專利名稱：：烹調(diào)器具及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及烹調(diào)器具及其制造方法，尤其是涉及用濕抹布擦拭程度就可以簡單地除去烹調(diào)中附著的食品的焦糊污垢、油污的烹調(diào)器具以及可以用簡單的裝置簡便地制造該烹調(diào)器具的制造方法。此外，本發(fā)明涉及防污性制品及其制造方法，尤其是涉及具備如下特性的烹調(diào)器具及其制造方法，即，可以防止食品等的有機(jī)物在因受到加熱烹調(diào)食品時(shí)的熱而產(chǎn)生的焦糊污垢粘著在制品的基體上，而且在300'C以上的高溫下即使焦糊污垢粘著，也能夠容易地水洗除去。本申請是基于2007年1月30日在日本提出申請的特愿2007-019588號、2007年4月5日在日本提出申請的特愿2007-099474號以及在2007年9月27日在日本提出申請的特愿2007-252352號主張優(yōu)先權(quán)，在這里引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
：以往，對于烤肉板、烤箱盤等需要加熱的烹調(diào)器具而言，為了簡單地除去食品的焦糊污垢，提出了例如使以氧化鋯為主要成分的薄膜在基體表面成膜而得到的烹調(diào)器具(例如，參照專利文獻(xiàn)4)。而且，一直以來，提出了使含有二氧化硅、氧化鋯和磷酸的薄膜在制品的基體表面上成膜，并且在該薄膜中以分散狀態(tài)含有鋰離子而得到的防污性制品(例如，專利文獻(xiàn)1~3)。該防污性制品難以弄臟，而且即使一旦弄臟污垢也很容易脫落。而且，作為具備這種特性的防污性制品的制造方法，提出了下述方法，即，使鋰化合物在加熱條件下與在制品的基體上形成的含有二氧化硅、氧化鋯的薄膜接觸，通過使鋰離子從上述薄膜的表面向內(nèi)部擴(kuò)散，使得薄膜中以分散狀態(tài)含有鋰離子。專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-019007號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2005-170057號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開2006-015754號公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2005-321108號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容然而，在上述以往的烹調(diào)器具中，食品的焦糊污垢雖然可以比較簡單地除去，但是對于油污而言，存在用濕抹布擦拭程度的操作無法容易地除去的問題。因此，迫切期待出現(xiàn)一種不僅可以簡單地除去食品的焦糊污垢，而且還可以簡單地除去油污的烹調(diào)器具。此外，上述以往的防污性制品，一旦焦糊污垢粘著在制品上，則為了將該焦糊污垢除去，不得不使用擦除等物理方法，但是在使用該物理方法時(shí)，可能會損傷制品的表面，存在無法有效地防止焦糊污垢向制品基體上粘著的問題。而且，上述以往的烹調(diào)器具，雖然在250'C以下的低溫下焦糊的食品的焦糊污垢能夠比較簡單地除去，但是在300'C以上的高溫下焦糊的食品的焦糊污垢無法簡單地除去，為了將該焦糊污垢除去，不得不與上述防污性制品同樣采用擦除等物理方法，但是存在使用該物理方法時(shí)，可能會損傷烹調(diào)器具的表面的問題。本發(fā)明為了解決上述課題而完成，其目的在于提供一種用濕抹布擦拭程度就可以簡單地除去烹調(diào)中附著的食品的焦糊污標(biāo)、油污的烹調(diào)器具及其制造方法。此外，本發(fā)明的目的在于提供一種可以防止因食品等的有機(jī)物引起的焦糊污垢發(fā)生粘著，并且即使在300'C以上的高溫下焦糊污垢發(fā)生粘著，也可以容易地水洗除去的防污性制品及其制造方法，其中特別提供烹調(diào)器具及其制造方法。本發(fā)明人為了解決上述課題進(jìn)行了潛心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果使含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(0)的特定組成的薄膜形成于基體表面中的至少可能會與食品接觸的部分或者可能產(chǎn)生油污的部分上，則可以用濕抹布擦拭程度就可以簡單地除去烹調(diào)中附著的食品焦糊污垢、油污。此外，本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)如果在基體表面上形成含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(0)的特定組成的薄膜、或者含有鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的特定組成的薄膜的任意一種，則可以防止因食品等的有機(jī)物而引起的焦糊污垢粘著于基體表面，而且即使該焦糊污垢粘著于基體上，也可以容易地水洗除去，從而完成本發(fā)明。艮P，本發(fā)明為一種烹調(diào)器具，具備基體和在該基體表面上形成的薄膜，其特征在于，所述薄膜，含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(0)，分別將所述硅(Si)換算成氧化硅(Si02)、將所述鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，所述氧化硅(Si02)相對于所述氧化鋯(Zr02)和所述氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為50重量％以下。本發(fā)明的烹調(diào)器具，優(yōu)選所述薄膜還含有磷(P)，且所述磷(P)至少分布在所述薄膜的表層部。本發(fā)明的烹調(diào)器具，具備基體和在該基體表面上形成的薄膜，其特征在于，所述薄膜含有鋯(Zr)、氧(O)和磷(P)，且所述磷(P)至少分布在所述薄膜的表層部。本發(fā)明的烹調(diào)器具，優(yōu)選所述重量百分率為1重量％以上且40重量％以下。本發(fā)明的烹調(diào)器具，更優(yōu)選所述重量百分率為1重量％以上且20重量％以下。本發(fā)明的烹調(diào)器具，所述重量百分率還可以大于20重量％且為40重量％以下。本發(fā)明的烹調(diào)器具，所述薄膜厚度優(yōu)選為0.01pm以上且10pm以下。本發(fā)明為一種烹調(diào)器具的制造方法，將涂布液涂布在基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，所述涂布液含有鋯成分、硅成分以及溶劑，并且分別將所述鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將所述硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，所述氧化硅(Si02)相對于所述氧化鋯(Zr02)和所述氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為50重量％以下，所述鋯成分為選自烷氧基鋯(zirconiumalkoxide)、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、垸氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑「20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。本發(fā)明的烹調(diào)器具的制造方法，優(yōu)選所述涂布膜在20CTC以上的溫度下進(jìn)行熱處理。本發(fā)明的烹調(diào)器具的制造方法，優(yōu)選所述涂布液還含有磷(P)成分。本發(fā)明是一種烹調(diào)器具的制造方法，將涂布液涂布在所述基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IO(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理，制成薄膜，在該薄膜上涂布含有磷(P)成分的溶液或分散液，在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，從而至少使所述薄膜的表層部含有所述磷(P)成分，所述涂布液含有鋯(Zr)成分、硅(Si)成分以及溶劑，并且分別將所述鋯(Zr)成分換算成氧化鋯(Zr02)、將所述硅(Si)成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，所述氧化硅(Si02)相對于所述氧化鋯(Zr02)和所述氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為50質(zhì)量°/。以下，所述鋯成分為選自垸氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。本發(fā)明的烹調(diào)器具的制造方法，將涂布液涂布在所述基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，所述涂布液含有鋯(Zr)成分、磷(P)成分以及溶劑，所述鋯成分為選自垸氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。本發(fā)明的烹調(diào)器具的制造方法，將涂布液涂布在所述基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，制成薄膜，接著在該薄膜上涂布含有磷(P)成分的溶液或分散液，在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，從而至少使所述薄膜的表層部含有所述磷(P)成分，所述涂布液含有鋯(Zr)成分和溶劑，所述鋯成分為選自垸氧基鋯、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物、垸氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。本發(fā)明的烹調(diào)器具的制造方法，所述烷氧基鋯的螯合物，優(yōu)選為烷氧基鋯與選自乙醇胺、P-二酮、P-酮酸酯及羧酸中的一種或兩種以上的化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。本發(fā)明的烹調(diào)器具的制造方法，所述烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物，優(yōu)選為烷氧基鋯的水解產(chǎn)物與選自乙醇胺、(5-二酮、卩-酮酸酯及羧酸中的一種或兩種以上的化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。發(fā)明效果利用本發(fā)明的烹調(diào)器具，由于在基體表面的至少一部分上形成含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(0)的特定組成的薄膜，因此即使是在烹調(diào)中附著的食品焦糊、或者油污附著時(shí)，也能夠以濕抹布擦拭程度簡單地除去這些食品的焦糊污垢、油污。尤其是所述重量百分率為1重量％~20重量％時(shí)，食品的焦糊污垢的除去性顯著優(yōu)良。當(dāng)然，油污的除去容易性、薄膜的耐水性也良好。此外，所述重量百分率大于20重量％且在40重量％以下時(shí)，油污的除去性顯著優(yōu)良。當(dāng)然，食品的焦糊污垢的除去容易性、薄膜的耐水性也良好。此外，利用本發(fā)明的防污性制品，即烹調(diào)器具，由于在基體的表面上形成含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的特定組成的薄膜、或者含有鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的特定組成的薄膜中的任意一種，因而在基體表面形成的薄膜對因食品等的有機(jī)物而引起的焦糊污垢具有優(yōu)良的防污性，由此可以防止因食品等的有機(jī)物而引起的焦糊污垢的粘著，而且，即使在300'C以上的高溫下焦糊污垢粘著的情況下，也可以容易地水洗除去該焦糊污垢。此外，該薄膜對油污、水垢、動物的排泄物(例如糞)等其他種類的污垢也具有優(yōu)良的防污性。利用本發(fā)明的烹調(diào)器具的制造方法，可以用簡單的裝置簡便地制造在基體表面的至少一部分上形成含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(0)的特定組成的薄膜而得到的烹調(diào)器具。此外，利用本發(fā)明的防污性制品、即烹調(diào)器具的制造方法，可以簡便且廉價(jià)地制作可以防止因食品等的有機(jī)物而引起的焦糊污垢的粘著，而且，即使在300'C以上的高溫下焦糊污垢粘著的情況下，也可以容易地水洗除去該焦糊污垢，進(jìn)而對油污、水垢、動物的排泄物(例如糞)等其他種類的污垢也具有優(yōu)良的防污性的防污性制品。圖l是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的防污性制品的剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的防污性制品的剖面圖。圖3是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的防污性制品的剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的防污性制品的剖面圖。標(biāo)號說明1防污性制品2基體3薄膜3a表層部ll防污性制品12薄膜21防污性制品22薄膜22a表層部31防污性制品32薄膜具體實(shí)施例方式對用于實(shí)施本發(fā)明的烹調(diào)器具及其制造方法的最佳方式進(jìn)行說明。需要說明的是，該方式是為了更好地理解發(fā)明的主旨而進(jìn)行的具體說明，沒有特別限制，不對本發(fā)明作以限定。本實(shí)施方式的烹調(diào)器具，在構(gòu)成烹調(diào)器具本體的基體表面的至少一部分，即在該表面中的至少可能會與食品接觸的區(qū)域或者可能產(chǎn)生油污的區(qū)域形成薄膜，所述薄膜含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(O)，分別將所述硅(Si)換算成氧化硅(Si02)、將所述鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，所述氧化硅(Si02)相對于所述氧化鋯(Zr02)和所述氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為1重量％以上且40重量％以下。所述重量百分率還可以是50重量％以下。所謂該烹調(diào)器具，當(dāng)然有例如在室內(nèi)的廚房、烹調(diào)地點(diǎn)等的廚房11中使用的平鍋、鍋、烹調(diào)用板、烤魚用烤架的接水盤、燒烤網(wǎng)等，是爐蓋、爐構(gòu)件、煤爐(stove)構(gòu)件、烤箱內(nèi)構(gòu)件等食品烹調(diào)中使用的各種器具以及各種廚房設(shè)備的附帶構(gòu)件的總稱，該各種器具包括烤架、烤箱、烤面包器等收納食品并進(jìn)行加熱烹調(diào)的加熱烹調(diào)機(jī)器的加熱烹調(diào)室內(nèi)的頂板、內(nèi)壁面。作為該烹調(diào)器具的材質(zhì)，可以是鋼、不銹鋼、鋁、銅等金屬材料；玻璃、氧化鋯等陶瓷材料、琺瑯等金屬-陶瓷復(fù)合材料等種類。作為形成該薄膜的區(qū)域，至少必須是可能會與食品接觸的區(qū)域或者可能產(chǎn)生油污的區(qū)域，當(dāng)然也可以整個表面都不露出地全部形成上述薄膜c這里，將該薄膜的組成設(shè)為分別將所述硅(Si)換算成氧化硅(Si02)、將所述鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，所述氧化硅(Si02)相對于所述氧化鋯(Zr02)和所述氧化硅(Si02)的總量的重量百分率是50重量％以下的原因在于，如果氧化硅(Si02)的重量百分率超過50重量％，則雖然可以用濕抹布擦拭程度除去油污，但是無法用濕抹布擦拭程度除去食品的焦糊污垢。這里，如果將所述重量百分率限定在1重量％以上且20重量％以下的范圍，則食品的焦糊污垢的除去容易性特別優(yōu)良。當(dāng)然，油污的除去容易性、薄膜的耐水性也良好。此外，將所述重量百分率限定在超過20重量％且為40重量％以下的范圍時(shí)，油污的除去性特別優(yōu)良。當(dāng)然，食品的焦糊污垢的除去容易性、薄膜的耐水性也良好。如果從疏水性和親水性的角度考慮該薄膜的組成，則氧化鋯(Zr02)由于在表面不具有親水基(-OH)因而顯示疏水性，而氧化硅(Si02)由于在表面具有親水基(-OH)因而顯示親水性。因此，在顯示疏水性的氧化鋯(Zr02)中導(dǎo)入氧化硅(Si02)以使得重量百分率為1重量％~40重量％，則由含有該氧化硅(Si02)的氧化鋯(Zr02)形成的薄膜，兼具有適度的疏水性和親水性。所述重量百分率還可以是50重量％以下。該薄膜的厚度優(yōu)選為0.01pm以上且10nm以下。該薄膜的厚度低于0.01nm時(shí)，防污性的賦予(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)不充分，因此不優(yōu)選，另一方面，厚度超過10nm時(shí)，薄膜的耐沖擊性降低而容易產(chǎn)生裂紋，而且透明性降低而使烹調(diào)器具自身的色調(diào)等設(shè)計(jì)性降低，因而不優(yōu)選。該烹調(diào)器具，可以通過例如下面的第1制造方法來制造。艮P，將第l涂布液涂布在基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在大氣中、20(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理，所述第l涂布液含有鋯成分、硅成分以及溶劑，并且分別將所述鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將所述硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，所述氧化硅相對于所述氧化鋯和所述氧化硅的總量的重量百分率為1重量％以上且40重量％以下，所述鋯成分為選自垸氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。所述重量百分率可以是50重量％以下。此外，所述涂布膜的熱處理不限于在大氣中，也可以在其他的氣氛中進(jìn)行。而且，所述涂布膜的熱處理還可以在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行。該涂布液中，作為上述的烷氧基鋯，沒有特別限制，但可以例示例如四正丁氧基鋯、四丙氧基鋯。這些四正丁氧基鋯、四丙氧基鋯具有適當(dāng)?shù)乃馑俣?，而且容易處理，可以形成膜質(zhì)均勻的薄膜。此外，作為垸氧基鋯的水解產(chǎn)物，沒有特別限制，但可以例示例如四正丁氧基鋯的水解產(chǎn)物、四丙氧基鋯的水解產(chǎn)物。作為該水解產(chǎn)物的水解率，沒有特別限制，可以使用超過0摩爾％且在100摩爾％以下的范圍內(nèi)的水解率。這些垸氧基鋯、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的吸濕性高，不穩(wěn)定，貯藏穩(wěn)定性也不足，因此在處理時(shí)需要非常注意。這里，從處理的容易性出發(fā)，優(yōu)選使這些垸氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物螯合化而得到的烷氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物。作為上述烷氧基鋯的螯合物，可以例示院氧基鋯與選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等乙醇胺；乙酰丙酮等(3-二酮；乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙二酸二乙酯、苯氧基乙酸乙酯等(5-酮酸酯；以及醋酸、乳酸、檸檬酸、苯甲酸、蘋果酸等羧酸中的一種或兩種以上的水解抑制劑(化合物)的反應(yīng)產(chǎn)物。這里，所謂水解抑制劑是指與烷氧基鋯形成螯合物，具有抑制該螯合物的水解反應(yīng)的作用的化合物。作為垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物，可以例示垸氧基鋯與選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等乙醇胺；乙酰丙酮等p-二酮；乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙二酸二乙酯、苯氧基乙酸乙酯等P-酮酸酯；以及醋酸、乳酸、檸檬酸、苯甲酸、蘋果酸等羧酸中的一種或兩種以上的水解抑制劑(化合物)的反應(yīng)產(chǎn)物。水解抑制劑的定義如上所述。該水解抑制劑相對于烷氧基鋯或烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的比例，優(yōu)選為該烷氧基鋯或垸氧基鋯的水解產(chǎn)物中所含的鋯(Zr)的0.5摩爾倍~4摩爾倍，優(yōu)選為l摩爾倍3摩爾倍。14其理由是如果比例小于0.5摩爾倍，則涂布液的穩(wěn)定性變得不充分，而如果超過4摩爾倍，則即使熱處理后，水解抑制劑仍殘留在薄膜中，其結(jié)果是薄膜的硬度降低。這些垸氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物，還可以通過將垸氧基鋯或垸氧基鋯的水解產(chǎn)物溶解于溶劑中，進(jìn)而添加水解抑制劑，在所得的溶劑中發(fā)生螯合化反應(yīng)而得到。作為上述硅成分，若是經(jīng)熱處理而能夠成為氧化硅的硅化物則沒有特別限制，但可以例示例如膠體二氧化硅、硅醇鹽、硅醇鹽的水解產(chǎn)物。作為該水解產(chǎn)物的水解率，沒有特別限制，可以使用超過0摩爾％且在100摩爾％以下的范圍內(nèi)的水解產(chǎn)物。作為上述溶劑，若是能夠溶解或分散上述的鋯成分和硅成分的溶劑，則可以沒有特別限制地使用，例如優(yōu)選水、甲醇、乙醇、2-丙醇、l-丁醇等低級醇。尤其是，使用水作為溶劑時(shí)，如果水的含量為醇鹽的水解量以上，則涂布液的穩(wěn)定性降低，因此不優(yōu)選。這里,作為鋯成分，在使用垸氧基鋯和/或垸氧基鋯的水解產(chǎn)物時(shí)，或者作為硅成分使用硅醇鹽和/或硅醇鹽的水解產(chǎn)物時(shí)，還可以添加用于控制該鋯成分或硅成分的水解反應(yīng)的催化劑。作為該催化劑，可以例示鹽酸、硝酸等無機(jī)酸、檸檬酸、醋酸等有機(jī)酸等。此外，該催化劑的添加量，通常優(yōu)選相對于涂布液中的鋯成分和硅成分的總量為0.01-10重量％左右。需要說明的是，添加過量的催化劑會在熱處理時(shí)腐蝕熱處理爐，因此不優(yōu)選。這里，使用垸氧基鋯的螯合物或垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物作為鋯成分，使用膠體二氧化硅作為硅成分時(shí)，不需要添加作為控制水解反應(yīng)的催化劑的酸，因此不可能在熱處理時(shí)腐蝕熱處理爐，因此優(yōu)選。在該涂布液中，鋯成分和硅成分的總含有率，優(yōu)選為分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化鋯和氧化硅的總含有率為1重量％以上且10重量％以下。總含有率小于1重量％時(shí)，難以形成規(guī)定膜厚的薄膜，另一方面，總含有率超過10重量％時(shí)，超過規(guī)定膜厚而成為薄膜白化、剝離的原因，因此不優(yōu)選。接著，將上述涂布液涂布在構(gòu)成烹調(diào)器具本體的基體表面的至少一部分，即可能會與食品接觸的區(qū)域或者可能產(chǎn)生油污的區(qū)域。涂布方法沒有特別限制，可以應(yīng)用噴霧法、浸漬法、刷涂法等。在涂布時(shí)，優(yōu)選將涂布膜的厚度制備成使得熱處理后的膜厚為0.01^im10nm的范圍。將這樣得到的涂布膜在大氣中，在200'C以上、更優(yōu)選在400'C以上、進(jìn)一步優(yōu)選在50(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理。熱處理溫度過高時(shí)，基體可能發(fā)生變形，因此根據(jù)構(gòu)成烹調(diào)器具的基體材質(zhì)對熱處理溫度進(jìn)行調(diào)整。熱處理時(shí)的氣氛沒有特別限制，但是通常在大氣氣氛中進(jìn)行。這樣得到的薄膜，具有下述(1)~(4)的任意一種組成。(1)—種無機(jī)物質(zhì)，由在分子骨架中具有硅(Si)原子和鋯(Zr)原子借助氧(0)原子結(jié)合而成的下述式(1)表示的化學(xué)鍵的硅-鋯氧化物構(gòu)成，該硅-鋯氧化物形成三維網(wǎng)結(jié)構(gòu)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>(2)—種無機(jī)物質(zhì)，由在分子骨架中具有鋯(Zr)原子之間借助氧(0)原子結(jié)合而成的下述式(2)表示的化學(xué)鍵的鋯氧化物構(gòu)成，該鋯氧化物形成三維網(wǎng)結(jié)構(gòu)，硅氧化物的微粒被封閉在該三維網(wǎng)結(jié)構(gòu)中。Ij(3)—種無機(jī)物質(zhì)，是硅氧化物微粒和鋯氧化物微粒相互分散而成。(4)上述(1)(3)中任意一種或兩種以上的無機(jī)物質(zhì)混合存在的狀態(tài)的物質(zhì)。如以上說明，利用本實(shí)施方式的烹調(diào)器具，在基體表面的至少一部分形成薄膜，所述薄膜，含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(0)，分別將硅(Si)換算成氧化硅(Si02)、將鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為1重量％以上且40重量％以下，因此，以濕抹布擦拭程度不僅可以簡單地除去食品的焦糊污垢，還可以除去油污。所述重量百分率也可以是50重量％以下。此外，所述薄膜由于以高折射率材料氧化鋯(Zr02)為主要成分，因此折射率大，且得到有深度的反射，外觀上也美觀，設(shè)計(jì)性也得到提高。根據(jù)本實(shí)施方式的烹調(diào)器具的制造方法，將涂布液涂布在基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在大氣中，200'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，因此可以用簡單的裝置簡便地制造本實(shí)施方式的烹調(diào)器具，所述涂布液含有鋯成分、硅成分以及溶劑，并且分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅相對于氧化鋯和氧化硅的總量的重量百分率為1重量％以上且40重量％以下，所述鋯成分為選自垸氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm17以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。所述重量百分率也可以是50重量%以下。此外，上述涂布膜的熱處理不限于在大氣中，在其他氣氛中也可以進(jìn)行。進(jìn)而，所述涂布膜的熱處理也可以在100'C以上的溫度下進(jìn)行。圖1是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的防污性制品的剖面圖，該防污性制品1具有構(gòu)成防污性制品本體的基體2以及在該基體2表面的至少可能會發(fā)生焦糊污垢粘著的區(qū)域形成的含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的薄膜3，該薄膜3至少在表層部3a分布有磷(P)。作為防污性制品1，雖然沒有特別限制，但只要是對由食品等的有機(jī)物引起的焦糊污垢要求有防污性的制品即可，例如當(dāng)然有廚房、廚房中使用的平鍋、鍋、烹調(diào)用板、烤魚用烤架的接水盤、燒烤網(wǎng)等各種烹調(diào)器具，也是爐蓋、爐構(gòu)件、煤爐(stove)構(gòu)件、烤箱內(nèi)構(gòu)件等食品烹調(diào)中使用的各種烹調(diào)器機(jī)器等的總稱。基體2構(gòu)成防污性制品1的本體，其形狀可以根據(jù)目標(biāo)器具、機(jī)器、構(gòu)件等的形狀、樣式選擇使用各種形狀。此外，作為其材質(zhì)，只要是能在100'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理的種類即可，可以是鋼、不銹鋼等各種金屬；含有低熱膨脹性結(jié)晶化玻璃等各種耐熱玻璃的陶瓷、琺瑯等金屬-陶瓷復(fù)合物等。薄膜3含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)，分別將硅(Si)換算成氧化硅(Si02)、將鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為50質(zhì)量％以下，優(yōu)選為1質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下，并且磷(P)至少分布在該薄膜3的表層部3a中。含磷(P)的表層部3a對焦糊污壢等具有優(yōu)良的防污性。此外，18該表層部3a由于含有氧化硅(Si02)，因此耐水性、對基體2的密合性優(yōu)良。這里，將氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率設(shè)為50質(zhì)量％以下的理由是，氧化硅(Si02)的質(zhì)量百分率超過50質(zhì)量％時(shí)，無法防止焦糊污垢發(fā)生粘著，而且，一旦粘著的焦糊污垢無法用濕抹布擦拭程度來除去。尤其是氧化硅(Si02)的質(zhì)量百分率為1質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下的情況下，可以進(jìn)一步有效地防止焦糊污垢的粘著，而且即使在30(TC以上的高溫下焦糊污垢發(fā)生粘著，也可以將該焦糊污垢更加有效、容易地水洗除去，因而優(yōu)選。該薄膜3的厚度優(yōu)選為O.OOlpm以上且10nm以下。該薄膜3的厚度低于0.001pm時(shí)，防污性的賦予不充分，即對焦糊污垢的防污性和粘著的焦糊污垢的除去容易性不充分，另一方面，厚度超過l(Him時(shí)，薄膜3自身的耐沖擊性降低而容易產(chǎn)生裂紋，因而不優(yōu)選。尤其是，為了防止干涉色的發(fā)生，優(yōu)選將薄膜3的厚度設(shè)為O.lpm以下。該表層部3a的厚度，根據(jù)后述的第2制造方法的"第2工序"中的熱處理?xiàng)l件來決定，但是在通常的熱處理?xiàng)l件下，距薄膜3的表面至少0.0001pm以上，優(yōu)選0.005pm以上。此外，該表層部3a中的磷(P)的濃度沒有特別限制，為0.001質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下，優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下，具有從該薄膜3的表面向深度方向逐漸變?yōu)榈蜐舛鹊臐舛忍荻取?9該表層部3a中的磷(P)的濃度低于0.001質(zhì)量％時(shí)，無法以濕抹布擦拭程度除去在30(TC以上的高溫下焦糊而粘著的焦糊污垢，另一方面，表層部3a中的磷(P)的濃度超過10質(zhì)量％時(shí)，薄膜3的耐水性、耐磨損性降低，因而不優(yōu)選。形成有具有這種表層部3a的薄膜3的防污性制品1，可以有效地防止焦糊污垢的粘著，而且即使是在300'C以上的高溫下發(fā)生焦糊的焦糊污垢，也可以用濕抹布擦拭程度簡單地除去。而且，具有該表層部3a的薄膜3的耐久性也優(yōu)良。該薄膜3的表層部3a發(fā)揮出防污效果的理由被認(rèn)為是，與作為表層部3a的構(gòu)成成分的硅(Si)、鋯(Zr)、磷(P)的各原子與氧(0)原子的結(jié)合狀態(tài)有密切關(guān)系。這里，對代表的兩種結(jié)合狀態(tài)進(jìn)行說明。(1)如下述結(jié)構(gòu)式(3)所示，一個硅(Si)原子和四個氧(0)原子發(fā)生化學(xué)結(jié)合，各個氧(0)原子具有一個結(jié)合鍵的情況。I—0—翁一",〖8J《此時(shí)，氧(0)原子的結(jié)合鍵的一部分與氫結(jié)合而成為羥基(-OH)，顯示親水性。如果薄膜3的表層部3a顯示親水性，則以蛋白質(zhì)等為代表的親水性的有機(jī)物質(zhì)受到熱作用而焦糊時(shí)，焦糊污垢會更加牢固地粘著。(2)如下述結(jié)構(gòu)式(4)所示，一個鋯(Zr)原子和三個氧(0)原子發(fā)生化學(xué)結(jié)合，與這些氧(0)原子中的一個氧(0)原子雙鍵結(jié)合，其他的氧(0)原子分別具有一個結(jié)合鍵的情況。錢此時(shí)，這些氧(O)原子的結(jié)合鍵的一部分與氫結(jié)合而成為羥基(-OH)，顯示親水性。如果薄膜3的表層部3a顯示親水性，則以蛋白質(zhì)等為代表的親水性的有機(jī)物質(zhì)受到熱作用而焦糊時(shí)，焦糊污垢會更加牢固地粘著。在具有上述硅(Si)原子和氧(0)原子的化學(xué)鍵、以及鋯(Zr)原子和氧(0)原子的化學(xué)鍵的薄膜3中含有磷(P)時(shí)，例如，如下述結(jié)構(gòu)式(5)所示，磷(P)與氧(0)原子的結(jié)合鍵發(fā)生脫水縮合反應(yīng)而交聯(lián)，進(jìn)一步生成雙鍵。該雙鍵不是羥基(-OH)，因此顯示某種程度的疏水性。i菩0o!菩一q一齒一'O，.P~tvQ—&一":MS》1^且■qoo■其結(jié)果是，薄膜3的表層部3a對焦糊污垢具有適度的親水性和疏水性，因此，與焦糊污垢的基體2的密合性降低，能有效地防止焦糊污垢的粘著，即使是在30(TC以上的高溫下發(fā)生焦糊的焦糊污垢，也可以以濕抹布擦拭程度簡單地除去。該防污性制品1例如可以通過下面的第2制造方法來制造。艮口，該第2制造方法具有將第2涂布液涂布在基體2表面上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在10(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理而制成薄膜的第1工序；以及接著在該薄膜上涂布含有磷(P)成分的溶液或分散液，在10(TC以上、優(yōu)選在20(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理，從而使薄膜中含有磷(P)成分的第2工序，所述第2涂布液含有鋯(Zr)成分、硅(Si)成分和溶劑，分別將鋯(Zr)成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅(Si)成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為50重量％以下，優(yōu)選為1質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下，所述鋯成分為選自垸氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上的。作為該第2涂布液中的上述烷氧基鋯，沒有特別限制，但可以例示例如四正丁氧基鋯、四丙氧基鋯。這些四正丁氧基鋯、四丙氧基鋯具有適當(dāng)?shù)乃馑俣?，而且容易處理，可以形成膜質(zhì)均勻的薄膜。此外，作為上述烷氧基鋯的水解產(chǎn)物，沒有特別限制，但可以例示例如四正丁氧基鋯的水解產(chǎn)物、四丙氧基鋯的水解產(chǎn)物。這些水解產(chǎn)物的水解率沒有特別限制，可以使用超過0摩爾％且在100摩爾％以上范圍內(nèi)的水解率。這些烷氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的吸濕性高，非常不穩(wěn)定，進(jìn)而該第2涂布液的IC藏穩(wěn)定性也差，因此優(yōu)選使用將這些烷氧基鋯、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物螯合化而得到的垸氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物。作為上述烷氧基鋯的螯合物，可以例示垸氧基鋯與選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等乙醇胺；乙酰丙酮等p-二酮；乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙二酸二乙酯、苯氧基乙酸乙酯等(3-酮酸酯；以及醋酸、乳酸、檸檬酸、苯甲酸、蘋果酸等羧酸中的一種或兩種以上的水解抑制劑(化合物)的反應(yīng)產(chǎn)物。這里，所謂水解抑制劑是指與垸氧基鋯形成螯合物，具有抑制該螯合物的水解反應(yīng)的作用的化合物。作為烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物，可以例示烷氧基鋯與選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等乙醇胺；乙酰丙酮等(J-二酮；乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙二酸二乙酯、苯氧基乙酸乙酯等P-酮酸酯；以及醋酸、乳酸、檸檬酸、苯甲酸、蘋果酸等羧酸中的一種或兩種以上的水解抑制劑的反應(yīng)產(chǎn)物。水解抑制劑的定義如上所述。22該水解抑制劑相對于烷氧基鋯或垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的比例，優(yōu)選為該烷氧基鋯或烷氧基鋯的水解產(chǎn)物中所含的鋯(Zr)的0.5摩爾倍~4摩爾倍，優(yōu)選為1摩爾倍~3摩爾倍。其理由是如果比例小于0.5摩爾倍，則涂布液的穩(wěn)定性變得不充分，而如果超過4摩爾倍，則即使熱處理后，水解抑制劑仍殘留在薄膜中，其結(jié)果是薄膜的硬度降低。這些烷氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物，還可以通過將烷氧基鋯或烷氧基鋯的水解產(chǎn)物溶解于溶劑中，進(jìn)而添加水解抑制劑，在所得的溶劑中發(fā)生螯合化反應(yīng)而得到。作為上述硅成分，若是經(jīng)熱處理而能夠成為氧化硅的硅化物則沒有特別限制，但可以例示例如膠體二氧化硅、硅醇鹽、硅醇鹽的水解產(chǎn)物。作為該水解產(chǎn)物的水解率，沒有特別限制，可以使用超過0摩爾％且在100摩爾％以上的范圍內(nèi)的水解產(chǎn)物。作為上述溶劑，若是能夠溶解或分散上述的鋯成分和硅成分的溶劑，則可以沒有特別限制地使用，例如優(yōu)選水、甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丁醇等低級醇，除此之外可以列舉乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚等醚類(溶纖劑類)；丙酮、二甲基酮、二乙基酮等酮類；乙二醇等二元醇類；高級醇類；酯類。尤其是，使用水作為溶劑時(shí)，如果水的含量是醇鹽的水解量以上，則涂布液的穩(wěn)定性降低，因此不優(yōu)選。這里，在使用垸氧基鋯和/或烷氧基鋯的水解產(chǎn)物作為鋯成分時(shí)，或者使用硅醇鹽和/或硅醇鹽的水解產(chǎn)物作為硅成分時(shí)，還可以添加用于控制該鋯成分或硅成分的水解反應(yīng)的催化劑。作為該催化劑，可以例示鹽酸、硝酸等無機(jī)酸、檸檬酸、醋酸等有機(jī)酸等。此外，該催化劑的添加量，通常優(yōu)選相對于涂布液中的鋯成分和硅成分的總量為0.01-10重量％左右。需要說明的是，催化劑的過量添加可能會在熱處理時(shí)腐蝕熱處理爐，因此不優(yōu)選。這里，使用垸氧基鋯的螯合物或烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物作為鋯成分，使用膠體二氧化硅作為硅成分時(shí)，不需要添加作為控制水解反應(yīng)的催化劑的酸，因此不會在熱處理時(shí)腐蝕熱處理爐，因此優(yōu)選。在該涂布液中，鋯成分和硅成分的總含有率，優(yōu)選為分別將所述鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將所述硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化鋯和氧化硅的總含有率為0.1重量％以上且10重量％以下。總含有率小于0.1重量％時(shí)，難以形成規(guī)定膜厚的薄膜，另一方面，總含有率超過10重量％時(shí)，超過規(guī)定膜厚而成為薄膜白化、剝離的原因，因此不優(yōu)選。接著，將該第2涂布液涂布在基體2的表面上。作為涂布方法，沒有特別限制，可以應(yīng)用噴霧法、浸漬法、刷涂法等。在涂布時(shí)，優(yōu)選將涂布膜的厚度制備成使得熱處理后的膜厚為0.001pm10^im的范圍。將這樣得到的涂布膜在IOO'C以上、更優(yōu)選在200'C以上的熱處理溫度下，通常進(jìn)行熱處理時(shí)間為0.1小時(shí)以上且24小時(shí)以下的熱處理，制成薄膜3。熱處理溫度低于100'C或熱處理時(shí)間不足時(shí)，所得的薄膜3的膜強(qiáng)度降低，因而不優(yōu)選。另一方面，熱處理溫度過高或熱處理時(shí)間過長時(shí)，基體2可能發(fā)生變形，因此根據(jù)基體2的材質(zhì)對熱處理溫度及熱處理時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。熱處理時(shí)的氣氛沒有特別限制，但是通常在大氣氣氛中進(jìn)行。接著，使磷(P)成分溶解或分散于水或有機(jī)溶劑中，制成含有磷(P)成分的溶液或分散液。作為該磷(P)成分，只要是磷酸、聚磷酸、偏磷酸等磷酸類；磷酸鈉、磷酸氫鈉等磷酸鹽；聚磷酸鈉、偏磷酸鈉、聚磷酸氫鈉；偏磷酸氫鈉等縮合磷酸鹽；磷酸酯等磷酸化合物等在分子骨架中具有磷(P)分子的磷化合物即可，沒有特別限制。作為該溶液或分散液的溶劑，只要是可以使磷(P)成分溶解或分散的溶劑即可，可以列舉水或有機(jī)溶劑，該有機(jī)溶劑沒有特別限制。將該磷(P)成分溶解或分散在水或有機(jī)溶劑中。有機(jī)溶劑沒有特殊限制。該含有磷(P)成分的溶液或分散液中的磷(P)濃度沒有特別限定，但優(yōu)選是0.01質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下。該磷(P)成分的濃度低于0.01質(zhì)量％時(shí)，無法充分實(shí)現(xiàn)本發(fā)明特征效果即防污性，而磷(P)成分的濃度超過10質(zhì)量％時(shí)，表層部3a的表面粗糙化，可能會產(chǎn)生表面粗糙。此外，為了改善涂布性，在該含有磷(P)的溶液或分散液中還可以含有表面活性劑。將該含有磷(P)成分的溶液或分散液涂布于薄膜3上。作為涂布方法，沒有特別限制，可以應(yīng)用噴霧法、浸漬法、刷涂法等。此外，對于涂布該溶液或分散液時(shí)的涂布量，只要是能夠充分地賦予薄膜3防污性的量即可，沒有特別限制。接著，將涂布該含有磷(P)成分的溶液或分散液而得到的薄膜3在IO(TC以上、更優(yōu)選在200'C以上的溫度下，熱處理0.1小時(shí)~24小時(shí)，使磷(P)成分含浸于薄膜3中。這里，熱處理溫度低于IOO'C或熱處理時(shí)間不足時(shí)，薄膜3的膜強(qiáng)度不充分，薄膜3的表層部3a中的磷(P)成分的含量不足，無法實(shí)現(xiàn)防污性效果。而熱處理溫度過高或熱處理時(shí)間過長時(shí)，基體2可能發(fā)生變形，因此要根據(jù)基體2對熱處理溫度及熱處理時(shí)間迸行調(diào)整。熱處理時(shí)的氣氛沒有特別限制，但是通常在大氣氣氛中進(jìn)行。需要說明的是，使該磷(P)成分含浸于薄膜3中的熱處理，只要所述薄膜3在IOO'C以上的高溫狀態(tài)下即可，不必另行設(shè)置新的熱處理工序。熱處理后，有時(shí)會有殘?jiān)鼩埩?，但其通過水洗等可以容易地去除。如以上說明，根據(jù)本實(shí)施方式的防污性制品，可以防止因食品等的有機(jī)物引起的焦糊污垢的粘著，并且即使在30(TC以上的高溫下焦糊污垢發(fā)生粘著的情況下，也可以容易地水洗除去該焦糊污垢。根據(jù)本實(shí)施方式的防污性制品的制造方法，可以在不需要特殊裝置、工序的情況下，簡便且廉價(jià)地制作防污性制品，該防污性制品可以防止因食品等的有機(jī)物引起的焦糊污垢的粘著，并且即使在300'C以上的高溫下焦糊污垢發(fā)生粘著的情況下，也可以水洗除去該焦糊污垢。圖2是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的防污性制品的剖面圖，該防污性制品11與第2實(shí)施方式的防污性制品1的不同之處在于，在第2實(shí)施方式的防污性制品1中，形成含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的薄膜3，在該薄膜3的至少表層部3a上分布有磷(P)，而本實(shí)施方式的防污性制品11，形成以規(guī)定比例含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的薄膜12，在該薄膜12中大致均勻地分布有磷(P)。該薄膜12的組成是，含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)，分別將硅(Si)換算成氧化硅(Si02)、將鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為50質(zhì)量％以下，優(yōu)選為1質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下，且磷(P)大致均勻地分布在薄膜12中。而且，含有該磷(P)的薄膜12整體具有優(yōu)良的防污功能，成為防污性的薄膜。此外，薄膜12含有氧化硅(Si02)，因此耐水性以及對基體2的密合性優(yōu)良。這里，將氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率設(shè)為50質(zhì)量％以下的理由是，氧化硅(Si02)的質(zhì)量百分率超過50質(zhì)量％時(shí)，無法防止焦糊污垢的粘著，發(fā)生粘著的焦糊污垢也無法用濕抹布擦拭程度來除去。尤其是氧化硅(Si02)的質(zhì)量百分率為1質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下的情況下，可以進(jìn)一步有效地防止焦糊污垢的粘著，而且即使在30(TC以上的高溫下焦糊污垢發(fā)生粘著，也可以更加有效、容易地將該焦糊污垢水洗除去，因而優(yōu)選。在該薄膜12中磷(P)的濃度沒有特別限制，優(yōu)選0.001質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下。該薄膜12中磷(P)的濃度低于0.001質(zhì)量％時(shí)，無法以濕抹布擦拭程度除去在300。C以上的高溫下焦糊而粘著的焦糊污垢，另一方面，磷(P)的濃度超過10質(zhì)量％時(shí)，薄膜12的耐水性、耐磨損性降低，因而不優(yōu)選。薄膜12的厚度優(yōu)選0.001nm以上且10jim以下。該薄膜12的厚度低于0.001nm時(shí)，防污性的賦予不充分，即對焦糊污垢的防污性和粘著的焦糊污垢的除去容易性不充分，另一方面，厚度超過l(Him時(shí)，薄膜12自身的耐沖擊性降低而容易產(chǎn)生裂紋，因而不優(yōu)選o尤其是，為了防止干涉色的發(fā)生，優(yōu)選將薄膜12的厚度設(shè)為0.1pm以下。形成有該薄膜12的防污性制品11可以有效地防止焦糊污垢的粘著，而且即使是在300'C以上的高溫下發(fā)生粘著的焦糊污垢，也可以用濕抹布擦拭程度簡單地除去。而且，該薄膜12的耐久性也優(yōu)良。該薄膜12發(fā)揮出防污效果的理由與第2實(shí)施方式的薄膜3的表層部3a的理由相同。該防污性制品11例如可以通過下面的第3制造方法來制作。艮P，該第3制造方法具有將第3涂布液涂布在基體2表面上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理的工序，所述第3涂布液含有鋯(Zr)成分、硅(Si)成分、磷(P)成分和溶劑，分別將鋯(Zr)成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅(Si)成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為50重量％以下，優(yōu)選為1質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下，所述鋯成分為選自烷氧基鋯、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、'烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。該第3涂布液中的磷(P)成分的濃度沒有特別限制，如果分別將磷(P)成分換算成(P)、將鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)、將硅(Si)換算成氧化硅(Si02)時(shí)，磷(P)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為0.001質(zhì)量°/。以上且10質(zhì)量％以下，則所得的薄膜12的防污性優(yōu)良，可以進(jìn)一步有效地防止焦糊污垢的粘著，而且即使在30(TC以上的高溫下焦糊污垢發(fā)生粘著，也可以更加有效容易地將該焦糊污垢水洗除去，因而優(yōu)選。該第3涂布液中的烷氧基鋯、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物、垸氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物、水解抑制劑、硅成分、溶劑、催化劑、磷(P)成分，與第2實(shí)施方式中的第2涂布液中的各成分相同。作為將該第3涂布液涂布在基體2上的方法，沒有特別限制，可以應(yīng)用噴霧法、浸漬法、刷、凃法等。接著，將涂布有該第3涂布液的基體2在IOO'C以上、優(yōu)選在200°C以上的溫度下進(jìn)行0.1小時(shí)~24小時(shí)的熱處理，從而在基體2上形成薄膜12。這里，熱處理溫度低于IO(TC或熱處理時(shí)間不足時(shí)，所得的薄膜12的膜強(qiáng)度不充分。而熱處理溫度過高或熱處理時(shí)間過長時(shí)，基體2可能發(fā)生變形，因此要根據(jù)基體2對熱處理溫度及熱處理時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。熱處理時(shí)的氣氛沒有特別限制，但是通常在大氣氣氛中進(jìn)行。熱處理后，有時(shí)會有殘?jiān)鼩埩簦渫ㄟ^水洗等可以容易地去除。該防污性制品11，也可以通過第2實(shí)施方式中的第2制造方法來制作。即，在上述的第2制造方法的"第2工序"中的熱處理時(shí)，使含有磷(P)成分的溶液或分散液充分地浸透至薄膜的深部(底部)，實(shí)施熱處理，由此在薄膜的深部也可以發(fā)生與磷(P)的化學(xué)反應(yīng)。在本實(shí)施方式中，也可以起到與第2實(shí)施方式同樣的效果。而且，由于磷(P)大致均勻地分別在薄膜12中，因此防污性制品11的表面的防污性的面內(nèi)均勻性得到提高。圖4是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的防污性制品的剖面圖，該防污性制品31與第3實(shí)施方式的防污性制品11的不同之處在于，在第3實(shí)施方式的防污性制品11中，形成以規(guī)定比例含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的薄膜12，在該薄膜12中大致均勻地分布有磷(P)，而本實(shí)施方式的防污性制品31，形成以規(guī)定比例含有鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的薄膜32，在該薄膜32中大致均勻地分布有磷(P)。而且，含有該磷(P)的薄膜32整體具有優(yōu)良的防污功能，成為防污性的薄膜。在該薄膜32中磷(P)的濃度沒有特別限制，優(yōu)選0.001質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下。該薄膜32中磷(P)的濃度低于0.001質(zhì)量％時(shí)，無法以濕抹布擦拭程度除去在300'C以上的高溫下焦糊而粘著的焦糊污垢，另一方面，磷(P)的濃度超過10質(zhì)量％時(shí)，薄膜32的耐水性、耐磨損性降低，因而不優(yōu)選。薄膜32的厚度優(yōu)選為O.OOlpm以上且10nm以下。該薄膜32的厚度低于0.001nm時(shí)，防污性的賦予不充分，即對焦糊污垢的防污性和粘著的焦糊污垢的除去容易性不充分，另一方面，厚度超過l(Him時(shí)，薄膜32自身的耐沖擊性降低而容易產(chǎn)生裂紋，因而不優(yōu)選。尤其是，為了防止干涉色的發(fā)生，優(yōu)選將薄膜32的厚度設(shè)為0.1pm以下。形成有該薄膜32的防污性制品31可以有效地防止焦糊污垢的粘著，而且即使是在300。C以上的高溫下發(fā)生焦糊的焦糊污垢，也可以用濕抹布擦拭程度簡單地除去。而且，該薄膜32的耐久性也優(yōu)良。該薄膜32發(fā)揮出防污效果的理由與第4實(shí)施方式的薄膜22的理由相同。該防污性制品31例如可以通過下面的第5制造方法來制作。即，該第5制造方法具有將第5涂布液涂布在基體2表面上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理的工序，所述第5涂布液含有鋯(Zr)成分、磷(P)成分和溶劑，所述鋯成分為選自垸氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。該第5涂布液中的磷(P)成分的濃度沒有特別限制，如果分別將磷(P)成分換算成(P)、將鋯(Zr)換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，磷(P)相對于氧化鋯(Zr02)的質(zhì)量百分率為0.001質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下，則所得的薄膜32的防污性優(yōu)良，可以進(jìn)一步有效地防止焦糊污塘的粘著，而且即使在300'C以上的高溫下焦糊污垢發(fā)生粘著，也可以更加有效容易地將該焦糊污垢水洗除去，因而優(yōu)選。該第5涂布液中的烷氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、垸氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物、水解抑制劑、溶劑、催化劑、35磷(P)成分，與第2實(shí)施方式中的第2涂布液中的各成分相同。作為將該第5涂布液涂布在基體2上的方法，沒有特別限制，可以應(yīng)用噴霧法、浸漬法、刷涂法等。接著，將涂布有該第5涂布液的基體2在IO(TC以上、優(yōu)選在200°C以上的溫度下進(jìn)行0.1小時(shí)~24小時(shí)的熱處理，從而在基體2上形成薄膜32。這里，熱處理溫度低于100'C或熱處理時(shí)間不足時(shí)，所得的薄膜32的膜強(qiáng)度不充分。而熱處理溫度過高或熱處理時(shí)間過長時(shí)，基體2可能發(fā)生變形，因此要根據(jù)基體2對熱處理溫度及熱處理時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。熱處理時(shí)的氣氛沒有特別限制，但是通常在大氣氣氛中進(jìn)行。熱處理后，有時(shí)會有殘?jiān)鼩埩簦渫ㄟ^水洗等可以容易地去除。該防污性制品31，也可以通過第4實(shí)施方式中的第4制造方法來制作。g卩，在上述的第4制造方法的"第2工序"中的熱處理時(shí)，將含有磷(P)成分的溶液或分散液充分地浸透至薄膜的深部(底部)，實(shí)施熱處理，由此在薄膜的深部也可以發(fā)生與磷(P)的化學(xué)反應(yīng)。在本實(shí)施方式中，也可以起到與第3實(shí)施方式同樣的效果。在本發(fā)明的第l-5的實(shí)施方式中，若使用印刷法將涂布液涂布在基板上，形成熱處理后的膜厚為50nm500nm的范圍內(nèi)大致均勻的膜厚，則利用光的干涉，可以將薄膜著色為根據(jù)薄膜的厚度的任意的單一色調(diào)。例如，可以得到薄膜厚度為1060nm的透明、60~90nm的銀色，90150nm的金色、150190nm紫色、190~240nm青色、240~280nm的綠色、280~320nm的黃色、320nm以上的彩虹色。此外，作為上述印刷法，若是可以涂布成大致均勻的厚度的印刷法，則沒有特別限制，例如是噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法。此外，若在涂布液中添加少量鈦醇鹽等鈦成分、鉿醇鹽等鉿成分、釔醇鹽等釔成分，則著色變得鮮艷。此外，在本發(fā)明的第1~5的實(shí)施方式中，作為平均粒徑20nm以下的氧化鋯微粒，沒有特別限制，但平均粒徑10nm以下的氧化鋯微粒通過100'C300'C左右的較低溫度的熱處理，能容易地得到機(jī)械特性優(yōu)良的薄膜，因而優(yōu)選。這種氧化鋯微粒，可以通過例如日本特開2006-016236號公報(bào)中記載的制造方法廉價(jià)且大量地制造，并且，在住友大阪水泥株式會社有售。實(shí)施例以下，利用實(shí)施例和比較例對本發(fā)明進(jìn)行具體說明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。在室溫(25'C)下將四丁氧基鋯6重量份、乙酰乙酸乙酯3重量份、2-丙醇90.9重量份混合30分鐘，使四丁氧基鋯和乙酰乙酸乙酯的螯合物生成。接著，在該溶液中添加四甲氧基硅烷O.l重量份，得到涂布液。在該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為2重量％。接著，將該涂布液以涂布量(換算成固體成分)為3g/r^噴涂在結(jié)晶化玻璃制爐蓋(即，玻璃頂)上，在大氣氣氛中，在500'C熱處理20分鐘，在爐蓋上形成薄膜，得到實(shí)施例l的烹調(diào)器具。37該薄膜的厚度為lpm，爐蓋的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。接著，評價(jià)該烹調(diào)器具的防污性(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l。需要說明的是，評價(jià)項(xiàng)目和評價(jià)方法如下。-焦糊污垢的除去容易性在烹調(diào)器具(結(jié)晶化玻璃制的爐蓋)表面滴加醬油10ml，在大氣中，30(TC下加熱1小時(shí)，使醬油焦糊。接著，使用含水的布擦拭該焦糊，評價(jià)除去的容易性。(2)油污的除去容易性在烹調(diào)器具(結(jié)晶化玻璃制的爐蓋)表面滴加廢天婦羅油lml，用含水的布頭擦拭該廢天婦羅油，用手指確認(rèn)"發(fā)粘物殘留"，評價(jià)除去的容易性。(3)耐水性將烹調(diào)器具(結(jié)晶化玻璃制的爐蓋)在使自來水沸騰的沸騰水中浸漬24小時(shí)后，用手指擦揉薄膜，評價(jià)薄膜的剝離狀況。將2-丙醇變更為90.4重量份，將四甲氧基硅垸變更為0.6重量份，除此之外，按照實(shí)施例1的方法得到實(shí)施例2的涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為10重量％。接著，使用該涂布液按照實(shí)施例1的方法，得到實(shí)施例2的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為lpm，爐蓋的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。按照實(shí)施例1的方法來評價(jià)該實(shí)施例2的烹調(diào)器具的防污性(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l。將2-丙醇變更為89.9重量份，將四甲氧基硅垸變更為1.1重量份，除此之外，按照實(shí)施例1的方法得到實(shí)施例3的涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為18重量％。接著，使用該涂布液按照實(shí)施例1的方法，得到實(shí)施例3的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為lpm,爐蓋的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。按照實(shí)施例1的方法來評價(jià)該實(shí)施例3的烹調(diào)器具的防污性(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l。實(shí)施例4將四丁氧基鋯變更為2.3重量份，將乙酰乙酸乙酯變更為1.2重量份，將2-丙醇變更為96.0重量份，除此之外，按照實(shí)施例l的方法得到實(shí)施例4的涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為25重量％。接著，使用該涂布液按照實(shí)施例1的方法，得到實(shí)施例4的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為lpm，爐蓋的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。按照實(shí)施例1的方法來評價(jià)該實(shí)施例4的烹調(diào)器具的防污性(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l。將四丁氧基鋯變更為2.0重量份，將乙酰乙酸乙酯變更為1.0重量份，將2-丙醇變更為96.3重量份，將四甲氧基硅垸變更為0.7重量份，除此之外，按照實(shí)施例1的方法得到實(shí)施例5的涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為35重量％。接著，使用該涂布液按照實(shí)施例1的方法，得到實(shí)施例5的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為lpm，爐蓋的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。按照實(shí)施例1的方法來評價(jià)該實(shí)施例5的烹調(diào)器具的防污性(食40品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l。在將平均粒徑5nm的氧化鋯微粒分散在2-丙垸中而的得到的濃度1.8重量％的分散液99.6重量份中，添加0.4重量份的四甲氧基硅烷，得到涂布液。在該涂布液中，將上述硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為10重量％。使用該涂布液，并使涂布量以換算為固體成分計(jì)為0.5g/m2，除此之外，按照實(shí)施例1的方法得到實(shí)施例6的烹調(diào)器具。按照實(shí)施例1的方法來評價(jià)該實(shí)施例6的烹調(diào)器具的防污性(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l?；旌纤亩⊙趸?重量份、2-丙醇93重量份、60重量％的硝酸1重量份，得到涂布液。接著，使用該涂布液按照實(shí)施例1的方法，得到比較例1的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為lpm。按照實(shí)施例1的方法來評價(jià)該比較例1的烹調(diào)器具的防污性(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l。將四丁氧基鋯變更為1.7重量份，將乙酰乙酸乙酯變更為0.8重量份，將2-丙醇變更為96.6重量份，將四甲氧基硅烷變更為0.9重量份，除此之外，按照實(shí)施例1的方法得到比較例2的涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(ZK)2)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為45重量％。接著，使用該涂布液按照實(shí)施例1的方法，得到比較例2的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為ljam。按照實(shí)施例1的方法來評價(jià)該比較例2的烹調(diào)器具的防污性(食品的焦糊污垢、油污的除去容易性)及耐水性。評價(jià)結(jié)果示于表l。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>根據(jù)表1可知，在實(shí)施例13中，食品的焦糊污垢的除去容易性特別優(yōu)良，此外，油污的除去容易性、薄膜的耐水性也良好。此外，實(shí)施例4、5中，油污的除去性特別優(yōu)良，食品的焦糊污垢、薄膜的耐水性也良好。與此相對，比較例1中，食品的焦糊污垢的除去容易性雖然良好，但油污的除去容易性、薄膜的耐水性都不良。此外，在比較例2中，雖然油污的除去容易性、薄膜的耐水性優(yōu)良，但是食品的焦糊污垢的除去容易性不良。因此，食品的焦糊污垢的除去容易性、油污的除去容易性、薄膜的耐水性均為良好，薄膜中的SiCb量在50重量n/。以下，優(yōu)選在l重量%40重量％的范圍內(nèi)。將四丁氧基鋯10重量份、乙酰丙酮5重量份、2-丙醇84.5重量份混合，使四丁氧基鋯和乙酰丙酮的螯合物生成。接著，在該溶液中添加四甲氧基硅烷0.5重量份，得到涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為7.2重量％。接著，將該涂布液以涂布量(換算成固體成分)為1.5g/n^噴涂在結(jié)晶化玻璃制爐蓋上，在大氣氣氛中，在600'C下熱處理IO分鐘，在爐蓋上形成薄膜，得到實(shí)施例7的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為0.5pm，爐蓋的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。將乙酰丙酮酸鋯15重量份、含30重量％的膠體二氧化硅的2-丙醇分散液0.5重量份、丁基-p-氧基乙基醚(丁基溶纖劑)84.5重量份混合，得到涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為4重量％。接著，將該涂布液浸漬涂裝在琺瑯制烤箱盤上以使得涂布量(換算成固體成分)為0.3g/m2，在大氣氣氛中，在500'C下熱處理30分鐘，在烤箱盤上形成薄膜，得到實(shí)施例8的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為O.lpm，琺瑯制烤箱盤的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。將四丁氧基鋯10重量份、乙酰丙酮5重量份、2-丙醇84重量份混合，使四丁氧基鋯和乙酰丙酮的螯合物生成。接著，在該溶液中添加四甲氧基硅烷l重量份，得到涂布液。該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為8.6重量％。接著，將該涂布液浸漬涂裝在陶瓷制烤肉板上以使得涂布量(換算成固體成分)為1.5g/m2，在大氣氣氛中，在700'C下熱處理50分鐘，在該烤肉板上形成薄膜，得到實(shí)施例9的烹調(diào)器具。該薄膜的厚度為0.5pm，烤肉板的表面比薄膜的成膜前的光澤增加，顯示出美麗的表面。在實(shí)施例7~9各自的烹調(diào)器具的表面上涂抹蛋白，在大氣氣氛中，在35(TC下加熱處理1小時(shí)，使其焦糊。然后，用含水的布擦拭該焦糊，結(jié)果可以簡單地擦去。此外，在實(shí)施例7~9各自的烹調(diào)器具的表面上滴加廢天婦羅油，用含水的布頭擦拭該廢天婦羅油，結(jié)果可以簡單地擦去。在以下的實(shí)施例和比較例中，使用爐用蓋作為防污性制品。在室溫(25'C)下將四丁氧基鋯6質(zhì)量份、乙酰乙酸乙酯3質(zhì)量份、2-丙醇90.9質(zhì)量份混合30分鐘，使四丁氧基鋯和乙酰乙酸乙酯的螯合物生成。接著，在該溶液中添加四甲氧基硅垸0.1質(zhì)量份，將得到的溶液用乙二醇單丁基醚(丁基溶纖劑)稀釋成10倍，得到實(shí)施例10的涂布液。在該涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為2質(zhì)量％。接著，將該涂布液以100g/m2的涂布量噴涂在結(jié)晶化玻璃制爐蓋上，在大氣氣氛中，在50(TC下熱處理20分鐘從而將其燒結(jié)，在爐蓋上形成薄膜，該薄膜的厚度為O.lpm。接著，將該爐蓋浸漬于l質(zhì)量n/。(P換算)的三聚磷酸鈉水溶液中，充分地將薄膜表面潤濕后，提起，進(jìn)而將該爐蓋在大氣氣氛中，在250'C下熱處理20分鐘。接著，水洗除去薄膜上的殘?jiān)玫綄?shí)施例10的爐用蓋。使用電子探針顯微分析儀(EPMA)測定該爐用蓋的薄膜表面的磷(P)含有率，結(jié)果是0.1質(zhì)量％。此外，該實(shí)施例IO的爐用蓋的防污性以"焦糊污垢的除去容易性"45進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)方法如下。"焦糊污垢的除去容易性"在薄膜的表面滴加lml的醬油，接著，分別在(1)大氣中、250°C下1小時(shí)、(2)大氣中、350'C下1小時(shí)的條件下使其焦糊。接著，用含水的布頭擦拭該焦糊，評價(jià)除去的容易性。評價(jià)結(jié)果示于表l。所謂表1中的"含浸"如第2制造方法所示。將四丁氧基鋯變更為1.7質(zhì)量份，將乙酰乙酸乙酯變更為0.8質(zhì)量份，將2-丙醇變更為96.6質(zhì)量份，將四甲氧基硅烷變更為0.9質(zhì)量份，除此之外，按照實(shí)施例10的方法得到實(shí)施例11的涂布液。該實(shí)施例11的涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為45質(zhì)量％。接著，除了使用該實(shí)施例11的涂布液以外，其余按照實(shí)施例10的方法得到實(shí)施例11的爐用蓋。該薄膜的厚度為O."m。使用電子探針顯微分析儀(EPMA)測定實(shí)施例11的爐用蓋的薄膜表面的磷(P)含有率，結(jié)果是0.1質(zhì)量％。此外，該實(shí)施例11的爐用蓋的防污性按照實(shí)施例10的方法進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)方法如下。在室溫(25'C)下將四丁氧基鋯6質(zhì)量份、乙酰乙酸乙酯3質(zhì)量份、2-丙醇91質(zhì)量份混合30分鐘，使四丁氧基鋯和乙酰乙酸乙酯的螯合物生成。接著，將該溶液用乙二醇單丁基醚(丁基溶纖劑)稀釋成10倍，得到實(shí)施例12的涂布液。接著，除了使用該實(shí)施例12的涂布液以外，其余按照實(shí)施例10的方法得到爐用蓋。該薄膜的厚度為0.1^m。使用電子探針顯微分析儀(EPMA)測定實(shí)施例12的爐用蓋的薄膜表面的磷(P)含有率，結(jié)果是0.1質(zhì)量％。此外，該實(shí)施例12的爐用蓋的防污性按照實(shí)施例10的方法進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)結(jié)果示于表l。所謂表1中的"含浸"如第4制造方法所示。在實(shí)施例10的涂布液中，添加三甲基磷酸酯作為磷(P)成分，從而得到實(shí)施例13的涂布液。其中，磷(P)成分的添加量為，分別將三甲基磷酸酯換算成磷(P)、將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，磷(P)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為1質(zhì)量％。接著，除了使用該實(shí)施例13的涂布液以外，其余按照實(shí)施例10的方法得到爐用蓋。其中，在實(shí)施例13的涂布液中預(yù)先添加三甲基磷酸酯作為磷(P)成分，因此沒有實(shí)施三聚磷酸處理。該薄膜的厚度為O.lfim。使用電子探針顯微分析儀(EPMA)測定實(shí)施例13的爐用蓋的薄膜表面的磷(P)含有率，結(jié)果是1質(zhì)量％。此外，該實(shí)施例13的爐用蓋的防污性按照實(shí)施例10的方法進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)結(jié)果示于表l。所謂表l中的"涂布"如第3制造方法所示。47在實(shí)施例12的涂布液中，添加三甲基磷酸酯作為磷(P)成分，從而得到實(shí)施例14的涂布液。其中，磷(P)成分的添加量為，分別將三甲基磷酸酯換算成磷(P)、將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)時(shí)，磷(P)相對于氧化鋯(Zr02)的質(zhì)量百分率為1質(zhì)量％。接著，除了使用該實(shí)施例14的涂布液以外，其余按照實(shí)施例12的方法得到爐用蓋。其中，在實(shí)施例14的涂布液中預(yù)先添加三甲基磷酸酯作為磷(P)成分，因此沒有實(shí)施三聚磷酸處理。該薄膜的厚度為O.lpm。使用電子探針顯微分析儀(EPMA)測定實(shí)施例14的爐用蓋的薄膜表面的磷(P)含有率，結(jié)果是1質(zhì)量％。此外，該實(shí)施例14的爐用蓋的防污性按照實(shí)施例10的方法進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)結(jié)果示于表1。所謂表1中的"涂布"如第5制造方法所示。將平均粒徑5nm的氧化鋯微粒分散在水中而的得到的分散液(濃度5質(zhì)量％)以固體成分換算計(jì)為0.5g/m2的涂布量噴涂在琺瑯制爐蓋上，在大氣氣氛中，在250'C下熱處理30分鐘。接著，水洗除去薄膜上的殘?jiān)?，得到?shí)施例15的爐用蓋。使用電子探針顯微分析儀(EPMA)測定該爐用蓋的薄膜表面的磷(P)含有率，結(jié)果是0.1質(zhì)量％。此外，該實(shí)施例15的爐用蓋的防污性，按照實(shí)施例10的方法進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)結(jié)果示于表2。將四丁氧基鋯變更為1.5質(zhì)量份，將乙酰乙酸乙酯變更為0.8質(zhì)量份，將2-丙醇變更為96.6質(zhì)量份，將四甲氧基硅垸變更為l.l質(zhì)量份，除此之外，按照實(shí)施例1得到比較例3的涂布液。該比較例3的涂布液中，分別將鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，氧化硅(Si02)相對于氧化鋯(Zr02)和氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為55質(zhì)量％。接著，除了使用該比較例3的涂布液以外，其余按照實(shí)施例10的方法得到比較例3的爐用蓋。該薄膜的厚度為0.1pm。此外，該比較例3的爐用蓋的防污性按照實(shí)施例10的方法進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)結(jié)果示于表2。所謂表2中的"含浸"如第2制造方法所示。將實(shí)施例10的涂布液以100g/ri^的涂布量噴涂在結(jié)晶化玻璃制爐蓋上，在大氣氣氛中，在500'C下熱處理20分鐘從而使其燒結(jié)，在爐蓋上形成薄膜。該薄膜的厚度為O.lpm。接著，在該薄膜上以50g/r^的涂布量涂布5質(zhì)量％的氫氧化鋰溶液，在大氣氣氛中，在250'C的溫度下熱處理20分鐘，得到在表面形成了含有鋰的薄膜的爐用蓋。此外，該比較例4的爐用蓋的防污性按照實(shí)施例10的方法進(jìn)行評價(jià)。評價(jià)結(jié)果示于表2。49<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>根據(jù)表2可知，在實(shí)施例1014的爐用蓋中，在250。C和350。C任一條件下，焦糊污垢的除去均容易，與比較例34的爐用蓋相比，防污性優(yōu)良。此外，在比較例3、4中，在250'C和350'C的焦糊污垢的除去容易性均不良或極不良。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的烹調(diào)器具，通過在基體表面的至少一部分上而成含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(0)的特定組成的薄膜，由此可以以濕抹布擦拭程度簡單地除去烹調(diào)中附著的食品的焦糊污垢、油污，因此不僅可以應(yīng)用于在食品的烹調(diào)中使用的烹調(diào)器具、各種廚房設(shè)備的附帶構(gòu)件中，對于除了該烹調(diào)器具以外的要求防污性的各種構(gòu)件、各種部件等也可以應(yīng)用，其工業(yè)上的意義極大。此外，本發(fā)明的防污性制品、即，烹調(diào)器具通過在構(gòu)成其主要部分的基體表面形成含有硅(Si)、鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)的特定組成的薄膜、或者含有鋯(Zr)、氧(O)和磷(P)的特定組成的薄膜中任一種，由此可以防止因食品等的有機(jī)物而引起的焦糊污垢在基體表面發(fā)生粘著，而且即使該焦糊污垢在基體上粘著，也可以容易地水洗除去，因此不僅可以應(yīng)用于爐用蓋等各種烹調(diào)機(jī)器，還可以應(yīng)用于各種烹調(diào)器具，其工業(yè)上的意義極大。權(quán)利要求1.一種烹調(diào)器具，具備基體和在該基體表面上形成的薄膜，其特征在于，所述薄膜，含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(O)，分別將所述硅(Si)換算成氧化硅(SiO2)、將所述鋯(Zr)換算成氧化鋯(ZrO2)時(shí)，所述氧化硅(SiO2)相對于所述氧化鋯(ZrO2)和所述氧化硅(SiO2)的總量的重量百分率為50重量％以下。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的烹調(diào)器具，其特征在于，所述薄膜還含有磷(P)，且所述磷(P)至少分布在所述薄膜的表層部。3.—種烹調(diào)器具，具備基體和在該基體表面上形成的薄膜，其特征在于，所述薄膜含有鋯(Zr)、氧(0)和磷(P)，且所述磷(P)至少分布在所述薄膜的表層部。4.一種烹調(diào)器具的制造方法，其特征在于，將涂布液涂布在基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IO(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理，所述涂布液含有鋯成分、硅成分以及溶劑，并且分別將所述鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將所述硅成分換算成氧化硅>(Si02)時(shí)，所述氧化硅(Si02)相對于所述氧化鋯(Zr02)和所述氧化硅(Si02)的總量的重量百分率為50重量％以下，所述鋯成分為選自烷氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的烹調(diào)器具的制造方法，其特征在于，所述涂布液還含有磷(P)成分。6.—種烹調(diào)器具的制造方法，其特征在于，將涂布液涂布在基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，制成薄膜，在該薄膜上涂布含有磷(P)成分的溶液或分散液，在IO(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理，從而至少使所述薄膜的表層部含有所述磷(P)成分，所述涂布液含有鋯成分、硅成分以及溶劑，并且分別將所述鋯成分換算成氧化鋯(Zr02)、將所述硅成分換算成氧化硅(Si02)時(shí)，所述氧化硅(Si02)相對于所述氧化鋯(Zr02)和所述氧化硅(Si02)的總量的質(zhì)量百分率為50質(zhì)量％以下，所述鋯成分為選自烷氧基鋯、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物、烷氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。7.—種烹調(diào)器具的制造方法，其特征在于，將涂布液涂布在基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，所述涂布液含有鋯成分、磷成分以及溶劑，所述鋯成分為選自烷氧基鋯、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物、垸氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。8.—種烹調(diào)器具的制造方法，其特征在于，將涂布液涂布在基體表面的至少一部分上而形成涂布膜，接著，將該涂布膜在IOO'C以上的溫度下進(jìn)行熱處理，制成薄膜，在該薄膜上涂布含有磷(P)成分的溶液或分散液，在IO(TC以上的溫度下進(jìn)行熱處理，從而至少使所述薄膜的表層部含有所述磷(P)成分，所述涂布液含有鋯成分和溶劑，所述鋯成分為選自烷氧基鋯、垸氧基鋯的水解產(chǎn)物、垸氧基鋯的螯合物、烷氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物以及平均粒徑20nm以下的氧化鋯中的一種或兩種以上。9.根據(jù)權(quán)利要求48中任一項(xiàng)所述的烹調(diào)器具的制造方法，其特征在于，所述烷氧基鋯的螯合物，是烷氧基鋯與選自乙醇胺、(3-二酮、(3-酮酸酯及羧酸中的一種或兩種以上的化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。10.根據(jù)權(quán)利要求4~8中任一項(xiàng)所述的烹調(diào)器具的制造方法，其特征在于，所述垸氧基鋯的水解產(chǎn)物的螯合物，是烷氧基鋯的水解產(chǎn)物與選自乙醇胺、(3-二酮、p-酮酸酯及羧酸中的一種或兩種以上的化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。全文摘要本發(fā)明的烹調(diào)器具，具備基體和在該基體表面上形成的薄膜，所述薄膜，含有硅(Si)、鋯(Zr)和氧(O)，分別將所述硅(Si)換算成氧化硅(SiO₂)、將所述鋯(Zr)換算成氧化鋯(ZrO₂)時(shí)，所述氧化硅(SiO₂)相對于所述氧化鋯(ZrO₂)和所述氧化硅(SiO₂)的總量的重量百分率為50重量％以下。文檔編號A47J36/04GK101595347SQ20088000361公開日2009年12月2日申請日期2008年1月30日優(yōu)先權(quán)日2007年1月30日發(fā)明者丸山大志,前田大作,目次康格,矢澤朗,茂啟二郎申請人:住友大阪水泥股份有限公司