專利名稱：晶片排列裝置及排列方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片排列裝置，尤其涉及通過排列晶片在一次清洗眾多晶片的過程中使相鄰一對晶片相對的表面具有相同性質(zhì)的晶片排列裝置。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體制造工藝中所使用的晶片清洗方法中，利用清洗液及去離子水除去晶片表面污染物質(zhì)的濕式清洗法由于產(chǎn)量(throughput)較高、且能同時除去各種污染物質(zhì)、并可以進行批量(batch)清洗，因此成為目前在半導(dǎo)體制造工藝中使用最多的清洗方法。
通常，濕式清洗法所使用的清洗裝置主要由搬入部、清洗處理部、搬出部組成。所述搬入部包含用于從收納預(yù)定數(shù)量(例如25個)晶片的晶片搬運器(carrier)接收晶片的放置臺、以晶片搬運器為單位裝載晶片的裝載機構(gòu)以及接收由所述裝載機構(gòu)所裝載的相當于2個晶片搬運器的50個晶片而加以排列的排列單元。由所述排列單元加以排列的50個晶片通過晶片夾(waferchuck)被搬運到清洗處理部浸入多個清洗槽及/或漂洗(rinse)槽中進行清洗處理。在清洗處理部經(jīng)過多次清洗及漂洗過程的晶片被搬運到搬出部，在所述搬出部被晶片搬運器收納之后被移送到清洗裝置外部。
被收納在各個晶片搬運器中的晶片之間隔著預(yù)定間距，其表面全部面向同一方向。即，多個晶片中每一個晶片的表面均與相鄰晶片的背面相對，晶片以這種排列狀態(tài)被搬運到清洗裝置。
另外，晶片的一個表面為了形成器件必須得是去除了顆粒(particle)等的鏡面，而所述一個表面的反面即晶片的背面與鏡面相比即使存在一定程度的顆粒也無妨。
因此，如果以晶片被晶片搬運器收納時的狀態(tài)進行清洗，則由于在相鄰晶片的鏡面與背面相對的排列狀態(tài)下進行清洗，因此晶片清洗過程中會發(fā)生從晶片背面脫落的顆粒附著到相鄰晶片鏡面上的情況。如上所述，從晶片背面被去除的顆粒重新附著到晶片鏡面而污染晶片鏡面時，缺陷率相應(yīng)上升，從而導(dǎo)致產(chǎn)量下降。
為了防止這種問題出現(xiàn)，在將兩個晶片搬運器中所收納的多個晶片排列在一起進行清洗時，通過排列使相鄰晶片的鏡面與鏡面或背面與背面相對，這個過程稱為鏡面翻轉(zhuǎn)。如此，通過鏡面翻轉(zhuǎn)使相鄰晶片的相同表面相對，從而避免清洗過程中從晶片背面脫落的顆粒附著到相鄰晶片的鏡面上。由此，防止了因被去除的顆粒重新附著而引起的晶片污染。
圖1至圖3為表示現(xiàn)有技術(shù)所提供的晶片排列裝置鏡面翻轉(zhuǎn)過程的工藝圖。下面參照


鏡面翻轉(zhuǎn)過程。
如圖1(a)所示，接收單元10接收由圖中沒有示出的自動機械供應(yīng)的由多個(25個)晶片所組成的第一晶片組W1。此時，所述第一晶片組W1以水平狀態(tài)被供應(yīng)，被安放到接收單元10，并如圖1(b)所示通過接收單元10的旋轉(zhuǎn)而呈垂直狀態(tài)。此后，位于所述接收單元下方的升降單元20上升使所述第一晶片組上升至預(yù)定高度，如圖1(c)所示。上升之后的第一晶片組W1通過移動單元30移動到中轉(zhuǎn)(buffer)單元40的上方，在所述第一晶片組W1移動的同時，所述升降單元20下降返回最初位置，如圖1(d)所示。
然后，如圖2(e)所示，所述中轉(zhuǎn)單元40將第一晶片組W1提升至預(yù)定高度，使其從接收單元10分離，中轉(zhuǎn)單元40在上升狀態(tài)下以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度從而翻轉(zhuǎn)第一晶片組W1的鏡面。此時，所述接收單元10為了接收第二晶片組返回最初位置。
返回最初位置的所述接收單元10通過旋轉(zhuǎn)回到最初狀態(tài)即垂直豎立狀態(tài)，以接收由自動機械水平供應(yīng)的第二晶片組，而在所述中轉(zhuǎn)單元40的下方用于接收所翻轉(zhuǎn)的第一晶片組W1的推送(pusher)單元50上升，如圖2(f)所示。
如圖2(g)所示，當所述推送單元50上升而接收第一晶片組W1時，所述中轉(zhuǎn)單元40開始向最初位置下降，與此同時所述接收單元10接收由25個晶片組成的第二晶片組W2。
此后，如圖2(h)所示，安放到所述接收單元10的第二晶片組W2與接收單元10一同旋轉(zhuǎn)90度呈垂直狀態(tài)，而所述中轉(zhuǎn)單元40下降到最初位置。
旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)的第二晶片組W2如圖3(i)所示，與接收單元10一起依靠移動單元30移動到所述中轉(zhuǎn)單元40的上方，所述接收單元10在將第二晶片組W2安放到中轉(zhuǎn)單元40之后，如圖3(j)所示返回最初位置。
在如上所述的狀態(tài)下，如圖3(k)所示，安放第一晶片組W1的推送單元50朝安放第二晶片組W2的中轉(zhuǎn)單元40方向下降，而接收單元10進行旋轉(zhuǎn)回到最初狀態(tài)即垂直豎立狀態(tài)，以從自動機械接收另一個第一晶片組。
此時，與所述推送單元50一起下降的第一晶片組W1被安放到中轉(zhuǎn)單元40，并使第一晶片組W1的晶片位于第二晶片組W2的晶片之間，最終第一晶片組W1與第二晶片組W2排列成鏡面與鏡面或背面與背面相對的狀態(tài)。通過上述過程進行排列的50個晶片W由晶片搬運器60搬運到清洗裝置進行清洗，如圖3(1)所示。
如上所述，用于進行鏡面翻轉(zhuǎn)的現(xiàn)有的晶片排列裝置其結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，而且由于經(jīng)過多個步驟進行鏡面翻轉(zhuǎn)，因此產(chǎn)量較低。尤其，由于要多次抓持及安放晶片，因此增加了裝置所占據(jù)的移動(Foot Print)區(qū)域。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決如上所述的問題而提出的，其目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、并且能夠最大限度地簡化鏡面翻轉(zhuǎn)工藝而增大產(chǎn)量及最大限度地減小移動路徑(Foot Print)的晶片排列裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠在晶片排列過程中防止晶片受損的晶片排列裝置。
為了實現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明所提供的晶片排列裝置，包含以水平狀態(tài)接收分別由至少一個晶片所構(gòu)成的第一晶片組及第二晶片組并將其排列成垂直狀態(tài)的晶片接收單元和依次接收所述垂直狀態(tài)的第一晶片組及第二晶片組并加以排列的推送單元，并具有通過所述晶片接收單元或推送單元中某一個單元的旋轉(zhuǎn)使第一晶片組的晶片和第二晶片組的晶片以相反方向交替排列的結(jié)構(gòu)。
并且，所述晶片接收單元和推送單元沿呈垂直狀態(tài)的晶片排列方向相對移動，而所述推送單元設(shè)置成以垂直軸為中心可旋轉(zhuǎn)180度。與此不同，可以使所述晶片接收單元和推送單元在晶片的垂直狀態(tài)下沿晶片排列方向相對移動，而所述晶片接收單元設(shè)置成沿某一方向及其反方向旋轉(zhuǎn)90度。
尤其，還可以包含當被裝載到所述推送單元的晶片進入可能破損區(qū)域時予以監(jiān)測的傳感器和根據(jù)所述傳感器的信號限制所述推送單元動作的控制部。
依據(jù)本發(fā)明所提供的晶片清洗裝置，包含用于裝載基片的裝載部及用于卸載基片的卸載部；處理室，該處理室包含用于進行清洗處理的清洗槽；以及用于移送基片的基片移送部；并且，所述裝載部包含上述晶片排列裝置。
依據(jù)本發(fā)明所提供的晶片排列方法，包含步驟通過晶片接收單元將以水平狀態(tài)供應(yīng)的由至少一個晶片所構(gòu)成的第一晶片組旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)；將垂直狀態(tài)的第一晶片組交接到推送單元；通過所述晶片接收單元將以水平狀態(tài)供應(yīng)的由至少一個晶片所構(gòu)成的第二晶片組旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)；及將垂直狀態(tài)的第二晶片組交接到所述推送單元；并且，當交接所述第二晶片組時，使第一晶片組的晶片和第二晶片組的晶片以相反方向交替排列。
此時，交接所述第二晶片組之前最好還包含步驟將所交接的第一晶片組以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度；使所述第一晶片組和第二晶片組沿所述第一晶片組的晶片排列方向相對移動。
與此不同，將所述第二晶片組旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)的步驟可以包含沿與所述第一晶片組相反的方向進行旋轉(zhuǎn)的步驟，并且本發(fā)明所提供的晶片排列方法還可以包含使所述第一晶片組和第二晶片組沿所述第一晶片組的晶片排列方向相對移動的步驟。

圖1至圖3為表示現(xiàn)有技術(shù)所提供的晶片排列裝置鏡面翻轉(zhuǎn)過程的工藝圖；圖4為整體表示本發(fā)明所提供的晶片排列裝置第一實施例的側(cè)面圖；圖5及圖6為圖4中示出的晶片排列裝置的晶片接收單元的剖面圖及側(cè)面圖；圖7為圖4中示出的晶片排列裝置的推送單元的側(cè)面圖；圖8為具有圖4中示出的晶片排列裝置的晶片清洗裝置的概要圖；圖9a至圖9d為表示圖4中示出的晶片排列裝置鏡面翻轉(zhuǎn)過程的工藝圖；圖10為整體表示本發(fā)明所提供的晶片排列裝置第二實施例的側(cè)面圖；圖11為圖10中示出的晶片排列裝置的晶片接收單元的正面圖；圖12為圖11中示出的晶片接收單元當旋轉(zhuǎn)體處于水平狀態(tài)時的正面圖；圖13為圖10中示出的晶片排列裝置的推送單元的側(cè)面圖；圖14a至圖14d為表示圖10中示出的晶片排列裝置鏡面翻轉(zhuǎn)過程的工藝圖；圖15為整體表示本發(fā)明所提供的晶片排列裝置第三實施例的側(cè)面圖；圖16及圖17為用于說明圖15中示出的晶片排列裝置的推送單元控制過程的工藝圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明實施例。
圖4為整體表示本發(fā)明所提供的晶片排列裝置第一實施例的側(cè)面圖。
如圖4所示，依據(jù)本發(fā)明所提供的晶片排列裝置包含使晶片以水平軸為中心旋轉(zhuǎn)90度的晶片接收單元200和使晶片以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度的推送單元300。此時，晶片由自動機械100供應(yīng)到所述晶片接收單元。
所述自動機械100將分別由多個晶片組成的第一晶片組和第二晶片組分別供應(yīng)到所述晶片接收單元200。此時，第一晶片組及第二晶片組的晶片以水平狀態(tài)被供應(yīng)到所述晶片接收單元200。
下面，以各晶片組的晶片數(shù)量為25個的情況為例進行說明。
所述自動機械100包含晶片以水平狀態(tài)被安放的晶片導(dǎo)架110、按前后方向延伸的較長的導(dǎo)軌120以及與所述晶片導(dǎo)架110結(jié)合并沿所述導(dǎo)軌120移動的滑塊130。
此時，在所述晶片導(dǎo)架110的前表面形成50個插槽112，以引入晶片的末端而加以安放。相鄰的一對插槽112之間形成安放凸起114，所述安放凸起114越靠近端部其截面積越小。即，相鄰的一對安放凸起114之間的插槽112越往前其寬度越大。這是為了在引導(dǎo)被引入到所述插槽112中的晶片的同時防止在晶片被引入插槽112時因安放凸起114邊緣和晶片末端相接觸而損傷晶片。
所述導(dǎo)軌120與在所述導(dǎo)軌120上前進及后退的滑塊130由電機(未圖示)驅(qū)動，用于將所述晶片導(dǎo)架110移動到前方或后方。所述導(dǎo)軌120和滑塊130為通常使用的設(shè)備，在此省略其說明。
下面說明所述晶片導(dǎo)架110上安放的晶片的排列狀態(tài)。如上所述，晶片導(dǎo)架110上形成50個插槽112，本實施例中晶片導(dǎo)架110上一次安放25個晶片進行移送。隨之，在所述晶片導(dǎo)架110的插槽112中隔一個插槽安放一個晶片，以使每個晶片之間都能放置另外的晶片。這是為了進行晶片鏡面翻轉(zhuǎn)，對此將在后面進行詳細說明。
圖5及圖6為圖4中示出的晶片排列裝置的晶片接收單元的剖面圖及側(cè)面圖。
晶片接收單元200用于將由自動機械(圖4中100)供應(yīng)的第一晶片組及第二晶片組相對于水平軸旋轉(zhuǎn)90度，即用于將所述晶片組由水平狀態(tài)旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)。如圖5及圖6所示，所述晶片接收單元200包含框架210、可旋轉(zhuǎn)地結(jié)合于所述框架210上的旋轉(zhuǎn)體220、設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)體220上部并裝載由所述自動機械100供應(yīng)的晶片的晶片導(dǎo)架230、用于旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)體220的電機240。
并且，所述晶片接收單元200還可以包含限制所述旋轉(zhuǎn)體220的旋轉(zhuǎn)使所述晶片導(dǎo)架230只能旋轉(zhuǎn)90度的制動器250(stopper)以及監(jiān)測旋轉(zhuǎn)體220位置的傳感器260。
下面進一步說明所述晶片接收單元200。
所述晶片接收單元200設(shè)在所述自動機械100前方并與自動機械100間隔預(yù)定間距，同時位于晶片排列裝置主體400的上方并與晶片排列裝置主體400間隔預(yù)定間距。
如上所述，所述晶片接收單元200包含框架210，所述框架210包含固定水平部件212、在所述固定水平部件212兩側(cè)端向上豎立的一對固定垂直部件214及連接所述一對固定垂直部件214的固定連接部件216。并且，位于所述框架210上部并可旋轉(zhuǎn)地結(jié)合于框架210的旋轉(zhuǎn)體220與框架210類似，包含旋轉(zhuǎn)水平部件222、在所述旋轉(zhuǎn)水平部件222兩側(cè)端向下方垂直延伸的一對旋轉(zhuǎn)垂直部件224及連接所述一對旋轉(zhuǎn)垂直部件224的旋轉(zhuǎn)連接部件226。
如上所述形成的框架210的固定垂直部件214和旋轉(zhuǎn)體220的旋轉(zhuǎn)垂直部件224互相重疊，一對固定垂直部件214上分別形成貫穿孔218，一對旋轉(zhuǎn)垂直部件224上分別形成插入到所述貫穿孔218的凸起228，所述凸起228插入到所述貫穿孔218中，從而結(jié)合所述框架210與旋轉(zhuǎn)體220。此時，在所述貫穿孔218與凸起228之間設(shè)置軸承270，使旋轉(zhuǎn)體220可以相對于框架210進行旋轉(zhuǎn)。
并且，所述固定垂直部件214中位于一側(cè)的固定垂直部件214a上設(shè)有電機240。所述電機240旋轉(zhuǎn)軸242與通過所述固定垂直部件214a上的貫穿孔218a插入的旋轉(zhuǎn)垂直部件224a凸起228a相結(jié)合，從而當電機240被驅(qū)動時使所述旋轉(zhuǎn)體220旋轉(zhuǎn)。并且，在固定水平部件212前方上表面與固定連接部件216上部分別設(shè)有制動器250，以精確限制所述旋轉(zhuǎn)體220只能旋轉(zhuǎn)90度，而在所述固定水平部件212的另一側(cè)上表面設(shè)有傳感器260以監(jiān)測所述旋轉(zhuǎn)體220的旋轉(zhuǎn)位置。
另外，在所述旋轉(zhuǎn)體220的上面，即旋轉(zhuǎn)水平部件222的上面設(shè)有按預(yù)定間距向兩側(cè)分離的一對晶片導(dǎo)架230。所述晶片導(dǎo)架230用于從自動機械100接收晶片并加以安放，在其互相相對的一面形成插槽232。所述插槽232與形成在所述自動機械100的晶片導(dǎo)架110上的插槽112具有相同的形狀和數(shù)量，在此省略其說明。所述插槽232分別形成在一對晶片導(dǎo)架230上，所述一對晶片導(dǎo)架230所具有的間隔距離應(yīng)保證晶片不沿供應(yīng)方向脫離。
在此，所述框架210通過螺栓(圖4中280)聯(lián)結(jié)到所述晶片排列裝置主體(圖4中400)，這是為了調(diào)節(jié)框架210的高度，螺栓280旋轉(zhuǎn)時可以使框架210上升或下降。把框架設(shè)置成可以上下移動的原因在于使所述自動機械100的晶片導(dǎo)架110和所述晶片接收單元200的晶片導(dǎo)架230位于相同高度，通過使兩者具有相同的高度，可以順利進行晶片的交接動作。
圖7為本發(fā)明所提供的晶片排列裝置中推送單元的側(cè)面圖。
如圖7所示，推送單元300包含可以安放由晶片接收單元200供應(yīng)的晶片的安放部件310、使安放部件310以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度的旋轉(zhuǎn)單元320、使安放部件310升降(上升或下降)的升降單元330及沿水平前后方向移動安放部件310的移動單元340。
如上所述，所述安放部件310用于安放從晶片接收單元200供應(yīng)的第一晶片組及第二晶片組并加以排列，在其上面設(shè)有50個插槽312，總共可以安放50個晶片。
所述安放部件310下部設(shè)有旋轉(zhuǎn)單元320，所述旋轉(zhuǎn)單元320是在晶片鏡面翻轉(zhuǎn)中發(fā)揮重要作用的構(gòu)成要素，用于使安放部件310以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度。此時，所述旋轉(zhuǎn)單元320由通常的電機322和沒有在圖中示出的一對制動器加以實現(xiàn)。所述電機322設(shè)在所述安放部件310下部并進行順時針/逆時針旋轉(zhuǎn)，沿水平方向相對設(shè)置的制動器限制其旋轉(zhuǎn)。這種旋轉(zhuǎn)單元320不限定于電機322和制動器，通過其它機械要素也可以實現(xiàn)。
所述升降單元330用于升降所述安放部件310，包含沿垂直方向延伸的較長的導(dǎo)軌332、沿所述導(dǎo)軌332移動的滑塊334及使所述滑塊移動的電機(未圖示)。并且，所述移動單元340包含沿前后方向延伸的較長的導(dǎo)軌342、沿所述導(dǎo)軌342移動的滑塊344及使所述滑塊344移動的電機(未圖示)。此時，所述升降單元330的導(dǎo)軌332位于所述移動單元340的滑塊344上面。即，所述安放部件310通過所述升降單元330及移動單元340實現(xiàn)前后方向和上下方向上的移動。
在此，沒有在圖中示出的用于移動所述升降單元330及移動單元340的滑塊334、344的電機設(shè)置在滑塊334、344內(nèi)部，當電機驅(qū)動時移動所述滑塊334、344。為了實現(xiàn)這種功能，在所述導(dǎo)軌332、342上沿其長度方向形成齒條，而在所述電機的旋轉(zhuǎn)軸上設(shè)置可以與所述齒條嚙合的小齒輪。此時，為了控制所述安放部件310在前后方向和上下方向上的移動，最好采用步進電機(Stepping Motor)。
圖8為具有本發(fā)明所提供的晶片排列裝置的晶片清洗裝置的概要圖。
參照附圖，晶片清洗裝置包含裝載部1000及卸載部2000以及處理室3000和干燥室4000。所述裝載部1000及卸載部2000設(shè)在晶片清洗裝置兩側(cè)的端部，在它們中間布置處理室3000和干燥室4000，所述處理室3000由多個清洗槽3100構(gòu)成。
下面進一步說明使用具有上述結(jié)構(gòu)的晶片清洗裝置進行清洗的過程。
被收納在用于保管清洗前后的晶片的晶片盒5000(Wafer Cassette)內(nèi)部的晶片與晶片盒5000一起被搬入裝載部1000，并由晶片搬運器移動到處理室3000，經(jīng)過處理室3000內(nèi)設(shè)置的多個清洗槽3100進行清洗，在干燥室4000進行干燥之后，由晶片搬運器移動到卸載部2000重新被收納在晶片盒5000中。
此時，所述裝載部1000中設(shè)有依次以水平狀態(tài)供應(yīng)第一晶片組及第二晶片組的自動機械(圖4中100)和本發(fā)明所提供的晶片排列裝置。由此，通過所述裝載部1000搬入的晶片在所述晶片排列裝置上實現(xiàn)鏡面翻轉(zhuǎn)之后移動到處理室3000，由所述晶片排列裝置進行鏡面翻轉(zhuǎn)的過程將在后面進行詳細說明。所述裝載部1000中不僅可以適用前述第一實施例所提供的晶片排列裝置，還可以適用后面其它實施例所提供的晶片排列裝置。
圖9a至圖9d為表示所述本發(fā)明所提供的晶片排列裝置鏡面翻轉(zhuǎn)過程的工藝圖，下面據(jù)此說明鏡面翻轉(zhuǎn)過程。
利用本發(fā)明所提供的晶片排列裝置的鏡面翻轉(zhuǎn)過程如下。首先，如圖9a所示，自動機械100的晶片導(dǎo)架110上安放著由25個晶片構(gòu)成的第一晶片組W1，所述第一晶片組W1通過導(dǎo)軌120和滑塊130向前方即晶片接收單元200方向移動。此時，如前所述在所述晶片導(dǎo)架110上安放由25個晶片構(gòu)成的第一晶片組W1，所述第一晶片組W1的晶片被安放在插槽中且相互之間間隔預(yù)定間距，以在第一晶片組W1的晶片之間放入將在后面進行描述的第二晶片組的晶片。
另外，所述晶片接收單元200的晶片導(dǎo)架230垂直豎立，以從所述自動機械100接收水平狀態(tài)的第一晶片組W1，推送單元300的安放部件310與晶片接收單元200間隔一定距離。
在如上所述的狀態(tài)下，當所述自動機械100的晶片導(dǎo)架110向前方水平移動時，在移動結(jié)束的時刻，第一晶片組W1如圖9b所示被安放在所述晶片接收單元200的晶片導(dǎo)架230上，使第一晶片組W1交接到晶片接收單元200，而所述自動機械100的晶片導(dǎo)架110向后方移動以接收第二晶片組W2。
如上所述，當晶片接收單元200的晶片導(dǎo)架230上安放第一晶片組W1時，驅(qū)動所述電機(圖5中240)，使第一晶片組W1以水平軸為中心旋轉(zhuǎn)90度，從而使所述第一晶片組W1處于垂直狀態(tài)。
此時，所述安放部件310通過移動單元340向晶片接收單元200一側(cè)移動，并在可以接收旋轉(zhuǎn)90度的第一晶片組W1的位置結(jié)束移動。隨之，當?shù)谝痪MW1旋轉(zhuǎn)90度時，升降單元330提升安放部件310，第一晶片組W1被安放到上升的安放部件310上。
經(jīng)過上述過程，當?shù)谝痪MW1被安放到所述安放部件310上時，如圖9c所示，所述晶片接收單元200的晶片導(dǎo)架230再次旋轉(zhuǎn)90度返回最初位置，與此同時所述安放部件310通過升降單元330下降，在該狀態(tài)下安放部件310通過旋轉(zhuǎn)單元320以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度。
與此同時，所述晶片接收單元200如圖9d所示，從自動機械100接收由25個晶片構(gòu)成的第二晶片組W2，并驅(qū)動電機240使第二晶片組W2以水平軸為中心旋轉(zhuǎn)90度。此后，所述安放部件310通過升降單元330上升從而接收第二晶片組W2并加以排列，此時安放部件310在上升之前通過移動單元340向前方或后方移動預(yù)定距離以使第二晶片組W2的晶片能被安放到先前安放的第一晶片組W1的晶片之間。在此，所述移動距離為預(yù)先設(shè)定的間距大小，所述間距大小一般采用第一晶片組W1及第二晶片組W2的間隔距離的1/2，即0.5mm半間距(Half-Pitch)。
另外，雖然所述實施例中只有推送單元300沿晶片排列方向移動，但也可以設(shè)置成晶片接收單元200或兩個單元200、300同時沿晶片排列方向移動。舉例來說，可以在固定推送單元300的狀態(tài)下，由晶片接收單元200沿晶片排列方向前進及后退而對準間距大小。并且，也可以由晶片接收單元200和推送單元300同時向相反方向移動而對準間距大小。
在前述實施例中，為了對第一晶片組和第二晶片組進行鏡面翻轉(zhuǎn)，從晶片接收單元200接收第一晶片組的推送單元300在從晶片接收單元200接收第二晶片組之前，以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度，但也可以由晶片接收單元200以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度。即，從自動機械100接收第二晶片組之后，先以水平軸為中心旋轉(zhuǎn)90度，然后所述晶片接收單元200以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度，接著將第二晶片組交接到推送單元300。此時，推送單元300必須移動到可以接收第二晶片組的位置。
如此，晶片接收單元200在接收第二晶片組之后，先以水平軸為中心旋轉(zhuǎn)90度，再以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度的結(jié)構(gòu)可以替換為晶片接收單元200在接收第二晶片組之后，按照與第一晶片組旋轉(zhuǎn)90度的方向相反的方向旋轉(zhuǎn)90度的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)與前述的第一實施例相比，具有減少電機數(shù)量、簡化結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，對此將在下面的第二實施例中加以說明。
圖10為整體表示本發(fā)明所提供的晶片排列裝置第二實施例的側(cè)面圖，圖11為圖10中示出的晶片排列裝置的晶片接收單元的正面圖，圖12為圖11中示出的晶片接收單元當旋轉(zhuǎn)體處于水平狀態(tài)時的正面圖，圖13為圖10中示出的晶片排列裝置的推送單元的側(cè)面圖。
如圖10所示，本發(fā)明所提供的晶片排列裝置包含以水平軸為中心旋轉(zhuǎn)晶片的晶片接收單元600以及對由所述晶片接收單元600進行旋轉(zhuǎn)的晶片進行排列的推送單元700。此時，由所述晶片接收單元600進行旋轉(zhuǎn)的晶片由設(shè)置在晶片接收單元600一側(cè)的自動機械100移送而供應(yīng)給晶片接收單元600。所述自動機械100與前述的第一實施例中的自動機械相同，在此省略其說明。
如圖11和圖12所示，晶片接收單元600用于旋轉(zhuǎn)從圖10中示出的自動機械100接收的第一晶片組及第二晶片組，該晶片接收單元600位于晶片排列裝置(圖10中800)的上面，同時位于在所述自動機械100前方與自動機械100間隔預(yù)定間距的位置。
所述晶片接收單元600包含安放從所述自動機械100接收的第一晶片組及第二晶片組的旋轉(zhuǎn)體610、分別設(shè)在所述旋轉(zhuǎn)體610兩側(cè)的一對框架620。
所述旋轉(zhuǎn)體610呈四角圈形狀，在其內(nèi)部設(shè)有可以安放第一晶片組及第二晶片組的空間，在其兩側(cè)面分別形成向外側(cè)突出的旋轉(zhuǎn)軸612，在所述旋轉(zhuǎn)體610的前后設(shè)有當旋轉(zhuǎn)體610旋轉(zhuǎn)時用于防止安放在旋轉(zhuǎn)體610上的晶片脫離旋轉(zhuǎn)體610的限定裝置(Locker)630。并且，所述旋轉(zhuǎn)體610的兩側(cè)內(nèi)壁面上形成插槽614，所述插槽614與所述自動機械100的晶片導(dǎo)架110上形成的插槽112具有相同的形狀和數(shù)量，在此省略其說明。
所述框架620包含與所述晶片排列裝置800接觸的水平部件622和在所述水平部件622的上面垂直向上突出的垂直部件624。并且，包含形成在所述垂直部件624上端部并用于插入所述旋轉(zhuǎn)軸612的插入孔626。
觀察所述旋轉(zhuǎn)體610和框架620的結(jié)合構(gòu)造，旋轉(zhuǎn)體610通過其旋轉(zhuǎn)軸612插入到所述框架620的插入孔626而結(jié)合到框架620并可以以旋轉(zhuǎn)軸612為中心進行旋轉(zhuǎn)，所述旋轉(zhuǎn)體610的旋轉(zhuǎn)通過氣缸(cylinder)或電機來實現(xiàn)。
所述限定裝置630分別設(shè)置在旋轉(zhuǎn)體610的前后，可以向互相相對的方向外側(cè)滑動而結(jié)合到旋轉(zhuǎn)體610。也就是說，設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)體610前后的所述限定裝置630可以向相互遠離及接近的方向滑動而結(jié)合到旋轉(zhuǎn)體610。如此，設(shè)置所述限定裝置630的原因在于當所述旋轉(zhuǎn)體610旋轉(zhuǎn)時防止安放在旋轉(zhuǎn)體610上的晶片隨意脫離旋轉(zhuǎn)體610。但是，當向所述旋轉(zhuǎn)體610交接晶片或從旋轉(zhuǎn)體610交接晶片時，所述限定裝置630向相互分離的方向滑動以使晶片可以移動，而在旋轉(zhuǎn)體610旋轉(zhuǎn)時向相互接近的方向滑動。
另外，推送單元700如圖13所示，包含可以安放由晶片接收單元600供應(yīng)的晶片的安放部件710、使所述安放部件710升降(上升或下降)的升降單元720及沿水平前后方向移動安放部件710的移動單元730。
即，本實施例的所述推送單元700除了安放部件不以垂直軸為中心進行旋轉(zhuǎn)而是加以固定之外，與安放部件以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度的第一實施例的推送單元300相同。隨之，所述推送單元700不包含用于旋轉(zhuǎn)安放部件710的旋轉(zhuǎn)單元320，安放部件710直接連接到升降單元720。除此之外，所述推送單元700的其余構(gòu)成與第一實施例的推送單元300相同。
即，所述安放部件710在上面設(shè)置插槽712，總共可以安放50個晶片。所述升降單元720用于升降所述安放部件710，包含導(dǎo)軌722、沿所述導(dǎo)軌722移動的滑塊724及移動所述滑塊的電機(未圖示)。并且，所述移動單元730包含導(dǎo)軌732、沿所述導(dǎo)軌732移動的滑塊734及使所述滑塊734移動的電機(未圖示)。此時，所述升降單元720的導(dǎo)軌722位于所述移動單元730的滑塊734上面。即，所述安放部件710通過所述升降單元720及移動單元730實現(xiàn)前后方向和上下方向上的移動。
下面，參照圖14a至圖14d說明本實施例所提供的晶片排列裝置的鏡面翻轉(zhuǎn)過程。
利用本實施例所提供的晶片排列裝置的鏡面翻轉(zhuǎn)過程如下。首先，如圖14a所示，自動機械100的晶片導(dǎo)架110上安放著由25個晶片構(gòu)成的第一晶片組W1，所述第一晶片組W1通過導(dǎo)軌120和滑塊130向前方即晶片接收單元600方向移動。此時，如前所述在所述晶片導(dǎo)架110上安放由25個晶片構(gòu)成的第一晶片組W1，所述第一晶片組W1的晶片被安放在插槽(圖10中112)中且相互之間間隔預(yù)定間距，以在第一晶片組W1的晶片之間放入將在后面進行描述的第二晶片組(圖14c中W2)的晶片。
另外，所述晶片接收單元600的旋轉(zhuǎn)體610垂直豎立，以從所述自動機械100接收水平狀態(tài)的第一晶片組W1，推送單元700的安放部件710與晶片接收單元600間隔一定距離。
在如上所述的狀態(tài)下，當所述自動機械100的晶片導(dǎo)架110向前方水平移動時，在移動結(jié)束的時刻，第一晶片組W1如圖14b所示被安放到所述晶片接收單元600的旋轉(zhuǎn)體610內(nèi)部，使第一晶片組W1交接到晶片接收單元600，而所述自動機械100的晶片導(dǎo)架110向后方移動以接收第二晶片組W2。
如上所述，當在晶片接收單元600的旋轉(zhuǎn)體610內(nèi)部安放第一晶片組W1時，旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)體610，使第一晶片組W1沿垂直方向旋轉(zhuǎn)90度，從而使所述第一晶片組W1處于垂直狀態(tài)。
此時，所述推送單元700的安放部件710通過移動單元730向晶片接收單元600一側(cè)移動，并在可以接收旋轉(zhuǎn)90度的第一晶片組W1的位置結(jié)束移動。隨之，當?shù)谝痪MW1旋轉(zhuǎn)90度時，升降單元720提升安放部件710，第一晶片組W1被安放到上升的安放部件710上。
經(jīng)過上述過程，當?shù)谝痪MW1被安放到所述安放部件710上時，如圖14c所示，所述晶片接收單元600的旋轉(zhuǎn)體610再次旋轉(zhuǎn)90度返回最初位置，與此同時所述安放部件710通過升降單元720下降。
返回最初位置的所述晶片接收單元600的旋轉(zhuǎn)體610如圖14d所示，從自動機械100接收由25個晶片構(gòu)成的第二晶片組W2，并將接收的第二晶片組W2旋轉(zhuǎn)90度。
此后，所述安放部件710通過升降單元720上升從而接收第二晶片組W2并加以排列，安放部件710在上升之前通過移動單元730向前方或后方移動預(yù)定距離以使第二晶片組W2的晶片能被安放到先前安放的第一晶片組W1的晶片之間。
此時，安放到所述安放部件710的第一晶片組W1及第二晶片組W2通過所述晶片接收單元600的旋轉(zhuǎn)體610的旋轉(zhuǎn)以相反方向旋轉(zhuǎn)之后進行安放，從而以鏡面互相翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)進行安放。并且，所述移動距離為預(yù)先設(shè)定的間距大小，所述間距大小一般采用第一晶片組W1及第二晶片組W2的間隔距離的1/2，即0.5mm半間距(Half-Pitch)。
并且，返回最初位置的所述晶片接收單元600的旋轉(zhuǎn)體610使從自動機械100接收的第二晶片組W2旋轉(zhuǎn)90度的動作與安放部件710通過移動單元730向前方或后方移動預(yù)定距離以使第二晶片組W2的晶片被安放到第一晶片組W1的晶片之間的動作可以同時進行。
另外，雖然所述實施例中只有推送單元700沿水平方向移動，但也可以設(shè)置成晶片接收單元600或兩個單元600、700同時沿水平方向移動。舉例來說，可以在推送單元700固定的狀態(tài)下，由晶片接收單元600沿水平方向前進及后退而對準間距大小。并且，也可以由晶片接收單元600和推送單元700同時向相反方向移動而對準間距大小。
另外，如果在鏡面翻轉(zhuǎn)過程中因為停電或非常按鈕動作等原因?qū)е孪到y(tǒng)復(fù)位(reset)而進行手動操作，則前述的第一及第二實施例所提供的晶片排列裝置的所有裝置都會被初始化而返回最初位置。例如，如果在其上部已安放第一晶片組W1的狀態(tài)下推送單元300、700為了接收第二晶片組W2而上升的過程中系統(tǒng)重新起動，則所述推送單元300、700會繼續(xù)沿其行進方向上升之后返回最初位置。此時，由于安放到所述推送單元300、700上部的第一晶片組W1與安放到所述晶片導(dǎo)架230(或限定裝置630)的第二晶片組位于同一垂直線上，因此上升時會互相碰撞，而且在這個過程中會發(fā)生晶片脫離或破損的問題。并且，在所述推送單元300、700上升至最高點接收完第一晶片組W1及第二晶片組W2中的某一個晶片組的狀態(tài)下因系統(tǒng)停止運行而進行手動操作時，如果因操作者操作失誤使推送單元300、700發(fā)生旋轉(zhuǎn)，則會發(fā)生第一晶片組W1及第二晶片組W2與位于其周邊的晶片排列裝置主體及其它部件相碰撞而受損的問題。
下面將要說明的第三實施例就是為了解決這種問題而提出的，它可以看作是第一及第二實施例的變形例。以下，將以對第一實施例進行變形的情況為例說明第三實施例，但第三實施例的主要構(gòu)成對第二實施例也同樣適用。另外，為便于說明省略與第一實施例相重復(fù)部分的說明。
圖15為整體表示本發(fā)明所提供的晶片排列裝置第三實施例的側(cè)面圖，圖16及圖17為用于說明圖15中示出的晶片排列裝置的推送單元控制過程的工藝圖。
如圖15所示，本發(fā)明所提供的晶片排列裝置的第三實施例包含將通過自動機械100以水平狀態(tài)供應(yīng)的晶片排列成垂直狀態(tài)的晶片接收單元200、對從所述晶片接收單元200接收的垂直狀態(tài)的晶片進行旋轉(zhuǎn)的推送單元300、監(jiān)測所述推送單元300是否安放有晶片的傳感器900、當所述傳感器900監(jiān)測到晶片時限制推送單元300移動的控制部(未圖示)。
所述自動機械100、晶片接收單元200及推送單元300與前述的第一實施例相同。
所述傳感器用于在晶片排列裝置主體400的一定區(qū)域監(jiān)測是否存在晶片。即，所述傳感器900為包含發(fā)光部910和受光部920的光傳感器，用于監(jiān)測安放在所述推送單元300上進行移動的晶片是否進入可能破損區(qū)域(即，推送單元動作時晶片與晶片排列裝置之間發(fā)生干涉的區(qū)域)。此時，所述發(fā)光部910和受光部920設(shè)置在晶片排列裝置主體下部，且分別設(shè)置在為了接收晶片而上升的安放部件310的前后方并與安放部件310間隔預(yù)定間距。
在此，本實施例中所述傳感器采用了光傳感器，但并非限定于此，可以采用用于監(jiān)測晶片位置的各種傳感器。
當上述傳感器900監(jiān)測到晶片時，其信號傳送到控制部(未圖示)，收到信號的控制部限制所述推送單元300的移動。通過所述傳感器900和控制部對推送單元300的移動進行限制的情況將結(jié)合圖16及圖17進行詳細說明。
本發(fā)明所提供的晶片排列裝置如前所述，當在鏡面翻轉(zhuǎn)過程中因為停電或非常按鈕動作等原因?qū)е孪到y(tǒng)復(fù)位(reset)而進行手動操作時，通過程序控制使所有裝置都被初始化而返回最初位置。
作為一例，如圖16所示，如果在推送單元300在其上部安放第一晶片組W1并在該狀態(tài)下為了接收第二晶片組W2而上升的過程中系統(tǒng)重新動作，則控制部首先通過所述傳感器900監(jiān)測晶片的位置和所述推送單元300上是否安放有晶片。
此時，如果所述傳感器900監(jiān)測到晶片，其信號將傳送到所述控制部，收到信號的控制部將限制推送單元300上升。與此同時，被限制上升的所述推送單元300為了返回最初位置，先下降到最低點之后水平移動到最初位置。
由此，安放在所述推送單元300上部即安放部件310上的第一晶片組W1即使在與第二晶片組位于同一垂直線上的狀態(tài)下也不用擔心發(fā)生碰撞，從而可以防止晶片脫離或受損。
作為另一例，如圖17所示，如果在所述推送單元300上升至最高點接收完第一晶片組W1及第二晶片組W2中的某一個晶片組的狀態(tài)下因操作者操作失誤使推送單元300發(fā)生旋轉(zhuǎn)，則控制部首先通過所述傳感器900監(jiān)測所述推送單元300上是否安放有晶片，當監(jiān)測到晶片時，將其信號傳送到控制部，收到信號的控制部將限制推送單元300旋轉(zhuǎn)。
由此，可以防止發(fā)生安放在所述推送單元300上部的第一晶片組W1及第二晶片組W2中的某一個晶片組與晶片排列裝置主體400及其它部件相碰撞而受損的問題。
另外，在限制所述推送單元300動作時，除了利用傳感器(光傳感器)900監(jiān)測晶片位置的方法之外，還可以在推送單元300設(shè)置用于監(jiān)測是否安放有晶片的傳感器而限制推送單元300動作。
例如，當在鏡面翻轉(zhuǎn)過程中因為停電或非常按鈕動作等原因?qū)е孪到y(tǒng)復(fù)位(reset)而進行手動操作時，控制部將通過設(shè)置在推送單元300上的傳感器(例如，測壓元件(Load Cell))來監(jiān)測是否安放有晶片。此時，如果通過所述傳感器監(jiān)測到晶片，則可以將其信號傳送到控制部限制推送單元300的動作。
以上，結(jié)合

了本發(fā)明的優(yōu)選實施例所提供的晶片排列裝置的結(jié)構(gòu)及其鏡面翻轉(zhuǎn)過程，但這僅是舉例說明，本領(lǐng)域的一般技術(shù)工作者應(yīng)該能理解在不脫離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以進行各種改變及變更。
綜上所述，本發(fā)明所提供的晶片排列裝置與主要由接收單元、升降單元、移動單元、中轉(zhuǎn)單元及推送單元組成的現(xiàn)有的晶片排列裝置相比，具有結(jié)構(gòu)簡單、制作容易、使用簡便的優(yōu)點。
并且，利用所述晶片排列裝置的鏡面翻轉(zhuǎn)工藝比以往顯著縮短，從而具有可以提高產(chǎn)量及最大限度地減小移動路徑(Foot Print)的優(yōu)點。
尤其，設(shè)置了當裝載到推送單元的晶片進入可能破損區(qū)域時予以監(jiān)測的傳感器，從而可以防止手動操作或復(fù)位(reset)情況發(fā)生時因推送單元在所述可能破損區(qū)域旋轉(zhuǎn)或上升而使晶片受損的問題。即，如上所述通過限制推送單元的旋轉(zhuǎn)及移動防止晶片受損，從而可以提高裝置可靠性。
權(quán)利要求
1.一種晶片排列裝置，其特征在于，包含晶片接收單元，以用于以水平狀態(tài)接收分別由至少一個晶片所構(gòu)成的第一晶片組及第二晶片組并將其排列成垂直狀態(tài)；和推送單元，以用于依次接收所述垂直狀態(tài)的第一晶片組及第二晶片組并加以排列；而且，通過所述晶片接收單元或推送單元中某一個單元的旋轉(zhuǎn)使第一晶片組的晶片和第二晶片組的晶片以相反方向交替排列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片排列裝置，其特征在于所述晶片接收單元和推送單元沿呈垂直狀態(tài)的晶片排列方向相對移動，所述推送單元設(shè)置成以垂直軸為中心可旋轉(zhuǎn)180度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片排列裝置，其特征在于所述晶片接收單元包含框架、可旋轉(zhuǎn)地結(jié)合于所述框架的旋轉(zhuǎn)體、設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)體上用于接收晶片組的晶片導(dǎo)架以及用于旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)體的驅(qū)動部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片排列裝置，其特征在于所述晶片接收單元還包含限制所述旋轉(zhuǎn)體旋轉(zhuǎn)以使所述晶片導(dǎo)架只能旋轉(zhuǎn)90度的制動器；以及用于監(jiān)測旋轉(zhuǎn)體位置的傳感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片排列裝置，其特征在于所述推送單元包含用于安放晶片的安放部件、以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)所述安放部件的旋轉(zhuǎn)單元、用于升降所述安放部件的升降單元以及沿呈垂直狀態(tài)的晶片排列方向移動所述安放部件的移動單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片排列裝置，其特征在于所述晶片接收單元和推送單元在晶片的垂直狀態(tài)下沿晶片排列方向相對移動，所述晶片接收單元設(shè)置成沿某一方向及其反方向旋轉(zhuǎn)90度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片排列裝置，其特征在于所述晶片接收單元包含沿水平方向間隔預(yù)定間距的一對框架以及可旋轉(zhuǎn)地結(jié)合于所述一對框架之間用于接收晶片組的旋轉(zhuǎn)體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片排列裝置，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)體在內(nèi)部形成用于安放晶片組的槽，并具有當所述旋轉(zhuǎn)體旋轉(zhuǎn)時用于防止所安放的晶片組脫離的限定裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片排列裝置，其特征在于所述推送單元包含用于安放晶片的安放部件、用于升降所述安放部件的升降單元以及沿呈垂直狀態(tài)的晶片排列方向移動所述安放部件的移動單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或9所述的晶片排列裝置，其特征在于所述移動單元包含沿呈垂直狀態(tài)的晶片排列方向形成的較長的導(dǎo)軌、沿所述導(dǎo)軌移動的滑塊以及用于移動所述滑塊的驅(qū)動部。
11.根據(jù)權(quán)利要求2、5、6、9中任意一項所述的晶片排列裝置，其特征在于還包含當裝載到所述推送單元的晶片進入可能破損區(qū)域時予以監(jiān)測的傳感器以及根據(jù)所述傳感器的信號限制所述推送單元動作的控制部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片排列裝置，其特征在于所述控制部為限制所述推送單元的旋轉(zhuǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片排列裝置，其特征在于所述傳感器包含具有發(fā)光部和受光部的光傳感器。
14.一種晶片清洗裝置，其特征在于，包含用于裝載基片的裝載部及用于卸載基片的卸載部；處理室，該處理室包含用于進行清洗處理的清洗槽；以及用于移送基片的基片移送部；并且，所述裝載部包含權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中任意一項所述的晶片排列裝置。
15.一種晶片排列方法，其特征在于，包含步驟將以水平狀態(tài)供應(yīng)的由至少一個晶片所構(gòu)成的第一晶片組通過晶片接收單元旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)；將垂直狀態(tài)的第一晶片組交接到推送單元；將以水平狀態(tài)供應(yīng)的由至少一個晶片所構(gòu)成的第二晶片組通過所述晶片接收單元旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)；及將垂直狀態(tài)的第二晶片組交接到所述推送單元；并且，當交接所述第二晶片組時，使第一晶片組的晶片和第二晶片組的晶片以相反方向交替排列。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片排列方法，其特征在于交接所述第二晶片組之前還包含步驟將所交接的第一晶片組以垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)180度；使所述第一晶片組和第二晶片組沿所述第一晶片組的晶片排列方向相對移動。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片排列方法，其特征在于將所述第二晶片組旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)的步驟包含沿與所述第一晶片組相反的方向進行旋轉(zhuǎn)的步驟，并且該晶片排列方法還包含使所述第一晶片組和第二晶片組沿所述第一晶片組的晶片排列方向相對移動的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中任意一項所述的晶片排列方法，其特征在于將所述第二晶片組旋轉(zhuǎn)成垂直狀態(tài)之前包含使所交接的第一晶片組下降的步驟，而在交接所述垂直狀態(tài)的第二晶片組之前包含使所下降的第一晶片組上升的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的晶片排列方法，其特征在于所述相對移動的步驟包含移動所述第一晶片組的步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求15至17中任意一項所述的晶片排列方法，其特征在于還包含當裝載到所述推送單元的晶片進入可能破損區(qū)域時予以監(jiān)測的步驟以及當監(jiān)測到晶片或推送單元時限制所述推送單元動作的步驟。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的晶片排列方法，其特征在于限制所述推送單元動作的步驟包含當手動操作或復(fù)位時限制推送單元上升的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的晶片排列方法，其特征在于限制所述推送單元動作的步驟包含當下達旋轉(zhuǎn)指令時限制推送單元旋轉(zhuǎn)的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶片排列裝置，該晶片排列裝置通過排列晶片在一次清洗眾多晶片的過程中使相鄰一對晶片相對的表面具有相同性質(zhì)。依據(jù)本發(fā)明所提供的晶片排列裝置，包含以水平狀態(tài)接收分別由至少一個晶片所構(gòu)成的第一晶片組及第二晶片組并將其排列成垂直狀態(tài)的晶片接收單元和依次接收所述垂直狀態(tài)的第一晶片組及第二晶片組并加以排列的推送單元，并具有通過所述晶片接收單元或推送單元中某一個單元的旋轉(zhuǎn)使第一晶片組的晶片和第二晶片組的晶片以相反方向交替排列的結(jié)構(gòu)。
文檔編號B08B11/00GK1956161SQ20061014023
公開日2007年5月2日 申請日期2006年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月24日
發(fā)明者姜炳州, 孫永成, 趙顯佑, 李泰雨, 樸美愛 申請人:K.C.科技股份有限公司