專利名稱：一種高壓二次電路保潔劑及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種保潔劑，具體地說，本發(fā)明涉及一種高壓二次電路保潔劑。
背景技術(shù)：
由亍程控交換機(jī)、移動(dòng)通訊設(shè)備、微波通訊設(shè)備、無線尋呼設(shè)備、電腦系統(tǒng)、自 動(dòng)化控制設(shè)備、影視設(shè)備、廣電設(shè)備、遙控、遙感、遙測設(shè)備、高精密儀器、家用電 器等設(shè)備在運(yùn)行過程中，時(shí)刻受到污穢及靜電的佼害，形成電路(板)漏電，電化學(xué)腐蝕， 靜電放電引起的元器件擊穿會(huì)造成元器件介質(zhì)硬擊穿、燒毀或永久性失效，軟擊穿則會(huì)
造成器件性能劣化或參數(shù)指標(biāo)F降。
電力設(shè)備事故的根本原因是由于絕緣子、母排、端子、開關(guān)、互感器、刀閘、接 觸器、繼電器、觸頭等表面沉積了污穢物質(zhì)，使絕緣性降低，泄露電流增大，造成短 路、電弧、散熱不良及閃絡(luò)事故。由于污閃跳閘后的重合成功率很低，絕緣子的污閃 容易大面積發(fā)展，造成長時(shí)間的惡性停電事故，危害極大。
傳統(tǒng)的電子電力設(shè)備維護(hù)技術(shù)方法有-
1、 事后搶修，即更換硬件；
2、 停機(jī)工作后采用皮老虎、吹風(fēng)機(jī)吹走表面浮塵，用刷子刷土，或用揮發(fā)性、易 燃溶劑(如酒精、汽油、四氯化碳)進(jìn)行擦洗。
但是，使用這些方法對于深層及細(xì)小喊隙的灰塵、油污、碳漬等有害物質(zhì)很難清 洗干凈，且危害性大，并且受到時(shí)間和空間的限制。
與傳統(tǒng)方法相比，采用精密電路的帶電清洗維護(hù)技術(shù)，可以迅速、徹底清除各種 精密設(shè)備電路表面及深層的灰塵、油污、炭漬、鹽份、潮氣、金屬塵埃及各種帶電粒 子，有效消除"軟性故障"，避免造成設(shè)備電路短路、電弧、散熱不良，影響信號(hào)的 準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性，保證設(shè)備最佳工作狀態(tài)和穩(wěn)定運(yùn)行，防止重大惡性事故發(fā)生。
但是，現(xiàn)在市場上使用的帶電清洗劑通常均偏酸性或堿性，揮發(fā)快，其動(dòng)態(tài)絕緣 值偏低，易造成閃絡(luò)。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種中性、去污力強(qiáng)、腐蝕性低的高壓二次電路保 潔劑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種高壓二次電路保潔劑，包含以下質(zhì)量百分比的組成成分聚乙二 醇辛基苯醚1 20%，壬基酚聚氧乙烯醚1 20%， CFC12CH3 10 20%，正溴丙烷1 3%， C4F90CH3 20 頓，硅油0. 5 2%。
所述聚乙二醇辛基苯醚含量優(yōu)選1 5%，所述壬基酚聚氧乙烯醚含量優(yōu)選5 10%。
所述保潔劑還包括選自以下組分的一種或多種低級(jí)烷烴、具有碳原子數(shù)為1 4 的垸基取代基的低級(jí)烷烴、低級(jí)醇類、低級(jí)烯烴。
所述低級(jí)烷烴包括庚垸0 1%、己垸0 1%、辛烷0 1%。
所述具有碳原子數(shù)為1 4的烷基取代基的低級(jí)烷烴包括甲基戊烷0 1%、甲基己
垸o iy。、 二甲基己烷0 1%、甲基庚垸o iy。、甲基環(huán)己烷o iy。、乙基戊烷0 1%、
二甲基環(huán)戊垸0 1%、四甲基丁垸0 1%、甲基乙基己烷0 1%、三甲基戊垸0 1%。 所述低級(jí)醇類包括乙醇0 1%。 所述低級(jí)烯烴包括乙烯0 1%。 所述保潔劑的PH值為6. 8 7. 2。
本發(fā)明還提供所述高壓二次電路保潔劑的制備方法，包括以下步驟將上述各組 分按比例裝入密閉容器，在溫度為20 30。C，常壓下反應(yīng)l小時(shí)。
本發(fā)明的有益效果為-
本保潔劑無環(huán)境污染，腐蝕性低，物理分解能力強(qiáng)，使用安全可靠，可迅速、徹 底清除各種精密設(shè)備電路表面及深層的塵土、油污、碳漬、鹽分、潮氣、金屬塵埃及 各種帶電粒子，有效消除"軟性故障"，保證設(shè)備的最佳工作狀態(tài)，降低維護(hù)成本，已 被成功用于潔神JS-169B高壓電路二次設(shè)備保潔劑中。
具體實(shí)施例方式
以下用實(shí)施例對本發(fā)明作更詳細(xì)的描述。這些實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明最佳實(shí)施方 式的描述，并不對本發(fā)明的范圍有任何限制。
實(shí)施例1:
聚乙二醇辛基苯醚lkg，壬基酚聚氧乙烯醚lkg， CFC12CH3 10kg，正溴丙烷lkg，
4C4F90CH3 20kg，硅油0. 5kg。
將上述原料裝入密閉容器，在溫度25'C，常壓下反應(yīng)l小時(shí)，制得精密電路保潔劑。
實(shí)施例2:
聚乙二醇辛基苯醚20kg，壬基酚聚氧乙烯醚20kg， CFC12CH3 20kg，正溴丙烷3kg， C4F9OCH3 40kg，硅油2kg。 制備方法同實(shí)施例l。
實(shí)施例3:
聚乙二醇辛基苯醚18kg，壬基酚聚氧乙烯醚18kg， CFC12CH3 15kg，正溴丙烷2kg， C4F90CH3 30kg，硅油lkg，甲基戊烷0. 5kg，甲基戊烷0. 5kg，乙醇0. 5kg，乙基戊垸 0.5kg、庚烷0.5kg。
制備方法同實(shí)施例1。
實(shí)施例4:
聚乙二醇辛基苯醚15kg，壬基酚聚氧乙烯醚15kg， CFCl2CH318kg，正溴丙烷2kg， C4F90CH3 35kg，硅油1.5kg，甲基己垸0.5kg，己烷0.5kg，甲基庚烷lkg， 二甲基環(huán) 戊烷0.5kg，甲基乙基己垸0.5kg，三甲基戊烷lkg。
制備方法同實(shí)施例1。
實(shí)施例5:
聚乙二醇辛基苯醚12kg，壬基酚聚氧乙烯醚17kg， CFC12CH312kg，正溴丙烷3kg， C4F9OCH3 16kg，硅油2kg， 二甲基己烷lkg，甲基戊烷0.5kg、乙烯lkg、四甲基丁烷 0.5kg，辛垸lkg。
制備方法同實(shí)施例1。
本保潔劑無環(huán)境污染，腐蝕性低，物理分解能力強(qiáng)，使用安全可靠，可迅速、徹 底清除各種精密設(shè)備電路表面及深層的塵土、油污、碳漬、鹽分、潮氣、金屬塵埃及 各種帶電粒子，有效消除"軟性故障"，保證設(shè)備的最佳工作狀態(tài)，降低維護(hù)成本， 已被成功用于潔神JS-169B高壓電路二次設(shè)備保潔劑中。
權(quán)利要求
1、一種保潔劑，其特征在于，包含以下質(zhì)量百分比的組成成分聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，CFCl2CH3 10～20％，正溴丙烷1～3％，C4F9OCH320～40％，硅油0.5～2％。
2、 如權(quán)利要求1所述的保潔劑，其特征在于，所述聚乙二醇辛基苯醚含量為l 5%，所述壬基酚聚氧乙烯醚含量為5 10%。
3、 如權(quán)利要求1所述的保潔劑，其特征在于，還包括選自以下組分的一種或多種 低級(jí)烷烴、具有碳原子數(shù)為1 4的垸基取代基的低級(jí)烷烴、低級(jí)醇類、低級(jí)烯烴。
4、 如權(quán)利要求1所述的保潔劑，其特征在于，所述低級(jí)烷烴包括庚烷0 1%、己 烷0 1%、辛烷0 1%。
5、 如權(quán)利要求1所述的保潔劑，其特征在于，所述具有碳原子數(shù)為1 4的烷基 取代基的低級(jí)烷烴包括甲基戊垸0 1%、甲基己垸0 1%、 二甲基己烷0 1%、甲基庚 垸0 1%、甲基環(huán)己烷0 1%、乙基戊烷0 1%、 二甲基環(huán)戊烷0 1%、四甲基丁烷0 1°/0、甲基乙基己烷0 1%、三甲基戊烷0 1%。
6、 如權(quán)利要求1所述的保潔劑，其特征在于，所述低級(jí)醇類包括乙醇0 1%。
7、 如權(quán)利要求l所述的保潔劑，其特征在于，所述低級(jí)烯烴包括乙烯0 1%。
8、 如權(quán)利要求l所述的保潔劑，其特征在于，所述保潔劑的PH值為C.8 7.2。
9、 權(quán)利要求1所述保潔劑的制備方法,該保潔劑包含以下質(zhì)量百分比的組成成分: 聚乙二醇辛基苯醚1 20%，壬基酚聚氧乙烯醚1 20%， CFC12CH3 10 20%，正溴丙烷 1 3%， C4F90CH3 20 40%，硅油0. 5 2%，所述制備方法包括以下步驟將上述各組 分按比例裝入密閉容器，在溫度為20 3(TC，常壓下反應(yīng)l小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高壓二次電路保潔劑，包含以下質(zhì)量百分比的組成成分聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，正溴丙烷1～3％，C₂Cl₃H₃ 10～20％，C₃HCl₂F₅ 5～60％。本發(fā)明還提供該高壓二次電路保潔劑的制備方法，包括以下步驟將上述各組分按比例裝入密閉容器，在溫度為20～30℃，常壓下反應(yīng)1小時(shí)。本保潔劑無環(huán)境污染，腐蝕性低，物理分解能力強(qiáng)，使用安全可靠，可迅速、徹底清除各種精密設(shè)備電路表面及深層的塵土、油污、碳漬、鹽分、潮氣、金屬塵埃及各種帶電粒子，有效消除“軟性故障”，保證設(shè)備的最佳工作狀態(tài)，降低維護(hù)成本。
文檔編號(hào)C11D1/66GK101629128SQ20081004364
公開日2010年1月20日 申請日期2008年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月18日
發(fā)明者張思平 申請人:張思平