專(zhuān)利名稱(chēng)：：光刻法用洗滌液及使用該洗滌液的曝光裝置的洗滌方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在浸液曝光(LiquidImmersionLithography)過(guò)程中使用的光刻法用洗滌液及使用該洗滌液的曝光裝置的洗滌方法。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體裝置、液晶裝置等各種電子裝置中的微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造中，常采用光刻法。近年，半導(dǎo)體裝置的高集成化、微小化的進(jìn)展十分顯著，在光刻法工序的光致抗蝕劑圖案形成中也要求更加微細(xì)化。目前，采用光刻法，例如在最尖端領(lǐng)域中可以形成線寬為90nm左右的微細(xì)的光致抗蝕劑圖案，人們正在研究.開(kāi)發(fā)線寬為65nm的更微細(xì)圖案的形成。為了實(shí)現(xiàn)上述更微細(xì)的圖案的形成，一般考慮改良曝光裝置或光致抗蝕劑材料作為對(duì)策。作為采用曝光裝置的相應(yīng)策略，可以舉出F2準(zhǔn)分子激光、EUV(極端紫外光)、電子射線、X射線、軟X射線等光源波長(zhǎng)的短波長(zhǎng)化、或透鏡的開(kāi)口數(shù)(NA)的增大等策略。然而，光源波長(zhǎng)的短波長(zhǎng)化需要昂貴的新型曝光裝置。另外，高NA化中由于析像度和焦深幅度具有折衷選擇的關(guān)系，所以存在提高析像度、焦深幅度降低的問(wèn)題。最近，作為可以解決上述問(wèn)題的光刻法技術(shù)，公開(kāi)了浸液曝光(LiquidImmersionLithography)法(例如，參見(jiàn)非專(zhuān)利文獻(xiàn)l~3)。該方法是在曝光時(shí)使曝光裝置的透鏡和載置在晶片載物臺(tái)(WaferStage)上的曝光對(duì)象物(基板上的光致抗蝕劑膜)之間的曝光光路的、至少上述光致抗蝕劑膜上存在規(guī)定厚度的浸液介質(zhì)，將光致抗蝕劑膜曝光形成光致抗蝕劑圖案。此浸液曝光法具有下述優(yōu)點(diǎn)，即，通過(guò)將現(xiàn)有的為空氣或氮等惰性氣體的曝光光路空間用折射率(n)與上述的浸液介質(zhì)(例如純水、氟類(lèi)惰性液體等)取代，即使使用相同曝光波長(zhǎng)的光源，也能與使用較短波長(zhǎng)的曝光光時(shí)或使用高NA透鏡時(shí)相同地實(shí)現(xiàn)高分辨率，同時(shí)也不導(dǎo)致焦深幅度的降低。如果采用上述浸液曝光過(guò)程，則能夠使用安裝在現(xiàn)有的曝光裝置上的透鏡，以低成本形成高分辨率更優(yōu)異、且焦深也優(yōu)異的光致抗蝕劑圖案，因此倍受關(guān)注。但是，在浸液曝光過(guò)程中，在使曝光用透鏡和光致抗蝕劑膜之間存在浸液介質(zhì)的狀態(tài)下進(jìn)行曝光，因此從光致抗蝕劑膜向浸液介質(zhì)中溶出的成分可能會(huì)導(dǎo)致對(duì)曝光裝置的損壞(例如發(fā)生曝光用透鏡晶材的起霧、及由此引起的透過(guò)率的降低、曝光不均等)等。作為針對(duì)于此的對(duì)策，有改良光致抗蝕劑材料防止成分從光致抗蝕劑中溶出的方法、或在光致抗蝕劑層上設(shè)置一層保護(hù)膜，防止從光致抗蝕劑中溶出的成分滲出的方法等。然而，前者的方法存在光致抗蝕劑材料的開(kāi)發(fā)受限制、光致抗蝕劑難以適應(yīng)廣泛應(yīng)用的問(wèn)題，此外，即使采用后者的方法，在目前情況下也不能完全抑制溶出成分。因此，目前廣泛使用的作為利用光致抗蝕劑或保護(hù)膜解決上述問(wèn)題點(diǎn)的方法，公開(kāi)了使用洗滌液洗滌與浸液介質(zhì)接觸的曝光裝置部位(特別是光學(xué)透鏡部)的方法(例如，參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)l)。但是，該公報(bào)記載的洗滌液，由酮類(lèi)、醇類(lèi)有機(jī)溶劑構(gòu)成，即使在適用上述洗滌液的情況下，對(duì)作為污染主要原因的具有高危險(xiǎn)性的光致抗蝕劑溶出成分的洗滌效果仍不充分，難以維持曝光裝置的光學(xué)特性。需要說(shuō)明的是，在其它專(zhuān)利文獻(xiàn)(例如，參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)2)中也公開(kāi)了使用洗滌液洗滌與浸液介質(zhì)接觸的曝光裝置部位(特別是光學(xué)透鏡部)的方法。非專(zhuān)矛J文獻(xiàn)1:"JournalofVacuumScience&TechnologyB)，，,(美國(guó))，1999年，第17巻，6號(hào)，3306-3309頁(yè)非專(zhuān)利文獻(xiàn)2:"JournalofVacuumScience&TechnologyB，，,(美國(guó))，2001年，第19巻，6號(hào)，2353-2356頁(yè)非專(zhuān)利文獻(xiàn)3:"ProceedingsofSPIE，，，(美國(guó)),2002年，第4691巻，459-465頁(yè)專(zhuān)利文獻(xiàn)l:特開(kāi)2005-79222號(hào)公才艮專(zhuān)利文獻(xiàn)2:美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)7>開(kāi)第2005-0205108號(hào)iJL明書(shū)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種洗滌液，在浸液曝光過(guò)程中雖然使用目前廣泛使用的光致抗蝕劑或保護(hù)膜，但所述洗滌液能夠防止從光致抗蝕劑溶出的成分損壞曝光裝置，廢液處理簡(jiǎn)便，與浸液介質(zhì)的置換效率高，不影響半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)率，降低制造成本，洗滌性能優(yōu)異。為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種光刻法用洗滌液，用于在浸液曝光過(guò)程中洗滌曝光裝置，含有(a)表面活性劑、(b)烴溶劑、及(c)水，所述浸液曝光過(guò)程是在曝光裝置的光學(xué)透鏡部和載置于晶片載物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間充滿(mǎn)浸液介質(zhì)進(jìn)行曝光。另外，本發(fā)明提供一種曝光裝置的洗滌方法，其特征在于，使用至少裝有光學(xué)透鏡部、晶片載物臺(tái)、液體導(dǎo)入流路、和液體排出流路的曝光裝置，一邊通過(guò)上述液體導(dǎo)入流路向上述光學(xué)透鏡部和載置于上述晶片載物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間的空間內(nèi)導(dǎo)入浸液介質(zhì)充滿(mǎn)該空間，同時(shí)通過(guò)上述液體排出流路排出浸液介質(zhì)，一邊進(jìn)行曝光，在該浸液曝光過(guò)程中，使用與用于上述浸液介質(zhì)導(dǎo)入的流路相同的導(dǎo)入流路導(dǎo)入上述光刻法用洗滌液，使其與曝光裝置接觸規(guī)定時(shí)間，由此進(jìn)行洗滌，通過(guò)與用于上述浸液介質(zhì)排出的流路相同的排出流路將該使用過(guò)的洗滌液排出。另外，本發(fā)明提供一種曝光裝置的洗滌方法，其特征在于，在將曝光裝置的光學(xué)透鏡部和載置在晶片載物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間充滿(mǎn)浸液介質(zhì)、進(jìn)行曝光的浸液曝光過(guò)程中，向上述曝光裝置噴灑上述光刻法用洗滌液、或者用在該光刻法用洗滌液中浸泡過(guò)的布擦拭上述曝光裝置的污漬，由此洗滌該曝光裝置。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種洗滌性能高、對(duì)曝光用透鏡晶材無(wú)損害、廢液處理容易、與浸液介質(zhì)的置換效率高、不影響半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)率、制造成本降低、清潔性能優(yōu)異的光刻法用洗滌液及使用該洗滌液的曝光裝置的洗滌方法。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的光刻法用洗滌液是在將曝光裝置的光學(xué)透鏡部和載置于晶片載物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間充滿(mǎn)浸液介質(zhì)進(jìn)行曝光的浸液曝光過(guò)程中用于洗滌上述曝光裝置的洗滌液，含有(a)表面活性劑、(b)烴溶劑、及(c)水。作為(a)成分，優(yōu)選使用非離子性表面活性劑，作為上述非離子性表面活性劑，優(yōu)選使用選自聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基苯基醚、聚氧化烯烷基脂肪酸酯、聚氧化烯烯丙基苯基醚、聚氧化烯失水山梨醇脂肪酸酯、失水山梨醇脂肪酸酯、及聚氧化烯中的至少l種。上述表面活性劑中，作為聚氧化烯，可以舉出聚氧乙烯、聚氧丙烯、及聚氧丁烯等。聚氧化烯的加成摩爾數(shù)優(yōu)選將其平均加成摩爾數(shù)調(diào)至l~50摩爾的范圍。另外，上述表面活性劑中，作為構(gòu)成聚氧化烯的末端醚化物的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)618的烷基，作為具體例可以舉出己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等。該烷基可以為支鏈狀、環(huán)狀(可以為單環(huán)也可以為稠環(huán))中的任一種，另外，可以含有不飽和鍵，并且部分氫原子也可以被醇羥基取代。另外，上述表面活性劑中，作為脂肪酸，可以舉出庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十五烷酸、十六烷酸、十七烷酸、十八烷酸等。但并不限定于上述例子。上述聚氧化烯類(lèi)化合物、失水山梨醇脂肪酸類(lèi)化合物等非離子性表面活性劑，作為"Newcol"系列(日本乳化劑(林)制)等在市場(chǎng)上銷(xiāo)售，優(yōu)選使用上述市售品。作為非離子性表面活性劑，除上述聚氧化烯類(lèi)化合物、失水山梨醇脂肪酸類(lèi)化合物之外，還可以使用炔屬醇類(lèi)化合物。作為炔屬醇類(lèi)化合物，例如優(yōu)選使用下述通式(I)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(其中，R，表示氫原子或下述式(II)所示的基團(tuán)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>R2、R3、R4、Rs分別獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)16的烷基)該炔屬醇類(lèi)化合物作為例如"Surfynol"、"01fme，，(以上均由空氣化工產(chǎn)品有限公司(AirProductandChemicalsInc.)制)等系列在市場(chǎng)上銷(xiāo)售，優(yōu)選使用。其中，從其物性方面考慮最優(yōu)選使用"Surfynol104"、"Surfynol82"或者它們的混合物。此外，也可以使用"OlfineB"、"OlfmeP"、"OlfineY"等。另外，也可以使用在上述炔屬醇中加成烯化氧得到的化合物。作為在上述炔屬醇上加成的烯化氧，優(yōu)選使用環(huán)氧乙烷、環(huán)氧丙烷或者其混合物。作為上述炔屬醇.烯化氧加成物，優(yōu)選使用下述通式(III)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(III)(其中，116表示氫原子或下述式(IV)所示的基團(tuán)；R9<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(IV)R10R7、R8、R9、111()分別獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)16的烷基)。此處，(n+m)表示l~30的整數(shù)，由于此環(huán)氧乙烷的加成數(shù)不同，所述加成物在水中的溶解性、表面張力等特性微妙地變化。炔屬醇.烯化氧加成物，其本身作為表面活性劑為公知物質(zhì)。該物質(zhì)作為"Surfynol"(空氣化工產(chǎn)品有限公司制)系列、或者"Acetylenol"(川研精細(xì)化學(xué)(抹)制)系列等在市場(chǎng)上銷(xiāo)售，優(yōu)選使用。其中，考慮到由環(huán)氧乙烷的加成數(shù)導(dǎo)致的在水中溶解性、表面張力等特性的變化等，優(yōu)選使用"Surfynol420"、"Surfynol440"、"Surfynol465"、"Surfynol485"、"AcetylenolEL，，、"AcetylenolEH"、或者它們的混合物。并且，在本發(fā)明光刻法用洗滌液中，非離子性表面活性劑優(yōu)選將HLB值為9以下的至少1種非離子性表面活性劑和HLB值大于9的至少l種非離子性表面活性劑兩者組合使用，其中，HLB值是表示與水和油的親和性的指標(biāo)。需要說(shuō)明的是，此處使用的HLB值為各非離子性表面活性劑的平均HLB值。如上所述，通過(guò)組合^^用HLB值為9以下的表面活性劑和HLB值大于9的表面活性劑，能夠同時(shí)高效地溶解(b)成分、(c)成分。本發(fā)明光刻法用洗滌液中，(a)成分的配合量?jī)?yōu)選為0.01~5質(zhì)量％，特別優(yōu)選為O.l~2質(zhì)量％。通過(guò)使(a)成分的配合量在上述范圍內(nèi)，能夠有效地避免由洗滌液分離等導(dǎo)致的不利情況，同時(shí)維持洗滌性能。如上所述，使用2種以上表面活性劑時(shí)，其混合比可以在不影響洗滌性能的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。需要說(shuō)明的是，作為表面活性劑，除非離子性表面活性劑以外，在對(duì)光刻法用洗滌液的穩(wěn)定性或洗滌性能無(wú)不良影響的范圍內(nèi)，也可以配合各種陽(yáng)離子性表面活性劑或陰離子性表面活性劑。作為是(b)成分的烴溶劑，可以廣泛使用烷烴類(lèi)或烯烴類(lèi)。其中，優(yōu)選使用碳原子數(shù)812的直鏈或支鏈狀烷烴類(lèi)、碳原子數(shù)8~12的直鏈或支鏈狀烯烴類(lèi)、及由2個(gè)以上異戊二烯單元構(gòu)成的萜類(lèi)。上述碳原子數(shù)8~12的直鏈或支鏈狀烷烴類(lèi)及烯烴類(lèi)，一般情況下市售。其中，從洗滌性能的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選正癸烷、1-癸烯。作為上述碎類(lèi)，優(yōu)選單萜類(lèi)、二萜類(lèi)等。作為單萜類(lèi)，例如可以舉出香葉醇、橙花醇、里哪醇(Linalool)、檸檬醛、香茅醇、對(duì)蓋烷、二苯基蓋烷、薄荷醇、異薄荷醇、新薄荷醇、芋烯、二聚戊烯(dipentene)、辟品醇、香芽酮、芷香酮、苧酮(thujone)、樟腦(camphor)、莰烷、冰片(borneol、2-莰醇)、降冰片烷、蒎烷、a-蒎烯、卩-蒎烯、苧烷(Thujane)、a-苧酮、|3-苧酮、蒈、樟腦、a-碎品烯、(3-萜品烯、y-萜品烯等。作為二萜類(lèi)，例如可以舉出批烷(松香烷、Abietane)、樅酸(Abieticacid)等。其中，從易于獲得的方面考慮優(yōu)選單萜類(lèi)，其中，從具有高洗滌性能的方面考慮，優(yōu)選使用選自芋烯、蒎烯、及對(duì)蓋烷中的至少l種。本發(fā)明光刻法用洗滌液中，(b)成分的配合量?jī)?yōu)選為0.01~5質(zhì)量％,特別優(yōu)選為O.l~2質(zhì)量％。通過(guò)使(b)成分的配合量在上述范圍內(nèi)，能夠進(jìn)一步提高洗滌液的保存穩(wěn)定性、洗滌性能。剩余量配合作為(c)成分的水。本發(fā)明中除上述(a)~(c)成分之外還可以配合水溶性有機(jī)溶劑作為(d)成分。作為(d)成分可以舉出選自鏈烷醇胺類(lèi)、烷基胺類(lèi)、聚亞烷基多胺類(lèi)、二元醇類(lèi)、醚類(lèi)、酮類(lèi)、乙酸酯類(lèi)、及羧酸酯類(lèi)中的至少l種水溶性有機(jī)溶劑。作為上述鏈烷醇胺類(lèi)，可以舉出單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇〔=二甘醇胺〕、N,N-二曱基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺等。但并不限定于上述例示的化合物。作為上述烷基胺類(lèi)，可以舉出2-乙基-己基胺、二辛基胺、三丁基胺、三丙基胺、三烯丙基胺、庚基胺、環(huán)己基胺等。但并不限定于上述例示的化合物。作為上述聚亞烷基多胺類(lèi)，可以舉出二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、亞丙基二胺、N，N-二乙基亞乙基二胺、N，N，-二乙基亞乙基二胺、1，4-丁二胺、N-乙基-亞乙基二胺、1,2-丙二胺、1，3-丙二胺、1,6-己二胺等。但并不限定于上述例示的化合物。作為上述二元醇類(lèi)，可以舉出乙二醇、二甘醇、丙二醇、丙三醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、2,3-丁二醇等。但并不限定于上述例示的化合物。作為上述醚類(lèi)，可以舉出乙二醇單曱醚〔=曱基溶纖劑〕、乙二醇單乙醚〔=乙基溶纖劑〕、乙二醇二乙醚、乙二醇異丙醚、乙二醇單正丁醚、丙二醇單曱醚、丙二醇單乙醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇單正丁醚〔=丁基二甘醇〕、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、雙丙甘醇單曱基醚、爺基乙基醚、二己基醚等。但并不限定于上述例示的化合物。作為上述酮類(lèi)，可以舉出丙酮、曱基乙基酮、二乙基酮、甲基丙基酮、曱基異丁基酮、甲基戊基酮、二異丙基酮、環(huán)丁酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮等。但并不限定于上述例示的化合物。作為上述乙酸酯類(lèi)，可以舉出乙二醇單甲醚乙酸酯〔=曱基溶纖劑乙酸酯〕、乙二醇單乙醚乙酸酯〔=乙基溶纖劑乙酸酯〕、乙二醇單正丁醚乙酸酯〔=正丁基溶纖劑乙酸酯〕、丙二醇單曱醚乙酸酯等。但并不限定于上述例示的化合物。作為上述羧酸酯類(lèi)，例如可以舉出烷基-或脂肪族-羧酸酯、單羥基羧酸酯等，具體而言可以舉出乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸曱酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯等。但并不限定于上述例示的化合物。本發(fā)明中，作為(d)成分，特別優(yōu)選使用鏈烷醇胺類(lèi)、二元醇類(lèi)、醚類(lèi)、酮類(lèi)、乙酸酯類(lèi)、及羧酸酯類(lèi)。在本發(fā)明光刻法用洗滌液中配合(d)成分時(shí)，優(yōu)選以0.120質(zhì)量％進(jìn)行配合，特別優(yōu)選為1~8質(zhì)量％。通過(guò)使(d)成分的配合量為上述范圍，能夠降低光刻法用洗滌液的層分離的危險(xiǎn)，提供穩(wěn)定的均勻溶液，進(jìn)而能夠進(jìn)一步提高洗滌性能。使用本發(fā)明光刻法用洗滌液的曝光裝置的洗滌方法，例如可如下進(jìn)行。首先，采用旋涂器等在硅片等基板上涂布常用光致抗蝕劑組合物作為曝光對(duì)象物后，進(jìn)行預(yù)烘烤(PAB處理)，形成光致抗蝕劑膜。需要說(shuō)明的是，也可以在基板上設(shè)置1層有機(jī)類(lèi)或無(wú)機(jī)類(lèi)的防反射膜(下層防反射膜)后形成光致抗蝕劑膜。光致抗蝕劑組合物沒(méi)有特殊的限定，包括負(fù)型及正型光致抗蝕劑，可以隨意使用能被堿水溶液顯影的光致抗蝕劑。作為上述光致抗蝕劑，可以舉出(i)正型光致抗蝕劑含有萘醌二疊氮基化合物和酚醛清漆樹(shù)脂；(ii)正型光致抗蝕劑含有通過(guò)曝光生成酸的化合物、在酸作用下分解后對(duì)堿水溶液的溶解性增大的化合物及堿可溶性樹(shù)脂；(iii)正型光致抗蝕劑含有通過(guò)曝光生成酸的化合物、堿可溶性樹(shù)脂，其中堿可溶性樹(shù)脂具有在酸作用下分解后對(duì)堿水溶液的溶解性增大的基團(tuán)；及(iv)負(fù)型光致抗蝕劑含有在光作用下生成酸或者自由基的化合物、交聯(lián)劑及堿可溶性樹(shù)脂等，但不限定于此。需要說(shuō)明的是，也可以在上述光致抗蝕劑膜的表面形成保護(hù)膜。接下來(lái)，將形成此光致抗蝕劑膜的基板置于曝光裝置的晶片載物臺(tái)上。該曝光裝置優(yōu)選除配置上述晶片載物臺(tái)之外，以規(guī)定間隔與該晶片載物臺(tái)對(duì)向配置光學(xué)透鏡部，除此之外還配置液體導(dǎo)入流路、和液體4非出流3各。然后，一邊向形成此光致抗蝕劑膜的基板和光學(xué)透鏡部之間的空間內(nèi)從晶片載物臺(tái)一側(cè)的方向通過(guò)液體導(dǎo)入流路導(dǎo)入浸液介質(zhì)，同時(shí)從晶片載物臺(tái)另一側(cè)方向通過(guò)液體排出流路排出(吸出)浸液介質(zhì)，一邊在浸液介質(zhì)充滿(mǎn)上述空間的狀態(tài)下通過(guò)掩模圖案對(duì)光致抗蝕劑膜選擇性地進(jìn)行曝光。此處，在局部浸液曝光方式中，一邊使晶片載物臺(tái)相對(duì)于曝光用透鏡以高速移動(dòng)，并且從液體導(dǎo)入噴嘴(液體導(dǎo)入流路)在光致抗蝕劑膜上連續(xù)滴下浸液介質(zhì)，一邊選擇性地曝光光致抗蝕劑層。通過(guò)掩模圖案對(duì)該連續(xù)滴下?tīng)顟B(tài)的基板上的光致抗蝕劑膜選擇性地進(jìn)行曝光。剩余的浸液介質(zhì)通過(guò)液體排出噴嘴(液體排出流路)排出?；蛘?，也可以采用將形成上述光致抗蝕劑層的基板浸漬到浸液介質(zhì)中，在此狀態(tài)下進(jìn)行曝光的式。在上述任意狀態(tài)下，至少在透鏡和形成光致抗蝕劑層的基板之間充滿(mǎn)浸液介質(zhì)。通過(guò)掩模圖案對(duì)此狀態(tài)的基板的光致抗蝕劑膜選擇性地進(jìn)行曝光。所以，此時(shí)曝光光通過(guò)浸液介質(zhì)到達(dá)光致抗蝕劑膜。此時(shí)，光致抗蝕劑構(gòu)成成分從光致抗蝕劑膜向浸液介質(zhì)中溶出，其作為污染物附著在曝光裝置上。曝光光沒(méi)有特殊的限定，可以使用ArF準(zhǔn)分子激光、KrF準(zhǔn)分子激光、F2準(zhǔn)分子激光、EB、EUV、VUV(真空紫外線)等放射線進(jìn)行浸液介質(zhì)只要是折射率比空氣折射率大且比所用光致抗蝕劑膜的折射率小的液體即可，沒(méi)有特殊的限定。作為上述浸液介質(zhì)，可以舉出水(純水、脫離子水。折射率1.44)、在水中配合各種添加劑而高折射率化的液體、氟類(lèi)惰性液體、硅類(lèi)惰性液體、烴類(lèi)液體等，也可以使用預(yù)計(jì)將來(lái)可開(kāi)發(fā)出的具有高折射率特性的浸液介質(zhì)。作為氟類(lèi)惰性液體的具體例，可以舉出以C3HCl2Fs、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等氟類(lèi)化合物作為主要成分的液體。其中，從成本、安全性、環(huán)境問(wèn)題及常用性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使用水(純水、去離子水)，但在使用157nm波長(zhǎng)的曝光光(例如F準(zhǔn)分子激光器等)時(shí)，從曝光光吸收少的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使用氟類(lèi)溶劑。在上述浸液狀態(tài)下的曝光工序結(jié)束后，從浸液介質(zhì)中取出基板，從基板中除去液體。然后，使曝光裝置特別是光學(xué)透鏡部等中的與上述浸液介質(zhì)接觸的部位與本發(fā)明光刻法用洗滌液接觸，進(jìn)行洗滌，將從光致抗蝕劑膜中溶出的成分等洗滌除去。接觸時(shí)間只要是能夠洗滌'除去光致抗蝕劑鐘左右。由此，即使在從光致抗蝕劑膜溶出的成分附著在曝光裝置、特別是光學(xué)透鏡部等中時(shí)，也能夠快速地除去，所以通常能夠以清潔,通常為30秒~10分狀態(tài)進(jìn)行高精度的曝光處理，減小錯(cuò)誤等發(fā)生的可能性，可以形成可靠性高的光致抗蝕劑圖案。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明光刻法用洗滌液能夠共用與用于浸液介質(zhì)導(dǎo)入，排出的流路相同的流路。所以，不需另外設(shè)置洗滌液用流路，可以降低制造成本。作為與曝光裝置接觸的方法，除此之外，還可以舉出向曝光裝置噴灑本發(fā)明洗滌液、或者用在本發(fā)明洗滌液中浸泡過(guò)的布擦拭曝光裝置的污漬，由此進(jìn)行洗滌等方法。需要說(shuō)明的是，上述洗滌方法并不限定于上述例示的方法。然后，對(duì)上述曝光的光致抗蝕劑膜進(jìn)行PEB(曝光后加熱)，接下來(lái)，使用由堿性水溶液構(gòu)成的堿顯影液進(jìn)行顯影處理。堿顯影液可以使用常用物質(zhì)。需要說(shuō)明的是，在顯影處理之后可以進(jìn)行后烘烤。然后，使用純水等進(jìn)行沖洗。水沖洗如下進(jìn)行。例如，一邊使基板旋轉(zhuǎn)一邊將水滴下或噴霧在基板表面，洗去基板上的顯影液及被該顯影液溶解的保護(hù)膜成分和光致抗蝕劑組合物。接下來(lái)，通過(guò)干燥，使光致抗蝕劑膜形成與掩模圖案相應(yīng)的形狀，得到光致抗蝕劑圖案。通過(guò)如上所述形成光致抗蝕劑圖案，能夠以良好的析像度制造微細(xì)線寬的光致抗蝕劑圖案、特別是間距小的線■和.間隔(lineandspace)圖案。實(shí)施例接下來(lái)，通過(guò)實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些例子。(實(shí)施例l~9、比4交例1~5)為了再現(xiàn)于浸液曝光狀態(tài)下曝光用透鏡的污漬，準(zhǔn)備以下構(gòu)成的試驗(yàn)用具。首先，將"TPS-PFBS(全氟丁磺酸四苯基锍鹽)"溶解于純水中，以其500ppm水溶液作為試驗(yàn)藥液，上述"TPS-PFBS，，被預(yù)測(cè)是曝光用透鏡污染的原因，是光致抗蝕劑成分中的光致酸發(fā)生劑。然后，在能夠以一定流量輸送液體的配管上設(shè)置透明槽，形成使上述試驗(yàn)藥液從其一側(cè)的配管流入、從相反側(cè)的配管使試驗(yàn)藥液體排出的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而，形成在此透明槽的未設(shè)置配管的任一側(cè)面設(shè)置浸液曝光用透鏡的結(jié)構(gòu)。形成一邊從設(shè)置此浸液曝光用透鏡的側(cè)面方向照射脈沖狀的ArF準(zhǔn)分子激光，一邊向設(shè)置浸液曝光用透鏡的透明槽內(nèi)通入試驗(yàn)藥液的結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，ArF準(zhǔn)分子激光的照射成脈沖狀，無(wú)論曝光用透鏡的污漬是由因光照射解離而呈離子性的光致酸發(fā)生劑引起的，還是未經(jīng)光照射未解離的光致酸發(fā)生劑引起的，均能作為實(shí)際曝光時(shí)的污漬，反映為試-瞼用具的污漬。使用上述結(jié)構(gòu)的試^^用具，一邊以0,1L/min的流量使上述試-瞼藥液流過(guò)，一邊以0.18mJ的曝光量在1.76xl()S脈沖下照射ArF準(zhǔn)分子激光，使污染物附著在浸液曝光用透鏡表面上。使附著此污染物的浸液曝光用透鏡在表1所示各組成的洗滌液中浸漬10分鐘，然后水洗30秒后，通過(guò)吹入氮?dú)馐蛊涓稍?，目視觀察此干燥后的透鏡，根據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)，評(píng)價(jià)洗滌效果。結(jié)果如表l所示。A:能夠良好地洗滌除去附著在浸液曝光用透鏡上的污染物。B:不能洗滌除去附著在浸液曝光用透鏡上的污染物，作為殘留物殘留下來(lái)。[表l<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>需要說(shuō)明的是，表l中各縮寫(xiě)表示以下化合物。Sl:聚氧乙烯-2-乙基己基醚("Newcol1020";日本乳化劑(林)制。HLB=17.4)、S2:失水山梨醇三油酸酯("Newcol3-80";日本乳化劑(抹)制。HLB=3.4)、S3:聚氧乙烯硬脂基醚("Newcol1820";日本乳化劑(林)制。HLB=15.3)、S4:聚氧乙烯月桂基醚("Newcol2502-A";日本乳化劑(林)制。HLB=6.3)、S5:炔屬醇環(huán)氧乙烷加成物("Surfynol420";空氣化工產(chǎn)品公司制。HLB=4.0)、S6:炔屬醇環(huán)氧乙烷加成物("Surfynol485";空氣化工產(chǎn)品公司制。HLB=17.0)、EDG:二甘醇單乙醚、BDG:二甘醇單丁醚、IPA:異丙醇。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的洗滌液及洗滌方法，清潔性能優(yōu)異，在浸液曝光過(guò)程中，雖然利用了目前廣泛使用的光致抗蝕劑和保護(hù)膜，但能夠防止因?yàn)閺墓庵驴刮g劑溶出的成分而導(dǎo)致的對(duì)曝光裝置造成的損害。另外，廢液處理簡(jiǎn)便，與浸液介質(zhì)的置換效率高，不妨礙半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)率，制造成本降低。權(quán)利要求1、一種光刻法用洗滌液，用于在浸液曝光過(guò)程中洗滌曝光裝置，所述浸液曝光過(guò)程是在曝光裝置的光學(xué)透鏡部和載置于晶片載物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間充滿(mǎn)浸液介質(zhì)進(jìn)行曝光的過(guò)程，其特征在于，含有(a)表面活性劑、(b)烴溶劑、及(c)水，。2、如權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，其中，(a)成分為非離子性表面活性劑。3、如權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，其中，(a)成分為選自聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基苯基醚、聚氧化烯烷基脂肪酸酯、聚氧化烯烯丙基苯基醚、聚氧化烯失水山梨醇脂肪酸酯、失水山梨醇脂肪酸酯、聚氧化烯、及炔屬醇類(lèi)化合物中的至少l種。4、如權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，其中，(a)成分含有至少2種以上表面活性劑，所述至少2種以上表面活性劑為選自平均HLB值為9以下的表面活性劑中的至少l種以及選自平均HLB值大于9的表面活性劑中的至少l種。5、如權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，其中，(b)成分為選自碳原子數(shù)為812的直鏈或支鏈的烷烴類(lèi)、碳原子數(shù)為8-12的直鏈或支鏈的烯烴類(lèi)、及萜類(lèi)烴溶劑中的至少l種。6、如權(quán)利要求5所述的光刻法用洗滌液，其中，(b)成分中的辟類(lèi)烴溶劑為單萜類(lèi)。7、如權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，其中，含有0.015質(zhì)量%(a)成分、0.01~5質(zhì)量％(b)成分，剩余量為(c)成分。8、如權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，其中，還含有(d)水溶性有機(jī)溶劑。9、如權(quán)利要求8所述的光刻法用洗滌液，其中，(d)成分為選自鏈烷醇胺類(lèi)、烷基胺類(lèi)、聚亞烷基多胺類(lèi)、二元醇類(lèi)、醚類(lèi)、酮類(lèi)、乙酸酯類(lèi)、及羧酸酯類(lèi)中的至少l種。10、如權(quán)利要求8所述的光刻法用洗滌液，其中，含有0.120質(zhì)量％(d)成分。11、一種曝光裝置的洗滌方法，其特征在于，使用至少裝有光學(xué)透鏡部、晶片載物臺(tái)、液體導(dǎo)入流路、和液體排出流路的曝光裝置，一邊通過(guò)所述液體導(dǎo)入流路向所述光學(xué)透鏡部和載置于所述晶片栽物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間的空間內(nèi)導(dǎo)入浸液介質(zhì)充滿(mǎn)該空間，同時(shí)通過(guò)所述液體排出流路排出浸液介質(zhì)，一邊進(jìn)行曝光，在該浸液曝光過(guò)程中，使用與用于所述浸液介質(zhì)導(dǎo)入的流路相同的導(dǎo)入流路導(dǎo)入權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，通過(guò)與曝光裝置接觸規(guī)定時(shí)間進(jìn)行洗滌，通過(guò)與用于所述浸液介質(zhì)排出的流路相同的排出流路將該使用過(guò)的洗滌液^棑出。12、一種曝光裝置的洗滌方法，其特征在于，在將曝光裝置的光學(xué)透鏡部和載置在晶片載物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間充滿(mǎn)浸液介質(zhì)、進(jìn)行曝光的浸液曝光過(guò)程中，向所述曝光裝置噴灑權(quán)利要求l所述的光刻法用洗滌液，或者用在該光刻法用洗滌液中浸泡過(guò)的布擦拭所述曝光裝置的污漬，由此洗滌該曝光裝置。全文摘要本發(fā)明提供一種在浸液曝光過(guò)程中能夠高效地洗滌除去因?yàn)閺墓庵驴刮g劑溶出的成分而導(dǎo)致的曝光裝置部位(特別是光學(xué)透鏡部)的污染物、且廢液處理簡(jiǎn)便、與浸液介質(zhì)的置換效率高、不阻礙半導(dǎo)體制造生產(chǎn)率的光刻法用洗滌液及使用該洗滌液的曝光裝置的洗滌方法。本發(fā)明涉及光刻法用洗滌液及使用該洗滌液的曝光裝置的洗滌方法，其中，所述光刻法用洗滌液在用浸液介質(zhì)充滿(mǎn)于曝光裝置的光學(xué)透鏡部和置于晶片載物臺(tái)上的曝光對(duì)象物之間進(jìn)行曝光的浸液曝光過(guò)程中，用于上述曝光裝置的洗滌，所述光刻法用洗滌液含有(a)表面活性劑、(b)烴溶劑及(c)水。文檔編號(hào)C11D3/43GK101313385SQ20068004355公開(kāi)日2008年11月26日申請(qǐng)日期2006年11月22日優(yōu)先權(quán)日2005年11月22日發(fā)明者平野智之,橫谷次朗,澤田佳宏,越山淳申請(qǐng)人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社