技術(shù)特征：
1.一種用于測量流體壓力的傳感器設(shè)備，包括：包括傳感器膜片的振動傳感器，其中所述傳感器膜片的厚度至少為1微米，并且所述振動傳感器的總體積小于或等于0.3立方毫米；基板，其具有第一側(cè)、第二側(cè)以及延伸通過基板的開口；以及底部薄膜，其設(shè)置在所述基板的第二側(cè)上并且通過所述基板與所述傳感器膜片間隔開。2.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，進(jìn)一步包括牢固地連接到所述振動傳感器的粘結(jié)層。3.如權(quán)利要求2所述的傳感器設(shè)備，進(jìn)一步包括牢固地連接到所述粘結(jié)層的錨固裝置。4.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述傳感器膜片的厚度為2微米。5.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，進(jìn)一步包括：包封所述振動傳感器的殼體，其中所述殼體并不包封所述傳感器膜片的全部，其中所述基板的厚度小于或等于150微米。6.如權(quán)利要求5所述的傳感器設(shè)備，其中所述底部薄膜包封所述傳感器膜片。7.如權(quán)利要求6所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜基本上不滲透。8.如權(quán)利要求6所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜有滲透性。9.如權(quán)利要求6所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜是透聲的。10.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由以下的一種或多種形成：鈦、金、鉑和鉭。11.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜的厚度在1到10微米之間。12.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述傳感器膜片和所述底部薄膜為鈦。13.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述基板的高度小于或者等于總體設(shè)備高度的40％。14.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由合金形成。15.如權(quán)利要求14所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述合金是不銹鋼或者形狀記憶合金。16.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由以下的一種或多種形成：硅、玻璃和石英。17.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由陶瓷材料形成。18.如權(quán)利要求17所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述陶瓷材料是金屬氮化物。19.如權(quán)利要求17所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述陶瓷材料是非金屬氮化物。20.如權(quán)利要求19所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述非金屬氮化物是氮化硼。21.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由碳化物形成。22.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由金屬氧化物或者非金屬氧化物形成。23.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由聚合物基材料形成。24.如權(quán)利要求23所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由凝膠形成。25.如權(quán)利要求1所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜由復(fù)合材料形成。26.一種用于測量流體壓力的傳感器設(shè)備，包括：包括傳感器膜片的振動傳感器，其中所述傳感器膜片的厚度至少為1微米；限定一空腔的殼體，所述振動傳感器設(shè)置在所述空腔中；基板，其上設(shè)置所述殼體；以及底部薄膜，其設(shè)置在所述基板上并且包封所述傳感器膜片，其中所述底部薄膜通過所述基板與所述傳感器膜片間隔開。27.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述空腔的高度大于或等于所述設(shè)備總體高度的五分之四。28.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜基本上不滲透。29.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜有滲透性。30.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜是透聲的。31.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述空腔進(jìn)一步包封不可壓縮的流體。32.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述基板包括第一側(cè)、第二側(cè)以及延伸通過基板的開口，所述底部薄膜設(shè)置在所述基板的第二側(cè)上。33.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述底部薄膜的厚度在1到10微米之間。34.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述傳感器膜片和所述底部薄膜為鈦。35.如權(quán)利要求26所述的傳感器設(shè)備，其特征在于，所述基板的高度小于或者等于總體設(shè)備高度的40％。36.一種用于監(jiān)控門靜脈高壓的系統(tǒng)，它包括權(quán)利要求1-35任一項所述的傳感器設(shè)備，所述系統(tǒng)進(jìn)一步包括：輸送系統(tǒng)；和支架，所述傳感器設(shè)備連接到所述支架。37.如權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述傳感器設(shè)備經(jīng)由引線連接到所述支架。38.如權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述輸送系統(tǒng)是針基輸送系統(tǒng)。