滅菌處理裝置及使用該裝置的滅菌處理方法
【專利摘要】一種滅菌處理裝置，其特征在于，具備：反應容器，收容滅菌處理對象物并實施滅菌處理；試劑供給機構，向所述反應容器內(nèi)供給至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑；減壓機構，對所述反應容器內(nèi)進行減壓；換氣機構，對所述反應容器內(nèi)進行換氣；以及等離子體生成機構，在從所述滅菌處理對象物在所述反應容器內(nèi)的收容位置及其附近到裝置的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體。在利用所述試劑的滅菌處理后對所述反應容器內(nèi)進行減壓的過程中，以使所述規(guī)定部位保持在產(chǎn)生等離子體的狀態(tài)下的方式控制所述減壓機構和等離子體生成機構。
【專利說明】滅菌處理裝置及使用該裝置的滅菌處理方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及滅菌處理裝置及使用該裝置的滅菌處理方法，更詳細而言涉及使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為試劑來實施滅菌處理的滅菌處理裝置及使用該裝置的滅菌處理方法。

【背景技術】
[0002]例如作為醫(yī)療器械等的滅菌方法，一直以來習慣使用干熱滅菌法、高壓水蒸汽滅菌法等通過高溫來進行滅菌處理的方法，但近年來伴隨醫(yī)療器械的多樣化等，至少一部分使用了無法充分耐受高溫的材料的器械也正在供于實用。在所述情況下，就需要不依賴于高溫的滅菌處理。另外，對于以內(nèi)窺鏡為代表的具有長且細的中空管的醫(yī)療器械而言，需要對細的中空管的內(nèi)部進行滅菌處理。
[0003]作為滿足以上要求的滅菌方法，已知有如下的方法:將滅菌處理對象物放入到反應容器中，使該反應容器內(nèi)成為真空后注入滅菌處理用的試劑，試劑氣化膨脹后遍布細中空管的內(nèi)部，由此不依賴于高溫,并且可對細中空管內(nèi)部的各個角落進行滅菌處理。
[0004]所述滅菌方法中，作為滅菌處理劑，多使用過氧化氫，但例如在醫(yī)療器械等需要高度滅菌處理的情況下，僅靠過氧化氫難以進行充分的滅菌，因此，作為能夠以較少的量取得更高滅菌效果的滅菌處理劑，還已知使用至少包含過乙酸的過氧化劑。
[0005]另外，例如專利文獻1、專利文獻2中提出了如下的滅菌處理方法:通過在如前所述地在真空中使試劑氣化來進行滅菌處理的處理工藝中應用等離子體，由此企圖獲得更高的滅菌效果。
[0006]現(xiàn)有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本專利第2780228號公報
[0009]專利文獻2:日本專利第4526649號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的課題
[0011]如前所述，通過使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理劑，由此可以較少的量取得更高的滅菌效果，但眾所周知，過乙酸在多數(shù)情況下以過乙酸與乙酸、過氧化氫和水的平衡混合物的形式存在，因此具有非常強的刺激臭。因此，在實施滅菌處理時，需要盡量抑制所述刺激臭對作業(yè)環(huán)境造成的影響。該情況下，在實際應用上正在尋求在不設置大規(guī)模且高成本的脫臭裝置等的情況下，以比較簡單的構成抑制刺激臭造成的不良影響的方案。
[0012]本發(fā)明鑒于所述技術課題而實施，因此其基本目的在于，在使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為試劑的滅菌處理中，以比較簡單的構成對滅菌處理工序后殘留的試劑進行無臭化。
[0013]本申請發(fā)明人為了達成所述目的而進行了各種研究開發(fā)，其中發(fā)現(xiàn)，通過在滅菌處理后對試劑照射等離子體由此使含有過乙酸的過氧化劑分解，特別是在從滅菌處理容器內(nèi)到裝置外部的流體路徑中在減壓過程中保持等離子體產(chǎn)生狀態(tài)，由此能夠有效地將滅菌處理后殘留在容器內(nèi)的試劑無臭化。
[0014]解決課題的手段
[0015]因此，本申請發(fā)明所涉及的滅菌處理裝置的特征在于，具備:a)反應容器，收容滅菌處理對象物并實施滅菌處理；b)試劑供給機構，向所述反應容器內(nèi)供給至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑；c)減壓機構，對所述反應容器內(nèi)進行減壓；d)換氣機構，對所述反應容器內(nèi)進行換氣；e)等離子體生成機構，在從所述滅菌處理對象物在反應容器內(nèi)的收容位置及其附近到裝置的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體；以及f)控制機構，在利用所述試劑的滅菌處理后在所述反應容器內(nèi)進行減壓的過程中，以使所述規(guī)定部位保持在產(chǎn)生等離子體的狀態(tài)下的方式控制所述減壓機構和等離子體生成機構。
[0016]在該情況下，可以還具備第二供給機構，在向所述反應容器內(nèi)供給所述滅菌處理用試劑后，向所述反應容器內(nèi)供給促進所述過氧化劑的分解的過氧分解劑或水。
[0017]在以上的情況下，所述流體路徑的規(guī)定部位可以設定在所述反應容器內(nèi)，或者可以設定在所述反應容器的外部。另外，也可以設定在所述反應容器的內(nèi)部和外部這兩方。
[0018]另外，本申請發(fā)明所涉及的滅菌處理方法的特征在于，具備:a)處理對象物收容步驟，將滅菌處理對象物收容到滅菌處理用的反應容器內(nèi)的規(guī)定收容位置；b)試劑供給步驟，對所述反應容器內(nèi)進行減壓后，向該反應容器內(nèi)供給至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑；c)等離子體生成步驟，在利用所述試劑的滅菌處理后，在從所述滅菌處理對象物在所述反應容器內(nèi)的收容位置及其附近到裝置的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體；d)再減壓步驟，在使所述規(guī)定部位保持在等離子體產(chǎn)生狀態(tài)的條件下，再次對所述反應容器內(nèi)進行減壓；以及e)換氣步驟，在所述再減壓步驟之后，對所述反應容器內(nèi)進行換氣。
[0019]在該情況下，可以還具備如下步驟:在向所述反應容器內(nèi)供給所述滅菌處理用試劑后，向所述反應容器內(nèi)供給促進所述過氧化劑的分解的過氧分解劑或水。
[0020]發(fā)明效果
[0021]根據(jù)本申請發(fā)明，在使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑，并在利用所述試劑的滅菌處理后對反應容器內(nèi)進行減壓的過程中，在從滅菌處理對象物在所述反應容器內(nèi)的收容位置及其附近到裝置的外部的流體路徑的規(guī)定部位保持在等離子體產(chǎn)生狀態(tài)，因此能夠有效地將滅菌處理后殘留在容器內(nèi)的試劑無臭化，在實施滅菌處理時，能夠有效地抑制所述刺激臭對作業(yè)環(huán)境造成的影響。該情況下，通過僅對等離子體產(chǎn)生的部位和減壓時機等進行設計的比較簡單的構成，能夠在不設置大規(guī)模且高成本的脫臭裝置等的情況下，減輕試劑的刺激臭所致的不良影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是示意表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的滅菌處理裝置的整體構成的構成圖。
[0023]圖2是表示所述第I實施方式所涉及的滅菌處理裝置的處理工序的流程的工序說明圖。
[0024]圖3是表示所述第I實施方式所涉及的滅菌處理裝置的處理工序中的反應容器內(nèi)的壓力變化的圖表。
[0025]圖4是示意表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的滅菌處理裝置的整體構成的構成圖。
[0026]圖5是表示所述第2實施方式所涉及的滅菌處理裝置的處理工序中的反應容器內(nèi)的壓力變化的圖表。
[0027]圖6是示意表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的滅菌處理裝置的整體構成的構成圖。
[0028]圖7是示意表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的滅菌處理裝置的整體構成的構成圖。

【具體實施方式】
[0029]以下參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。
[0030]需要說明的是，以下的說明中，有時使用表示特定方向的用語(例如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”及包含它們的其他用語、以及“順時針方向”、“逆時針方向”等)，但它們的使用是為了更容易參照附圖理解發(fā)明。因此，本發(fā)明并不受這些用語的含義限定性解釋。
[0031]圖1是示意表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的滅菌處理裝置的整體構成的構成圖。
[0032]如該圖所示，本實施方式所涉及的滅菌處理裝置Ml具備:反應容器1，收容滅菌處理對象物Jb并實施滅菌處理；試劑注入裝置2，向該反應容器I內(nèi)注入至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑；真空泵3，構成對反應容器I內(nèi)進行減壓的減壓機構和對反應容器I內(nèi)進行換氣的換氣機構的主要部；作為等離子體生成機構的高頻電源裝置4，在從滅菌處理對象物Jb在反應容器I內(nèi)的收容位置及其附近到裝置Ml的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體。
[0033]所述反應容器I由將容器I內(nèi)密封地覆蓋的外箱la、和配置在其內(nèi)部的內(nèi)箱Ib構成。外箱Ia及內(nèi)箱Ib均由具有規(guī)定強度、剛性和耐腐蝕性的導電性材料形成，la、lb 二者是電絕緣的。作為形成外箱Ia及內(nèi)箱Ib的材料素材，可以使用例如鋼板等金屬板，外箱Ia通過將通常的平板狀的金屬板折彎加工而構成，以相對于外部密封的方式覆蓋容器I的內(nèi)部。另一方面，內(nèi)箱Ib通過將具有多個貫通孔的多孔金屬板折彎加工而構成，在其內(nèi)側與外側之間，氣化后的試劑、空氣等氣體或等離子體、以及液體等流體能夠自由地流通。
[0034]例如作為內(nèi)窺鏡的處理對象物Jb被保持在具有多個貫通孔的所述內(nèi)箱Ib的內(nèi)部。處理對象物Jb可以直接被內(nèi)箱Ib的內(nèi)面支承，或者可以在內(nèi)箱Ib內(nèi)配置專用的載置臺(未圖示)等，從而在其上進行支承。
[0035]反應容器I的一側(上游側)通過設置有開閉控制閥2b的注入管2p連接有試劑注入裝置2。該試劑注入裝置2向反應容器I內(nèi)注入至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑。
[0036]另一方面，反應容器I的另一側(下游側)通過設置有開閉控制閥3b的連接管3p連接有真空泵3。通過驅動該真空泵3，能夠將反應容器I內(nèi)減壓至任意壓力。真空泵3的下游側連接有將從容器I的內(nèi)部吸出的氣體向該滅菌處理裝置Ml的外部排出的排氣管3d。
[0037]另外，反應容器I的一側(上游側)在試劑注入裝置2的側面連接有設置有開閉控制閥6b的外氣導入管6p。該外氣導入管6p在利用所述試劑的滅菌處理后對反應容器I內(nèi)進行減壓、且結束該減壓工序后對反應容器I內(nèi)進行換氣從而置換空氣時，通過打開開閉控制閥6b而將外氣導入到反應容器I內(nèi)。通過該外氣導入管6p、開閉控制閥6b、所述連接管3p、開閉控制閥3b、真空泵3及排氣管3d，構成了在與滅菌處理有關的I個循環(huán)結束后對反應容器I內(nèi)進行換氣的換氣機構。
[0038]而且，通過反應容器I的內(nèi)箱Ib內(nèi)的處理對象物Jb的下游側區(qū)域、內(nèi)箱Ib與外箱Ia之間的空間部中的下游側區(qū)域、所述連接管3p、開閉控制閥3b，真空泵3及排氣管3d，構成了從處理對象物Jb在反應容器I內(nèi)的收容位置及其附近到裝置Ml的外部的流體路徑。將從反應容器I的內(nèi)部吸出的氣體向裝置Ml的外部排出時，所述路徑發(fā)揮排氣路徑的作用。
[0039]本實施方式中，為了在該流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體，在反應容器I的外部具備作為等離子體生成機構的高頻電源裝置4。該高頻電源裝置4通過在高頻電路4c中設置高頻電源4s而構成，高頻電路4c的一端側與反應容器I的外箱Ia電連接，另一端側插通真空套管5后與反應容器I的內(nèi)箱Ib電連接。而且，以通過開動高頻電源4s在形成于外箱Ia與內(nèi)箱Ib之間的空間部產(chǎn)生等離子體的方式構成。
[0040]所述真空套管5具備與以往公知的真空套管同樣的構成和作用，因此在要將高頻電路4c的另一端側與反應容器I的內(nèi)箱Ib電連接時，需要貫通外箱Ia后將電路4c的另一端側的導線與內(nèi)箱Ib連接，真空套管5以將該貫通部分氣密地密封從而保持容器I的內(nèi)部的真空、同時使電路4c的另一端側的導線插通的方式構成。
[0041]滅菌處理裝置Ml中，作為進行該裝置Ml整體的控制的控制裝置，例如具備以微型計算機為主要部而構成的控制器EC1。該控制器ECl被設置于例如滅菌處理裝置Ml的控制盤(未圖示)。前述試劑注入裝置2、真空泵3、高頻電源裝置4、開閉控制閥2b、3b、6b均以能夠進行信號授受的方式與所述控制器連接，且其動作被來自該控制器ECl的控制信號控制。需要說明的是，所述開閉控制閥2b、3b、6b均可以由以往公知的所謂的電磁控制閥構成。
[0042]參照圖2及圖3對利用按上述方式構成的滅菌處理裝置Ml的滅菌處理工藝進行說明。圖2是表示滅菌處理裝置Ml的處理工序的流程的工序說明圖。另外，圖3是表示滅菌處理裝置Ml的處理工序中的反應容器內(nèi)的壓力變化的圖表。
[0043]處理工藝開始時，首先，步驟#1中，將例如作為內(nèi)窺鏡的滅菌處理對象物Jb收容到反應容器I內(nèi)的規(guī)定收容部位。該收容部位如前述所述設定在內(nèi)箱Ib的內(nèi)部。在該時亥IJ，作為開始裝置Ml的動作之前的初始狀態(tài)，開閉控制閥2b、3b、6b均關閉。S卩，在該時刻，在處理對象物Jb保持在具有多個貫通孔的金屬板制的內(nèi)箱Ib內(nèi)的狀態(tài)下，外箱Ia密閉。
[0044]接著，步驟#2中，在打開開閉控制閥3b之后驅動真空泵3，將反應容器I內(nèi)從大氣壓Ps減壓到規(guī)定壓力Pl (圖3:第I減壓工序SI)。
[0045]反應容器I內(nèi)減壓到規(guī)定壓力Pl時，步驟#3中，關閉開閉控制閥3b，另一方面，打開開閉控制閥2b從而從試劑注入裝置2向反應容器I內(nèi)注入規(guī)定量的試劑。如前所述，該試劑為至少含有過乙酸的過氧化劑。在后敘述所述試劑的詳細情況。
[0046]試劑注入到減壓狀態(tài)的反應容器I內(nèi)時，瞬間氣化產(chǎn)生蒸汽壓，通過該蒸汽壓，反應容器I內(nèi)的壓力升高到P2(Ps>P2>Pl)。該壓力P2根據(jù)反應容器I的內(nèi)容積、溫度等條件、注入到該容器I內(nèi)的試劑的成分和注入量等來確定。該過程中，氣化后的試劑與處理對象物Jb的表面沒有死角地接觸來進行滅菌處理。另外，試劑通過試劑蒸發(fā)時的蒸汽壓而浸入遍及到處理對象物Jb的細部、深部，從而進行充分的滅菌處理。步驟#4中，等待反應時間經(jīng)過以使這樣的滅菌處理充分地進行(圖3:滅菌處理工序S2)。需要說明的是，將試劑注入到反應容器I內(nèi)時，為了促進在反應容器I內(nèi)的擴散，也可以將試劑以氣化后的狀態(tài)注入。
[0047]本實施方式中，為了使氣化后的試劑可以有效地浸透到處理對象物Jb的細部、深部，優(yōu)選將壓力Pl設定為10Pa以下。另外，壓力P2也取決于試劑的注入量、反應容器I的容積，但一般而言，為1000?2500Pa。
[0048]反應時間經(jīng)過而結束滅菌處理工序S2時，步驟#5中，啟動高頻電源裝置4，開始在反應容器I內(nèi)(具體而言，在外箱Ia與內(nèi)箱Ib之間)產(chǎn)生等離子體的等離子體工序(圖3:等離子體工序S3)。從該等離子體工序的開始等待規(guī)定時間經(jīng)過(步驟#6)，且經(jīng)過該規(guī)定時間時，步驟#7中，再次驅動真空泵3，將反應容器I內(nèi)從壓力P2減壓至規(guī)定壓力Pl (圖3:第2減壓工序S3a)。在該第2減壓工序中也繼續(xù)生成等離子體。需要說明的是，通過該第2減壓工序S3a得到的壓力Pl不需要與通過前述的第I減壓工序SI得到的壓力Pl嚴格一致，但兩者優(yōu)選為同程度的壓力水平。
[0049]而且，反應容器I內(nèi)減壓至壓力Pl時，步驟#8中，停止高頻電源裝置4的動作，結束等離子體的生成。然后，步驟#9中，打開外氣導入管6的開閉控制閥6b向反應容器I內(nèi)導入外氣，由此使容器I內(nèi)的壓力成為大氣壓Ps，將該反應容器I內(nèi)的空氣更換為新的空氣(圖3:換氣工序S4)。
[0050]然后，步驟#10中，將滅菌處理后的處理對象物Jb從反應容器I內(nèi)取出，由此結束滅菌處理工藝的I個循環(huán)。在將同一處理對象物Sb的滅菌處理重復進行多個循環(huán)時，只要將從步驟#1到步驟#9的各步驟重復需要次數(shù)即可。另外，繼續(xù)進行其他處理對象物的滅菌處理時，重復進行從步驟#1到步驟#10的各步驟即可。
[0051]以上所述的滅菌處理裝置Ml的動作例如可以通過在以能夠進行讀取的方式配設(或者內(nèi)藏)于所述控制器ECl的存儲器中收納的軟件程序來實行控制。
[0052]已知等離子體的溫度一般與壓力成比例地增高。另一方面，在滅菌處理對象物Sb為醫(yī)療器械的情況下，如前所述，伴隨使用材料的多樣化等需要避免高溫下的滅菌處理。因此，也要求將等離子體溫度抑制在例如不超過60°C左右的溫度。但是，在滅菌處理工序S2中在升壓到壓力P2 (P2>P1)的狀態(tài)下開始生成等離子體的等離子體工序S3中，特別是直至第2減壓工序S3a開始，等離子體溫度容易變得較高。因此，在直至第2減壓工序S3a開始之間，可以根據(jù)需要，不是連續(xù)地進行來自高頻電源裝置4的高頻電力的供給，而是間斷地(即脈沖化)輸出，從而將所生成的等離子體的溫度抑制得較低。此時，僅在脈沖部分生成等離子體。
[0053]本實施方式所涉及的滅菌處理中，如前所述，使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為試劑。眾所周知，過乙酸(CH3COOOH)在多數(shù)情況下，以過乙酸與乙酸(CH3COOH)、過氧化氫(H2O2)及水(H2O)的平衡混合物的形式存在，水解后如下式[I]所示地分解為乙酸和過氧化氫。
[0054].(CH3COOOH) + (H2O) — (CH3COOH) + (H2O2)......[I]
[0055]等離子體能是指氣體分子的自由基、紫外線所具有的能量，通過該能量來切斷分子內(nèi)元素間的鍵合。過氧化氫通過等離子體能的照射，如下式[2]所示地分解為水和氧(O2)。
[0056].(H2O2) — (H2O)+1/2.(O2)......[2]
[0057]另外，乙酸分子內(nèi)元素間的鍵被等離子體能切斷，與因過氧化氫的分解(參照式
[2])而產(chǎn)生的氧反應，如下式[3]所示地分解為二氧化碳(CO2)和水。
[0058].2 (CH3COOH) +4 (O2) — 4 (CO2) +4 (H2O)......[3]
[0059]如上所述，本實施方式中作為試劑使用的至少含有過乙酸的過氧化劑，在滅菌處理工序S2后的等離子體工序S3中，通過等離子體能而最終分解為二氧化碳和水。這些二氧化碳和水是無臭的穩(wěn)定分子。
[0060]本實施方式中，在反應容器I的外箱Ia與內(nèi)箱Ib之間的空間部產(chǎn)生等離子體，等離子體強力作用于在該區(qū)域存在的試劑，得到高無臭化效果。另一方面，雖然在內(nèi)箱Ib的內(nèi)部不產(chǎn)生等離子體，但等離子體通過內(nèi)箱Ib的大量貫通孔而擴散到內(nèi)部，從而可以期待等離子體對殘留在內(nèi)部的試劑施加某種程度的作用。但是，一般而言難以達成充分的無臭化。
[0061]但是，在第2減壓工序S3a中，對等離子體生成狀態(tài)的反應容器I內(nèi)進行減壓，由此殘留在內(nèi)箱Ib內(nèi)的試劑通過內(nèi)箱Ib的貫通孔而被引入到(生成有等離子體的)外箱Ia與內(nèi)箱Ib之間的空間部，通過在該區(qū)域產(chǎn)生的等離子體的強力作用，由此在從反應容器I向外部排出之前可得到高無臭化效果。因此，從真空泵3的排氣管3d向裝置Ml的外部排出的排出氣體可達成充分的無臭化，在后續(xù)的換氣工序S4中，反應容器I內(nèi)達到無臭。由此，以往那樣的強刺激臭的令人苦惱的情況就可大幅減輕。
[0062]如上所述，根據(jù)本實施方式，使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試齊U，并在利用所述試劑的滅菌處理后對反應容器I內(nèi)進行減壓的過程中，對從滅菌處理對象物Jb在所述反應容器I內(nèi)的收容位置及其附近到裝置Ml的外部的流體路徑的規(guī)定部位(與反應容器I的外箱Ia與內(nèi)箱Ib之間的空間部的容器下游側對應的部位)保持在等離子體產(chǎn)生狀態(tài)，因此能夠將滅菌處理后殘留在容器I內(nèi)的試劑有效地無臭化，在實施滅菌處理時，能夠有效地抑制試劑的刺激臭對作業(yè)環(huán)境造成的影響。該情況下，通過僅對等離子體產(chǎn)生的部位和減壓時機等進行設計的比較簡單的構成，能夠在不設置大規(guī)模且高成本的脫臭裝置等的情況下，減輕試劑的刺激臭所致的不良影響。
[0063]接著，對本發(fā)明的其他實施方式進行說明。需要說明的是，以下的說明中，對于具備與上述的第I實施方式(參照圖1?圖3)中的情況同樣的構成且發(fā)揮同樣作用的結構，賦予相同的符號，并省略更多的說明。
[0064]圖4是示意表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的滅菌處理裝置M2的整體構成的構成圖。另外，圖5是表示所述第2實施方式所涉及的滅菌處理裝置M2的處理工序中的反應容器內(nèi)的壓力變化的圖表。
[0065]如圖4所示，本實施方式所涉及的滅菌處理裝置M2中，在反應容器I的上游側中，在試劑注入裝置2的側面配設有用于向反應容器I內(nèi)注入促進過氧化劑分解的過氧分解劑或水的第2注入裝置7。
[0066]該第2注入裝置7通過設置有開閉控制閥7b的注入管7p在反應容器I的上游側與試劑注入裝置2的側面連接。
[0067]對比圖4和圖1可知，第2實施方式所涉及的滅菌處理裝置M2在還具備所述第2注入裝置7這一方面與第I實施方式所涉及的滅菌處理裝置Ml的構成不同。另外，與此相對應地，所述第2注入裝置7及開閉控制閥7b以能夠進行信號授受的方式與控制器EC2連接。
[0068]該第2實施方式所涉及的滅菌處理裝置M2中，如圖5所示，在第I減壓工序Sll中將反應容器I內(nèi)從大氣壓Ps減壓至規(guī)定壓力Pll后，在滅菌處理工序S12中向減壓狀態(tài)的反應容器I內(nèi)注入試劑，由此反應容器I內(nèi)通過試劑蒸發(fā)產(chǎn)生的蒸汽壓升壓到壓力P12 (Ps>P12>Pll)，并在該過程中進行滅菌處理。
[0069]這些工序Sll、S12與第I實施方式中的工序S1、S2同樣，但在本實施方式中，在滅菌處理工序S12之后且等離子體工序S14之前進行第2注入工序S13。該第2注入工序S13是指使用所述第2注入裝置7向反應容器I內(nèi)注入促進過氧化劑分解的過氧分解劑或水的工序。需要說明的是，在將過氧分解劑或水向反應容器I內(nèi)注入時，為了促進在反應容器I內(nèi)的擴散，也可以在使過氧分解劑或水氣化后的狀態(tài)下進行注入。
[0070]可見，通過除試劑外還向反應容器I內(nèi)注入過氧分解劑或水，由此能夠促進試劑的水解(參照所述式[I])，能夠更有效地將殘留的試劑無臭化。
[0071]通過向反應容器I內(nèi)注入過氧分解劑或水，由此反應容器I內(nèi)的壓力進一步上升到壓力P13(Ps>P13>P12)。在向反應容器I內(nèi)注入過氧分解劑或水后，經(jīng)過規(guī)定時間時，與第I實施方式的情況同樣地驅動高頻電源裝置4進行等離子體工序S14，并且從該等離子體工序S14途中開始進行第2減壓工序S14a。
[0072]然后，結束該第2減壓工序S14a及等離子體工序S14時，向反應容器I內(nèi)導入外氣，進行換氣工序S15，然后將滅菌處理后的處理對象物Jb從反應容器I內(nèi)取出，由此，結束滅菌處理工藝的I個循環(huán)。
[0073]如上所述，第2實施方式的處理工藝與第I實施方式的情況不同的僅在于以下方面:在滅菌處理工序S12之后且等離子體工序S14之前，進行向反應容器I內(nèi)注入過氧分解劑或水的第2注入工序S13。
[0074]根據(jù)本實施方式，通過除試劑外還向反應容器I內(nèi)注入過氧分解劑或水，由此能夠進一步促進殘留的試劑的水解，從而能夠進一步有效地使試劑無臭化。通過例如注入過氧化氫酶等過氧分解劑而不是單純的水，由此能夠更進一步地促進殘留試劑的水解。
[0075]接著，說明本發(fā)明的第3實施方式。
[0076]圖6是示意表示本發(fā)明的第3實施方式所涉及的滅菌處理裝置M3的整體構成的構成圖。第I實施方式、第2實施方式中，基于高頻電源裝置4的等離子體的生成部位設定在反應容器I內(nèi)，但在該第3實施方式所涉及的滅菌處理裝置M3中，其設定在反應容器11的外部。
[0077]即在本實施方式中，在反應容器11與真空泵3之間配設有用于產(chǎn)生等離子體的等離子體生成腔室8。而且，反應容器11由于在其內(nèi)部不產(chǎn)生等離子體，因此其構成中可以無內(nèi)箱，而僅由具有規(guī)定強度、剛性和耐腐蝕性的板材(優(yōu)選鋼板等金屬板)構成的外箱Ila構成。等離子體生成腔室8的上游側通過連接管8p與反應容器11連接，下游側通過連接管3p與真空泵3連接。
[0078]所述等離子體生成腔室8在殼體8a的內(nèi)部具備第I電極Dl和第2電極D2而構成，在這些第I電極Dl和第2電極D2之間的空間部產(chǎn)生等離子體。這些殼體8a、第I電極Dl及第2電極D2均由具有規(guī)定強度、剛性和耐腐蝕性的導電性材料形成，第I電極Dl與殼體8a電絕緣，第2電極D2與殼體8a導通。
[0079]作為形成殼體8a、第I電極Dl、第2電極D2的材料素材，優(yōu)選例如鋼板等金屬板，殼體8a為了以相對于外部密封的方式覆蓋等離子體生成腔室8的內(nèi)部，由通常的平板狀的金屬板構成，另一方面，第I電極Dl及第2電極D2為了使氣體等流體在其內(nèi)側與外側之間能夠自由地流通而由具有多個貫通孔的多孔金屬板構成。
[0080]為了在該腔室8內(nèi)產(chǎn)生等離子體，在等離子體生成腔室8的側面具備與前述(第I實施方式、第2實施方式的)同樣的高頻電源裝置4。該高頻電源裝置4的高頻電路4c的一端側與殼體8a (從而與第2電極D2)電連接,另一端側插通真空套管5后與殼體8a內(nèi)部的第I電極Dl電連接。而且，通過啟動高頻電源4s，由此在形成于第I電極Dl與第2電極D2之間的空間部產(chǎn)生等離子體。另外，本實施方式的裝置M3具備與前述第I實施方式同樣的控制器EC3。
[0081]可見，根據(jù)本實施方式，在從滅菌處理對象物Jb在反應容器11內(nèi)的收容位置及其附近到裝置M3的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體時，在反應容器11的外部設定所述規(guī)定部位，由此可以在反應容器11與真空泵3之間設置用于產(chǎn)生等離子體的專用的等離子體生成腔室8，從而能夠在排氣路徑中在更廣的范圍使強力的等離子體作用于試劑。由此，能夠更有效地將反應容器11內(nèi)殘留的試劑無臭化。
[0082]接著，說明本發(fā)明的第4實施方式。
[0083]圖7是示意表示本發(fā)明的第4實施方式所涉及的滅菌處理裝置M4的整體構成的構成圖。該第4實施方式所涉及的滅菌處理裝置M4中，在反應容器I的內(nèi)部和外部這兩方設定有等離子體的生成部位。
[0084]即本實施方式中，反應容器I通過與第1、第2實施方式同樣地具備外箱Ia及內(nèi)箱Ib而構成，在所述反應容器I與真空泵3之間配設有與第3實施方式同樣的等離子體生成腔室8。而且，在反應容器I的內(nèi)部、和配置在其外部的等離子體生成腔室8的內(nèi)部這兩方產(chǎn)生等離子體。
[0085]因此，在本實施方式中，高頻電源裝置14具備:將來自高頻電源14s的高頻電力向反應容器I側供給的第I高頻電路Cl、和將來自高頻電源14s的高頻電力向等離子體生成腔室8側供給的第2高頻電路C2。第I高頻電路Cl的一端側與反應容器I的外箱Ia電連接，另一端側插通真空套管Kl后與反應容器I的內(nèi)箱Ib電連接。另外，第2高頻電路C2的一端側與殼體8a (從而與第2電極D2)電連接,另一端側插通真空套管K2后與殼體8a內(nèi)部的第I電極Dl電連接。
[0086]而且，通過啟動高頻電源4s，由此在反應容器I內(nèi)，在形成于外箱Ia與內(nèi)箱Ib之間的空間部產(chǎn)生等離子體，同時在等離子體生成腔室8內(nèi)，在形成于第I電極Dl與第2電極D2之間的空間部產(chǎn)生等離子體。另外，本實施方式的裝置M4具備與前述第I及第3的實施方式類似的控制器EC4。
[0087]可見，根據(jù)本實施方式，通過在從滅菌處理對象物Jb在反應容器I內(nèi)的收容位置及其附近到裝置M4的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體時，在反應容器I的內(nèi)部和外部這兩方設定所述規(guī)定部位，由此在排氣路徑中，通過設定在反應容器I的外部，能夠在更廣的范圍使強力的等離子體作用于試劑，而且，通過也設定在反應容器I的內(nèi)部，能夠多段地使等離子體作用于試劑。由此，能夠更進一步有效地將反應容器11內(nèi)殘留的試劑無臭化。
[0088]需要說明的是，以上的實施方式中，也可以在真空泵3的排氣管3d的下游側安裝例如使用了活性碳、氫氧化鈣等堿性物質的過濾器。
[0089]本發(fā)明并不限定于上述的實施方式，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)能夠進行各種變更、設計上的改良等，這是不言而喻的。
[0090]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0091]本發(fā)明涉及使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為試劑的滅菌處理裝置和滅菌處理方法，因此在使用至少含有過乙酸的過氧化劑作為試劑的滅菌處理中，能夠有效地用作更容易地進行在滅菌處理工序后殘留的過乙酸和乙酸的無臭化的滅菌處理裝置和滅菌處理方法。
[0092]符號說明
[0093]1、11反應容器
[0094]2試劑注入裝置
[0095]3真空泵
[0096]4、14高頻電源裝置、
[0097]7第2注入裝置
[0098]8等離子體生成腔室
[0099]Jb滅菌處理對象物
[0100]M1、M2、M3、M4滅菌處理裝置
[0101]EC1、EC2、EC3、EC4 控制器
【權利要求】
1.一種滅菌處理裝置，其特征在于，具備: 反應容器，收容滅菌處理對象物并實施滅菌處理； 試劑供給機構，向所述反應容器內(nèi)供給至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑； 減壓機構，對所述反應容器內(nèi)進行減壓； 換氣機構，對所述反應容器內(nèi)進行換氣； 等離子體生成機構，在從所述滅菌處理對象物在所述反應容器內(nèi)的收容位置及其附近到裝置的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體；以及 控制機構，在利用所述試劑的滅菌處理后在所述反應容器內(nèi)進行減壓的過程中，以使所述規(guī)定部位保持在產(chǎn)生等離子體的狀態(tài)下的方式控制所述減壓機構和等離子體生成機構。
2.如權利要求1所述的滅菌處理裝置，其特征在于， 還具備第二供給機構，在向所述反應容器內(nèi)供給所述滅菌處理用試劑后，向所述反應容器內(nèi)供給促進所述過氧化劑的分解的過氧分解劑或水。
3.如權利要求1或2所述的滅菌處理裝置，其特征在于， 所述規(guī)定部位設定在所述反應容器內(nèi)。
4.如權利要求1或2所述的滅菌處理裝置，其特征在于， 所述規(guī)定部位設定在所述反應容器的外部。
5.如權利要求1或2所述的滅菌處理裝置，其特征在于， 所述規(guī)定部位設定在所述反應容器的內(nèi)部和外部這兩方。
6.—種滅菌處理方法,其特征在于,具備: 處理對象物收容步驟，將滅菌處理對象物收容到滅菌處理用的反應容器內(nèi)的規(guī)定收容位置； 試劑供給步驟，對所述反應容器內(nèi)進行減壓后，向該反應容器內(nèi)供給至少含有過乙酸的過氧化劑作為滅菌處理用試劑； 等離子體生成步驟，在利用所述試劑的滅菌處理后，在從所述滅菌處理對象物在所述反應容器內(nèi)的收容位置及其附近到裝置的外部的流體路徑的規(guī)定部位產(chǎn)生等離子體；再減壓步驟，在使所述規(guī)定部位保持在等離子體產(chǎn)生狀態(tài)的條件下，再次對所述反應容器內(nèi)進行減壓；以及 換氣步驟，在所述再減壓步驟之后，對所述反應容器內(nèi)進行換氣。
7.如權利要求6所述的滅菌處理方法，其特征在于， 還具備如下步驟:在向所述反應容器內(nèi)供給所述滅菌處理用試劑后，向所述反應容器內(nèi)供給促進所述過氧化劑的分解的過氧分解劑或水。
【文檔編號】A61L2/18GK104349795SQ201380027446
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權日:2012年5月28日
【發(fā)明者】板良敷朝將, 鬼塚典夫 申請人:莎羅雅株式會社