技術(shù)編號：1462750
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在浸液曝光(Liquid Immersion Lithography)過程中使用的。背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置、液晶裝置等各種電子裝置中的微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造 中，常采用光刻法。近年，半導(dǎo)體裝置的高集成化、微小化的進(jìn)展十 分顯著，在光刻法工序的光致抗蝕劑圖案形成中也要求更加微細(xì)化。 目前，采用光刻法，例如在最尖端領(lǐng)域中可以形成線寬為90nm左 右的微細(xì)的光致抗蝕劑圖案，人們正在研究.開發(fā)線寬為65nm的更微 細(xì)圖案的形成。為了實(shí)現(xiàn)上述更微細(xì)的圖案的形成， 一...
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