映射以及消融閉環(huán)冷卻的消融導(dǎo)管的制作方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請的奪叉引用
[0002] 本專利申請要求下列權(quán)益：于2012年9月18日提交的臨時(shí)申請No. 61/702,626， 通過引用方式將其內(nèi)容并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本公開總體上涉及用于向患者提供治療的系統(tǒng)和方法。更具體而言，本公開涉及 用于映射及消融患者心臟內(nèi)的組織的導(dǎo)管，其中該導(dǎo)管包括沉積在消融電極的外表面上的 映射電極。
【背景技術(shù)】
[0004] 在心臟中，心房纖維性顫動(dòng)是這樣ー種情形：其會(huì)導(dǎo)致由異常電信號(hào)的生成而引 起的不規(guī)則的心跳。可以遵循多種治療方式以用于治療心律不齊，比如抗心律的藥物治療 和導(dǎo)管消融。
[0005] 導(dǎo)管消融是這樣ー種非手術(shù)式的最低限度侵入的程序，其包含殺死造成心跳加速 的異常心肌。這會(huì)產(chǎn)生一小部分區(qū)域的被稱為損傷的壞死心肌。為了制造損傷并因而治療 心律不齊，首先對(duì)異常心肌、比如通過映射技術(shù)來進(jìn)行定位及映射。導(dǎo)管總體上包括構(gòu)造為 執(zhí)行映射功能的ー個(gè)或多個(gè)映射電極以及設(shè)置在尖端部分處并構(gòu)造為執(zhí)行消融功能的尖 端消融電極。典型地，映射包含將具有一個(gè)或多個(gè)映射電極的導(dǎo)管經(jīng)皮引入到患者中，使導(dǎo) 管通過血管（比如股靜脈或股動(dòng)脈）并且進(jìn)入到心臟內(nèi)的地點(diǎn)（比如心臟的心房或心室） 以映射由心肌組織引起的生物電信號(hào)，并且從而識(shí)別心律不齊的源的組織。包括尖端消融 電極的消融導(dǎo)管的尖端可以隨后將能量遞送到異常心肌，從而使其喪失功能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 此處公開的是消融電極的實(shí)施例，消融電極包括沉積在其外表面上位于映射及消 融導(dǎo)管的遠(yuǎn)端處的ー個(gè)或多個(gè)映射電極，并且映射及消融導(dǎo)管包括所述這種沉積的映射電 板。
[0007] 在示例1中，ー種用于執(zhí)行映射功能和消融功能的系統(tǒng)包括成尺寸及成形為用于 脈管接入的導(dǎo)管。所述導(dǎo)管包括在近端和遠(yuǎn)端之間延伸的細(xì)長本體。所述導(dǎo)管還包括尖端 部分，所述尖端部分定位在所述本體的遠(yuǎn)端處，以使得所述尖端部分包括近側(cè)部分和遠(yuǎn)側(cè) 部分。所述系統(tǒng)還包括在所述尖端部分的外表面上的ー個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，以使得所述ー 個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)中的每個(gè)電極結(jié)構(gòu)均包括在所述尖端部分的遠(yuǎn)側(cè)部分處的映射電極以 及電親接到所述映射電極的接觸墊!。
[0008] 在示例2中，根據(jù)示例1的系統(tǒng)，其中所述尖端部分包括消融電極，其構(gòu)造成為射 頻消融程序遞送射頻能量，并且其中所述ー個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)沉積在所述消融電極的外表 面上。
[0009] 在示例3中，根據(jù)示例1或示例2的系統(tǒng)，其中，所述ー個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)還包括 位于所述一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)中的每個(gè)電極結(jié)構(gòu)和所述消融電極之間的絕緣基層。
[0010] 在示例4中，根據(jù)示例1至示例3任一示例的系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)管包括至少ー個(gè) 內(nèi)部流體腔，其中，所述消融電極包括限定了位于所述消融電極內(nèi)的打開的內(nèi)部區(qū)域的外 壁，并且其中所述導(dǎo)管系統(tǒng)還包括：位于所述打開的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的熱質(zhì)量；以及冷卻室，其 與所述細(xì)長本體的至少ー個(gè)內(nèi)部流體腔流體連通并且定位成接近所述熱質(zhì)量。
[0011] 在示例5中，根據(jù)示例1至示例4任一示例的系統(tǒng)，其中，所述消融電極包括限定 了位于所述消融電極內(nèi)的打開的內(nèi)部區(qū)域的外壁，其中所述外壁包括沖洗端ロ，并且其中 所述沖洗端ロ與所述打開的內(nèi)部區(qū)域流體連通以使流體從所述打開的內(nèi)部區(qū)域流過所述 沖洗端ロ。
[0012] 在示例6中，根據(jù)示例1至示例5任一示例的系統(tǒng)，其中，所述尖端部分包括可移 動(dòng)地耦接到所述導(dǎo)管的遠(yuǎn)端的柔性氣球。
[0013] 在示例7中，根據(jù)示例1至示例6任一示例的系統(tǒng)，其中，還包括設(shè)置在所述本體 上的接近所述ー個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)的ー個(gè)或多個(gè)映射環(huán)電極。
[0014] 在示例8中，根據(jù)示例1至示例7任一示例的系統(tǒng)，其中，所述ー個(gè)或多個(gè)電極結(jié) 構(gòu)的每個(gè)電極結(jié)構(gòu)還包括：位于所述接觸墊和所述映射電極之間的傳導(dǎo)跡線；以及位于所 述傳導(dǎo)跡線上的絕緣涂層。
[0015] 在示例9中，根據(jù)示例8的系統(tǒng)，其中，所述傳導(dǎo)跡線具有小于100歐姆的阻杭。
[0016] 在示例10中，根據(jù)示例1至示例9任一示例的系統(tǒng)，其中，通過物理氣相沉積來形 成所述ー個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)。
[0017] 在示例11中，ー種用于執(zhí)行映射功能和消融功能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括成尺寸及 成形為用于脈管接入的導(dǎo)管。所述導(dǎo)管包括在近端和遠(yuǎn)端之間延伸的細(xì)長本體并且具有至 少ー個(gè)內(nèi)部流體腔。所述系統(tǒng)還包括耦接到所述導(dǎo)管本體的遠(yuǎn)端的消融電極，其中所述消 融電極構(gòu)造成為射頻消融程序遞送射頻能量。所述消融電極還包括限定了位于所述消融電 極內(nèi)的打開的內(nèi)部區(qū)域的外壁。所述系統(tǒng)還包括位于所述打開的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的熱質(zhì)量以及 冷卻室，所述冷卻室與所述細(xì)長本體的所述至少ー個(gè)內(nèi)部流體腔流體連通并且定位成接近 所述熱質(zhì)量。所述系統(tǒng)還包括位于所述消融電極的外表面上的一個(gè)或多個(gè)絕緣基層以及一 個(gè)或多個(gè)映射電極，每個(gè)映射電極設(shè)置在所述ー個(gè)或多個(gè)絕緣基層中的ー個(gè)上，以使得每 個(gè)映射電極接近所述消融電極的遠(yuǎn)端。
[0018] 在示例12中，根據(jù)示例11的系統(tǒng)，還包括在所述消融電極的近端處的ー個(gè)或多個(gè) 接觸墊，其中，每個(gè)接觸墊電耦接到ー個(gè)或多個(gè)映射電極中的ー個(gè)映射電極。
[0019] 在示例13中，根據(jù)示例11或12的系統(tǒng)，每個(gè)接觸墊通過傳導(dǎo)跡線連接到ー個(gè)或 多個(gè)映射電極中的ー個(gè)映射電極。
[0020] 在示例14中，根據(jù)示例13的系統(tǒng)，還包括位于所述傳導(dǎo)跡線上的絕緣涂層。
[0021] 在示例15中，根據(jù)示例11至示例14任一示例的系統(tǒng)，還包括設(shè)置在所述本體上 接近所述ー個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)的ー個(gè)或多個(gè)映射環(huán)電極。
[0022] 在示例16中，根據(jù)示例11至示例15任一示例的系統(tǒng)，其中通過物理氣相沉積來 形成所述映射電極。
[0023] 在示例17中，ー種用于執(zhí)行映射功能和消融功能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括射頻生成 器、流體貯存器和泵、映射信號(hào)處理器以及成尺寸及成形為用于脈管接入的導(dǎo)管。所述導(dǎo)管 包括在近端和遠(yuǎn)端之間延伸的細(xì)長本體并且具有與所述流體貯存器和泵流體連通的至少 ー個(gè)內(nèi)部流體腔。所述系統(tǒng)還包括消融電極，其耦接到所述導(dǎo)管本體的遠(yuǎn)端并且可操作地 連接到所述射頻生成器。所述消融電極包括限定了位于所述消融電極內(nèi)的打開的內(nèi)部區(qū)域 的外壁。所述系統(tǒng)還包括在所述消融電極的外表面上的一個(gè)或多個(gè)絕緣基層以及可操作地 連接到所述映射信號(hào)處理器的ー個(gè)或多個(gè)映射電極，以使得每個(gè)映射電極可以設(shè)置在所述 一個(gè)或多個(gè)絕緣基層中的ー個(gè)上。每個(gè)映射電極可以接近所述消融電極的遠(yuǎn)端。
[0024] 在示例18中，根據(jù)示例17的系統(tǒng)，還包括位于所述打開的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的熱質(zhì)量； 以及冷卻室，其與所述細(xì)長本體的所述至少ー個(gè)內(nèi)部流體腔流體連通并且定位成接近所述 熱質(zhì)量。
[0025] 在示例19中，根據(jù)示例17或18的系統(tǒng)，還包括在所述消融電極的近端處并且連 接到所述映射信號(hào)處理器的ー個(gè)或多個(gè)接觸墊，其中每個(gè)接觸墊通過傳導(dǎo)跡線電耦接到所 述ー個(gè)或多個(gè)映射電極中的ー個(gè)。
[0026] 在示例20中，根據(jù)示例19的系統(tǒng)，還包括在苺個(gè)傳導(dǎo)跡線上的絕緣涂層。
[0027] 雖然多個(gè)實(shí)施例已經(jīng)被公開了，但通過示出了以及描述了本發(fā)明說明性的實(shí)施例 的下述詳細(xì)描述，本發(fā)明的其他實(shí)施例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言仍然是顯而易見的。相應(yīng) 地，附圖和詳細(xì)描述在本質(zhì)上被視為是說明性的而非限制性的。
【附圖說明】
[0028]圖1是用于執(zhí)行映射功能和消融功能且包括映射及消融導(dǎo)管的系統(tǒng)的實(shí)施例的 示意圖。
[0029] 圖2是用于執(zhí)行映射功能和消融功能且包括映射及消融導(dǎo)管的系統(tǒng)的另ー實(shí)施 例的示意圖。
[0030] 圖3是包括具有沉積在其上的一個(gè)或多個(gè)電極結(jié)構(gòu)的消融電極的映射及消融導(dǎo) 管的尖端部分的實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0031]圖4是包括沉積的映射電極結(jié)構(gòu)和閉環(huán)冷卻系統(tǒng)的映射及消融導(dǎo)管的尖端部分 的實(shí)施例的橫截面視圖。
[0032] 圖5是包括沉積的映射電極結(jié)構(gòu)的映射及消融導(dǎo)管的打開的沖洗尖端部分的實(shí) 施例的透視圖。
[0033] 圖6是包括沉積的映射電極結(jié)構(gòu)的映射及消融導(dǎo)管的非沖洗尖端部分的實(shí)施例 的透視圖。
[0034] 圖7是包括沉積在其上的映射電極的映射氣球的實(shí)施例的透視圖。
[0035] 雖然本發(fā)明服從多種改變和可選形式，但具體實(shí)施例已借由附圖中的示例被示出 了并且在以下進(jìn)行了詳細(xì)的描述。然而，目的并非是將本發(fā)明限定至所描述的特定實(shí)施例。 相反，本發(fā)明試圖疆蓋落入由所附權(quán)利要求