專利名稱：：一種超低頻磁刺激裝置及其工作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于醫(yī)療器械，特別涉及一種超低頻磁刺激裝置及其工作方法。
背景技術(shù)：
：當(dāng)代醫(yī)學(xué)研究表明，包括大腦和小腦在內(nèi)的人腦組織對磁信號非常敏感。磁刺激能改善大腦局部血液循環(huán)，促進(jìn)腦細(xì)胞修復(fù)，激發(fā)腦組織活力。利用大腦對磁場的敏感性，對大腦進(jìn)行磁誘導(dǎo),可以治療和預(yù)防精神疾病。而且磁剌激具有無創(chuàng)性和安全性高的特點(diǎn)。當(dāng)前應(yīng)用的磁刺激技術(shù)所用的磁場主要是脈沖磁場，使用頻率較高，主要用于神經(jīng)科疾病的診斷，對疾病的治療效果難以讓人滿意。同時，科學(xué)研究還發(fā)現(xiàn)，不同頻段的磁場刺激對大腦所產(chǎn)生的生物學(xué)效應(yīng)是有所不同的?，F(xiàn)有技術(shù)中還沒有下述的醫(yī)療器械通過產(chǎn)生超低頻的電流，通過電極或線圈作用于大腦，調(diào)節(jié)腦內(nèi)的神經(jīng)遞質(zhì)的功能，進(jìn)而調(diào)節(jié)大腦的功能；而隨著社會競爭壓力逐漸增大，精神和心理疾病已成為人類面臨的一項(xiàng)挑戰(zhàn)，因此對大腦的功能進(jìn)行調(diào)解是現(xiàn)代人非常需要的。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種超低頻磁刺激裝置及其工作方法，用于治療和緩解大腦相關(guān)疾病。本發(fā)明提供了一種超低頻磁刺激裝置，該裝置包括控制模塊、電平平移與變換電路、輸出模塊，其中，控制模塊，用于生成頻率為20Hz以下的直流刺激信號；電平平移與變換電路，用于對刺激信號進(jìn)行電位平移，使之成為交流刺激信號；輸出模塊，用于對交流刺激信號進(jìn)行功率放大，并產(chǎn)生電流、電場或磁場?？刂颇K包括ARM處理器以及音頻芯片，音頻芯片在ARM處理器的控4制下產(chǎn)生所述直流刺激信號。還包括人機(jī)界面，與ARM通信以實(shí)現(xiàn)人機(jī)界面控制。控制模塊采用型號為QQ2440V3的開發(fā)板，所述音頻芯片為UDA1341TS;UDA1341TS通過輸出口的電容(C45)和電容(C46)短接，通過輸出口的電阻(R4)和電阻(R9)R9接地。輸出模塊包括至少一個功率放大電路，功率放大電路的輸出端和一個線圈連接。輸出模塊包括至少一個功率放大電路，功率放大電路的輸出端和一個電極連接。所述交流剌激信號是以0V為基準(zhǔn)的交流刺激信號。所述功率放大電路為芯片TDA7294;控制模塊還用于輸出芯片TDA7294所需的靜音控制信號?？刂颇K為ARM處理器；電平平移與變換電路還用于將靜音控制信號的電壓變換，將高電平為3.3V的靜音控制信號變換為5V的靜音控制信號輸出至芯片TDA7294。輸出電流為單一頻率的非脈沖超低頻的電流和/或多種頻率的非脈沖超低頻電流的組合輸出；單一頻率電流和/或多種頻率組合電流同時輸出或分時輸出。多種頻率的組合輸出時采用調(diào)制輸出或疊加輸出。本發(fā)明提供了一種超低頻磁刺激裝置的工作方法，包括步驟l，生成頻率為20Hz以下的直流刺激信號；步驟2，對刺激信號進(jìn)行電位平移，使之成為交流刺激信號；步驟3，對交流刺激信號進(jìn)行功率放大，并產(chǎn)生電流、電場或磁場。本發(fā)明超低頻磁刺激裝置的輸出電流為非脈沖超低頻的電流(20Hz以下)、電場或磁場；輸出的電流可與電極連接用于電治療，可與線圈連接用于磁治療；輸出電流為單一頻率的連續(xù)非脈沖超低頻的電流，和多種頻率的非脈沖連續(xù)超低頻電流的組合輸出，可同時輸出或分時輸出；可多種頻率的組合輸出治療，可采用調(diào)制輸出或疊加輸出；其采用交變的超低頻非脈沖磁場，對人的大腦進(jìn)行磁誘導(dǎo)，從而達(dá)到治療和緩解大腦精神相關(guān)疾病的目的。圖1為本發(fā)明超低頻磁刺激裝置的電路原理圖；圖2為本發(fā)明超低頻磁刺激裝置中音頻輸出電路的原理圖；圖3為本發(fā)明超低頻磁刺激裝置中電平平移與變換電路原理圖；圖4為本發(fā)明超低頻磁剌激裝置中電平平移與變換電路的加法器的電路原理圖5為本發(fā)明超低頻磁刺激裝置中功率放大電路的原理圖；圖6為本發(fā)明超低頻磁刺激裝置中功率放大電路的靜音控制電路原理圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明公開的超低頻磁剌激裝置如圖1所示。包括控制模塊10，電平平移與變換電路20和輸出模塊30?？刂颇K10包括ARM處理器103、觸摸式彩色液晶顯示屏101和音頻芯片102;輸出模塊30包括四個功率放大電路301(該產(chǎn)品的生產(chǎn)者可以設(shè)置功率放大器的個數(shù))以及相應(yīng)的四個線圈303，每個功率放大電路301具有一個通道302。ARM處理器103連接觸摸式彩色液晶顯示屏101，ARM處理器103的輸出端子直接連接電平平移與變換電路20的同時，還通過音頻芯片連接電平平移與變換電路20，電平平移與變換電路20再通過并列的超低頻信號輸出線和靜音控制線連接功率放大電路301，四個功率放大電路301的輸出端各連接一個線圈303，刺激頻率為0.001Hz20Hz;功率放大電路輸出端還可以連接有電療電極(圖中未示出)，電療頻率為0.001Hz20Hz。輸出電流為非脈沖超低頻的20Hz(優(yōu)選0.2Hz)以下電流、電場或磁場；輸出的電流與電極連接用于電治療，與線圈303連接用于磁治療；輸出端只能連接電極或線圈之一；輸出電流為單一頻率的非脈沖超低頻的電流，和多種頻率的的非脈沖超低頻電流的組合輸出，單一頻率電流和多種頻率組合同時輸出或分時輸出；或輸出電流為多種頻率的組合輸出，組合輸出時采用調(diào)制輸出或疊加輸出。刺激頻率0.001Hz20Hz按1毫赫茲連續(xù)可調(diào)；最大磁場強(qiáng)度為200高斯,連續(xù)可調(diào)；輸出波形為單個正弦波或多個正弦波的疊加。如此設(shè)計，超低頻磁刺激裝置的硬件主要由ARM處理器(含有操作系統(tǒng))103、電平平移與變換電路20、和輸出模塊30三部分組成。其中，ARM處理器103主要負(fù)責(zé)人機(jī)界面控制，超低頻刺激信號的生成，靜音控制，治療方案的設(shè)置與存儲，以及磁場標(biāo)定等功能。電平平移與變換電路20負(fù)責(zé)對ARM的輸出信號進(jìn)行電位平移，使之成為O基準(zhǔn)的超低頻信號輸出給功放電路；同時對ARM輸出的靜音信號進(jìn)行電平變換，使之符合后續(xù)功放電路的控制要求。輸出模塊30負(fù)責(zé)對超低頻剌激信號進(jìn)行功率放大，并通過線圈輸出，產(chǎn)生交變的超低頻刺激磁場。本儀器采用變壓器供電，功率為1500W，初級輸入為220VAC，次級為28VAC兩路，12VAC兩路。其中兩路28V輸出串聯(lián)整流后為功放板供電；兩路12V輸出串聯(lián)整流后為電平平移與變換電路和ARM控制模塊供電。其采用超低頻連續(xù)磁場，對人的大腦進(jìn)行磁誘導(dǎo)，從而達(dá)到治療和緩解大腦精神相關(guān)疾病的目的。作為優(yōu)化，所述控制模塊采用型號為QQ2440V3的開發(fā)板，其音頻芯片UDA1341TS通過輸出口的C45，C46電容短接，同時將R4和R9電阻接地去掉濾波功能。如此設(shè)計，控制模塊的主控板采用廣州友善之臂公司生產(chǎn)的QQ2440V3開發(fā)板，液晶顯示采用其配套的7寸彩色液晶屏。根據(jù)需要，對ARM開發(fā)板做了少量改動。即將音頻芯片UDA1341TS輸出口的C45，C46電容短接，同時將R4和R9電阻去掉。原因在于本設(shè)計采用音頻芯片進(jìn)行超低頻刺激信號輸出，而原開發(fā)板上音頻輸出10HZ以下被濾波，所以本設(shè)計將的濾波器件去掉，以產(chǎn)生超低頻信號。針對本儀器的特殊用途，定制了專用的WinCE5.0內(nèi)核，該系統(tǒng)啟動后可自動加載SD卡上的用戶程序。還設(shè)計了專用的超低頻磁刺激系統(tǒng)應(yīng)用程序，該程序可以方便的進(jìn)行對波形參數(shù)的設(shè)置，磁場定標(biāo)，8種刺激方案的設(shè)定和保存，刺激計時，強(qiáng)度在線調(diào)整等實(shí)用功能。作為優(yōu)化，如圖2所示，所述音頻芯片UDA1341TS的1、5、11、27腳直接接地；23、9、21、20腳分別通過10K的R77、R78、R79、R80接地；28腳通過O.ljiF電容C44接地；2、4腳串接后通過10|liF電容C47并接MICIN和47K的R3、R3再通過100K的Rll并接VDD33V和通過10pF電容C48接地；26腳通過10)aF電容C45并接LINEOUTL和通過10K的R9接地；24腳通過1(VF電容C46并接LINEOUTB和通過10K的R4接地；12、16、17、18、19、13、14、15腳分別接CDCLK、12SSCLK、12SLRCK、12SSDI、12SSDO、L3MODE、L3CLOCK、L3DATA;3、7、25腳串接后接AU-AVDD33V，通過10|iF電容C71接地，通過電感L4連接VDD33V;10腳連接VDD33V。如此設(shè)計，結(jié)構(gòu)簡單,性能可靠。作為優(yōu)化，電平平移與變換電路的電平平移是將控制模塊IO輸出的超低頻基準(zhǔn)為1.75V直流信號變換為0V為基準(zhǔn)的交流信號，電平變換是采用集電極開路的反相器芯片實(shí)現(xiàn)控制模塊輸出的靜音信號輸出高電平3.3V到5V的電平轉(zhuǎn)化。如此設(shè)計，電平平移與變換電路20是控制模塊10和輸出模塊30之間的接口電路。其主要作用有二1)電平平移。從控制模塊IO輸出的超低頻信號基準(zhǔn)為1.75V，是直流信號。電平平移的目的是將此信號變換為以O(shè)V為基準(zhǔn)的交流信號。這樣經(jīng)過后續(xù)功率放大放可產(chǎn)生交變的超低頻磁場。2)電平變換?？刂颇K10輸出的靜音信號輸出高電平為3.3V，此電壓和驅(qū)動能力都不足以完成功放的靜音，因此，本設(shè)計采用集電極開路的反相器芯片74LS06實(shí)現(xiàn)3.3V與5V的電平轉(zhuǎn)化，并增加驅(qū)動能力。作為優(yōu)化，如圖3所示，電平平移與變換電路20包括整流橋、穩(wěn)壓器、電解電容、電位器、電阻、NE5532放大器、74LS06反向器、以及電源輸入、信號輸入和輸出三個外接端口；電源接頭ACINPUT的1、2接口的兩路12伏的交流電串接后連接整流橋J0的2、3接口，整流橋J0產(chǎn)生的正負(fù)兩路電壓分別通過其4、1接口連接7805正穩(wěn)壓芯片JI的1接口和7905負(fù)穩(wěn)壓芯片J2的2接口；電源接頭ACINPUT的負(fù)極接口3接地、并連接正穩(wěn)壓芯片JI的2接口和7905負(fù)穩(wěn)壓芯片J2的1接口，還分別通過IOOO)liF電容Cl、1000|liF電容C3、lOOO)aF電容C2、lOOOpF電容C4分別連接正穩(wěn)壓芯片JI的1、3接口、負(fù)穩(wěn)壓芯片J2的2、3接口；正穩(wěn)壓芯片JI的3接口連接NE5532放大器JP1的8接口，放大器JP1的1接口連接INPUT輸出入接頭J5的1接口，放大器JP1的1接口禾B2接口通過6K電阻R4串連，負(fù)穩(wěn)壓芯片J2的3接口與放大器JP1的4接口串接后通過IOK調(diào)節(jié)電位器RI接地，放大器JP1的2接口通過6K電阻R3連接INPUT輸入接頭J4的2接口，放大器JP1的2接口還通過15K電阻R2連接調(diào)節(jié)電位器R1;正穩(wěn)壓芯片JI的3接口、電容C3和放大器JP1的8接口串接后連接74LS06集電極開路的反向器JP2的14接口、還通過33K電阻R5連接反向器JP2的2接口，反向器JP2的14接口通過O.l]LtF電容C5接地，電容C5接地前還連接INPUT輸入接頭J4的3接U、OUTPUT輸出入接頭J5的3接口和反向器JP2的7接口，反向器JP2的1接口連接INPUT輸入接頭J4的1接口，反向器JP2的2接口連接OUTPUT輸出接頭J5的1接口。圖2中的輸出信號LINEOUTL與INPUT輸入接頭J4的2接口連接，輸出信號LINEOUTB懸空。如此設(shè)計，該電路主要由整流橋、穩(wěn)壓器、電解電容、電位器、電阻、NE5532放大器、74LS06反向器、以及電源輸入、信號輸入和輸出三個外接端口組成。工作原理為電源提供的兩路12伏的交流電串接后通過整流橋，產(chǎn)生的正負(fù)兩路電壓，通過正穩(wěn)壓芯片7805和負(fù)穩(wěn)壓芯片7905，分別輸出正負(fù)5伏的直流電，為放大器NE5532供電。利用放大器NE5532、電阻和電位器搭建加法器電路，通過調(diào)節(jié)電位器進(jìn)行電平平移。1)整流橋采用3A排橋，兩路12伏交流電從兩個輸入端進(jìn)入，有正負(fù)兩路整流后的輸出。2)穩(wěn)壓器采用7805和7905兩穩(wěn)壓塊，整流橋的輸出電壓，正向電壓經(jīng)過7805轉(zhuǎn)化為5伏直流正電壓，負(fù)向電壓經(jīng)過7905轉(zhuǎn)化為5伏直流負(fù)電壓。3)電解電容穩(wěn)壓器兩端的0.1uF/25伏的電解電容是旁路電容，抑制電路屮可能產(chǎn)生的自激振蕩，起到抑制干擾的作用。4)運(yùn)算放大器采用運(yùn)算放大器NE5532，其為DIP8封裝的雙運(yùn)放，內(nèi)部為JFET(結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu))，驅(qū)動力強(qiáng)，電壓適應(yīng)范圍非常寬，從正負(fù)3V至正負(fù)20V都能正常工作。5)加法器原理圖4所示，利用計算公式《選擇10K電位器，^選擇i5K電阻，A、^選擇6K電阻，帶入上述公式可得輸出電壓在原信號上加入0V-2V的平移電壓。作為優(yōu)化，所述功率放大電路的音頻放大芯片為TDA7294型，所述功率放大電路的其額定輸出功率達(dá)100W、工作電壓為士32V。如此設(shè)計，輸出模塊30負(fù)責(zé)對超低頻刺激信號進(jìn)行功率放大，并通過線圈輸出，產(chǎn)生交變的超低頻刺激磁場。作為優(yōu)化，如圖5所示，所述功率放大電路是音頻放大芯片TDA7294的1接口STBY-GND接地，音頻放大芯片TDA7294的8和15接口串接后分別通9過100nF的電容C9接地、接輸入信號-VS、通過1000nF的電容C8接地；音頻放大芯片TDA7294的7和13接口串接后分別通過100nF的電容C7接地、接輸入信號+VS、通過1000nF的電容C6接地；音頻放大芯片TDA7294的4接口接地，音頻放大芯片TDA7294的3接口通過22K電阻Rl接地，音頻放大芯片TDA7294的2接口通過680Q的電阻R2接地，還通過22K電阻R3連接音頻放大芯片TDA7294的14接口、22pF電容C5和線圈303，電容C5再連接音頻放大芯片TDA7294的6接口，線圈303再接地。圖3中的輸出信號outputl與作為輸入與音頻放大芯片TDA7294的3接口連接(四個音頻放大芯片均接收該輸出信號outputl)，圖3中的輸出信號output2與音頻放大芯片TDA7294的10接口連接(四個音頻放大芯片均接收該輸出信號output2)。如此設(shè)計，功率放大電路采用了音頻放大芯片TDA7294，其額定輸出功率可達(dá)到100W(工作電壓為士32V時)。各器件的作用如下表所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>以上電子部件可以大于或小于推薦值，其中Rl用于輸入阻抗、大于推薦值時用于提高輸入阻抗、小于推薦值時用于減小輸入阻抗；R2用于閉環(huán)增益到30DB，大于推薦值時減小增益、小于推薦值時增大增益；R3用于閉環(huán)增益到30DB，大于推薦值時增大增益、小于推薦值時減小增益；R4用于STBY時間，人于推薦值時更高待機(jī)時間、小于推薦值時更小待機(jī)吋間；R5用于MUTE時間，大于推薦值時更高靜音時間、小于推薦值時更低靜音時間；C3用于MUTE時間，大于推薦值時更高靜音時間、小于推薦值時更低靜音時間；C4用于STBY時間，大于推薦值時更高待機(jī)時間、小于推薦值時更小待機(jī)時間；C5屬于自舉電容、小于推薦值時低頻信號衰減；C6,C8用于電源過濾。C7，C9用于電源過濾。作為優(yōu)化，所述功率放大電路的音頻放大芯片為TDA7294型，所述功率放大電路的其額定輸出功率達(dá)100W、工作電壓為土32V。如此設(shè)計，匹配性好。作為優(yōu)化，所述功率放大電路還包括靜音控制電路，如圖5所示，靜音控制電路是音頻放大芯片TDA7294的STBY端子通過20K電阻R20連接音頻放大芯片TDA7294的4接口，還通過電容C20接地；音頻放大芯片TDA7294的MUTE端子通過10昭電容C21接地，還依次通過相互并聯(lián)的30K電阻R21、IN4148二極管和10K電阻R22串接音頻放大芯片TDA7294的4接口與電阻R20之間的連線。如此設(shè)計，為了使在不需要磁場輸出時，線圈中沒有任何干擾電流，其的輸出為O，在功放電路中增加了靜音控制。其電路圖如圖5所示，當(dāng)MUTE端為高電平(+5V)時，TDA7294芯片正常工作，對輸入信號進(jìn)行功率放大。當(dāng)MUTE端為低電平(<2.5V)時，TDA7294芯片靜音，即無論有無輸入信號，輸出電流為O。作為優(yōu)化，輸出電流為非脈沖超低頻的0.2Hz以下電流、電場或磁場；輸出的電流與電極連接用于電治療，與線圈連接用于磁治療；輸出電流為單一頻率的非脈沖超低頻的電流，和多種頻率的的非脈沖超低頻電流的組合輸出，單一頻率電流和多種頻率組合電流同時輸出或分時輸出；或輸出電流為多種頻率的組合輸出，組合輸出時采用調(diào)制輸出或疊加輸出。作為優(yōu)化，剌激頻率0.001Hz20Hz按1毫赫茲連續(xù)可調(diào)，可以通過調(diào)節(jié)選擇相應(yīng)的頻率，例如O.OOlHz,0.002Hz，0.003Hz,0.005Hz，O.OlHz，O.lHz，0.2Hz，0.5Hz，lHz，2Hz，4Hz，8Hz，10Hz，16Hz，18Hz等不同的頻率；最大磁場強(qiáng)度為200高斯,連續(xù)可調(diào)；輸出波形為單個正弦波或多個正弦波的疊加。如此設(shè)計，其采用交變的超低頻連續(xù)磁場，對人的大腦進(jìn)行磁誘導(dǎo)，從而達(dá)到治療和緩解大腦精神相關(guān)疾病的目的。需要說明的是采用變壓器供電，功率為1500W，初級輸入為220VAC，次級為28VAC兩路，12VAC兩路。其中兩路28V輸出串聯(lián)整流后為功放板供電；兩路12V輸出串聯(lián)整流后為電平平移與變換電路和ARM控制模塊供電。本發(fā)明還提供了一種超低頻磁刺激裝置的工作方法，包括步驟l，生成頻率為20Hz以下的直流剌激信號；歩驟2，對刺激信號進(jìn)行電位平移，使之交流刺激信號；步驟3，對交流刺激信號進(jìn)行功率放大，并產(chǎn)生電流、電場或磁場。ii權(quán)利要求1.一種超低頻磁刺激裝置，其特征在于，該裝置包括控制模塊、電平平移與變換電路、輸出模塊，其中，控制模塊，用于生成頻率為20Hz以下的直流刺激信號；電平平移與變換電路，用于對刺激信號進(jìn)行電位平移，使之成為交流刺激信號；輸出模塊，用于對交流刺激信號進(jìn)行功率放大，并產(chǎn)生電流、電場或磁場。2.如權(quán)利要求1所述的超低頻磁刺激裝置，其特征在于，控制模塊包括ARM處理器以及音頻芯片，音頻芯片在ARM處理器的控制下產(chǎn)生所述直流刺激信號。3.如權(quán)利要求1所述的超低頻磁刺激裝置，其特征在于，還包括人機(jī)界面，與ARM通信以實(shí)現(xiàn)人機(jī)界面控制。4.如權(quán)利要求2所述的超低頻磁剌激裝置，其特征在于，控制模塊采用型號為QQ2440V3的開發(fā)板，所述音頻芯片為UDA1341TS;UDA1341TS通過輸出口的電容(C45)和電容(C46)短接，通過輸出口的電阻(R4)和電阻(R9)R9接地。5.如權(quán)利要求1所述的超低頻磁刺激裝置，其特征在于，輸出模塊包括至少一個功率放大電路，功率放大電路的輸出端和一個線圈連接。6.如權(quán)利要求2所述的超低頻磁剌激裝置，其特征在于，輸出模塊包括至少一個功率放大電路，功率放大電路的輸出端和一個電極連接。7.如權(quán)利要求1所述的超低頻磁刺激裝置，其特征在于，所述交流剌激信號是以0V為基準(zhǔn)的交流刺激信號。8.如權(quán)利要求5所述的超低頻磁刺激裝置，其特征在于，所述功率放大電路為芯片TDA7294;控制模塊還用于輸出芯片TDA7294所需的靜音控制信號9.如權(quán)利要求8所述的超低頻磁刺激裝置，其特征在于，控制模塊為ARM處理器；電平平移與變換電路還用于將靜音控制信號的電壓變換，將高電平為3.3V的靜音控制信號變換為5V的靜音控制信號輸出至芯片TDA7294。10.根據(jù)權(quán)利要求l-9任一項(xiàng)所述超低頻磁刺激裝置，其特征在于，輸出電流為單一頻率的非脈沖超低頻的電流和/或多種頻率的非脈沖超低頻電流的組合輸出；單一頻率電流和/或多種頻率組合電流同時輸出或分時輸出。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述超低頻磁刺激裝置，其特征在于，多種頻率的組合輸出時采用調(diào)制輸出或疊加輸出。12.—種超低頻磁刺激裝置的工作方法，其特征在于，包括步驟l，生成頻率為20Hz以下的直流刺激信號；歩驟2，對剌激信號進(jìn)行電位平移，使之成為交流刺激信號；步驟3，對交流刺激信號進(jìn)行功率放大，并產(chǎn)生電流、電場或磁場。全文摘要本發(fā)明提供了一種超低頻磁刺激裝置及其工作方法。該裝置包括控制模塊、電平平移與變換電路和輸出模塊，其中，控制模塊，用于生成頻率為20Hz以下的直流刺激信號；電平平移與變換電路，用于對刺激信號進(jìn)行電位平移，使之成為交流刺激信號；輸出模塊，用于對交流刺激信號進(jìn)行功率放大，并產(chǎn)生電流、電場或磁場。本發(fā)明超低頻磁刺激裝置的輸出電流為非脈沖超低頻的電流(20Hz以下)、電場或磁場；輸出的電流可與電極連接用于電治療，可與線圈連接用于磁治療，從而達(dá)到治療和緩解大腦相關(guān)疾病的目的。文檔編號A61N1/18GK101491715SQ200910077790公開日2009年7月29日申請日期2009年2月19日優(yōu)先權(quán)日2009年2月19日發(fā)明者侯興凱,侯建凱,劉恩平,徐建蘭申請人:梅州康立高科技有限公司