中構(gòu)圖有用于沉積不同材料的區(qū)域，這些材料具有絕緣、導電或半導體性質(zhì)。為了獲得正確的構(gòu)圖，在襯底上形成層的過程中使用的過量材料必須被除去。此外，為了制造功能性且可靠的電路，重要的是在后續(xù)加工之前制備平坦的或平面的微電子晶片表面。因而，必需除去和/或拋光微電子裝置晶片的某些表面?；瘜W機械拋光或平坦化("CMP")是一種通過將物理過程如磨蝕與化學過程如氧化或螯合相結(jié)合，從微電子裝置晶片表面上除去材料并將表面拋光(更具體來說，平坦化)的方法。在其最初步的形式中，CMP涉及將漿料、例如磨料和活性化學物質(zhì)的溶液施加到拋光微電子裝置晶片表面的拋光墊上，以實現(xiàn)除去、平坦化和拋光過程。不希望除去或拋光過程由純粹的物理或純粹的化學作用構(gòu)成，而是希望二者協(xié)同組合，以實現(xiàn)快速、均勻的除去。在集成電路的制造中，CMP漿料應當也能夠優(yōu)選地除去含有金屬和其它材料的復合層的膜，以便可以制造高度平坦的表面，用于隨后的光刻，或構(gòu)圖、蝕刻和薄膜加工。最近，銅已被越來越多地用于集成電路中的金屬互連。在微電子裝置制造中通常用于電路金屬化的銅鑲嵌工藝中，必須被除去并平坦化的層包括厚度為大約11.5ym的銅層，以及厚度為大約0.050.15iim的銅籽晶層。這些銅層通過一層阻擋材料與介電材料表面分開，阻擋材料層的典型厚度為大約50300A，防止銅擴散到氧化物介電材料中。拋光后在晶片表面上獲得良好均勻性的一個關(guān)鍵，是使用對每種材料具有正確的除去選擇性的CMP槳料。涉及晶片襯底表面制備、沉積、鍍敷、蝕刻和化學機械拋光的上述工藝操作需要各不相同的清除操作，以確保微電子裝置產(chǎn)物不含污染物，否則污染物可能不利地影響產(chǎn)物的功能，或者甚至使它不能用于其目標功能。通常情況下，這些污染物顆粒小于0.3ym。就此而言，一個具體的問題是CMP處理后留在微電子裝置襯底上的殘留物。這樣的殘留物包括CMP材料和緩蝕劑化合物如苯并三唑(BTA)。如果不被除去，這些殘留物可能導致對銅線的損傷或使銅金屬化變得非常粗糙，并且導致CMP后施加的層在裝置襯底上附著差。使銅金屬化變得非常粗糙是特別成問題的，因為過分粗糙的銅可能導致產(chǎn)物微電子裝置的電學性能差。微電子裝置制造中常見的另一種產(chǎn)生殘留物的過程，涉及氣相等離子體蝕刻，它用于將已顯影的光致抗蝕劑涂層的圖案轉(zhuǎn)移到下面的層上，這些層可以由硬掩模、層間介電(ILD)和蝕刻終止層組成?？赡馨ㄒr底上和等離子體氣體中存在的化學元素的氣相等離子體蝕刻后的殘留物，典型地沉積在后端工藝過程(BEOL)結(jié)構(gòu)上，如果不被除去，可能干擾隨后的硅化或接觸形成。常規(guī)的清除化學物質(zhì)通常損傷ILD，吸收到ILD的孔中，從而增加了介電常數(shù)，和/或腐蝕金屬結(jié)構(gòu)。因此，微電子工業(yè)繼續(xù)尋求改進用于銅金屬化襯底的清除配方和用于處理微電子裝置結(jié)構(gòu)的組合物，該組合物包括不同地用于微電子裝置晶片的蝕刻后清除、灰化后清除和化學機械拋光后清除的組合物。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明一般涉及用于從其上帶有殘留物和/或污染物的微電子裝置上清除所述殘留物和/或污染物的組合物和方法。本發(fā)明的清除組合物包含至少一種新型抗氧化劑作為緩蝕劑。殘留物可以包括CMP后、蝕刻后或灰化后殘留物?！矫?，描述了包含至少一種溶劑、至少一種緩蝕劑和至少一種胺的清除組合物，其中該緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、a-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)，其中該清除組合物對于從其上帶有殘留物的微電子裝置上除去所述殘留物是有效的。該清除組合物還可以包含至少一種附加成分，該至少一種附加成分選自至少一種季堿、至少一種絡合劑、至少一種表面活性劑、至少一種還原劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物、尿酸、至少一種醇及其組合。另一方面，描述了包含至少一種溶劑、至少一種表面活性劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物和至少一種緩蝕劑的清除組合物，其中該緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、a-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)，其中該清除組合物對于從其上帶有殘留物的微電子裝置上除去所述殘留物是有效的。另一方面，本發(fā)明涉及試劑盒，該試劑盒在一個或多個容器中含有用于形成清除組合物的一種或多種下列試劑，所述一種或多種試劑選自至少一種緩蝕劑、至少一種季堿、至少一種有機胺、至少一種絡合劑、至少一種表面活性劑、至少一種還原劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物、至少一種鏈烷醇胺、尿酸、至少一種醇及其組合。該至少一種緩蝕劑優(yōu)選包括選自方形酸、腺苷及其衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、類黃酮、花青素、黃酮醇/花青素、櫟精及其衍生物、葡萄糖醛酸、櫟精/花青素及其組合中的至少一種物質(zhì)。另一方面，描述了從其上帶有殘留物和污染物的微電子裝置上除去所述殘留物和污染物的方法，所述方法包括將微電子裝置與清除組合物接觸足夠的時間，以從微電子裝置上至少部分清除所述殘留物和污染物，其中該清除組合物包含至少一種溶劑、至少一種緩蝕劑和至少一種胺，其中該緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、a-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)。該清除組合物還可以包含至少一種附加成分，該至少一種附加成分選自至少一種季堿、至少一種絡合劑、至少一種表面活性劑、至少一種還原劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物、尿酸、至少一種醇及其組合。另一方面涉及了鑒定清除組合物的終點的方法，所述方法包括將其上帶有殘留物的微電子裝置與清除組合物接觸，其中該清除組合物包含至少一種抗氧化劑(即緩蝕劑)，其中該抗氧化劑處于第一種狀態(tài)下，這意味著清除組合物可用于將所述殘留物從微電子裝置上基本除去；以及監(jiān)控清除組合物，其中該抗氧化劑向第二種狀態(tài)的轉(zhuǎn)變意味著清除組合物的終點，其中該抗氧化劑的第一種狀態(tài)在可見光譜中可以是無色的或是第一種顏色，該抗氧化劑的第二種狀態(tài)在可見光譜中可以是無色的或第二種顏色，第一種狀態(tài)和第二種狀態(tài)不是相同的。另一方面，描述了從其上帶有CMP后殘留物和污染物的微電子裝置上除去CMP后殘留物和污染物的方法，所述方法包括用CMP漿料拋光微電子裝置；將微電子裝置與含有至少一種緩蝕劑的清除組合物接觸足夠的時間，以便從微電子裝置上除去CMP后殘留物和污染物，從而形成含有CMP后殘留物的組合物；以及將微電子裝置繼續(xù)與含有CMP后殘留物的組合物接觸足夠量的時間，以便實現(xiàn)微電子裝置的基本清除，其中該至少一種緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、a_酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)。另一方面，描述了制造微電子裝置的方法，所述方法包括將微電子裝置與本文描述的清除組合物接觸足夠的時間，以從其上帶有所述殘留物和污染物的微電子裝置上至少部分清除CMP后殘留物、蝕刻后殘留物、灰化后殘留物和/或污染物。另一方面涉及使用本文描述的方法制造的改進的微電子裝置以及裝有它的產(chǎn)物，該方法包括使用本文描述的方法和/或組合物，從其上帶有所述殘留物和污染物的微電子裝置上清除CMP后殘留物、蝕刻后殘留物、灰化后殘留物和/或污染物，以及任選地，將該微電子裝置裝入產(chǎn)物中。另一方面涉及制造的制品，該制品含有清除組合物、微電子裝置晶片和選自殘留物、污染物及其組合中的材料，其中該清除組合物包含至少一種溶劑、至少一種緩蝕劑和至少一種胺，其中該至少一種緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、a-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)，并且其中該殘留物包括CMP后殘留物、蝕刻后殘留物和灰化后殘留物中的至少一種。從后面的公開內(nèi)容以及所附的權(quán)利要求書，本發(fā)明的其它方面、特征和優(yōu)點將更完全地顯而易見。具體實施方案本發(fā)明一般涉及可用于從其上帶有殘留物和污染物的微電子裝置上除去這些材7料的組合物。該組合物特別可用于除去CMP后、蝕刻后或灰化后殘留物。為了便于提及，"微電子裝置"相當于半導體襯底、平板顯示器、相變存儲裝置、包含太陽能基板的太陽電池板和其它產(chǎn)物、光伏元件和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)，它們被制造用于微電子、集成電路或計算機芯片應用。太陽能基板包括但不限于硅、無定形硅、多晶硅、單晶硅、CdTe、銅銦硒化物、銅銦硫化物和鎵上的砷化鎵。太陽能基板可以是摻雜的或不摻雜的。應該理解，術(shù)語"微電子裝置"不意味著以任何方式進行限制，包括任何最終將變成微電子裝置或微電子組件的基板。本文中使用的"殘留物"相當于在微電子裝置制造過程中產(chǎn)生的顆粒，制造過程包括但不限于等離子體蝕刻、灰化、化學機械拋光、濕法蝕刻及其組合。本文使用的"污染物"相當于在CMP漿料中存在的化學物質(zhì)，拋光漿料的反應副產(chǎn)物，濕法蝕刻組合物中存在的化學物質(zhì)，濕法蝕刻組合物的反應副產(chǎn)物，及作為CMP工藝、濕法蝕刻、等離子體蝕刻或等離子體灰化工藝的副產(chǎn)物的任何其它材料。本文使用的"CMP后殘留物"相當于來自拋光漿料的顆粒，例如含有二氧化硅的顆粒、漿料中存在的化學物質(zhì)、拋光漿料的反應副產(chǎn)物、富碳的顆粒、拋光墊顆粒、刷子減載(brushdeloading)顆粒、結(jié)構(gòu)顆粒的設備材料、銅、氧化銅、有機殘留物及作為CMP工藝的副產(chǎn)物的任何其它材料。本文定義的"低k介電材料"相當于在層狀微電子裝置中用作介電材料的任何材料，其中該材料具有低于大約3.5的介電常數(shù)。優(yōu)選地，低k介電材料包括低極性材料如含硅的有機聚合物、含硅的混合有機/無機材料、有機硅酸鹽玻璃(0SG)、TE0S、氟化的硅酸鹽玻璃(FSG)、二氧化硅及摻雜碳的氧化物(CDO)玻璃。應該理解，低k介電材料可以具有不定的密度和不定的孔隙率。本文中定義的"絡合劑"包括本領域技術(shù)人員所理解的作為絡合劑、螯合劑和/或多價螯合劑(sequesteringagent)的那些化合物。絡合劑將與使用本發(fā)明的組合物除去的金屬原子和/或金屬離子化學結(jié)合或?qū)λ鼈冞M行物理約束。本文中定義的術(shù)語"阻擋材料"相當于在本
技術(shù)領域：
中用于密封金屬線例如銅互連線以將所述金屬例如銅向介電材料中的擴散最小化的任何材料。優(yōu)選的阻擋層材料包括鉭、鈦、釕、鉿、鎢及其它耐熔金屬以及它們的氮化物和硅化物。本文中定義的"蝕刻后殘留物"相當于在氣相等離子體蝕刻工藝如BEOL雙重鑲嵌工藝或濕法蝕刻工藝后殘留的材料。蝕刻后殘留物在本質(zhì)上可以是有機的、有機金屬的、有機硅的或無機的，例如含硅的材料、碳基有機材料以及蝕刻氣體殘留物如氧和氟。本文中定義的"灰化后殘留物"在本文中使用時，相當于在氧化性或還原性等離子體灰化以除去硬化的光致抗蝕劑和/或底部抗反射涂層(BARC)材料后殘留的材料。灰化后殘留物在本質(zhì)上可以是有機的、有機金屬的、有機硅的或無機的。"基本上不含"在本文中定義為相當于少于2重量％，優(yōu)選少于1重量％，更優(yōu)選少于O.5重量％，最優(yōu)選少于0.1重量％。本文中使用的"大約"旨在對應于所述值的±5%。本文中使用的從其上帶有所述殘留物和污染物的微電子裝置上清除殘留物和污染物的"適合性"，相當于從微電子裝置上至少部分除去所述殘留物/污染物。清除效力通過微電子裝置上目標物的減少來評價。例如，可以使用原子力顯微鏡進行清除之前和之后的分析。樣品上的顆?？梢员挥涗洖橐蝗合袼??？梢允褂弥狈綀D(例如SigmaScanPro)來過濾某種強度、例如231235下的像素，然后對顆粒的數(shù)量進行計數(shù)。顆粒的減少可以使用下式計算法吟銀力(清除前目標物的數(shù)量_清除后目標物的數(shù)量)，im}倌際歡力—清除前目標物的數(shù)量值得注意的是，確定清除效力的方法僅舉例提供，并不旨在限于此。作為選擇，清除效力可以認為是被顆粒狀物質(zhì)覆蓋的總表面的百分率。例如，可以對AFM進行編程來執(zhí)行z-平面掃描，以鑒定高于某個高度閾值的目標拓撲學區(qū)域，然后計算被所述目標區(qū)域覆蓋的總表面的面積。本領域技術(shù)人員可以容易地理解，在清除后被所述目標區(qū)域覆蓋的面積越小，清除組合物越有效。優(yōu)選地，使用本文描述的組合物，至少75%的殘留物/污染物從微電子裝置上被除去，更優(yōu)選至少90%、甚至更優(yōu)選至少95%、最優(yōu)選至少99%的殘留物/污染物被除去。本文描述的組合物可以以很多種具體配方實施，在后文中對其進行更全面描述。在所有這些組合物中，其中對組合物的特定成分包含零下限的重量百分比范圍進行討論，應該理解，這樣的成分在組合物的各種不同的具體實施方案中可以存在，也可以不存在，在這些組合物存在的情況下，它們可以以低至0.001重量百分比的濃度存在，該濃度是以使用了這些成分的組合物的總重量計的。清除組合物包含至少一種抗氧化劑成分(即"緩蝕劑")，其中將該抗氧化劑成分添加到清除組合物中以降低金屬如銅、鋁的腐蝕速度，并增強清除性能。所考慮的抗氧化劑(即緩蝕劑)包括但不限于氰尿酸，巴比妥酸及其衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸，葡萄糖醛酸，方形酸，a-酮酸如丙酮酸，腺苷及其衍生物，嘌呤化合物如腺嘌呤、嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、尿酸、異鳥嘌呤及其衍生物，膦酸及其衍生物，二氮雜菲/抗壞血酸，甘氨酸/抗壞血酸，煙酰胺及其衍生物如煙酰胺抗壞血酸酯，類黃酮如黃酮醇和花青素及其衍生物，黃酮醇/花青素，及其組合。例如，黃酮醇可以包括櫟精及其衍生物如櫟精葡萄糖苷、櫟素(櫟精鼠李糖苷)和蕓香苷(櫟精蕓香糖苷)?；ㄇ嗨嘏c黃酮醇的組合增加了黃酮醇在水中的溶解性。特別優(yōu)選的抗氧化劑包括嘌呤化合物、方形酸、腺苷及其衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、類黃酮、花青素、黃酮醇/花青素、櫟精及其衍生物以及葡萄糖醛酸。—方面，描述了一種清除組合物，其中所述清除組合物包含至少一種溶劑和至少一種抗氧化劑(即緩蝕劑)，該抗氧化劑選自氰尿酸，巴比妥酸及其衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸，葡萄糖醛酸，方形酸，a-酮酸如丙酮酸，腺苷及其衍生物，嘌呤化合物如腺嘌呤、嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、尿酸、異鳥嘌呤及其衍生物，膦酸及其衍生物，二氮雜菲/抗壞血酸，甘氨酸/抗壞血酸，煙酰胺及其衍生物如煙酰胺抗壞血酸酯，類黃酮如黃酮醇和花青素及其衍生物，黃酮醇/花青素，及其組合。優(yōu)選地，溶劑包括水，優(yōu)選為去離子水。另一方面，清除組合物包括選自下列(i)(ix)的組合物，其中抗氧化劑(即緩蝕劑)選自氰尿酸，巴比妥酸及其衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸，葡萄糖醛酸，方形酸，a_酮酸如丙酮酸，腺苷及其衍生物，嘌呤化合物如腺嘌呤、嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、尿酸、異鳥嘌呤及其衍生物，膦酸及其衍生物，二氮雜菲/抗壞血酸，甘氨酸/抗壞血酸，煙酰胺及其衍生物如煙酰胺抗壞血酸酯，類黃酮如黃酮醇和花青素及其衍生物，黃酮醇/花青素，及其組合，(i)含有至少一種季堿、至少一種有機胺、至少一種抗氧化劑、水及任選至少一種還原劑的組合物；(ii)含有至少一種季堿、至少一種有機胺、至少一種抗氧化劑、至少一種絡合劑及水的組合物；(iii)含有至少一種胺、至少一種抗氧化劑及水的組合物；(iv)含有至少一種胺、至少一種抗氧化劑、至少一種表面活性劑、水及任選至少一種還原劑的組合物；(v)含有至少一種胺、至少一種抗氧化劑、至少一種還原劑、水、任選至少一種表面活性劑及任選至少一種季堿的組合物；(vi)含有至少一種胺、至少一種抗氧化劑、至少一種季堿、至少一種還原劑、水及任選至少一種表面活性劑的組合物；(vii)含有至少一種季堿、至少一種鏈烷醇胺、尿酸、水及至少一種抗氧化劑的組合物；*(viii)含有至少一種季堿、至少一種鏈烷醇胺、尿酸、至少一種醇、水及至少一種抗氧化劑的組合物；以及(ix)含有至少一種表面活性劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物、水及至少一種抗氧化劑的組合物。特別優(yōu)選的抗氧化劑包括嘌呤化合物、方形酸、腺苷及其衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、類黃酮、花青素、黃酮醇/花青素、櫟精及其衍生物以及葡萄糖醛酸。在特別優(yōu)選的實施方案中，清除組合物包含至少一種季堿、至少一種有機胺、至少一種抗氧化劑和水，其中抗氧化劑(即緩蝕劑)選自氰尿酸，巴比妥酸及其衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸，葡萄糖醛酸，方形酸，a-酮酸如丙酮酸，腺苷及其衍生物，嘌呤化合物如腺嘌呤、嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、尿酸、異鳥嘌呤及其衍生物，膦酸及其衍生物，二氮雜菲/抗壞血酸，甘氨酸/抗壞血酸，煙酰胺及其衍生物如煙酰胺抗壞血酸酯，類黃酮如黃酮醇和花青素及其衍生物，黃酮醇/花青素，及其組合。清除組合物任選地還可以包含至少一種還原劑、至少一種絡合劑、至少一種表面活性劑、殘留物材料或其組合。清除組合物對于從微電子裝置結(jié)構(gòu)上清除殘留物和污染物，例如CMP后殘留物、蝕刻后殘留物、灰化后殘留物和污染物特別有用。無論何種實施方案，在從微電子裝置上除去殘留物材料之前，清除組合物優(yōu)選基本上不含氧化劑、氟化物源和磨料。重要的是，當清除組合物包含葡萄糖醛酸時，組合物的pH應該大于或等于6。在本發(fā)明的另一方面，清除組合物可以包括選自(i)(ix)的清除組合物、由選自(i)(ix)的清除組合物組成或基本上由選自(i)(ix)的清除組合物組成，其中至少一種抗氧化劑(即緩蝕劑)包括選自下列中的物質(zhì)氰尿酸，巴比妥酸及其衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸，葡萄糖醛酸，方形酸，a-酮酸如丙酮酸，腺苷及其衍生物，嘌呤化合物如腺嘌呤、嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、尿酸、異鳥嘌呤及其衍生物，膦酸及其衍生物，二氮雜菲/抗壞血酸，甘氨酸/抗壞血酸，煙酰胺及其衍生物如煙酰胺抗壞血酸酯，類黃酮如黃酮醇和花青素及其衍生物，黃酮醇/花青素，及其組合。特別優(yōu)選的抗氧化劑包括嘌呤化合物、方形酸、腺苷及其衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、類黃酮、花青素、黃酮醇/花青素、櫟精及其衍生物以及葡萄糖醛酸。除了上面列舉的抗氧化劑之外，清除組合物還可以包含附加緩蝕劑，該附加緩蝕劑包括但不限于抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、苯并三唑、檸檬酸、乙二胺、沒食子酸、草酸、單寧酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、尿酸、l，2，4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑、1-氨基-1，2，4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1，2，3-三唑、1-氨基-5-甲基-1，2，3-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、3-巰基-1，2，4-三唑、3-異丙基-1，2，4-三唑、5-苯基硫羥基-苯并三唑、鹵代苯并三唑(鹵素=F、Cl、Br或I)、萘并三唑、2-巰基苯并咪唑但81)、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-氨基四唑、5_氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、l，3-二甲基-2-咪唑啉酮、l，5-亞戊基四唑、l-苯基-5-巰基四唑、二氨基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4H-1，2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并異二唑(indiazole)、苯甲酸、苯甲酸銨、兒茶酚、焦掊酚、間苯二酚、氫醌、氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸、a-酮酸如丙酮酸、腺嘌呤、嘌呤、膦酸及其衍生物、甘氨酸/抗壞血酸及其組合。例如，清除組合物可以包含二氮雜菲與抗壞血酸或甘氨酸與抗壞血酸的組合?？捎糜诰唧w組合物的說明性的胺，包括具有通式NRfR3的物質(zhì)，式中R1、R2和R3可以彼此相同或不同，選自氫，直鏈或支鏈C「Ce烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基)，以及直鏈或支鏈C「Ce醇(例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇)。最優(yōu)選地，R1、R2和R3中的至少一個是直鏈或支鏈C「Ce醇。例子包括但不限于氨基乙基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、氨基乙氧基乙醇、二甲基氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、單乙醇胺、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丁醇、異丁醇胺、三亞乙基二胺、其它的C「C8鏈烷醇胺及其組合。本文中考慮到的季堿包括具有式NR力力力4011的化合物，式中W、R^R3和R4可以彼此相同或不同，選自氫，直鏈或支鏈C「Ce烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基)，以及取代的或未取代的c6-c1Q芳基例如苯甲基?？缮藤彽臍溲趸耐榛@包括氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四丙基銨(TPAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)、氫氧化三丁基甲基銨(TBMAH)、氫氧化苯甲基三甲基銨(BTMAH)及其組合。不可商購的氫氧化四烷基銨可以通過與已發(fā)表的用于制備TMAH、TEAH、TPAH、TBAH、TBMAH和BTMAH的合成方法類似的方式來制備，這已為本領域的普通技術(shù)人員所了解。另一種廣泛使用的季銨堿是氫氧化膽堿。本文中考慮到的還原劑包括選自抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、沒食子酸、乙二醛及其組合中的物質(zhì)。說明性的醇包括直鏈或支鏈CrC6醇(例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇)，二醇和三醇。優(yōu)選地，醇包含異丙醇(IPA)。在本文描述的組合物中使用的說明性的表面活性劑包括但不限于兩性鹽、陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、氟代烷基表面活性劑、非離子表面活性劑及其組合，包括但不限于SURF0NYL104、TRITONCF-21、ZONYLUR、ZONYLFSO-100、ZONYLFSN-100、3MFluorad熒光表面活性劑(即FC-4430和FC-4432)、二辛基磺基琥珀酸鹽、2，3-二巰基-1-丙磺酸鹽、十二烷基苯磺酸、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇或聚丙二醇醚、羧酸鹽、Ri苯磺酸或其鹽(其中&是直鏈或支鏈C8-C18烷基)、兩親性氟代聚合物、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇或聚丙二醇醚、羧酸鹽、十二烷基苯磺酸、聚丙烯酸酯聚合物、二壬基苯基聚氧乙烯、聚硅氧烷(silicone)或改性聚硅氧烷聚合物、乙炔二醇或改性的乙炔二醇、烷基銨或改性的烷基銨鹽以及含有至少一種上述表面活性劑的組合，十二烷基硫酸鈉、兩性離子表面活性劑、氣溶膠-0T(A0T)及其氟化的類似物、烷基銨、全氟代聚醚表面活性劑、2-磺基琥珀酸鹽、基于磷酸的表面活性齊U、基于硫的表面活性劑及基于乙酰乙酸酯的聚合物。在優(yōu)選實施方案中，表面活性劑包括烷基苯磺酸，更優(yōu)選包括十二烷基苯磺酸。當用在本文描述的組合物中時，包括分散劑以增加分散性，并最小化被除去的殘留物和污染物在微電子裝置晶片表面上的再沉積。本文中考慮到的分散劑包括平均分子量低于15,000的含有丙烯酸或其鹽的有機聚合物，在后文中其被稱為低分子量含丙烯酸的聚合物。該低分子量含丙烯酸的聚合物的平均分子量低于15，000，優(yōu)選為大約3，000至大約10，000。低分子量含丙烯酸的聚合物可以是均聚物，也可以是包含主要的丙烯酸或丙烯酸鹽單體單元的共聚物。共聚物可以主要包含任何適合的其它單體單元，這些單體單元包括改性的丙烯酸、富馬酸、馬來酸、衣康酸、烏頭酸、甲基富馬酸、檸康酸以及亞甲基丙二酸或其鹽、馬來酸酐、烯烴、乙烯基甲基醚、苯乙烯及其任何混合物。優(yōu)選可商購的低分子量含丙烯酸的均聚物包括以商標名Acusol445(RohmandHaas，Philadelphia,PA，USA)銷售的均聚物。本文中考慮到的含有磺酸的碳氫化合物包括直鏈和支鏈C「Ce烷烴例如甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷磺酸，直鏈和支鏈C廠Ce烯烴例如乙烷、丙烯、丁烷、戊烯、己烷磺酸，以及取代的或未取代的c6-c14芳基磺酸及其鹽例如鈉鹽、鉀鹽等。含有磺酸的碳氫化合物包括甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸、戊磺酸、己磺酸、乙烯磺酸、甲苯磺酸及其組合。本文中考慮到的適合的絡合劑包括但不限于乙酸、丙酮肟、丙烯酸、己二酸、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、甜菜堿、二甲基乙二肟、甲酸、富馬酸、葡萄糖酸、谷氨酸、谷氨酰胺、戊二酸、甘油酸、甘油、乙醇酸、乙醛酸、組氨酸、亞氨基二乙酸、間苯二甲酸、衣康酸、乳酸、亮氨酸、賴氨酸、馬來酸、馬來酸酐、蘋果酸、丙二酸、苯乙醇酸、2，4-戊二酮、苯乙酸、苯丙氨酸、鄰苯二甲酸、脯氨酸、丙酸、焦兒茶酚、苯四酸、奎寧酸、絲氨酸、山梨糖醇、琥珀酸、酒石酸、對苯二甲酸、偏苯三酸、苯均三酸、酪氨酸、纈氨酸、木糖醇、其鹽和衍生物及其組合。對于成分的量來說，本文描述的每個實施方案中每種成分的重量百分比率如下實施方案(i):季堿與緩蝕劑的比率為大約o.i:i至大約io:i，優(yōu)選為大約0.5:l至大約5:i，甚至更優(yōu)選為大約i:i至大約2:i;有機胺與緩蝕劑的比率為大約o.i:i至大約io:1，優(yōu)選為大約o.5:i至大約5:1，甚至更優(yōu)選為大約2:i至大約3:1;實施方案(ii):季堿與絡合劑的比率為大約i:l至大約5:1，優(yōu)選為大約2:i至大約3.5:i;有機胺與絡合劑的比率為大約i:i至大約io:1，優(yōu)選為大約3:i至大約7:i;緩蝕劑與絡合劑的比率為大約o.ooi:l至大約o.5:i，優(yōu)選為大約o.oi:i至大約o.i:i;實施方案(iii):有機胺與緩蝕劑的比率為大約o.i:i至大約io:i，優(yōu)選為大約i:i至大約3:i;實施方案(iv):有機胺與緩蝕劑的比率為大約o.i:i至大約io:i，優(yōu)選為大約i:l至大約3:i;表面活性劑與緩蝕劑的比率為大約o.ooi:l至大約o.5:i，優(yōu)選為大約o.oi:i至大約o.i:i;實施方案(v):有機胺與緩蝕劑的比率為大約o.i:1至大約15:i，優(yōu)選為大約i:i至大約io:i;還原劑與緩蝕劑的比率為大約o.i:i至大約io:i，優(yōu)選為大約1:i至大約8:i;實施方案(Vi):有機胺與緩蝕劑的比率為大約i:i至大約io:i，優(yōu)選為大約2:l至大約7:i;季堿與緩蝕劑的比率為大約o.5:l至大約8:i，優(yōu)選為大約i:i至大約4:i;還原劑與緩蝕劑的比率為大約o.i:l至大約6:i，優(yōu)選為大約o.s:i至大約3:i;表面活性劑(當存在時)與緩蝕劑的比率為大約o.ooi:i至大約o.i:i;實施方案(vii):有機胺與緩蝕劑的比率為大約i:i至大約io:i，優(yōu)選為大約2:l至大約7:i;季堿與緩蝕劑的比率為大約o.5:l至大約8:i，優(yōu)選為大約i:i至大約4:i;還原劑與緩蝕劑的比率為大約o.i:l至大約6:i，優(yōu)選為大約o.s:i至大約3:1;實施方案(viii):有機胺與緩蝕劑的比率為大約i:i至大約io:i，優(yōu)選為大約2:l至大約7:i;季堿與緩蝕劑的比率為大約o.5:l至大約8:i，優(yōu)選為大約i:i至大約4:i;尿酸與緩蝕劑的比率為大約o.i:l至大約6:i，優(yōu)選為大約o.s:i至大約3:i;醇與緩蝕劑的比率為大約o.5:l至大約8:i，優(yōu)選為大約i:i至大約4:i;實施方案(ix):緩蝕劑與表面活性劑的比率為大約io:i至大約ioo:i，優(yōu)選為大約30:l至大約70:i;分散劑與表面活性劑的比率為大約o.oi:l至大約5:i，優(yōu)選為大約o.05:i至大約i:i;含磺酸的碳氫化合物與表面活性劑的比率為大約i:i至大約io:1，優(yōu)選為大約3:l至大約7:i。成分的重量百分比率的范圍應當覆蓋了組合物的所有可能的濃縮的或稀釋的實施方案。為此，在一個實施方案中，提供了濃縮的清除組合物，它可以被稀釋用作清除溶液。濃縮的組合物或"濃縮物"，有利地允許用戶例如cmp工藝工程師，在使用點時將濃縮物稀釋至所需強度和pH。濃縮的清除組合物的稀釋可以在大約i:l至大約2500:1、優(yōu)選大約5:l至大約200:i的范圍內(nèi)，其中清除組合物在工具上或就在工具前，用溶劑例如去離子水進行稀釋。本領域技術(shù)人員應該理解，在稀釋后，本文公開的重量百分比率的范圍應當保持不變。本文描述的組合物可以用于這樣的應用中，該應用包括但不限于蝕刻后殘留物除去、灰化后殘留物除去表面準備、鍍敷后清除以及cmp后殘留物除去。在另一個優(yōu)選實施方案中，本文描述的清除組合物還包含殘留物和/或污染物。重要的是，殘留物和污染物可以溶解和/或懸浮在所述組合物中。優(yōu)選地，殘留物包括cmp后殘留物、蝕刻后殘留物、灰化后殘留物、污染物或其組合。通過簡單地加入各種成分并混合至均勻情形，容易地配制清除組合物。此外，組合物可以容易地配制成單包配方或在使用點時或使用點前混合的多組分配方，例如，多組分配方的每個組分可以在工具上或在工具的儲存罐上游中混合。在本發(fā)明的廣泛實施中，各種成分的濃度在具體的多種組合物中可以廣泛變化，即更稀或更濃，應該理解，本發(fā)明的組合物可以不同地并且選擇性地包含與本文中的公開內(nèi)容一致的成分的任何組合，由與本文中的公開內(nèi)容一致的成分的任何組合組成，或基本上由與本文中的公開內(nèi)容一致的成分的任何組合組成。相應地，另一方面涉及試劑盒，該試劑盒在一個或多個容器中含有適合于形成清除組合物的一種或多種成分。試劑盒在一個或多個容器中可以包含至少一種緩蝕劑，本文介紹的實施方案中的任何成分，以及任選至少一種附加緩蝕劑，這些成分在制造(atthefab)或使用點時與附加的溶劑例如水結(jié)合。試劑盒的容器必須適合于儲存和運輸所示除去組合物，例如麗Pak⑧容器(AdvancedTechnologyMaterials,Inc.，Danbury，Conn.，USA)。容納除去組合物的成分的一個或多個容器優(yōu)選包含使所述一個或多個容器中的成分流體連通的手段以實現(xiàn)共混和分配(dispense)。例如，對于N0WPak@容器來說，可以向所述一個或多個容器中的襯里外部施加氣體壓力，引起襯里的至少一部分內(nèi)含物排出，從而能夠進行流體連通以實現(xiàn)共混和分配。作為選擇，氣體壓力可以施加至常規(guī)的可加壓容器的頂部空間，或者可以使用泵來進行流體連通。此外，系統(tǒng)優(yōu)選包含分配端口，用于將共混的清除組合物分配到處理工具上?；旧匣瘜W惰性的、不含雜質(zhì)的、柔性并且有彈力的聚合薄膜材料如高密度聚乙烯，優(yōu)選用于制造所述一個或多個容器的襯里。加工理想的襯里材料，而不需要共擠出或阻擋層，并且不含任何可能對被放置在襯里中的成分的純度要求產(chǎn)生不利影響的顏料、UV抑制劑或加工助劑。理想的襯里材料的名單包括包含下列材料的膜純(不含添加劑)聚乙烯、純聚四氟乙烯(PTFE)、聚丙烯、聚氨酯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯聚縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚丁烯等等。這樣的襯里材料的優(yōu)選厚度在大約5密爾(0.005英寸)至大約30密爾(0.030英寸)的范圍內(nèi)，例如厚度為20密爾(0.020英寸)。對于用于本發(fā)明的試劑盒的容器來說，下面的專利和專利申請的公開內(nèi)容特此以各自全部內(nèi)容并入本文中作為參考美國專利No.7，188，644，名稱為"用于最小化超純液體中顆粒產(chǎn)生的裝置和方法"(APPARATUSANDMETHODFORMINMIZ頂GTHEGENERATIONOFPARTICLESINULTRAPURELIQUIDS);美國專利No.6，698，619，名稱為"可回收和可重復利用的桶中袋式流體儲存和分配容器系統(tǒng)"(RETURNABLEANDREUSABLE，BAG-IN-DRUMFLUIDSTORAGEANDDISPENSINGCONTAINERSYSTEM);JohnE.Q.Hughes在2007年5月9日提交的美國專利申請No.60/916，966，名稱為"用于材料共混和分配的系統(tǒng)和方法"(SYSTEMSANDMETHODSFORMATERIALBLENDINGANDDISTRIBUTION);以及以AdvancedTechnologyMaterials，Inc.之名在2008年5月9日提交的PCT/US08/63276，名稱為"用于材料共混和分配的系統(tǒng)和方法"(SYSTEMSANDMETHODSFORMATERIALBLENDINGANDDISTRIBUTION)。當應用于微電子制造操作中時，本文描述的清除組合物被有用地用于從微電子裝置表面上清除CMP后殘留物和/或污染物。重要的是，清除組合物不損傷裝置表面上的低k介電材料或腐蝕金屬互連。優(yōu)選地，清除組合物除去了殘留物除去前裝置上存在的殘留物的至少85%，更優(yōu)選至少90%，甚至更優(yōu)選至少95%，最優(yōu)選至少99%。在CMP后殘留物和污染物清除應用中，清除組合物可以與大量多種的常規(guī)清除工具如兆聲裝置(megasonics)和刷子擦洗(brushscrubbing)—起使用，該清除工具包括但不限于Verteq單晶片兆聲金手指、OnTrak系統(tǒng)DDS(雙面擦洗機)、SEZ或其它單晶片噴淋漂洗、AppliedMaterialsMirra-MesaT7ReflexionT7ReflexionLK禾PMegasonic分批濕法臺式系統(tǒng)。在本文描述的組合物用于從其上帶有CMP后殘留物、蝕刻后殘留物、灰化后殘留物和/或污染物的微電子裝置上清除這些殘留物和/或污染物的應用中，通常在大約20°C至大約9(TC、優(yōu)選大約2(TC至大約5(TC的范圍內(nèi)的溫度下，將清除組合物與裝置接觸大約5秒至大約10分鐘、優(yōu)選大約1秒至20分鐘、優(yōu)選大約15秒至大約5分鐘的時間。這樣的接觸時間和溫度是說明性的，在本發(fā)明的廣泛實施中，可以使用任何其它的有效地從裝置上至少部分清除CMP后殘留物和/或污染物的適合時間和溫度。"至少部分清除"和"基本上除去"都相當于除去在殘留物除去之前存在于裝置上的殘留物的至少85%、更優(yōu)選至少90%、甚至更優(yōu)選至少95%、最優(yōu)選至少99%。在完成了所需的清除行動后，清除組合物可以容易地從它最初被施加到的裝置上除去，這在本文描述的組合物的給定最終使用應用中可能希望和有效的。優(yōu)選地，漂洗溶液包括去離子水。然后，裝置可以使用氮氣或旋轉(zhuǎn)干燥循環(huán)來進行干燥。有利的是，在本文中介紹的某些抗氧化劑在被消耗時經(jīng)歷了可見的顏色變化，這為用戶提供了監(jiān)控清除組合物浴的效力的方式。監(jiān)控手段包括但不限于目測和分光光度法手段。本文中定義的"終點"相當于這樣的范圍，由此清除組合物不再有效地并且有成果地從微電子裝置上除去待除去的材料例如CMP后殘留物。終點可以是許多不同因素的結(jié)果，這些因素包括但不限于飽和的(例如負載的)清除組合物、和/或清除組合物的一種或多種成分的耗盡。因此，另一方面包括了鑒定清除組合物的終點的方法，所述方法包括將其上帶有殘留物的微電子裝置與清除組合物接觸，其中該清除組合物包含至少一種抗氧化劑(即緩蝕劑)，其中該抗氧化劑處于第一種狀態(tài)下，意味著清除組合物可用于將所述殘留物從微電子裝置上基本除去；以及監(jiān)控清除組合物，其中該抗氧化劑向第二種狀態(tài)的轉(zhuǎn)變，意味著清除組合物的終點，本領域技術(shù)人員應該理解，抗氧化劑的第一種狀態(tài)在可見光譜中可以是無色的或是第一種顏色，抗氧化劑的第二種狀態(tài)在可見光譜中可以是無色的或第二種顏色，第一種狀態(tài)和第二種狀態(tài)是不相同的。又一方面涉及按照本發(fā)明的方法制造的改進的微電子裝置以及包括這樣的微電子裝置的產(chǎn)物。另一方面涉及再循環(huán)的清除組合物，其中該清除組合物可以再循環(huán)，直到殘留物和/或污染物載荷達到清除組合物可能容納的最大量，這容易被本領域技術(shù)人員確定。還一方面涉及制造包括微電子裝置的制品的方法，所述方法包括使用本文描述的清除組合物，將微電子裝置與清除組合物接觸足夠的時間，以從其上帶有CMP后殘留物和污染物的微電子裝置上清除所述殘留物和污染物，以及將所述微電子裝置裝入所述制品中。通過下面討論的說明性實施例，更全面地顯示了本發(fā)明的特征和優(yōu)點。實施例1將被覆蓋的PVD銅晶片浸入包括基本溶液的溶液中，該基本溶液含有TMAH、1-氨基_2-丙醇和不同的抗氧化劑，銅的腐蝕速度使用恒電位儀測定，其中PVDCu是工作電極，Pt篩是對電極，Ag/AgCl電極是參比電極。銅的陽極腐蝕速度在與開路電勢相比陽極電壓偏壓0.1至1.0V時計算。結(jié)果概述在下面的表1中。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>可以看出，腺苷顯著降低銅的腐蝕速度。其它的優(yōu)點包括但不限于最小化銅的粗糙度，以及殘留物除去后銅(I)氧化物表面的穩(wěn)定。盡管已經(jīng)參考說明性實施方案和特征在本文中對本發(fā)明進行了各種不同的公開，但應該理解，上文描述的實施方案和特征不旨在對本發(fā)明進行限制，并且根據(jù)本文的公開內(nèi)容，其它改變、修改和其它實施方案將把自身暗示給本領域的普通技術(shù)人員。因此，本發(fā)明應該被寬泛地理解為包含了所有這些在本文所附的權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的改變、修改和替換性實施方案'權(quán)利要求一種清除組合物，其包含至少一種溶劑、至少一種緩蝕劑和至少一種胺，其中緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、α-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)，其中清除組合物對于從其上帶有殘留物的微電子裝置上除去所述殘留物是有效的。2.權(quán)利要求1的清除組合物，其中緩蝕劑包括選自方形酸、腺苷及其衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、類黃酮、花青素、黃酮醇/花青素、櫟精及其衍生物、葡萄糖醛酸、櫟精/花青素及其組合中的至少一種物質(zhì)。3.權(quán)利要求1的清除組合物，其中緩蝕劑包括選自腺嘌呤、嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、尿酸、異鳥嘌呤及其衍生物中的至少一種物質(zhì)。4.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其中清除組合物還包含選自至少一種季堿、至少一種絡合劑、至少一種表面活性劑、至少一種還原劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物、尿酸、至少一種醇以及其組合中的至少一種附加成分。5.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其中清除組合物還包含實施方案(i)至(viii)中的至少一個(i)至少一種季堿，至少一種有機胺，以及任選至少一種還原劑；(ii)至少一種季堿，至少一種有機胺，以及至少一種絡合劑；(iii)至少一種胺；(iv)至少一種胺，至少一種表面活性劑，以及任選至少一種還原劑；(v)至少一種胺，至少一種還原劑，任選至少一種表面活性劑，以及任選至少一種季堿；(Vi)至少一種胺，至少一種季堿，至少一種還原劑，以及任選至少一種表面活性劑；(Vii)至少一種季堿，至少一種鏈烷醇胺，以及尿酸；以及(Viii)至少一種季堿，至少一種鏈烷醇胺，尿酸，以及至少一種醇。6.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其中溶劑包括水。7.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其還包含殘留物和污染物。8.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其中殘留物包括CMP后殘留物、蝕刻后殘留物、灰化后殘留物或其組合。9.權(quán)利要求8的清除組合物，其中CMP后殘留物包括選自下列的材料來自CMP拋光漿料的顆粒、CMP拋光漿料中存在的化學物質(zhì)、CMP拋光漿料的反應副產(chǎn)物、富碳的顆粒、拋光墊顆粒、刷子減載顆粒、結(jié)構(gòu)顆粒的設備材料、銅、氧化銅及其組合。10.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其中組合物被稀釋至大約5:1至大約200:1的范圍內(nèi)。11.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其中在從微電子裝置上除去殘留物材料之前，組合物基本上不含氧化劑、氟化物源和/或磨料。12.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其還包含至少一種附加緩蝕劑，其中至少一種附加緩蝕劑包括選自下列的物質(zhì)抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、苯并三唑、檸檬酸、乙二胺、沒食子酸、草酸、單寧酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、尿酸、l，2，4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑、1-氨基-1，2，4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1，2，3-三唑、1_氨基-5-甲基-1，2，3-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、3-巰基_1，2，4-三唑、3_異丙基-l，2，4-三唑、5-苯基硫羥基-苯并三唑、鹵代苯并三唑(鹵素=F、Cl、Br或I)、萘并三唑、2_巰基苯并咪唑(MBI)、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、1，5-亞戊基四唑U-苯基-5-巰基四唑、二氨基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并異二唑、苯甲酸、苯甲酸銨、兒茶酚、焦掊酚、間苯二酚、氫醌、氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸、a-酮酸如丙酮酸、腺嘌呤、嘌呤、膦酸及其衍生物、甘氨酸/抗壞血酸及其組合。13.權(quán)利要求1、2或3的清除組合物，其中至少一種胺具有通式NRfR式中R1、R2和R3可以彼此相同或不同，選自氫、直鏈CrC6烷基、支鏈C「Ce烷基、直鏈CrC6醇和支鏈C「Ce醇。14.權(quán)利要求4的清除組合物，其中至少一種季堿具有通式NRfR^0H，式中R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，選自氫、直鏈Q-Ce烷基、支鏈C「Ce烷基、取代的C6-C1Q芳基和未取代的Ce-Q。芳基；其中至少一種還原劑包括選自抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、沒食子酸、乙二醛及其組合中的物質(zhì)；其中至少一種醇包括直鏈或支鏈C「Ce醇；其中至少一種表面活性劑包括兩性鹽、陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、氟代烷基表面活性劑、非離子表面活性劑及其組合；其中分散劑包括平均分子量小于15,000的含有丙烯酸或其鹽的有機聚合物；其中含有磺酸的碳氫化合物包括直鏈C「Ce烷磺酸、支鏈C「Ce烷磺酸、直鏈C2_C6烯磺酸、支鏈c2-c6烯磺酸、取代的C6_C14芳基磺酸、未取代的C6_C14芳基磺酸、其鹽及其組合；以及其中絡合劑包括選自下列的物質(zhì)乙酸、丙酮肟、丙烯酸、己二酸、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、甜菜堿、二甲基乙二肟、甲酸、富馬酸、葡萄糖酸、谷氨酸、谷氨酰胺、戊二酸、甘油酸、甘油、乙醇酸、乙醛酸、組氨酸、亞氨基二乙酸、間苯二甲酸、衣康酸、乳酸、亮氨酸、賴氨酸、馬來酸、馬來酸酐、蘋果酸、丙二酸、苯乙醇酸、2，4-戊二酮、苯乙酸、苯丙氨酸、鄰苯二甲酸、脯氨酸、丙酸、焦兒茶酚、苯四酸、奎寧酸、絲氨酸、山梨糖醇、琥珀酸、酒石酸、對苯二甲酸、偏苯三酸、均苯三酸、酪氨酸、纈氨酸、木糖醇、其鹽和衍生物及其組合。15.—種試劑盒，其在一個或多個容器中含有用于形成清除組合物的一種或多種下列試劑，所述一種或多種試劑選自至少一種緩蝕劑、至少一種季堿、至少一種有機胺、至少一種絡合劑、至少一種表面活性劑、至少一種還原劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物、至少一種鏈烷醇胺、尿酸、至少一種醇以及其組合，其中試劑盒適合于形成權(quán)利要求1、2或3的組合物。16.從其上帶有殘留物和污染物的微電子裝置上除去所述殘留物和污染物的方法，所述方法包括將微電子裝置與清除組合物接觸足夠的時間，以從微電子裝置上至少部分清除所述殘留物和污染物，其中清除組合物包含至少一種溶劑、至少一種緩蝕劑和至少一種胺，其中緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、a-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)。17.權(quán)利要求16的方法，其中緩蝕劑包括選自腺嘌呤、嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可堿、咖啡因、尿酸、異鳥嘌呤、方形酸、腺苷及其衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、類黃酮、花青素、黃酮醇/花青素、櫟精及其衍生物、葡萄糖醛酸、櫟精/花青素及其組合中的至少一種物質(zhì)。18.權(quán)利要求16的方法，其中殘留物包括CMP后殘留物、蝕刻后殘留物、灰化后殘留物或其組合。19.權(quán)利要求18的方法，其中所述CMP后殘留物包括選自下列的材料來自CMP拋光漿料的顆粒、CMP拋光漿料中存在的化學物質(zhì)、CMP拋光漿料的反應副產(chǎn)物、富碳的顆粒、拋光墊顆粒、刷子減載顆粒、結(jié)構(gòu)顆粒的設備材料、銅、氧化銅及其組合。20.權(quán)利要求16的方法，其中所述接觸包括選自下列的條件時間從大約15秒至大約5分鐘；溫度在從大約2(TC至大約5(TC的范圍內(nèi)；及其組合。21.權(quán)利要求16的方法，其中微電子裝置包括選自半導體襯底、平板顯示器以及微電子機械系統(tǒng)(MEMS)的制品。22.<image>imageseeoriginaldocumentpage0</image>23.權(quán)利要求16的方法，其還包括在使用點時或之前用溶劑稀釋清除組合物。24.權(quán)利要求23的方法，其中所述溶劑包括水。25.權(quán)利要求16的方法，其中微電子裝置包含含有銅的材料。26.權(quán)利要求16的方法，其還包括在將微電子裝置與清除組合物接觸后用去離子水漂洗微電子裝置。27.—種清除組合物，其含有至少一種溶劑、至少一種表面活性劑、至少一種分散劑、至少一種含有磺酸的碳氫化合物和至少一種緩蝕劑，其中緩蝕劑包括選自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、a-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮雜菲/抗壞血酸、甘氨酸/抗壞血酸、煙酰胺及其衍生物、黃酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黃酮醇/花青素及其組合中的物質(zhì)，其中清除組合物對于從其上帶有殘留物的微電子裝置上除去所述殘留物是有效的。全文摘要本發(fā)明涉及一種用于從其上帶有化學機械拋光(CMP)后殘留物和污染物的微電子裝置中清除所述殘留物和污染物的清除組合物和方法。該清除組合物含有新型緩蝕劑。該組合物實現(xiàn)了CMP后殘留物和污染物材料從微電子裝置表面上的高度有效的清除，而不損害低k介電材料或銅互連材料。文檔編號C11D3/30GK101720352SQ200880016457公開日2010年6月2日申請日期2008年5月16日優(yōu)先權(quán)日2007年5月17日發(fā)明者卡爾·博格斯,埃馬努埃爾·庫珀,張鵬,普雷爾那·森塔利亞,杰弗里·巴爾內(nèi)斯申請人:高級技術(shù)材料公司