專利名稱：用于清洗半導(dǎo)體基質(zhì)上無(wú)機(jī)殘?jiān)秀~特效腐蝕抑制劑的含水清洗組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造中所用的化學(xué)制劑，尤其涉及用于在抗蝕劑等離子體灰化步驟后從晶片上去除殘?jiān)幕瘜W(xué)制劑。具體而言，本發(fā)明涉及用于從含有精細(xì)銅互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片上去除無(wú)機(jī)殘?jiān)那逑粗苿?br> 現(xiàn)有技術(shù)說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了利用各種化學(xué)制劑以在抗蝕劑灰化步驟后去除殘?jiān)⑶逑淳Ｒ恍┈F(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)制劑包括堿性組合物，其含有胺和/或氫氧化四烷基銨、水和/或其它溶液、及螯合劑。還有以含有氟化銨的酸性至中性溶液為基礎(chǔ)的其它制劑。
各種現(xiàn)有制劑的缺點(diǎn)在于包括對(duì)金屬和絕緣層不希望的去除，對(duì)所需要的金屬層的腐蝕，尤其是對(duì)銅或銅合金部件而言。一些現(xiàn)有制劑利用腐蝕抑制添加劑以防止在清洗過(guò)程中不需要的銅金屬腐蝕。然而，常規(guī)的腐蝕抑制添加劑通常對(duì)清洗過(guò)程具有有害的作用，這是由于這類添加劑可與殘?jiān)嗷プ饔貌⒁种拼藲堅(jiān)芙膺M(jìn)清洗液體中的原因。此外，清洗過(guò)程完成后，常規(guī)的添加劑不容易從銅表面沖洗掉。因此這種添加劑留在待清洗的表面上，從而引起集成電路污染。集成電路的污染物將不利地增加污染區(qū)域的電阻，并引起電路內(nèi)不可預(yù)測(cè)的導(dǎo)電失效。
用于高級(jí)集成電路制造業(yè)如銅或鎢互連材料的CMP后清洗機(jī)的制劑含有可加速物理清洗過(guò)程的漿料去除和殘?jiān)芙饨M分。然而，這些常規(guī)的添加劑因?yàn)樵黾恿穗娮韬透g敏感性，因而通常對(duì)金屬表面有有害的作用。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種化學(xué)制劑，其在抗蝕劑灰化步驟后可有效地去除殘?jiān)⑶也粫?huì)腐蝕和可能地剝離欲留在晶片上的精細(xì)結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是用改進(jìn)的腐蝕抑制劑代替常規(guī)的添加劑以保護(hù)半導(dǎo)體基質(zhì)上的銅結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種改進(jìn)的腐蝕抑制劑，在殘?jiān)?去除過(guò)程完成后其可容易地用水或其它沖洗介質(zhì)從基質(zhì)沖洗掉，從而減少集成電路污染。
從下面的說(shuō)明和所附的權(quán)利要求書(shū)中將更清楚本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造中所用的在抗蝕劑等離子體灰化步驟后從晶片上去除殘?jiān)幕瘜W(xué)制劑。
在一方面，本發(fā)明涉及在晶片上的抗蝕劑等離子體灰化步驟后從該晶片上去除殘?jiān)姆椒?，包括使該晶片與清洗制劑接觸，該制劑含有(i)氟化物源，(ii)至少一種有機(jī)胺，(iii)含氮羧酸或亞胺，(iv)水，及任選至少一種金屬螯合劑。
本發(fā)明的另一方面涉及一種晶片清洗制劑，其含有(i)氟化物源，(ii)至少一種有機(jī)胺，(iii)含氮羧酸或亞胺，(iv)水，及任選至少一種金屬螯合劑。
另一方面，本發(fā)明涉及一種等離子體灰化半導(dǎo)體制造后所用的半導(dǎo)體晶片清洗制劑，其含有如下重量百分?jǐn)?shù)(按制劑的總重量計(jì))的組分氟化物源，如氟化銨和/或其衍生物 1-35％有機(jī)胺20-60％選自含氮羧酸和亞胺的含氮組分 0.1-40％水20-50％金屬螯合劑0-21％總計(jì) 100％另一方面，本發(fā)明涉及一種用于化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)后的清洗制劑，其是如上所列的晶片清洗制劑的稀釋形式，其中稀釋的制劑含有(i)氟化物源，(ii)至少一種有機(jī)胺，(iii)70％～98％的水，及任選至少一種金屬螯合劑和任選含氮羧酸或亞胺。
這種本發(fā)明的制劑可在等離子體灰化和/或CMP步驟后有效地去除殘?jiān)?br> 這種制劑也可在等離子體灰化后有效地去除金屬鹵化物和金屬氧化物殘?jiān)?，并有效地去除在CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)后留下的氧化鋁和其它氧化物漿料顆粒。
與含有氟化銨或胺的制劑相比，本發(fā)明的制劑可提供較好的剝離性能并且腐蝕性較小。與常規(guī)含胺的制劑相比，本發(fā)明的制劑在較低處理溫度下也可提供較好的剝離性能。
本發(fā)明的制劑利用螯合劑以防止金屬腐蝕并提高剝離效力，其中螯合劑可是單組分螯合劑或多組分螯合劑。
從下面的說(shuō)明和所附的權(quán)利要求書(shū)中將更清楚本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1示意性地表明在本發(fā)明的廣義實(shí)施中所用的銅特效腐蝕抑制劑，其在銅金屬上形成保護(hù)層以防止腐蝕；圖2示意性地表明銅特效腐蝕抑制劑由去離子水從銅表面洗掉；圖3表面本發(fā)明的清洗組分與表面的相互作用；圖4表明本發(fā)明的制劑可用于除去殘?jiān)皖w粒；圖5表明用浸漬方法所得結(jié)果的SEM；及圖6表明在互連材料上的材料蝕刻速率。
優(yōu)選實(shí)施方案詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的制劑適用于剝離源于高密度等離子體蝕刻然后用含氧等離子體灰化的無(wú)機(jī)性晶片殘?jiān)Ｏ♂屝问降拇祟愔苿┮策m用于CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)后留下的氧化鋁或其它氧化物漿料顆粒。
有利的是制劑含有(i)氟化物源，如氟化銨和/或氟化銨的衍生物，(ii)胺或胺混合物，(iii)含氮羧酸或亞胺，(iv)水，及任選和優(yōu)選地，(v)一種或多種金屬螯合劑。
本文中所用的氟化物源指可在水性清洗制劑中提供氟陰離子的化合物或化合物的混合物。
用于蝕刻后去除的優(yōu)選制劑含有下面的組分，其重量百分?jǐn)?shù)范圍(按制劑的總重量計(jì))也被表明氟化物源 1-35％有機(jī)胺20-60％選自含氮羧酸和亞胺的含氮組分 0.1-40％水20-50％金屬螯合劑0-21％總計(jì) 100％用于CMP后清洗的優(yōu)選制劑含有下面的組分，其重量百分?jǐn)?shù)范圍(按制劑的總重量計(jì))也被表明氟化物源 0.1％-5％有機(jī)胺1％-15％選自含氮羧酸和亞胺的含氮組分 0-10％水70％-98％金屬螯合劑0-5％總計(jì) 100％
本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員可以理解，如上所述的制劑組分可以是任何適合的類型或種類。對(duì)于制劑中的每一種成分而言，具體的示例性和優(yōu)選的制劑組分在下面說(shuō)明。
特別優(yōu)選的胺包括下面中的一種或多種二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，及三亞乙基二胺(TEDA)。
其它非常有效的胺包括六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
用于本發(fā)明中的氟化物源包括氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物。具體優(yōu)選的氟化物源包括但不限于下面中的一種或多種氟化銨，及氟化氫銨。
其它非常有效的氟化物源包括氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
具體優(yōu)選的含氮羧酸和亞胺包括下面中的一種或多種亞氨基二乙酸(IDA)；氨基乙酸；氨三乙酸(NTA)；1，1，3，3-四甲基胍(TMG)；及羥乙基亞氨基二乙酸乙二胺四乙酸(EDTA)。
可有效地用在本發(fā)明的制劑中的其它含氮羧酸或亞胺包括CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2HOOCCH2N(CH3)2HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
具體優(yōu)選的金屬螯合劑包括乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；硫代苯甲酸四甲銨；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；三氟乙酸四甲銨；
二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；三氟乙酸；乳酸；乳酸銨；丙二酸甲酸，乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
如上所述，與僅含有氟化銨或僅含有胺的制劑相比，氟化銨或取代的氟化物源與胺(不同與作為表面活性劑的以1％或更少的量存在的胺)的混合物可提供更好的剝離性能和較小的腐蝕性。此外，與常規(guī)含胺的制劑相比，生成的堿性溶液在較低溫度下(例如21°-40℃)是有效的。
含氮羧酸和/或亞胺的存在能夠使本發(fā)明的制劑在從含有精細(xì)銅結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基質(zhì)表面上明顯有效地剝離殘?jiān)?br> 含氮羧酸或亞胺能提供特別可與自由銅原子結(jié)合的官能團(tuán)。如圖1示意性地所示，在殘?jiān)?去除過(guò)程中可與銅表面接觸的銅特效腐蝕抑制劑C將與銅表面結(jié)合并形成保護(hù)層以防止銅表面被清洗劑A+和X-腐蝕。
此外，如圖2所示，銅特效腐蝕抑制劑可由去離子水或其它溶液很容易地洗掉，因此在清洗操作后在銅表面上剩下極少的污染物。
1，3-二羰基化合物作為螯合劑并防止金屬腐蝕的用途是本發(fā)明制劑的特性，并可提高制劑的功效。
在各種現(xiàn)有制劑中，胺作為表面活性劑并占制劑的1％或更少，或者不被用作制劑成分。此外，現(xiàn)有制劑的特性是酸性的(pH＜7)。在本發(fā)明的優(yōu)選制劑中，胺作為制劑的主要組分，在剝離作用中是高度有效的，并使制劑具有堿性的pH特性(pH＞7)。
除了特別舉出的那些外，本發(fā)明的制劑可包括廣范圍的多種有機(jī)胺、取代的氟化銨及含氮羧酸。具有適宜特性的特定的取代的氟化銨包括通式R1R2R3R4NF所代表的那些，其中每個(gè)R基各自選自于氫和脂肪族基團(tuán)。適合的含氮羧酸包括通式結(jié)構(gòu)COOH-CH2-NRR’所代表的那些，其中R和R’中的每一個(gè)各自選自于氫、烷基、芳基及羧酸部分。適合的金屬螯合劑包括通式結(jié)構(gòu)X-CHR-Y所示的1，3-二羰基化合物。在此通式化合物中，R是氫原子或脂肪族基團(tuán)，例如C1-C8烷基、芳基、烯基等。X和Y可以彼此相同或不同，并且都是含有具吸電子性質(zhì)的多重鍵部分的官能團(tuán)，例如CONH2、CONHR’、CN、NO2、SOR’或SO2Z，其中R’代表C1-C8烷基，Z代表另一個(gè)原子或基團(tuán)，例如氫、鹵或C1-C8烷基。
用在本發(fā)明組合物中的其它螯合劑包括通式R1R2R3R4N+-O2CCF3所示的三氟乙酸胺，其中R基中的每一個(gè)各自選自于氫和脂肪族基團(tuán)，例如C1-C8烷基、芳基、烯基等。
根據(jù)本發(fā)明制劑最終的有效或所需用途，本發(fā)明的制劑也可選擇性地含有諸如表面活性劑、穩(wěn)定劑、腐蝕抑制劑、緩沖劑或共溶劑。
本發(fā)明的制劑特別適用于經(jīng)過(guò)用含氯或含氟的等離子體蝕刻然后用氧等離子體灰化的晶片。此過(guò)程產(chǎn)生的殘?jiān)ǔ：薪饘傺趸?。在不引起金屬和有效的裝置性能所需要的氮化鈦腐蝕的情況下，這種殘?jiān)?jīng)常難于完全溶解。此外，CMP后殘余的金屬氧化物和氧化硅漿料顆粒也能用本發(fā)明的制劑有效地除去。
通過(guò)下面的非限制性實(shí)施例可更全面地表明本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施例1在兩種不同類型的堿性清洗制劑中測(cè)試包含含有氫的羧酸或亞胺的銅特效腐蝕抑制劑，此制劑具有下面的成分和特性。
表1

通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)四點(diǎn)探測(cè)技術(shù)確定銅蝕刻速率。如下表所示，本發(fā)明的腐蝕抑制劑的加入明顯可降低銅蝕刻速率，并可有效地防止在清洗過(guò)程中所不需要的腐蝕

實(shí)施例2對(duì)含有亞氨基二乙酸抑制劑的制劑2進(jìn)行污染物測(cè)試。待清洗的半導(dǎo)體晶片含有銅和硅薄膜。清洗操作完成后，晶片用25℃的去離子水浸漬約15分鐘。得到的二次離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)如下；

上述結(jié)果表面銅氧化物CuxO可由清洗過(guò)程有效地除去，同時(shí)主要由清洗制劑中的有機(jī)腐蝕抑制劑引起的碳污染物也大減少。
在用于CMP后清洗金屬表面如銅或鎢表面的氧化硅或氧化鋁的組合物中，本發(fā)明使用稀釋的堿性氟化物。圖3表面本發(fā)明的清洗組分怎樣與表面相互作用。具體而言，圖3表明在CMP過(guò)程后堿性氟化物30和螯合劑32溶解無(wú)機(jī)氧化物殘?jiān)?4。
圖4表明本發(fā)明的制劑可用于除去銅44表面的殘?jiān)?0和顆粒42。在圖4中顆粒42和殘?jiān)?0與金屬表面44及介電表面46接觸。在CMP過(guò)程后會(huì)剩余顆粒42和殘?jiān)?0。本發(fā)明的化學(xué)溶液可降低殘?jiān)捅砻骈g的吸引力，并溶解銅氧化物和鎢氧化物及氧鹵化物。
已發(fā)現(xiàn)對(duì)從金屬表面清洗殘?jiān)蜐{料顆粒有效的制劑其pH約為3～11，但是通常pH值為約7～約9。這些制劑通常是含有氟化物源、有機(jī)胺和金屬螯合劑的水性溶液。通常構(gòu)成氟化物源和/或其衍生物的各個(gè)組分占制劑的約0.1～約5.0％，其中氟化物可以是本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員公知的多種此類氟化物源中的一種，氟化物源包括下面中的一種或多種氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；
氟化銨，氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)氟化四甲基銨(TMAF)；三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
有機(jī)胺或兩種胺的混合物通常占本發(fā)明制劑的約1％～約15％，其中有機(jī)胺可以是本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員公知的多種此類有機(jī)胺中的一種，包括二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
混合物的含氮組分通常占混合物的0～約10％，其中含氮組分可以是本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員公知的多種此類含氮組分源中的一種，含氮組分源包括下面中的一種或多種亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，
羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
金屬螯合劑或螯合劑的混合物通常占制劑的約0～約5.0％。通常金屬螯合劑可以是本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員公知的多種此類金屬螯合劑中的一種，包括乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；三氟乙酸；乳酸；乳酸銨；丙二酸，甲酸，
乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
幾個(gè)代表性的制劑實(shí)施例是三乙醇胺4.5％氟化銨 0.5％水 95％PMDETA 3.8-4.5％氟化銨 0.5％2，4-戊二酮 1％水 94-94.7％TEA 1.7％PMDETA 1.5％TEAHF 2％亞氨基二乙酸0.4％氟化氫銨0.5％水 93.9％TEA 3.5％PMDETA 1.5％2，4-戊二酮 1.35％氟化銨 1.2％水 92.45％
TEA 7％PMDETA3％2，4-戊二酮 2.7％氟化銨2.4％水84.9％晶片可以浸漬在化學(xué)物質(zhì)的溶液中，或通過(guò)噴射或者通過(guò)刷洗體系將化學(xué)物質(zhì)涂敷在晶片表面。圖5表明用標(biāo)準(zhǔn)浸漬方法所得結(jié)果的SEM。具體而言，圖5表明在用氧化鋁漿料CMP并在制劑c中于30℃下浸漬10分鐘后的鎢插頭。此外，對(duì)外露材料的選擇性可由蝕刻速率數(shù)據(jù)表明。圖6和表3表明對(duì)含有電鍍銅薄膜的互連材料的材料蝕刻速率。

盡管本文結(jié)合具體特征、形式和實(shí)施方案說(shuō)明了本發(fā)明，但可以理解本發(fā)明不應(yīng)由此限制。因此，本發(fā)明可以根據(jù)成分和最終用途的相應(yīng)變化而以多種組合物來(lái)相應(yīng)地實(shí)施。從而應(yīng)該理解本發(fā)明包括在下面所保護(hù)的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的所有此類變化、修改及變更的實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種CMP后的清洗制劑，含有有機(jī)胺、氟化物源及70％～98％的水。
2.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑還含有金屬螯合劑。
3.如權(quán)利要求2所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑還含有含氮組分。
4.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的氟化物源占所述制劑的約0.1％～約5.0％。
5.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的氟化物選自氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何組合物；氟化銨，氟化氫銨，氟化三乙醇銨，(TEAF)，氟化二甘醇銨，(DGAF)，氟化四甲基銨，(TMAF)，氟化甲基二乙醇銨，(MDEAF)，及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
6.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有約1％～15％的有機(jī)胺。
7.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的有機(jī)胺選自二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
8.如權(quán)利要求2所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有約0～約5.0％的金屬螯合劑。
9.如權(quán)利要求2所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的金屬螯合劑選自乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；三氟乙酸；乳酸；乳酸銨；丙二酸，甲酸，乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
10.如權(quán)利要求3所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有約0～約10％的含氮組分。
11.如權(quán)利要求3所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的含氮組分選自亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
12.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有三乙醇胺4.5％氟化銨 0.5％，及水 95％。
13.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有PMDETA 3.8-4.5％氟化銨 0.5％2，4-戊二酮 1％，及水 94-94.7％。
14.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有TEA 1.7％PMDETA 1.5％TEAHF2％亞氨基二乙酸 0.4％氟化氫銨 0.5％，及水 93.9％。
15.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有TEA 3.5％PMDETA 1.5％2，4-戊二酮 1.35％氟化銨 1.2％，及水 92.45％。
16.如權(quán)利要求1所述的CMP后的清洗制劑，其中所述的制劑含有TEA 7％PMDETA3％2，4-戊二酮 2.7％氟化銨2.4％，及水84.9％。
17.一種半導(dǎo)體晶片清洗制劑，其含有按組分總重量計(jì)為如下重量百分?jǐn)?shù)的組分氟化物源 1-35％有機(jī)胺20-60％選自含氮羧酸和亞胺的含氮組分 0.1-40％水20-50％金屬螯合劑0-21％總計(jì) 100％。
18.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的氟化物源含有選自如下種類的氟化物氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化氫銨；氟化銨，氟化三乙醇銨(TEAF)，氟化二甘醇銨(DGAF)，氟化四甲基銨(TMAF)，氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)，及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
19.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的有機(jī)胺含有選自如下的胺二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
20.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的含氮組分含有選自如下的物種亞氨基二乙酸(IDA)氨基乙酸氨三乙酸(NTA)羥乙基亞氨基二乙酸1，1，3，3-四甲基胍(TMG)乙二胺四乙酸(EDTA)CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2HOOCCH2N(CH3)2HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
21.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，含有至少一種選自如下的金屬螯合劑乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；三氟乙酸；乳酸；乳酸銨；丙二酸；甲酸；乙酸；丙酸；γ-丁內(nèi)酯，亞氨基二乙酸，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
22.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的氟化物源含有選自如下的物種氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
23.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的有機(jī)胺含有選自如下的胺二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
24.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的含氮組分含有選自如下的物種亞氨基二乙酸(IDA)氨基乙酸氨三乙酸(NTA)羥乙基亞氨基二乙酸1，1，3，3-四甲基胍(TMG)乙二胺四乙酸(EDTA)CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2HOOCCH2N(CH3)2HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
25.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的氟化物源含有選自如下的物種氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)；所述的有機(jī)胺含有選自如下的物種二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇；所述的含氮組分含有選自如下的物種亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，HOOCCH2N(CH3)CH2COOH；及所述的制劑含有選自如下物種的金屬螯合劑乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；三氟乙酸；乳酸；乳酸銨；丙二酸，甲酸，乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，亞氨基二乙酸，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
26.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的氟化物源含有通式為R1R2R3R4NF的化合物，其中每個(gè)R基各自獨(dú)立地選自于氫原子和脂肪族基團(tuán)，及其中所述的制劑含有如下通式的金屬螯合劑X-CHR-Y，其中R是氫或脂肪族基團(tuán)，X和Y是包括具有吸電子性質(zhì)的多重鍵部分的官能團(tuán)。
27.如權(quán)利要求25所述的清洗制劑，其中X和Y中的每一個(gè)各自獨(dú)立選自于CONH2、CONHR’、CN、NO2、SOR’及SO2Z，其中R’是烷基，Z是氫、鹵或烷基。
28.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的氟化物源含有通式為R1R2R3R4NF的化合物，其中每個(gè)R基是氫或脂肪族基團(tuán)，及其中所述的制劑含有通式為R1R2R3R4N+-O2CCF3的金屬螯合劑，其中每個(gè)R基各自獨(dú)立為氫或脂肪族基團(tuán)。
29.如權(quán)利要求17所述的清洗制劑，其中所述的含氮組分含有如下通式的化合物COOH-CH2-NRR’其中R和R’中的每一個(gè)各自獨(dú)立選自于氫、烷基、芳基及羧酸。
30.一種制造半導(dǎo)體晶片的方法，包括從晶片的表面等離子體蝕刻金屬化層；從晶片的表面等離子體灰化抗蝕劑；及通過(guò)使晶片與清洗制劑接觸來(lái)清洗晶片，所述制劑含有按組分總重量計(jì)為如下重量百分?jǐn)?shù)的組分氟化物源1-35％有機(jī)胺 20-60％選自含氮羧酸和亞胺的含氮組分 0.1-40％水 20-50％金屬螯合劑 0-21％總計(jì)100％。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的氟化物源含有選自如下的氟化物物種氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的有機(jī)胺含有選自如下的胺二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
33.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的含氮組分含有選自如下的物種亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
34.如權(quán)利要求30所述的方法，含有至少一種選自如下的金屬螯合劑乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；三氟乙酸；乳酸；乳酸銨；丙二酸；甲酸，乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，亞氨基二乙酸，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
35.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的氟化物源含有選自如下的物種氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
36.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的有機(jī)胺含有選自如下的胺二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
37.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的含氮組分含有選自如下的物種亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
38.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的氟化物源含有選自如下的物種氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)；所述的有機(jī)胺含有選自如下的物種二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇；所述的含氮組分含有選自如下的物種亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH；及所述的制劑含有選自如下物種的金屬螯合劑乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；乳酸；乳酸銨；丙二酸，甲酸，乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
39.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的氟化物源含有通式為R1R2R3R4NF的化合物，其中每個(gè)R基各自獨(dú)立選自于氫原子和脂肪族基團(tuán)，及其中所述的制劑含有如下通式的金屬螯合劑X-CHR-Y，其中R是氫或脂肪族基團(tuán)，X和Y是包括具有吸電子性質(zhì)的多重鍵部分的官能團(tuán)。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其中X和Y中的每一個(gè)各自獨(dú)立選自于CONH2、CONHR’、CN、NO2、SOR’及SO2Z，其中R’是烷基，Z是氫、鹵或烷基。
41.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的氟化物源含有通式為R1R2R3R4NF的化合物，其中每個(gè)R基是氫或脂肪族基團(tuán)，及其中所述的制劑含有通式為R1R2R3R4N+-O2CCF3的金屬螯合劑，其中每個(gè)R基各自獨(dú)立為氫或脂肪族基團(tuán)。
42.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述的含氮組分含有如下通式的化合物COOH-CH2-NRR’其中R和R’中的每一個(gè)各自獨(dú)立選自于氫、烷基、芳基及羧酸。
43.一種制造半導(dǎo)體晶片的方法，包括如下步驟從晶片的表面等離子體蝕刻金屬化層；從晶片的表面等離子體灰化抗蝕劑；通過(guò)使晶片與清洗制劑接觸來(lái)清洗晶片，所述制劑含有按組分總重量計(jì)為如下重量百分?jǐn)?shù)的組分氟化物源1-35％至少一種有機(jī)胺 20-60％含氮羧酸或亞胺 0.1-40％水 20-50％至少一種金屬螯合劑 0-21％總計(jì)100％。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的氟化物源選自氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
45.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的有機(jī)胺選自二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
46.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的含氮羧酸或亞胺選自亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
47.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的金屬螯合劑選自乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；乳酸；乳酸銨；丙二酸；甲酸，乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
48.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的氟化物源選自氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)。
49.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的有機(jī)胺選自二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇。
50.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的含氮羧酸或亞胺選自亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
51.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的氟化物源選自氨氣或氫氧化銨與氟化氫氣體或氫氟酸的任何混合物；氟化銨；氟化氫銨；氟化三乙醇銨(TEAF)；氟化二甘醇銨(DGAF)；氟化甲基二乙醇銨(MDEAF)；氟化四甲基銨(TMAF)；及三乙胺三(氟化氫)(TREAT-HF)；所述的有機(jī)胺選自二甘醇胺(DGA)，甲基二乙醇胺(MDEA)，五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)，三乙醇胺(TEA)，三亞乙基二胺(TEDA)，六亞甲基四胺，3，3-亞氨基雙(N，N-二甲基丙胺)，單乙醇胺，2-(甲氨基)乙醇，4-(2-羥乙基)嗎啉，4-(3-氨丙基)嗎啉，及N，N-二甲基-2-(2-氨乙氧基)乙醇；所述的含氮羧酸或亞胺選自亞氨基二乙酸(IDA)，氨基乙酸，氨三乙酸(NTA)，羥乙基亞氨基二乙酸，1，1，3，3-四甲基胍(TMG)，乙二胺四乙酸(EDTA)，CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，HOOCCH2N(CH3)2，及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH；及所述的金屬螯合劑選自乙酰乙酰胺；氨基甲酸銨；吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(APDC)；丙二酸二甲酯；乙酰乙酸甲酯；N-甲基乙酰乙酰胺；2，4-戊二酮；1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮H(hfac)；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮H(thd)；硫代苯甲酸四甲銨；三氟乙酸四甲銨；二硫化四甲基秋蘭姆(TMTDS)；乳酸；乳酸銨；丙二酸，甲酸，乙酸，丙酸，γ-丁內(nèi)酯，三氟乙酸甲基二乙醇銨，及三氟乙酸。
52.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的氟化物源含有通式為R1R2R3R4NF的化合物，其中每個(gè)R基是氫原子或脂肪族基團(tuán)，及其中所述的金屬螯合劑具有如下通式X-CHR-Y，其中R是氫或脂肪族基團(tuán)，X和Y是包括具有吸電子性質(zhì)的多重鍵部分的官能團(tuán)。
53.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的氟化物源含有通式為R1R2R3R4NF的化合物，其中每個(gè)R基是氫或脂肪族基團(tuán)，及其中所述的金屬螯合劑通式為R1R2R3R4N+-O2CCF3，其中每個(gè)R基是氫或脂肪族基團(tuán)。
54.如權(quán)利要求43所述的方法，其中所述的含氮羧酸具有如下通式COOH-CH2-NRR’其中R和R’中的每一個(gè)各自獨(dú)立選自于氫、烷基、芳基及羧酸。
55.一種在晶片上的抗蝕劑等離子體灰化步驟后從所述晶片上去除殘?jiān)姆椒ǎ龇椒òㄊ顾鼍c清洗制劑接觸，所述制劑含有(i)氟化物源，(ii)至少一種有機(jī)胺，(iii)含氮羧酸或亞胺，(iv)水，及任選至少一種金屬螯合劑。
56.一種晶片清洗制劑，其含有(i)氟化物源，(ii)至少一種有機(jī)胺，(iii)含氮羧酸或亞胺，(iv)水，及任選至少一種金屬螯合劑。
全文摘要
一種半導(dǎo)體晶片清洗制劑，其含有按重量計(jì)為1－35％的氟化物源，按重量計(jì)為20－60％的有機(jī)胺，按重量計(jì)為0.1－40％的含氮組分如含氮羧酸或亞胺，按重量計(jì)為20－50％的水，及按重量計(jì)為0－21％的金屬螯合劑。該制劑用于在抗蝕劑等離子體灰化步驟后從晶片上去除殘?jiān)?，如從含有精?xì)銅互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片上去除無(wú)機(jī)殘?jiān)?br> 文檔編號(hào)C11D7/28GK1575328SQ02820935
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2002年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月23日
發(fā)明者威廉·A·沃伊特恰克, 法蒂瑪·瑪·塞若, 大衛(wèi)·貝恩哈德, 隆·阮 申請(qǐng)人:高級(jí)技術(shù)材料公司